CN108925143B - 驻波检测方法、驻波检测装置和电子枪 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种驻波检测方法。驻波检测方法用于检测天线组件(10)的天线(12)的驻波比，驻波检测方法包括：(S1)获取天线(12)的测量反射系数；(S2)获取校准参数；(S3)依据测量反射系数和校准参数计算天线(12)的实际反射系数；和(S4)依据实际反射系数计算天线(12)的驻波比。本发明还公开了一种驻波检测装置(20)和电子枪(100)。上述的驻波检测方法、驻波检测装置(20)和电子枪(100)在获取天线(12)的测量反射系数后，还针对测量反射系数通过校准参数计算实际反射系数，并进一步通过实际反射系数计算天线(12)的驻波比，由此得到的天线(12)驻波比的准确度较高。

Description

驻波检测方法、驻波检测装置和电子枪

技术领域

本发明涉及电子器件技术领域，特别涉及一种驻波检测方法、驻波检测装置和电子枪。

背景技术

天线等无线通信产品需要进行驻波检测，以得到驻波比并通过驻波比的大小评估产品的质量是否符合需求，通常使用耦合器、检波器等元器件间接测量产品的驻波比，然而，由于耦合器等元器件本身的精确度难以保证，使得驻波比的测量结果不够准确。

发明内容

本发明的实施方式提供了一种驻波检测方法、驻波检测装置和电子枪。

本发明实施方式的驻波检测方法用于检测天线组件的天线的驻波比，所述方法包括：

获取所述天线的测量反射系数；

获取校准参数；

依据所述测量反射系数和所述校准参数计算所述天线的实际反射系数；和

依据所述实际反射系数计算所述天线的驻波比。

本发明实施方式的驻波检测装置用于检测天线组件的天线的驻波比，所述驻波检测装置包括处理器，所述处理器用于：

获取所述天线的测量反射系数；

获取校准参数；

依据所述测量反射系数和所述校准参数计算所述天线的实际反射系数；和

依据所述实际反射系数计算所述天线的驻波比。

本发明实施方式的电子枪包括天线组件、和与天线组件连接的驻波检测装置，所述天线组件包括天线，所述驻波检测装置用于检测所述天线的驻波比，所述驻波检测装置包括处理器，所述处理器用于：

获取所述天线的测量反射系数；

获取校准参数；

依据所述测量反射系数和所述校准参数计算所述天线的实际反射系数；和

依据所述实际反射系数计算所述天线的驻波比。

上述驻波检测方法、驻波检测装置和电子枪在获取天线的测量反射系数后，还针对测量反射系数通过校准参数计算实际反射系数，并进一步通过实际反射系数计算天线的驻波比，由此得到的天线驻波比的准确度较高。

本发明的实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实施方式的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本发明实施方式的驻波检测方法的流程示意图；

图2是本发明实施方式的电子枪的模块示意图；

图3是本发明实施方式的驻波检测方法的流程示意图；

图4是本发明实施方式的驻波检测方法的流程示意图；

图5是本发明实施方式的电子枪的模块示意图；

图6是本发明实施方式的天线组件的模块示意图；

图7是本发明实施方式的天线组件的二端口网络信号流示意图；

图8是本发明实施方式的驻波检测方法的流程示意图；

图9是本发明实施方式的驻波检测方法的流程示意图；

图10是本发明实施方式的电子枪的模块示意图；

图11是本发明实施方式的驻波检测方法的流程示意图。

主要元件符号说明：

电子枪100、天线组件10、天线12、测试电路板14、信号源142、双向耦合器144、反向耦合输出端1442、正向耦合输出端1444、反射耦合支路146、第一衰减器1462、入射耦合支路148、第二衰减器1482、切换开关149、第一端口16、第二端口18、驻波检测装置20、处理器22、存储器24、检波器26。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的实施方式作进一步说明。附图中相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

另外，下面结合附图描述的本发明的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明的实施方式，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“某些实施方式”、“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

请参阅图1和图2，本发明实施方式的驻波检测方法用于检测天线组件10的天线12的驻波比，驻波检测方法包括步骤：

S1：获取天线12的测量反射系数；

S2：获取校准参数；

S3：依据测量反射系数和校准参数计算天线12的实际反射系数；和

S4：依据实际反射系数计算天线12的驻波比。

本发明实施方式的驻波检测装置20用于检测天线组件10的天线12的驻波比，驻波检测装置20包括处理器22，处理器22可用于实施步骤S1、S2、S3和S4。也就是说，处理器22可用于获取天线12的测量反射系数。处理器22可用于获取校准参数。处理器22可用于依据反射系数和校准参数计算天线12的实际反射系数。处理器22可用于依据实际反射系数计算天线12的驻波比。

