CN108957873A - 液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示装置包括：第一基板；在第一基板上彼此交叉以限定多个像素区域的多条栅极线和多条数据线；电连接至每条栅极线和每条数据线的薄膜晶体管；第一电极，第一电极具有板形状、接触薄膜晶体管的漏极电极并且设置在每个像素区域中；位于第一电极上的钝化层；和位于钝化层上的第二电极，其中第二电极具有对应于第一电极的开口。

Description

液晶显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年5月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0061552的权益，在此通过引用将该专利申请的全部内容并入本申请中。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置，更具体地，涉及一种能够有效提高响应速度和透射率的液晶显示装置。
背景技术
一般来说，通过使用液晶的光学各向异性和偏振特性驱动液晶显示装置(LCD)。由于液晶具有细长结构，所以液晶分子具有取向方向。可通过人为地向液晶施加电场来控制液晶分子的取向方向。
因此，当任意调整液晶分子的取向方向时，液晶分子的取向可发生变化。因此，由于光学各向异性，光可在液晶分子的取向方向上折射，从而显示图像信息。
当前，由于高分辨率和显示运动图像的出色表现，有源矩阵LCD(下文中简称为LCD)(其中薄膜晶体管和连接至薄膜晶体管的像素电极以矩阵形式布置)正引起更多关注。
LCD包括其上形成公共电极的滤色器基板、其上形成像素电极的阵列基板、以及夹在这两个基板之间的液晶。由于通过公共电极与像素电极之间感生的电场驱动液晶，所以LCD具有出色的特性，比如高透射率和开口率。
此外，近来，已开发了面内切换(IPS)模式LCD，其中电极交替设置在上基板和下基板中的一个基板上并且液晶设置在上基板和下基板之间以显示图像。
通常，IPS模式LCD通过使用电场调整具有介电各向异性(Δε)的液晶的光透射率来显示图像。主要通过贴附其上形成有滤色器的滤色器基板和其上形成有薄膜晶体管的阵列基板并且在它们之间插入液晶来形成IPS模式LCD。
在此，阵列基板包括形成在每个像素区域中的薄膜晶体管、像素电极和公共电极，每个像素区域通过栅极线和数据线的交叉而限定在阵列基板上。
薄膜晶体管响应于来自栅极线的栅极信号将来自数据线的数据信号提供至像素电极。
像素电极从薄膜晶体管接收数据信号，以使得液晶被驱动，并且公共电极接收当液晶被驱动时作为基准的公共电压。液晶根据通过像素电极的数据信号和公共电极的公共电压产生的电场进行旋转，使得光透射率被调整，以实现灰度级。
近来，已提出了比IPS模式LCD具有更佳视角特性的边缘场切换(FFS)模式LCD。
图1是显示相关技术的FFS模式LCD的示意图。
如图1中所示，FFS模式LCD 10包括在一个方向上具有线形状的栅极线43、以及具有与栅极线43交叉的线形状以限定像素区域P的数据线51。
此外，开关元件，即，薄膜晶体管Tr形成在像素区域P中。薄膜晶体管Tr连接至数据线51和栅极线43并且包括栅极电极(未示出)、栅极绝缘层(未示出)、半导体层(未示出)、源极电极55和漏极电极58。
板形公共电极60和与板形公共电极60交叠的像素电极70形成在像素区域P中。像素电极70具有多个条形开口op。
在这种情形中，板形公共电极60形成在显示区域的整个表面上，但板形公共电极60的与一个像素区域P对应的部分由虚线表示。
具有这种构造的FFS模式LCD 10通过向板形公共电极60和在每个像素区域P中具有多个条形开口的像素电极70施加电压产生边缘场。
同时，近来，为了提高显示器的实用性，已积极研究了LCD的高响应速度。
在此，响应速度(下文中，称为GTG(grey to grey))表示从浅灰色到深灰色所花费的时间。就是说，响应速度是通过测量亮度从10％变到90％的时间而获得的值。
例如，在虚拟现实(VR)装置的情形中，由于在眼睛靠近屏幕的情况下观看图像，所以LCD的高响应速度变得非常重要。
然而，由于FFS模式LCD 10使用流体(即液晶)的电光效应，所以由于液晶的行为，响应速度受到限制。因此，导致由于闪烁而引起的残像。在相关技术的FFS模式LCD 10的情形中，视角特性得到改善，但响应速度的提高存在限制。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的液晶显示装置。
