CN108933015B - 消磁电路、消磁器和消磁电路的控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种消磁电路、消磁器和消磁电路的控制方法，其电路部分包括包括触发控制模块、调整模块、升压模块、整流滤波模块和至少一个消磁模块，所述消磁模块通过所述整流滤波模块与所述升压模块连接，所述升压模块将外部电源的输入电压升高，所述整流滤波模块将经过所述升压模块的电流由交流电变为直流电和滤波；所述触发控制模块通过所述调整模块与所述消磁模块连接，所述触发控制模块通过所述调整模块控制所述消磁模块的触发时序。本发明的消磁器解决了传统消磁器消磁范围小，对防盗标签的方位存在较大的消磁能力差异，不能同时对多个处在不同位置和方向的防盗标签进行有效消磁的技术问题。

Description

消磁电路、消磁器和消磁电路的控制方法

技术领域

本发明涉及AM EAS声磁商品电子防盗产品中的58kHz防盗标签消磁技术领域，尤其涉及一种消磁电路、消磁器和消磁电路的控制方法。

背景技术

防盗标签是指内含有一个可充磁或消磁的磁条；具有磁致伸缩效应的材料只有在磁条被充磁后，才能在空间的交变磁场下发生谐振，该谐振信号可以被声磁检测器检测并报警。磁条的充磁是一个简单的过程，只需用软标签和一块永久磁铁对擦一下；然而消磁则是一个复杂的过程，首先必须要空间强磁场大于磁条所需的矫顽力，磁场强度H由线圈的电流和匝数决定；其次是消磁场要反复变向，且最大强度逐渐减弱。实验表明通常要经过5个以上的逐次减弱的衰减振荡周期才能使磁条的剩磁小于特定值，而振荡周期的个数由LC回路的Q值决定。理论和实验都表明，磁场强度H和Q值这两个参数是互相制约的。

国家软标签的技术标准(讨论稿)规定软标签的最小灭活场强是16000安培/米，这是一个相当强的空间磁场。因此，传统的消磁器采用笨重的电感线圈，且采用功率NMOS管组成驱动电路，才仅能在空间一个小区域中产生非饱和消磁磁场。后来，技术人员利用双向可控硅导通时极小的内阻和极大的电流变化率，让一个充电电容对电感线圈放电并在谐振回路中产生阻尼振荡电流的原理做成了目前市场上大量使用的LC阻尼谐振式消磁器，使得消磁装置的体积和功耗都大大减小。但是要进一步增加消磁器的空间(场强)，则遇到了磁场强度和Q值不可兼得的矛盾。故目前尚未见到能同时对多个防盗标签批量消磁的消磁器。

发明内容

本发明的主要目的为提供一种消磁电路、消磁器和消磁电路的控制方法，以解决上述背景技术中所提及的至少一个技术问题。

本发明提供一种消磁电路，包括触发控制模块、调整模块、升压模块、整流滤波模块和至少一个消磁模块，上述消磁模块通过上述整流滤波模块与上述升压模块连接，上述升压模块将外部电源的输入电压升高，上述整流滤波模块将经过上述升压模块的电流由交流电变为直流电和滤波；上述触发控制模块通过上述调整模块与上述消磁模块连接，上述触发控制模块通过上述调整模块控制上述消磁模块的触发时序；上述消磁模块包括电阻R1、双向可控硅Q1、电容C1和消磁线圈L1，上述电阻R1的第一端与上述整流滤波模块连接，上述电阻R1的第二端与上述电容C1的第一端连接，上述电容C1与上述消磁线圈L1的第一端，上述消磁线圈L1的第二端接公共地GND，上述双向可控硅Q1的第一极接公共地GND，上述双向可控硅Q1的第二极连接在上述电阻R1和电容C1之间，上述双向可控硅Q1的控制极与上述调整模块连接。

进一步地，上述调整模块包括降压模块、整流模块、第一稳压模块、第二稳压模块和触发模块，上述降压模块通过上述整流模块分别与上述第一稳压模块和第二稳压模块的输入端连接，上述第一稳压模块的输出端与上述触发模块的第一端连接，上述第二稳压模块的输出端与上述触发控制模块连接，上述降压模块将外部电源电压降低，上述整流模块将经过上述降压模块的电流由交流电变为直流电，上述第一稳压模块和第二稳压模块将经过上述第二整流滤波的电压进行调整和滤波，其中，上述第一稳压模块的输出的电压为负电压，上述第二稳压模块输出的电压为正电压；上述触发模块的第二端与上述双向可控硅Q1的控制极连接，上述触发模块的第三端与上述触发控制模块连接，上述触发控制模块通过上述触发模块控制上述双向可控硅Q1的触发。

