CN2073151U - 磁记录载体的信息抹除装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种磁记录载体信息的抹除装 置。是一种不用开盒，没有机械运动磨损、造价低、消 磁快的装置。其基本电路为串联有可控硅的RLC 衰减振荡回路。升压变压器输出千伏以上高压经整 流电路对回路的储能电容C充电，当可控硅触发极 上加有控制电位时，可控硅导通，储能电容C对电感 L放电，产生衰减振荡，电感L受瞬间大电流冲击产 生强磁场，使位于附近的磁记录载体迅速消磁。

Description

本实用新型涉及一种磁记录载体上所存贮的信息的抹除装置。

磁记录载体诸如录音磁带、录像磁带和计算机磁盘等，所存贮的信息可通过磁记录载体与信息抹除装置间的相对运动而抹除，如现有录音机、录像机中的磁带、录像带的消磁和专用消磁机中磁带录像带等的快速旋转消磁，这些信息抹除手段必须开盒，经过磁带的机械旋转而实现，时间慢、效率差，又引入机械磨损，极不适于在机关、企业、图书资料情报部门、海关、公安、电台电视台等经常需要大批量消磁的部门使用。

本实用新型的目的在于设计一种无需开盒，无机械运动磨损、造价低、消磁迅速、消磁效果好的磁记录载体的信息抹除装置。

本实用新型的基本工作原理是：由储能电容C、电感线圈L（含电阻R）组成RLC充放电回路即RLC振荡回路，电感L与电容C之间串接可控硅CT，交流220V市电经变压器升压至千伏，再经整流电路对储能电容C充电，有可控硅触发极电位提取电路经电子控制电路或手动控制开关连接至可控硅触发极上。当电子控制电路受控或手动控制开关动作时，可控硅触发极受控触发，可控硅导通，储能电容C通过可控硅对电感L瞬态放电，回路产生衰减振荡，电感线圈L在高压脉冲大电流冲击下产生强磁场，该磁场迅速将附近的磁记录载体上的信息抹除，同时，串联在220V市电内的电子控制电路或手动控制开关切断供电，暂停对储能电容C充电，直至电子控制电路或手动控制开关恢复，再重复上述过程。

下面结合附图详细说明本实用新型的实施。

附图1.磁记录载体信息抹除装置电路之一

附图2.磁记录载体信息抹除装置电路之二

附图3.电感线圈置于装置内时的装置结构

附图4.电感线圈置于装置外时的装置结构

附图1为一种简易的磁记录载体信息抹除装置的电路结构图。交流220V市电经变压器升压至千伏，经二极管桥式整流电路Z1整流后，正端一路经限流电阻R1对一个储能电容C1充电；另一路经电阻R2施加在由电容C、电感L组成的RLC振荡回路上，该RLC振荡回路中还串接了一只可控硅CT，可控硅阳极接电感L，可控硅阴极接电容C，并与储能电容C1的负端一起接整流电路负端。整流输出的高压也同时对RLC振荡回路中的高压储能电容C充电。由电阻R1、R3、储能电容C1组成可控硅触发极电位提取电路，C1的正端经电阻R3，手动控制开关AN1接至可控硅触发极，当双连开关AN1瞬态动作时，一方面切断220V市电，暂停对C1、C的充电，另方面使储能电容C、通过电阻R3放电，触发可控硅CT的控制极，使可控硅导通，储能电容C对电感L放电，回路产生瞬态RLC衰减振荡，直到可控硅关断，松开控制开关AN、接通220V市电，重新对储能电容C1、C充电。储能电容C1的两端并接了一个氖泡，以指示储能电容C1的充放电情况，同时利用其工作特性稳压。可控硅两端还并接了一个续流二极管D1，为反向振荡电流提供通路。

图中：桥式整流电路采用4只ZP5A／2KV的二极管，R1＝2MΩ，R2＝1KΩ／30W，R3＝330Ω，C＝MW300uf／1600V脉冲电容器，C1＝470uf／160V，L＝20uH，D1＝ZP2000A／2KV，CT＝KP200A／2KV。