本发明的目的是提供一种能够同时有效实现高响应速度和提高透射率的液晶显示装置。
在下面的描述中将阐述本发明的附加特征和优点，这些特征和优点的一部分通过该描述将是显而易见的，或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现所述目的，本发明提供了一种液晶显示装置，包括：第一基板；在所述第一基板上彼此交叉以限定多个像素区域的多条栅极线和多条数据线；电连接至每条栅极线和每条数据线的薄膜晶体管；第一电极，所述第一电极具有板形状、接触所述薄膜晶体管的漏极电极并且设置在每个像素区域中；位于所述第一电极上的钝化层；和位于所述钝化层上的第二电极，其中所述第二电极具有对应于所述第一电极的开口。
应当理解，前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性的和解释性的，旨在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括用来提供对本发明的进一步理解并且并入本申请中组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的实施方式的原理。
图1是显示相关技术的边缘场切换(FFS)模式液晶显示装置(LCD)的示意图。
图2是显示根据本发明第一实施方式的LCD的构造的示意图。
图3是显示根据本发明第一实施方式的阵列基板的一部分的平面图。
图4是显示根据本发明第二实施方式的LCD的构造的示意图。
图5是显示根据本发明第二实施方式的阵列基板的一部分的平面图。
图6A是显示根据本发明第二实施方式的阵列基板的一个像素区域的平面图。
图6B是显示根据本发明第二实施方式的LCD的液晶分子的初始取向状态的示意图。
图6C是显示根据本发明第二实施方式的液晶分子的运动的示意性图像。
图7A和7B是显示根据本发明第二实施方式的LCD的变型例的示意图。
图8A是显示根据本发明第二实施方式的LCD的透射率变化与相关技术的LCD的透射率变化之间的对比的图表。
图8B是显示根据本发明第二实施方式的LCD的响应速度与相关技术的LCD的响应速度之间的对比的图表。
具体实施方式
下文中，将参照附图描述根据本发明示例性实施方式的LCD。
[第一实施方式]
图2是显示根据本发明第一实施方式的液晶显示装置(LCD)的构造的示意图。
如图2中所示，半导体层115可形成在第一基板110上的每个像素区域P中的、形成有薄膜晶体管Tr的元件区域TrA中。栅极绝缘层118可形成在半导体层115和第一基板110的整个表面上。栅极电极112可形成在栅极绝缘层118上从而与半导体层115的中央部分115a对应。
此外，具有半导体接触孔125的层间绝缘膜123可形成在栅极电极112和第一基板110的整个表面上。半导体接触孔125分别暴露半导体层115中的暴露到栅极电极112外部的高掺杂的源极区域115b和漏极区域115c。
在前面的描述中，作为示例描述了具有共面结构的薄膜晶体管Tr，但本发明不限于此。例如，可使用具有底栅结构的薄膜晶体管。
源极电极155和漏极电极158可形成在层间绝缘膜123上，从而分别通过半导体接触孔125与源极区域115b和漏极区域115c接触并且彼此分隔开。
第一钝化层150和第二钝化层180可形成在源极电极155和漏极电极158上，第一钝化层150和第二钝化层180具有配置成暴露漏极电极158的漏极接触孔153。
在此，公共电极160可设置在第一钝化层150与第二钝化层180之间，并且像素电极170可设置在第二钝化层180上。
在此，像素电极170可通过漏极接触孔153与漏极电极158接触。
另一方面，第一取向层191可形成在像素电极170上。
如上所述，由于第二钝化层180形成在公共电极160与像素电极170之间，所以可实现当施加电压时产生边缘场的结构。
另一方面，配置成防止光泄漏的黑矩阵(未示出)可形成在与第一基板110相对的第二基板120的内表面上。具有红色、绿色和蓝色滤色器图案的滤色器层(未示出)可形成在黑矩阵之间。
配置成将滤色器层的表面平坦化并保护滤色器层的涂覆层(未示出)可形成在滤色器层上。第二取向层192可形成在涂覆层上。
如上所述，通过贴附第一基板110和第二基板120并在它们之间插入具有液晶分子LCM的液晶层198制造边缘场切换(FFS)模式LCD 100。
FFS模式LCD 100的上述构造仅仅是示例，本发明不限于此。
图3是显示根据本发明第一实施方式的阵列基板的一部分的平面图。