进一步地，还包括通讯模块，上述触发控制模块与上述通讯模块连接，上述触发控制模块根据上述通讯模块的信号通过上述调整模块控制上述消磁模块的触发时序。

进一步地，还包括发射与标签检测模块，上述发射与标签检测模块至少与一个上述消磁模块连接，上述发射与标签检测模块与上述触发控制模块连接，上述触发控制模块根据上述发射与标签检测模块的检测信号通过上述调整模块控制上述消磁模块的触发时序。

进一步地，上述发射与标签模块的发射频率包括50kHz-60kHz。

进一步地，上述消磁线圈所围绕成的区间的横截面为矩形，上述消磁线圈的导线包括12-20圈，且上述导线的横截面为圆角矩形。

本发明提供了一种消磁器，包括壳体和权利要求1-6任一项上述的消磁电路，上述的消磁电路设于上述壳体内部。

进一步地，当上述壳体为平板式壳体时，其中一个上述消磁线圈设于最外圈，其余消磁线圈设于最外圈的上述消磁线圈围成的区间内，设于最外圈的上述消磁线圈围成的区间内的上述消磁线圈分为正相组和反相组，上述正相组和反相组之间形成反相的消磁电流。

本发明提供了一种消磁电路的控制方法，包括以下步骤：

根据应用场景从预设的模式列表中选择出对应的触发模式；

根据上述触发模式控制消磁模块以特定的时序对防盗标签进行消磁。

本发明提供了一种消磁电路的控制方法，包括以下步骤：

检测在区域范围内的防盗标签的方向和位置；

根据上述防盗标签的方向和位置匹配出对应的消磁模块及触发模式；

根据上述触发模式控制上述消磁模块以特定的时序对防盗标签进行消磁。

本发明的有益效果如下：本发明以最小的成本在最大的特定空域产生可以使多个防盗标签被消磁的强磁场；通过采用多个非饱和型消磁线圈组成线圈阵列，以特定的发射电流组合激发空间磁场，利用其叠加效应，使磁场强度和方向均达到消磁场指标，有效地减少空域内的消磁盲区；采用直接高压整流法，将传统储能电压提高到2至3倍，不仅提高了消磁器的能量利用率，而且简化了电路结构使电路易于构成阵列；对阵列线圈电流的相控式分配组合，极大的消除空域内的磁场方向盲区，利于对多个防盗标签同时消磁；本发明的消磁器解决了传统消磁器消磁范围小，对防盗标签的方位存在较大的消磁能力差异，不能同时对多个处在不同方位的防盗标签进行有效消磁的技术问题，该消磁器可满足零售业中的传统收银方式、自助收银方式、以及无人超市等需要对多个防盗标签一次性快速消磁的需求。

附图说明

图1是本发明一实施例的消磁电路的电路模块图；

图2是本发明一具体实施例的消磁电路的电路结构图；

图3是本发明一实施例的消磁器的结构示意图；

图4是本发明一实施例的消磁器的结构示意图；

图5是本发明一具体实施例的消磁器的结构示意图；

图6是本发明一实施例的消磁线圈的横截面示意图。

图中：升压模块1、整流滤波模块2、消磁模块3、调整模块4、触发控制模块5、外部电源6、发射与标签检测模块7、通讯模块8、壳体9、导线10、正相组11、反相组12、降压模块41、整流模块42、第一稳压模块43、第二稳压模块44、触发模块45、消磁线圈L1。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变，所述的连接可以是直接连接，也可以是间接连接。

另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

参照图1和2，提出本发明一实施例的消磁电路，包括触发控制模块5、调整模块4、升压模块1、整流滤波模块2和至少一个消磁模块3，上述消磁模块3通过上述整流滤波模块2与上述升压模块1连接，上述升压模块1将外部电源6的输入电压升高，上述整流滤波模块2将经过上述升压模块1的电流由交流电变为直流电和滤波；上述触发控制模块5通过上述调整模块4与上述消磁模块3连接，上述触发控制模块5通过上述调整模块4控制上述消磁模块3的触发时序；上述消磁模块3包括电阻R1、双向可控硅Q1、电容C1和消磁线圈L1，上述电阻R1的第一端与上述2整流滤波模块连接，上述电阻R1的第二端与上述电容C1的第一端连接，上述电容C1与上述消磁线圈L1的第一端，上述消磁线圈L1的第二端接公共地GND，上述双向可控硅Q1的第一极接公共地GND，上述双向可控硅Q1的第二极连接在上述电阻R1和电容C1之间，上述双向可控硅Q1的控制极与上述4调整模块连接。上述1升压模块将6外部电源的电压升高以达到上述3消磁模块所需要的电压值，上述2整流滤波模块将交流电转变为直流电，上述消磁线圈L1用于将电能转化为磁能以达到消磁效果。上述5触发控制模块主要由MCU系统构成。具体地，上述双向可控硅Q1的型号为BTA41，上述双向可控硅Q1触发方式采用第2、第3象限触发方式，当上述双向可控硅Q1的控制极获得触发信号，上述双向可控硅Q1在第2、第3像限导通。