本发明实施方式的驻波检测装置20能运用于本发明实施方式的电子枪100，在本发明实施方式的电子枪100中，驻波检测装置20与天线组件10连接并用于检测天线12的驻波比。

上述的驻波检测方法、驻波检测装置20和电子枪100在获取天线12的测量反射系数后，还针对测量反射系数通过校准参数计算实际反射系数，并进一步通过实际反射系数计算天线12的驻波比，由此得到的天线12的驻波比的准确度较高。

具体地，天线12可以向外发射或接收电磁波，以实现向外部设备发射信号或者接收外部设备的信号的目的，或者天线12也可以发射电磁波以实现干扰外部设备通信的目的。电磁波可以是高频电磁波或低频电磁波，例如射频，射频可以在空气中传播，并经大气层外缘的电离层反射，形成远距离传输能力。

电子枪100可以是利用天线组件10向外界发射电磁波以干扰外部设备通信的设备，例如电子枪100可用于向无人机发射电磁波以干扰无人机与无人机遥控器、或者无人机与卫星等之间的通信，使得无人机失去控制。

反射系数定义为反射电压与入射电压的比，通常用反射系数描述反射波与入射波之间的幅度与相位关系。反射系数与驻波比存在一定的比例关系。

驻波比是描述天线12端口阻抗匹配程度的指标，天线12端口的驻波比的大小直接影响信号的发射和接收效率，进而影响天线组件10的性能，驻波比越大代表天线12端口失配越严重，即是大部分的能量不能有效地传输。因此，通过检测天线12的驻波比可以用于检测天线12是否损坏或者是否正常安装。驻波比定义为波腹电压与波谷电压的比。为了得到天线12的驻波比，可以测量天线12的反射系数后再通过驻波比与反射系数的关系计算得到天线12的驻波比。

请参阅图3和图4，在某些实施方式中，步骤S2包括以下子步骤：

S21：获取三个参考天线的测量反射系数，三个参考天线的实际反射系数为已知；和

S22：将三个已知的实际反射系数和对应的三个参考天线的测量反射系数分别代入以下第一方程式并计算校准参数：Γ₂A+B-Γ₂Γ₁C＝Γ₁，其中，Γ₁为测量反射系数，Γ₂为实际反射系数，A、B、C为校准参数。

在某些实施方式中，驻波检测装置20还包括存储器24，存储器24用于存储第一方程式：Γ₂A+B-Γ₂Γ₁C＝Γ₁，也可以存储三个参考天线的实际反射系数，其中，Γ₁为测量反射系数，Γ₂为实际反射系数，A、B、C为校准参数。

处理器22还可用于实施步骤S21和S22。也就是说，处理器22还用于获取三个参考天线的测量反射系数，三个参考天线的实际反射系数为已知。处理器22还用于将三个已知的实际反射系数和对应的测量反射系数分别代入第一方程式并计算校准参数。处理器22与存储器24连接。

具体地，假设三个参考天线的已知的实际反射系数分别为Γ′_S、Γ′_O和Γ′_L，处理器22获取的三个参考天线的测量反射系数分别为Γ_S、Γ_O和Γ_L，处理器22分别将Γ′_S和Γ′_S、Γ′_O和Γ_O、Γ′_L和Γ_L代入到第一方程式中，得到由三个方程联立的方程组：

进一步地，处理器22计算上述的方程组可得到校准参数A、B、C为：

可以理解，在天线组件10中，天线12可以视为是天线组件10中的一种负载，以参考天线代替天线12作为天线组件10中的负载，可通过处理器22获取参考天线的测量反射系数。在某些实施方式中，参考天线可以是开路负载、短路负载和匹配负载中的一种或几种。在一个实施例中，三个参考天线可以是开路负载、短路负载和匹配负载中的三个，例如第一参考天线为开路负载，第二参考天线为短路负载，第三参考天线为匹配负载。在另一个实施例中，三个参考天线中的两个可以是开路负载、短路负载和匹配负载中的任意两个，另一个参考天线为其余种类的负载，例如第一参考天线为开路负载，第二参考天线为短路负载，第三参考天线为开路负载、短路负载和匹配负载之外的负载，或者第一参考天线为开路负载，第二参考天线为匹配负载，第三参考天线为开路负载、短路负载和匹配负载之外的负载。在又一个实施例中，三个参考天线中的一个可以是开路负载、短路负载和匹配负载中的任意一个，另两个参考天线为其余种类的负载，例如第一参考天线为开路负载，第二参考天线和第三参考天线均为开路负载、短路负载和匹配负载之外的负载，或者第一参考天线为短路负载，第二参考天线和第三参考天线均为开路负载、短路负载和匹配负载之外的负载。