图3显示了位于彼此交叉以限定像素区域P的栅极线GL和数据线DL的交叉部分处并且配置成导通/关断电压的图2的薄膜晶体管Tr、具有板形状并形成在像素区域P的公共电极160、以及具有多个开口的像素电极170。
在此，公共电极160形成在显示区域的整个表面上，但公共电极160的与一个像素区域P对应的部分由虚线表示。像素电极170设置在公共电极160上方。像素电极170可通过接触孔CH连接至图2的薄膜晶体管Tr。
在此，像素电极170可在其中央部分处具有在平行于数据线DL的方向上延伸的第一开口1op。
此外，像素电极170可具有第二开口2op，第二开口2op相对于第一开口1op来说在平行于栅极线GL的方向上延伸。
在此，第一开口1op和第二开口2op可具有矩形形状。
可设置多个第二开口2op从而彼此分隔开。
在此，第二开口2op可相对于第一开口1op来说相互不对称。就是说，像素电极170允许通过第二开口2op形成条形电极。因此，像素电极170可具有其中第二开口2op和条形电极交替形成的形状。
在这种情形中，根据第一实施方式的FFS模式LCD 100相对于第一开口1op来说形成不对称结构。
就是说，当第二开口2op设置在第一开口1op左侧时，条形电极可设置在第一开口1op右侧。当第二开口2op设置在第一开口1op右侧时，条形电极可设置在第一开口1op左侧。因此，FFS模式LCD 100可具有如下电极结构：其中相对于第一开口1op来说右侧和左侧相互不对称。
由于像素电极170的结构，图2的液晶分子LCM在相同方向上旋转的区域变得更小，所以液晶分子LCM之间的弹力增加，由此提高了LCD的响应速度。
如上所述，与图1的相关技术的FFS模式LCD 10相比，可认为LCD100的响应速度提高。
由于在液晶分子LCM的旋转方向不同的情况下在液晶分子LCM之间的边界处发生旋转位移(disclination)，所以在根据第一实施方式的FFS模式LCD 100的电极结构中，当施加电压时液晶分子LCM在不同的方向上旋转。因而，可产生多条旋转位移线，不会获得足够的透射率。
[第二实施方式]
本发明的第二实施方式涉及一种能够同时有效实现高响应速度并提高透射率的LCD。下文中，将参照附图描述本发明的第二实施方式。
图4是显示根据本发明第二实施方式的LCD的构造的示意图，图5是显示根据本发明第二实施方式的阵列基板的一部分的平面图。
如图4中所示，半导体层215可形成在第一基板210上的每个像素区域P中的、形成有薄膜晶体管Tr的元件区域TrA中。栅极绝缘层218可形成在半导体层215和第一基板210的整个表面上。栅极电极212可形成在栅极绝缘层218上从而与半导体层215的中央部分215a对应。
此外，具有半导体接触孔225的层间绝缘膜223可形成在栅极电极212和第一基板210的整个表面上。半导体接触孔225分别暴露半导体层215中的暴露到栅极电极212外部的高掺杂的源极区域215b和漏极区域215c。
在前面的描述中，作为示例描述了具有共面结构的薄膜晶体管Tr，但本发明不限于此。例如，可使用具有底栅结构的薄膜晶体管。
此外，源极电极255和漏极电极258可形成在层间绝缘膜223上，从而分别通过半导体接触孔225与源极区域215b和漏极区域215c接触并且彼此分隔开。
第一钝化层250可形成在源极电极255和漏极电极258上，第一钝化层250具有配置成暴露漏极电极258的漏极接触孔253。
在此，在根据本发明第二实施方式的LCD 200中，具有板形状的第一电极260设置在第一钝化层250上并且由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料制成。
第一电极260通过形成在第一钝化层250中的漏极接触孔253与漏极电极258接触。
就是说，第一电极260可形成在每个像素区域P中，并且每个第一电极260可通过漏极接触孔253连接至每个薄膜晶体管Tr。
第二钝化层280可形成在第一电极260和显示区域的整个表面上，第二钝化层280可由诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)之类的无机绝缘材料、或者诸如苯并环丁烯(BCB)或光学压克力(photo acryl)之类的有机绝缘材料制成。
此外，第二电极270形成在显示区域的整个区域中的第二钝化层280上并且由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料制成。