在本实施例中，上述3消磁模块还包括电容C2，上述电容C2与上述电容C1并联，连接在上述电阻R1和消磁线圈L1之间。

在本实施例中，上述整流滤波模块2包括桥式整流模块和电容C3，上述桥式整流模块由二极管桥式整流堆D1连接构成，上述二极管桥式整流堆D1的两个交流端子与上述升压模块1连接，上述桥式二极管桥式整流堆D1的两个直流端子分别与上述电容C3的负极端连接和上述电阻R1的第一端连接，上述电容C3的正极端与电阻R1的第一端连接。上述桥式整流模块输出的电压为半波电压，上述电容C3对上述输出的半波电压进行滤波。

在本实施例中，上述升压模块1包括隔离升压器和保险丝F1，上述隔离升压器的第一输出端连接上述保险丝F1的第一端，上述隔离升压器的第二输出端连接上述二极管桥式整流堆D1的其中一个交流端子，上述保险丝F1的第二端与上述二极管桥式整流堆D1的另一个交流端子连接。上述隔离升压器用于将外部电源6的电压升高，上述保险丝F1用于过载保护。

在本实施例中，上述调整模块包括降压模块41、整流模块42、第一稳压模块43、第二稳压模块44和触发模块45，上述降压模块41通过上述整流模块42分别与上述第一稳压模块43和第二稳压模块44的输入端连接，上述第一稳压模块43的输出端与上述触发模块45的第一端连接，上述第二稳压模块44的输出端与上述触发控制模块5连接，上述降压模块41将外部电源6电压降低，上述整流模块42将经过上述降压模块41的电流由交流电变为直流电，上述第一稳压模块43和第二稳压模块44将经过上述第二整流滤波的电压进行调整和滤波，其中，上述第一稳压模块43的输出的电压为负电压，上述第二稳压模块44输出的电压为正电压；上述触发模块45的第二端与上述双向可控硅Q1的控制极连接，上述触发模块45的第三端与上述触发控制模块5连接，上述触发控制模块5通过上述触发模块45控制上述双向可控硅Q1的触发。上述第一稳压模块43和第二稳压模块44用于调整上述整流模块42的输出电压并对其进行滤波，上述触发模块45用于触发上述双向可控硅Q1。

在本实施例中，上述整流模块42，上述整流模块42由二极管桥式整流堆D2连接构成，上述二极管桥式整流堆D2的两个交流端子与上述降压模块41连接，上述桥式二极管桥式整流堆D2的两个直流端子分别与上述第一稳压模块43连接和第二稳压模块44连接，上述整流模块42输出的电压为半波电压。

在本实施例中，上述降压模块41包括降压器，上述降压器的第一输出端与上述桥式二极管桥式整流堆D2的其中一个交流端子连接，上述降压器的第二输出端与上述桥式二极管桥式整流堆D2的另一个交流端子连接，上述降压器用于将上述外部电压降低。

在本实施例中，上述第一稳压模块43包括稳压芯片U3、电容C9和电容C10，上述稳压芯片U3的输入端与上述桥式二极管桥式整流堆D2的其中一个直流端子连接，上述稳压芯片U3的输出端与上述触发模块45连接，上述稳压芯片U3的接地端接公共地GND，上述电容C10的正极端连接在上述稳压芯片U3与上述桥式二极管桥式整流堆D2之间，上述电容C10的负极端接公共地GND，上述电容C9的第一端连接在上述稳压芯片U3和上述触发模块45之间，上述电容C9的第二端接公共地GND，具体地，上述稳压芯片U3的型号为7909。