开路负载、短路负载和匹配负载的实际反射系数为分别为+1、-1和0且不易随环境的改变而改变，如此，保证了由处理器22计算的校准参数的准确性。

请参阅图4，在某些实施方式中，步骤S3包括步骤S31：依据以下第二方程式计算实际反射系数：Γ₂＝(Γ₁-B)/(A-CΓ₁)，其中，Γ₁为测量反射系数，Γ₂为实际反射系数，A、B、C为校准参数。

请参阅图5，在某些实施方式中，驻波检测装置20还包括存储器24，存储器24用于存储第二方程式：Γ₂＝(Γ₁-B)/(A-CΓ₁)，其中，Γ₁为测量反射系数，Γ₂为实际反射系数，A、B、C为校准参数。存储器24也可以用于存储校准参数A、B、C。处理器22还可用于实施步骤S31，也就是说，处理器22还可用于依据第二方程式计算实际反射系数。具体地，处理器22还可用于将测量反射系数和校准参数代入第二方程式并计算实际反射系数。

具体地，请结合图6，可以将天线组件10与驻波检测装置20连接的第一端口16，和天线组件10上连接天线12的第二端口18的网络关系抽象等效成一个二端口网络。端口(16、18)均同时存在有入射波和反射波，端口(16、18)的反射系数为反射波功率与入射波功率的比值。

请参阅图7，图7所示为将第一端口16和第二端口18的网络关系抽象等效成的二端口网络的信号流图，其中，第一端口16抽象为从节点a₁接收第一端口16的入射波，且从节点b₁发射第一端口16的反射波。第二端口18抽象为从节点a₂接收第二端口18的入射波，且从节点b₂发射第二端口18的反射波。节点a₁到节点b₁的增益为S₁₁，节点a₁到节点b₂的增益为S₂₁，节点a₂到节点b₁的增益为S₁₂，节点a₂到节点b₂的增益为S₂₂，上述的各增益与天线组件10本身的性质有关。

可以理解，第一端口16为天线组件10与驻波检测装置20连接的端口，通过第一端口16直接检测到的天线12的反射系数为测量反射系数，具体地，测量反射系数Γ₁可以用节点b₁到节点a₁的增益来表示，也就是说Γ₁＝b₁/a₁。第二端口18为天线组件10上天线12的连接端口，实际反射系数Γ₂可以用节点b₂到节点a₂的增益来表示，也就是说Γ₂＝b₂/a₂。

根据二端口网络各节点信号功率的关系，节点b₁和节点b₂的信号功率与各增益之间的关系为：b₁＝a₁S₁₁+a₂S₁₂，b₂＝a₁S₂₁+a₂S₂₂，因此，可进一步得到测量反射系数Γ₁与实际反射系数Γ₂之间的关系式为：

设A＝S₁₂S₂₁-S₁₁S₂₂，B＝S₁₁，C＝-S₂₂，A、B和C可作为校准参数，用于计算由第一端口16直接测得的测量反射系数Γ₁。则测量反射系数Γ₁与实际反射系数Γ₂之间的关系式可以记为：

也就是：

即是得到第二方程式。

上述的第二方程式经过变换可以得到：Γ₂A+B-Γ₂Γ₁C＝Γ₁，即是得到第一方程式。

请参阅图8，在某些实施方式中，步骤S4包括步骤S41：依据以下第三方程式计算驻波比：VSWR＝(1+Γ₂)/(1-Γ₂)，其中，VSWR为驻波比，Γ₂为实际反射系数。

请再参阅图5，在某些实施方式中，驻波检测装置20还包括存储器24，存储器24用于存储第三方程式：VSWR＝(1+Γ₂)/(1-Γ₂)，其中，VSWR为驻波比，Γ₂为实际反射系数。处理器22还可用于实施步骤S41，也就是说，处理器22还可用于依据第三方程式计算驻波比。具体地，处理器22可用于将实际反射系数Γ₂代入第三方程式以计算驻波比VSWR。

请参阅图9，在某些实施方式中，步骤S1包括步骤：

S11：检测天线12的入射波功率和反射波功率；和

S12：依据入射波功率、反射波功率和以下第四方程式计算测量反射系数：Γ₁＝b/a，其中，Γ₁为测量反射系数，b为反射波功率，a为入射波功率。

请参阅图10，在某些实施方式中，驻波检测装置20还包括检波器26和存储器24。存储器24用于存储第四方程式：Γ₁＝b/a，其中，Γ₁为测量反射系数，b为反射波功率，a为入射波功率。检波器26和处理器22可分别用于实施步骤S11和S12。也就是说，检波器26可用于检测天线12的入射波功率和反射波功率。处理器22还可用于依据第四方程式计算测量反射系数。具体地，处理器22可用于将检波器26检测得到的入射波功率和反射波功率代入第四方程式中，并计算测量反射系数。