附图2为磁记录载体信息抹除装置的另一个实施电路图，在附图1所示电路的基础上，增加了由集成电压比较器4、与非门3和三极管继电器电路t1、J1组成的自动控制储能电容C充电的b电路和由与非门1、反相器2组成的单稳态电路及三极管t2、继电器J2的继电器控制电路，以控制储能电容的放电或者说控制RLC衰减振荡的持续时间，RLC振荡回路中储能电容C上的电位经电阻R5、电流表M接到集成电压比较器4的负端，当该端反映储能电容C上电位大小的电压值低于电压比较器4正端的基准电压时，电压比较器4输出正电压，与非门3输出低电压，三极管t1饱和导通，继电器J1动作，其动合接点J1－1闭合接通220V市电，整流电路自动给储能电容C充电，当集成电压比较器4的负端电位高于电压比较器4正端的基准电位时，输出负电位，与非门3输出高电位，三极管t1截止，其动合接点J1－1打开，切断220V市电，停止储能电容的继续充电。

与非门1、反相器2组成标准单稳态电路，当控制开关AN2动作时，反相器2暂态输出低电平，三极管t2饱和导通，继电器J2动作，其动合接点J2－1闭合，接通由桥式整流电路Z3提供的可控硅触发极电压提取电路，触发可控硅CT2导通，储能电容C对电感L放电，反相器2暂态输出的低电平使与非门3输出高电平，三极管t1截止，切断220V市电，调整电阻R15，电容C7的值达到调整单稳输出时间即控制储能电容放电的RLC衰减振荡持续时间，整流电路Z4和集成稳压器7815输出VDD、VSS，为继电器电路和门电路供电。

图中，R4＝1KΩ／50W，R5＝1MΩ，R6＝10KΩ，R7＝5KΩ，R8＝5KΩ，R9＝1MΩ，R10＝10KΩ，R11＝10KΩ，R12＝10KΩ，R13＝10KΩ，R14＝10KΩ，R15＝100KΩ－1MΩ，R16＝10KΩ，R17＝10KΩ，R18＝20Ω。

C2＝200uf／10V，C3＝470uf／25V，C4＝0.47uF，C5＝0.47uF，C6＝0.01uF，C7＝0.1－－1uF。D2同D1，D3、D4、D5取，2CK系列二极管。

本实用新型中的电感线圈L应具有耐压高，耐大电流冲击的特点，采用扁平或圆形粗铜线绕在圆环形无磁性的骨架材料上，带手柄或不带手柄，并用环氧树脂固封。在实施时，可将不带手柄的线圈L做在装置内的某一固定位置处，如接近上盖板，将待退磁的磁性记录载体放在该位置附近快速消磁如附图3所示，但装置上盖板要采用非金属材料。也可用电缆引出线将带手柄的线圈L引出装置外去靠近待退磁的磁性记录载体，达到快速退磁的目的，如附图4所示。图3、图4中，10为变压器，11、12为按附图1或附图2装配的功刷线路板，13为电感线圈L。

Claims (3)

1、一种磁记录载体的信息抹除装置，包括有将220V交流市电提升到千伏的升压变压器，完成交直流变换的整流电路和控制可控硅触发极的可控硅触发极电压提取电路，其特征在于：还包括有由储能电容C、电感线圈L，可控硅CT组成的RLC衰减振荡电路，整流电路的一端输出接储能电容C正端和可控硅阳极，整流电路的另一端输出接储能电容负端和电感线圈L，电感线圈的另一端接可控硅阴极，可控硅触发极电压提取电路经电子控制电路或手动开关接可控硅CT触发极。

2、根据权利要求1所述的磁记录载体的信息抹除装置，其特征在于所述的由储能电容C、电感线圈L，可控硅CT组成的RLC衰减振荡电路，整流电路的一端输出接储能电容C和电感线圈L，整流电路的另一端输出接储能电容C负端和可控硅阴极，电感线圈L的另一端接可控硅阳极。

3、根据权利要求1或2所述的磁记录载体的信息抹除装置，其特征在于所述的电感线圈可固定在装置内也可引出至装置外。

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