在本实施例中，上述第二稳压模块44包括稳压芯片U1、稳压芯片U2、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7和电容C8，上述稳压芯片U1的输入端与上述桥式二极管桥式整流堆D2的另一个直流端子连接，上述稳压芯片U1的输出端与上述稳压芯片U2的输入端连接，上述稳压芯片U1的接地端接公共地GND，上述稳压芯片U2的输出端与上述触发控制模块5连接，上述稳压芯片U2的接地端接公共地GND，上述电容C4的正极端连接在上述稳压芯片和桥式二极管桥式整流堆D2之间，上述电容C4的负极端接公共地GND，上述电容C5第一端连接在上述稳压芯片U1和电容C4之间，上述电容C5第二端接公共地GND，上述电容C8的第一端连接在上述稳压芯片U1和稳压芯片U2之间，上述电容C8的第二端接公共地GND，上述电容C6的正极端连接在上述稳压芯片U1和电容C8之间，上述电容C6的负极端接公共地GND，上述电容C7的第一端连接在上述稳压芯片U2和触发控制模块5之间，上述电容C7的第二端接公共地GND。具体地，上述稳压芯片U1的型号包括LM7810AC，上述稳压芯片U2的型号包括MC7805BT。

参照图6，在本实施例中，上述消磁线圈L1所围绕成的区间的横截面为矩形，上述消磁线圈L1的导线10包括12-20圈，且上述导线10的横截面为圆角矩形。优选为16圈，上述消磁线圈L1的Q值高，符合对多个防盗标签对消磁线圈L1的Q值的要求。

在本实施例中，还包括通讯模块8，上述触发控制模块5与上述通讯模块8连接，上述触发控制模块5根据上述通讯模块8的信号通过上述触发模块45控制上述消磁模块3的触发时序。上述触发控制模块5通过上述通讯模块8接收其他设备发来的指令来执行相应方式的消磁触发。

在本实施例中，还包括发射与标签检测模块7，上述发射与标签检测模块7至少与一个上述消磁模块3连接，上述发射与标签检测模块7与上述触发控制模块5连接，上述触发控制模块5根据上述发射与标签检测模块7的检测信号通过上述触发模块45控制上述消磁模块3的触发时序。上述发射与标签检测模块7的一端至少与一个上述消磁模块3中的消磁线圈L1和电容C1的公共端连接，上述发射与标签检测模块7一般作为发射信号的输出端和标签检测信号的采集端，上述发射信号的信号产生源为上述触发控制模块5。

在本实施例中，上述发射与标签模块的发射频率包括50kHz-60kHz。优选为58kHz。

上述消磁电路的工作过程：通过上述升压模块1将外部电源6的电压升高，通过上述整流滤波模块2形成新的充电电压对上述消磁模块3中的电容C1进行充电储能，此时，上述双向可控硅Q1处于截止不导通工作状态；通过上述触发控制模块5控制上述触发模块45根据设定的触发模式或根据检测信号控制上述双向可控硅Q1处于导通工作状态，从而形成一个由消磁线圈L1和电容C1和公共地GND之间组成的自由衰减振荡电路。

提出本发明一实施例的消磁器，包括壳体9和上述的消磁电路，上述的消磁电路设于上述壳体9内部。

在本实施例中，当上述壳体9为平板式壳体且上述消磁模块3为一个时，上述消磁线圈L1一般设置在上述壳体9底面；当上述壳体9为平板式壳体且上述消磁模块3大于一个时，其中一个上述消磁线圈L1设于最外圈，其余消磁线圈L1设于最外圈的上述消磁线圈L1围成的区间内，设于最外圈的上述消磁线圈L1围成的区间内的上述消磁线圈L1分为正相组11和反相组12，上述正相组11和反相组12之间形成反相的消磁电流。一般地，当上述消磁线圈L1为3个时，上述正相组11和反相组12对角设置，使消磁器在空域内形成反相且均匀的强磁场，以达到更好的消磁效果；参照图5，当上述消磁线圈L1大于或等于5个且为奇数时，上述正相组11和反相组12的消磁线圈L1的数量相等，上述正相组11和反相组12中的消磁线圈L1一般可以相隔设置，即是与正相消磁线圈L1相邻的消磁线圈L1为反相消磁线圈L1，上述正相组11和反相组12中的消磁线圈L1一般可以分层排列设置，即是上述正相组11的消磁线圈L1设置在同一排或同一列而反相组12消磁线圈L1设置在另一排或另一列。优选为第二种位置设置方式，第二种位置设置方式更有利于形成强磁场。