在此，第二电极270可具有与形成在每个像素区域P中的第一电极260对应的开口。下面将更详细地描述第二电极270中形成的开口。
同时，第一取向层291可形成在第二电极270上。
如上所述，由于第二钝化层280形成在第一电极260与第二电极270之间，所以可实现当施加电压时产生边缘场的结构。
另一方面，配置成防止光泄漏的黑矩阵(未示出)可形成在与第一基板210相对的第二基板220的内表面上。具有红色、绿色和蓝色滤色器图案的滤色器层(未示出)可形成在黑矩阵之间。
配置成将滤色器层的表面平坦化并保护滤色器层的涂覆层(未示出)可形成在滤色器层上。第二取向层292可形成在涂覆层上。
如上所述，通过贴附第一基板210和第二基板220并在它们之间插入具有液晶分子LCM的液晶层298制造FFS模式LCD 200。
在根据本发明一实施方式的LCD 200中，漏极电极258和第一电极260通过漏极接触孔253彼此接触。然而，在另一实施方式中，漏极电极258和第二电极270可通过漏极接触孔253彼此接触，第一电极260可形成在显示区域的整个表面上，并且可针对每个像素区域P形成第二电极270。
此外，第一电极260和第二电极270中的一个电极可以是像素电极，另一个电极可以是公共电极。
FFS模式LCD 200的上述构造仅仅是示例，本发明不限于此。
下文中，将作为示例描述第一电极260是像素电极，第二电极270是公共电极的情形。
图5显示了栅极线GL和数据线DL彼此交叉以限定像素区域P，在像素区域P中在栅极线GL和数据线DL的交叉部分处薄膜晶体管Tr配置成导通/关断电压，像素电极260具有板形状并形成在每个像素区域P中，并且图4的公共电极270具有开口270a。
在此，图4的公共电极270形成在显示区域的整个表面上。公共电极270的开口270a由实线表示，形成在每个像素区域P中的像素电极260由虚线表示。
像素电极260通过图4的漏极接触孔253连接至薄膜晶体管Tr。
薄膜晶体管Tr在图中作为示例被显示为具有U形沟道。然而，薄膜晶体管Tr的沟道形状可根据图4的源极电极255和漏极电极258的结构进行各种修改。
此外，薄膜晶体管Tr的图4的栅极电极212被显示为由栅极线GL自身的一部分形成。然而，图4的栅极电极212可形成为自栅极线GL起向像素区域P中分支。
在此，在根据本发明第二实施方式的图4的LCD 200中，图4的公共电极270的开口270a形成为对应于每个像素区域P中形成的像素电极260。
就是说，可在一个像素区域P中形成图4的公共电极270的一个开口270a，开口270a可具有梯形形状。
图6A是显示根据本发明第二实施方式的阵列基板的一个像素区域的平面图。图6B是显示根据本发明第二实施方式的LCD 200的液晶分子LCM的初始取向状态的示意图。图6C是显示根据本发明第二实施方式的液晶分子LCM的运动的示意性图像。
如图6A中所示，公共电极270设置在像素电极260上，并且公共电极270包括具有梯形形状的开口270a。在此，对应于一个像素区域P的公共电极270由点划线表示，公共电极270的开口270a由实线表示，像素电极260由虚线表示。
在此，具有梯形形状的开口270a可具有与图5的栅极线GL平行的短边SS和长边LS。
此外，开口270a可具有连接短边SS和长边LS的第一边L1和第二边L2。
具有梯形形状的开口270a可具有左右对称性。
在此，开口270a的短边SS的长度可以是形成在一个像素区域P中的像素电极260的宽度260s的0.15倍到0.3倍。
在此，像素电极260的宽度260s是指像素电极260的沿与图5的栅极线GL平行的短轴的宽度。
在此，开口270a的长边LS的长度可以是像素电极260的宽度260s的0.7倍到0.8倍。
具有梯形形状的开口270a的短边SS与第一边L1或第二边L2可形成彼此相等的第一钝角θ1和第二钝角θ2。第一钝角θ1和第二钝角θ2可在91°到130°的范围内。
在此，像素电极260的宽度260s可在5μm到6μm的范围内，但不限于此。
沿图5的栅极线GL的延伸方向相邻像素电极260之间的图5的距离T可在2μm到4μm的范围内，但不限于此。
由于像素电极260和设置在像素电极260上方的公共电极270的开口270a，甚至可通过图4的液晶分子LCM的精细旋转表现出期望的灰度级。就是说，液晶的上升时间可减少。
图6B显示了根据第二实施方式的LCD 200的液晶分子LCM的初始取向状态。