在本实施例中，当上述壳体9为立体式壳体且上述消磁模块3为一个时，上述消磁线圈L1一般设置在上述壳体9底面；当上述壳体9为立体式壳体且上述消磁模块3大于一个时，每个上述消磁线圈L1设于上述壳体9内部空间的不同方位用于保证三维空间内的不同方向均形成均匀的强磁场，使得多个防盗标签接近消磁器的任一面都会被快速消磁，解决了传统消磁器消磁范围小，对防盗标签的方位存在较大的消磁能力差异，不能同时对多个处在不同方位的防盗标签进行有效消磁的技术问题。具体地，参照图3，当上述消磁线圈L1为2个时，上述消磁线圈L1一端设于上述壳体9顶面与侧面交界处，且另一端设于上述壳体9底面与侧面交界处，两个上述消磁线圈L1的侧面互为相交，上述消磁线圈L1位置设置方式以最少消磁线圈L1实现空间多方向形成强磁场；参照图4，当上述消磁线圈L1为3个时，其中两个上述消磁线圈L1分别设于上述壳体9相邻的两个侧面，第三个上述消磁线圈L1设于上述壳体9底面，上述消磁线圈L1位置设置方式保证三维空间内的不同方向均形成强磁场；当上述消磁线圈L1为5个时，其中四个上述消磁线圈L1分别设于上述壳体9的侧面，第五个上述消磁线圈L1设于上述壳体9底面，上述消磁线圈L1位置设置方式增强上述消磁线圈L1在三维空间内形成的磁场强度和增加磁场的方向；当上述消磁线圈L1为7个时，上述消磁线圈L1的设置位置为当上述消磁线圈L1为5个和2个时结合，设置7个上述消磁线圈L1极大的消除空域内的磁场方向盲区，同时提高磁场强度。

提出本发明一实施例的一种消磁电路的控制方法，包括以下步骤：

根据应用场景从预设的模式列表中选择出对应的触发模式；

根据上述触发模式控制3消磁模块以特定的时序对防盗标签进行消磁。

如上述步骤根据应用场景从预设的模式列表中选择出对应的触发模式，其中，根据应用场景设计上述消磁模块3数量，上述触发模式一般根据上述消磁模块3数量设计，上述触发模式对应的消磁触发控制可以是对每一个消磁模块3轮流进行消磁触发控制，上述触发模式对应的消磁触发控制可以是同时多个消磁模块3进行多种组合方式的消磁触发控制，使消磁器产生均匀和全覆盖的消磁区域。

如上述步骤根据上述触发模式控制消磁模块3以特定的时序对防盗标签进行消磁，其中，上述特定的时序一般指的是上述双向可控硅Q1的触发时序，根据不同的上述触发模式每一个上述双向可控硅Q1的触发时序不同，例如，当消磁模块3为3个时，上述双向可控硅Q1同时触发；当消磁模块3为5个时，其中一个双向可控硅Q1单独触发，剩余的每两个双向可控硅Q1同时触发，以此为顺序进行触发。

提出本发明一实施例的一种消磁电路的控制方法，包括以下步骤：

检测在区域范围内的防盗标签的方向和位置；

根据上述防盗标签的方向和位置匹配出对应的消磁模块3及触发模式；

根据上述触发模式控制消磁模块3以特定的时序对防盗标签进行消磁。

如上述步骤检测在区域范围内的防盗标签的方向和位置，一般可以同时对多个防盗标签的方向和位置进行检测，只要防盗标签进入特定的区域范围，不管是一个还是多个都会被检测出。

如上述步骤根据上述防盗标签的方向和位置匹配出对应的消磁模块3及触发模式，上述对应的消磁模块3可以是一个或多个，上述触发模式对应的消磁触发控制可以是对每一个消磁模块3轮流进行消磁触发控制，上述触发模式对应的消磁触发控制可以是同时多个消磁模块3进行多种组合方式的消磁触发控制，使消磁器产生均匀和全覆盖的消磁区域。

如上述步骤根据上述触发模式控制消磁模块3以特定的时序对防盗标签进行消磁，其中，上述特定的时序一般指的是上述双向可控硅Q1的触发时序，根据不同的上述触发模式每一个上述双向可控硅Q1的触发时序不同。

参照图1和2，在一具体实施例中的消磁电路，包括触发控制模块5、调整模块4、升压模块1、整流滤波模块2和五个消磁模块3，上述消磁模块3通过上述整流滤波模块2与上述升压模块1连接，上述升压模块1将外部电源6的输入电压升高，上述整流滤波模块2将经过上述升压模块1的电流由交流电变为直流电和滤波；上述触发控制模块5通过上述调整模块4与上述消磁模块3连接，上述触发控制模块5通过上述调整模块4控制上述消磁模块3的触发时序；上述消磁模块3包括电阻R1、双向可控硅Q1、电容C1和消磁线圈L1，上述电阻R1的第一端与上述整流滤波模块2连接，上述电阻R1的第二端与上述电容C1的第一端连接，上述电容C1与上述消磁线圈L1的第一端，上述消磁线圈L1的第二端接公共地GND，上述双向可控硅Q1的第一极接公共地GND，上述双向可控硅Q1的第二极连接在上述电阻R1和电容C1之间，上述双向可控硅Q1的控制极与上述4调整模块连接。上述升压模块1将外部电源6的电压升高以达到上述消磁模块3所需要的电压值，上述整流滤波模块2将交流电转变为直流电，上述消磁线圈L1用于将电能转化为磁能以达到消磁效果。上述触发控制模块5主要由MCU系统构成。具体地，上述双向可控硅Q1的型号为BTA41，上述双向可控硅Q1触发方式采用第2、第3象限触发方式，当上述双向可控硅Q1的控制极获得触发信号，上述双向可控硅Q1在第2、第3像限导通。

上述3消磁模块还包括电容C2，上述电容C2与上述电容C1并联，连接在上述电阻R1和消磁线圈L1之间。

上述2整流滤波模块包括桥式整流模块和电容C3，上述桥式整流模块由二极管桥式整流堆D1连接构成，上述二极管桥式整流堆D1的两个交流端子与上述1升压模块连接，上述桥式二极管桥式整流堆D1的两个直流端子分别与上述电容C3的负极端连接和上述电阻R1的第一端连接，上述电容C3的正极端与电阻R1的第一端连接。上述桥式整流模块输出的电压为半波电压，上述电容C3对上述输出的半波电压进行滤波。

上述升压模块1包括隔离升压器和保险丝F1，上述隔离升压器的第一输出端连接上述保险丝F1的第一端，上述隔离升压器的第二输出端连接上述二极管桥式整流堆D1的其中一个交流端子，上述保险丝F1的第二端与上述二极管桥式整流堆D1的另一个交流端子连接。上述隔离升压器用于将外部电源6的电压升高，上述保险丝F1用于过载保护。

上述调整模块4包括降压模块41、整流模块42、第一稳压模块43、第二稳压模块44和触发模块45，上述降压模块41通过上述整流模块42分别与上述第一稳压模块43和第二稳压模块44的输入端连接，上述第一稳压模块43的输出端与上述触发模块45的第一端连接，上述第二稳压模块44的输出端与上述触发控制模块5连接，上述降压模块41将外部电源6电压降低，上述整流模块42将经过上述降压模块41的电流由交流电变为直流电，上述第一稳压模块43和第二稳压模块44将经过上述第二整流滤波的电压进行调整和滤波，其中，上述第一稳压模块43的输出的电压为负电压，上述第二稳压模块44输出的电压为正电压；上述触发模块45的第二端与上述双向可控硅Q1的控制极连接，上述触发模块45的第三端与上述触发控制模块5连接，上述触发控制模块5通过上述触发模块45控制上述双向可控硅Q1的触发。上述第一稳压模块43和第二稳压模块44用于调整上述整流模块42的输出电压并对其进行滤波，上述触发模块45用于触发上述双向可控硅Q1。

上述整流模块42，上述整流模块42由二极管桥式整流堆D2连接构成，上述二极管桥式整流堆D2的两个交流端子与上述降压模块41连接，上述桥式二极管桥式整流堆D2的两个直流端子分别与上述第一稳压模块43连接和第二稳压模块44连接，上述整流模块42输出的电压为半波电压。

上述降压模块41包括降压器，上述降压器的第一输出端与上述桥式二极管桥式整流堆D2的其中一个交流端子连接，上述降压器的第二输出端与上述桥式二极管桥式整流堆D2的另一个交流端子连接，上述降压器用于将上述外部电压降低。

上述第一稳压模块43包括稳压芯片U3、电容C9和电容C10，上述稳压芯片U3的输入端与上述桥式二极管桥式整流堆D2的其中一个直流端子连接，上述稳压芯片U3的输出端与上述触发模块45连接，上述稳压芯片U3的接地端接公共地GND，上述电容C10的正极端连接在上述稳压芯片U3与上述桥式二极管桥式整流堆D2之间，上述电容C10的负极端接公共地GND，上述电容C9的第一端连接在上述稳压芯片U3和上述触发模块45之间，上述电容C9的第二端接公共地GND，具体地，上述稳压芯片U3的型号为7909。