在此，图6B显示了设置在第一区域A1，即，公共电极270的开口270a的区域上的第一液晶分子LCM1、以及设置在第二区域A2和第三区域A3，即，公共电极270的开口270a的第一边L1和第二边L2的区域上的第二液晶分子LCM2和第三液晶分子LCM3。
就是说，第一液晶分子LCM1可以是设置在公共电极270和像素电极260彼此不交叠的区域中的液晶分子。
在此，第一到第三液晶分子LCM1到LCM3可以是具有正介电各向异性(Δε)的正型液晶分子。在这种情形中，取向方向可以是平行于第二轴Y的方向。
此外，第一到第三液晶分子LCM1到LCM3可以是具有负介电各向异性(Δε)的负型液晶分子。在这种情形中，取向方向可以是与垂直于第二轴Y的第一轴X平行的方向。
下文中，将作为示例描述第一到第三液晶分子LCM1到LCM3是具有负介电各向异性(Δε)的负型液晶分子的情形。
在此，图4的第一基板210的图4的第一取向层291和图4中的第二基板220的图4的第二取向层292可由相同的取向方向。
在此，第一到第三液晶分子LCM1到LCM3的初始取向方向是与第一轴X相同的方向。
图6C显示了当向图4的像素电极260和图4的公共电极270施加电压时，第一到第三液晶分子LCM1到LCM3的运动。
在此，参照图6C，当向图4的像素电极260和图4的公共电极270施加电压时，第一到第三液晶分子LCM1到LCM3的取向方向根据形成在图4的像素电极260与图4的公共电极270之间的电场而变化。
具有负介电各向异性(Δε)的第一到第三负型液晶分子LCM1到LCM3进行取向，使得其长轴平行于与施加电场的方向垂直的方向。
在这种情形中，由于不同方向上的电场达到平衡，设置在第一区域A1，即，公共电极270的开口270a的区域上的第一液晶分子LCM1不旋转。
就是说，设置在第二区域A2和第三区域A3上的第二液晶分子LCM2和第三液晶分子LCM3的长轴与施加电场的方向垂直地旋转，但设置在第一区域A1上的第一液晶分子LCM1不旋转。
就是说，旋转区域，即，第二区域A2和第三区域A3定位为相对于固定区域，即，第一区域A1来说相互对称。
当施加电压时，仅相对于第一区域A1上的第一液晶分子LCM1来说相互对称的第二区域A2和第三区域A3上的第二液晶分子LCM2和第三液晶分子LCM3旋转。因而，当去除施加的电压时，可通过第一区域A1上的第一液晶分子LCM1增大使第二区域A2和第三区域A3上的第二液晶分子LCM2和第三液晶分子LCM3返回到初始取向状态的恢复力，由此减少下降时间。
此外，由于本发明第二实施方式的第二区域A2和第三区域A3上的第二液晶分子LCM2和第三液晶分子LCM3具有相同的旋转方向，所以在液晶分子LCM的旋转方向与第一实施方式不同的情形中可减少在液晶分子LCM之间的界面处旋转位移线的发生，由此有效提高透射率。
图7A和7B是显示根据本发明第二实施方式的LCD 200的变型例的示意图。
如图7A中所示，公共电极370设置在像素电极360上方。公共电极370具有与形成在图5的一个像素区域P中的像素电极360对应的开口370a。
在此，开口370a可具有与图5的栅极线GL平行的短边SS和长边LS。
此外，开口370a可具有连接短边SS和长边LS的第一边L1和第二边L2。
在此，第一边L1和第二边L2的每一个可包括具有不同钝角θ1和θ2的两个边。
此外，如图7B中所示，公共电极470设置在像素电极460上方。公共电极470可具有开口470a，开口470a具有六边形形状并且与形成在图5的一个像素区域P中的像素电极460对应。
变型例仅仅是示例，公共电极470的开口470a可具有各种形状，比如具有左右对称性的多边形形状。
图8A是显示根据本发明第二实施方式的LCD的透射率变化与相关技术的LCD的透射率变化之间的对比的图表。图8B是显示根据本发明第二实施方式的LCD的响应速度与相关技术的LCD的响应速度之间的对比的图表。
如图8A和8B中所示，根据本发明第二实施方式Em2的图4的LCD200的透射率变化可认为比比较例Com，即，图1的相关技术的LCD 10更快。
在此，常黑模式中LCD的响应速度被确定为是上升时间Ton，即，当向液晶单元施加电位差时，由于液晶分子的取向变化，透射率从10％变为90％的时间。相反，常白模式中LCD的响应速度被确定为是下降时间Toff，即，当去除电位差时，由于液晶分子的取向反转，透射率从90％变为10％的时间。
参照图8A，上升时间Ton是图表的Y轴上的透射率从0.1变为0.9的时间。下降时间Toff是透射率从0.9变为0.1的时间。
在此，与图1的相关技术的LCD 10相比，当施加电压时根据本发明第二实施方式的图4的LCD 200的透射率可认为快速升高，当去除施加的电压时快速下降。