上述44第二稳压模块包括稳压芯片U1、稳压芯片U2、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7和电容C8，上述稳压芯片U1的输入端与上述桥式二极管桥式整流堆D2的另一个直流端子连接，上述稳压芯片U1的输出端与上述稳压芯片U2的输入端连接，上述稳压芯片U1的接地端接公共地GND，上述稳压芯片U2的输出端与上述触发控制模块5连接，上述稳压芯片U2的接地端接公共地GND，上述电容C4的正极端连接在上述稳压芯片和桥式二极管桥式整流堆D2之间，上述电容C4的负极端接公共地GND，上述电容C5第一端连接在上述稳压芯片U1和电容C4之间，上述电容C5第二端接公共地GND，上述电容C8的第一端连接在上述稳压芯片U1和稳压芯片U2之间，上述电容C8的第二端接公共地GND，上述电容C6的正极端连接在上述稳压芯片U1和电容C8之间，上述电容C6的负极端接公共地GND，上述电容C7的第一端连接在上述稳压芯片U2和5触发控制模块之间，上述电容C7的第二端接公共地GND。具体地，上述稳压芯片U1的型号包括LM7810AC，上述稳压芯片U2的型号包括MC7805BT。

参照图6，上述消磁线圈L1所围绕成的区间的横截面为矩形，上述消磁线圈L1的导线10包括12-20圈，且上述导线10的横截面为圆角矩形。优选为16圈，上述消磁线圈L1的Q值高，符合对多个防盗标签对消磁线圈L1的Q值的要求。

本消磁电路还包括通讯模块8，上述触发控制模块5与上述通讯模块8连接，上述触发控制模块5根据上述通讯模块8的信号通过上述触发模块45控制上述消磁模块3的触发时序。上述触发控制模块5通过上述通讯模块8接收其他设备发来的指令来执行相应方式的消磁触发。

本消磁电路还包括发射与标签检测模块7，上述发射与标签检测模块7与其中一个上述消磁模块3连接，上述发射与标签检测模块7与上述触发控制模块5连接，上述触发控制模块5根据上述发射与标签检测模块7的检测信号通过上述触发模块45控制上述消磁模块3的触发时序。上述发射与标签检测模块7的一端与其中一个上述消磁模块3中的消磁线圈L1和电容C1的公共端连接，上述发射与标签检测模块7一般作为发射信号的输出端和标签检测信号的采集端，上述发射信号的信号产生源为上述触发控制5模块。

上述发射与标签模块的发射频率包括50kHz-60kHz。优选为58kHz。

上述消磁电路的工作过程：通过上述升压模块1将外部6电源的为220V电压升高至480V，通过上述整流滤波模块形成大约700V的充电电压对上述消磁模块3中的电容C1进行充电储能，此时，上述双向可控硅Q1处于截止不导通工作状态；通过上述触发控制模块5控制上述触发模块45根据设定的触发模式或根据检测信号控制上述双向可控硅Q1处于导通工作状态，从而形成一个由消磁线圈L1和电容C1和公共地GND之间组成的自由衰减振荡电路。

参照图5，本发明的消磁器，图中的箭头指的是电流流动方向，包括壳体9和上述的消磁电路，上述的消磁电路设于上述壳体9内部，其中，消磁模块3为五个，即是消磁线圈L1为五个，其中一个上述消磁线圈L1设于最外圈，其余消磁线圈L1设于最外圈的上述消磁线圈L1围成的区间内，设于最外圈的上述消磁线圈L1围成的区间内的上述消磁线圈L1分为正相组11和反相组12，上述正相组11和反相组12之间形成反相的消磁电流，上述正相组11和反相组12的消磁线圈L1的数量相等，上述正相组11和反相组12中的消磁线圈L1分层排列设置，即是上述正相组11的消磁线圈L1设置在同一排而反相组12消磁线圈L1设置在另一排。这样设置利于形成强磁场。具体地，上述发射与标签检测模块7连接在设于最外圈的上述消磁线圈L1与电容C1之间。