更具体地说，参照图8B，根据本发明第二实施方式的图4的LCD 200的上升时间是图1的相关技术的LCD 10的上升时间(Ref：100％)的65％，因而LCD 200的上升时间可认为与图1的相关技术的LCD 10相比改善了35％。LCD 200的下降时间是图1的相关技术的LCD10的下降时间(Ref：100％)的46.5％，因而LCD 200的下降时间可认为与图1的相关技术的LCD 10相比改善了53.5％。
就是说，与图1的相关技术的LCD 10相比，本发明第二实施方式的图4的LCD 200的上升时间Ton和下降时间Toff显著改善。
如上所述，在根据本发明第二实施方式的LCD 200中，通过像素电极和设置在像素电极上方的公共电极的开口，可通过液晶分子的精细旋转表现期望的灰度级。就是说，可减少液晶的上升时间。
此外，当施加电压时，仅相对于第一区域上的第一液晶分子来说相互对称的第二区域和第三区域上的第二液晶分子和第三液晶分子旋转。因而，当去除施加的电压时，可通过第一区域上的第一液晶分子增大使第二区域和第三区域上的第二液晶分子和第三液晶分子返回到初始取向状态的恢复力，由此减少下降时间。
此外，可减少旋转位移线，由此当与第一实施方式相比时有效提高透射率。
如上所述，根据本发明的LCD通过与图1的相关技术的FFS模式LCD10相比同时有效提高响应速度和透射率，可实现能够进行高速响应操作的显示器。例如，在虚拟现实(VR)装置中可有效修正残像，并且同时可提高图像质量。
在本发明中，设置在形成于每个像素区域中的第一电极上方的第二电极具有对应于第一电极的开口，以改善液晶的上升时间和下降时间，由此同时实现高速响应以及有效提高透射率。
尽管上面涉及和描述了本发明的示例性实施方式，但将理解，在不背离所附权利要求书中列出的本发明的构思和范围的情况下，所属领域普通技术人员可对本发明进行修改和变化。

Claims (10)

1.一种液晶显示装置，包括：
第一基板；
在所述第一基板上彼此交叉以限定多个像素区域的多条栅极线和多条数据线；
电连接至每条栅极线和每条数据线的薄膜晶体管；
第一电极，所述第一电极具有板形状、接触所述薄膜晶体管的漏极电极并且设置在每个像素区域中；
位于所述第一电极上的钝化层；和
位于所述钝化层上的第二电极，
其中所述第二电极具有对应于所述第一电极的开口。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述开口具有梯形形状。
3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中所述梯形形状具有短边、平行于所述短边的长边、以及连接所述短边和所述长边的第一边和第二边，并且
所述短边的长度是所述第一电极的宽度的0.15倍到0.3倍。
4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中所述长边的长度是所述第一电极的宽度的0.7倍到0.8倍。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其中所述梯形形状的钝角在91°到130°的范围内。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，还包括位于所述第二电极上并且包括多个液晶分子的液晶层。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，还包括位于所述液晶层的上方的第二基板。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中在所述第二电极与所述液晶层之间设置有第一取向层并且在所述第二基板与所述液晶层之间设置有第二取向层。
9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中所述液晶分子是具有正介电各向异性的正型液晶分子，并且所述第一取向层和所述第二取向层的每一个的取向方向平行于所述数据线。
10.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中所述液晶分子是具有负介电各向异性的负型液晶分子，并且所述第一取向层和所述第二取向层的每一个的取向方向平行于所述栅极线。
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