本发明的有益效果如下：本发明以最小的成本在最大的特定空域产生可以使多个防盗标签被消磁的强磁场；通过采用多个非饱和型消磁线圈组成线圈阵列，以特定的发射电流组合激发空间磁场，利用其叠加效应，使磁场强度和方向均达到消磁场指标，有效地减少空域内的消磁盲区；采用直接高压整流法，将传统储能电压提高到2至3倍，不仅提高了消磁器的能量利用率，而且简化了电路结构使电路易于构成阵列；对阵列线圈电流的相控式分配组合，极大的消除空域内的磁场方向盲区，利于对多个防盗标签同时消磁；本发明的消磁器解决了传统消磁器消磁范围小，对防盗标签的方位存在较大的消磁能力差异，不能同时对多个处在不同方位的防盗标签进行有效消磁的技术问题，该消磁器可满足零售业中的传统收银方式、自助收银方式、以及无人超市等需要对多个防盗标签一次性快速消磁的需求。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种消磁电路，其特征在于，包括触发控制模块、调整模块、升压模块、整流滤波模块和至少一个消磁模块，

所述消磁模块通过所述整流滤波模块与所述升压模块连接，所述升压模块将外部电源的输入电压升高，所述整流滤波模块将经过所述升压模块的电流由交流电变为直流电和滤波；

所述触发控制模块通过所述调整模块与所述消磁模块连接，所述触发控制模块通过所述调整模块控制所述消磁模块的触发时序；所述触发时序由触发模式控制，所述触发模式控制消磁模块（3）以特定的时序对防盗标签进行消磁，其中，上述特定的时序指的是上述双向可控硅(Q1)的触发时序，根据不同的上述触发模式每一个上述双向可控硅(Q1)的触发时序不同；

所述消磁模块包括电阻(R1)、双向可控硅(Q1)、电容(C1)和消磁线圈(L1)，所述电阻(R1)的第一端与所述整流滤波模块连接，所述电阻(R1)的第二端与所述电容(C1)的第一端连接，所述电容(C1)的第二端与所述消磁线圈(L1)的第一端连接，所述消磁线圈(L1)的第二端接公共地(GND)，所述双向可控硅(Q1)的第一极接公共地(GND)，所述双向可控硅(Q1)的第二极连接在所述电阻(R1)和电容(C1)之间，所述双向可控硅(Q1)的控制极与所述调整模块连接。

2.根据权利要求1所述的消磁电路，其特征在于，所述调整模块包括降压模块、整流模块、第一稳压模块、第二稳压模块和触发模块，

所述降压模块通过所述整流模块分别与所述第一稳压模块和第二稳压模块的输入端连接，所述第一稳压模块的输出端与所述触发模块的第一端连接，所述第二稳压模块的输出端与所述触发控制模块连接，所述降压模块将外部电源电压降低，所述整流模块将经过所述降压模块的电流由交流电变为直流电，所述第一稳压模块和第二稳压模块将经过第二整流滤波的电压进行调整和滤波，其中，所述第一稳压模块的输出的电压为负电压，所述第二稳压模块输出的电压为正电压；

所述触发模块的第二端与所述双向可控硅(Q1)的控制极连接，所述触发模块的第三端与所述触发控制模块连接，所述触发控制模块通过所述触发模块控制所述双向可控硅(Q1)的触发。

3.根据权利要求1所述的消磁电路，其特征在于，还包括通讯模块，所述触发控制模块与所述通讯模块连接，所述触发控制模块根据所述通讯模块的信号通过所述调整模块控制所述消磁模块的触发时序。

4.根据权利要求1所述的消磁电路，其特征在于，还包括发射与标签检测模块，所述发射与标签检测模块至少与一个所述消磁模块连接，所述发射与标签检测模块与所述触发控制模块连接，所述触发控制模块根据所述发射与标签检测模块的检测信号通过所述调整模块控制所述消磁模块的触发时序。

5.根据权利要求4所述的消磁电路，其特征在于，所述发射与标签检测模块的发射频率包括50kHz-60kHz。

6.根据权利要求1所述的消磁电路，其特征在于，所述消磁线圈所围绕成的区间的横截面为矩形，所述消磁线圈的导线包括12-20圈，且所述导线的横截面为圆角矩形。

7.一种消磁器，其特征在于，包括壳体和权利要求1-6任一项所述的消磁电路，所述的消磁电路设于所述壳体内部。

8.根据权利要求7所述的消磁器，其特征在于，当所述壳体为平板式壳体时，其中一个所述消磁线圈设于最外圈，其余消磁线圈设于最外圈的所述消磁线圈围成的区间内，设于最外圈的所述消磁线圈围成的区间内的所述消磁线圈分为正相组和反相组，所述正相组和反相组之间形成反相的消磁电流。

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