具体地，检波器26是检出波动信号中某种有用信息的装置，用于识别波、振荡或信号的存在或变化的器件。检波器26的一端与天线组件10连接，用于等效检测天线12的入射波功率和反射波功率，检波器26的另一端与处理器22连接，用于向处理器22提供检测得到的入射波功率与反射波功率的结果，优选地，检波器26与天线组件10通过插接口连接以方便拆装检波器26。

请参阅图6、图10和图11，在某些实施方式中，天线组件10还包括测试电路板14，测试电路板14包括用于检测天线12的入射波功率的入射耦合支路148，和用于检测天线12的反射波功率的反射耦合支路146，步骤S11包括步骤：

S111：通过入射耦合支路148检测入射波功率；和

S112：通过反射耦合支路146检测反射波功率。

在某些实施方式中，天线组件10还包括测试电路板14，测试电路板14包括用于检测天线12的入射波功率的入射耦合支路148，和用于检测天线12的反射波功率的反射耦合支路146，检波器26可用于实施步骤S111和S112，也就是说，检波器26可用于通过入射耦合支路148检测入射波功率，和通过反射耦合支路146检测反射波功率。

需要说明的是，步骤S111和步骤S112的实施次序可以是：先实施步骤5111再实施步骤S112，或者是先实施步骤S112再实施步骤S111。

具体地，入射耦合支路148用于等效地输出天线12的入射波，反射耦合支路146用于等效地输出天线12的反射波，检波器26连接入射耦合支路148时可以检测天线12的入射波功率，连接反射耦合支路146时可以检测天线12的反射波功率。

请再参阅图10，在某些实施方式中，测试电路板14还包括信号源142、双向耦合器144和切换开关149。信号源142用于产生信号。双向耦合器144与信号源142和天线12连接，并用于耦合信号源142与天线12之间的正反向功率以供入射耦合支路148和反射耦合支路146使用。切换开关149用于可切换地连接检波器26与入射耦合支路148或反射耦合支路146。

也就是说，双向耦合器144将信号源142产生的入射波分别耦合到天线12和入射耦合支路148上，同时将天线12的反射波部分耦合到反射耦合支路146上。具体地，双向耦合器144将天线12的反射波耦合到反向耦合输出端1442并进入到反射耦合支路146，且将信号源142产生的入射波耦合到正向耦合输出端1444并进入到入射耦合支路148。切换开关149可以将入射耦合支路148或者反射耦合支路146连接到检波器26。

请结合图6，在某些实施方式中，反射耦合支路146包括第一衰减器1462，第一衰减器1462连接在双向耦合器144的反向耦合输出端1442与切换开关149之间。

如此，第一衰减器1462可用于调节反射耦合支路146的反射波功率，以使得反射波功率落入到检波器26的检测范围内，保证检波器26的检测结果较准确。

在某些实施方式中，入射耦合支路148包括第二衰减器1482，第二衰减器1482连接在双向耦合器144的正向耦合输出端1444与切换开关149之间。

如此，第二衰减器1482可用于调节入射耦合支路148的入射波功率，以使得入射波功率落入到检波器26的检测范围内，保证检波器26的检测结果较准确。

在本说明书的描述中，参考术语“某些实施方式”、“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个，除非另有明确具体的限定。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (24)

1.一种驻波检测方法，用于检测天线组件的天线的驻波比，其特征在于，所述方法包括：

获取所述天线的测量反射系数；

获取校准参数，所述获取校准参数包括：

获取三个参考天线的测量反射系数，三个所述参考天线的实际反射系数为已知；和

将三个已知的所述实际反射系数和对应的三个所述参考天线的所述测量反射系数分别代入以下第一方程式并计算所述校准参数：Γ₂A+B-Γ₂Γ₁C＝Γ₁，其中，Γ₁为所述测量反射系数，Γ₂为所述实际反射系数，A、B、C为所述校准参数；

依据所述测量反射系数和所述校准参数计算所述天线的实际反射系数；和

依据所述实际反射系数计算所述天线的驻波比。

2.根据权利要求1所述的驻波检测方法，其特征在于，所述参考天线包括以下负载中的一种或多种：开路负载、短路负载和匹配负载。

3.根据权利要求1所述的驻波检测方法，其特征在于，所述依据所述测量反射系数和所述校准参数计算所述天线的实际反射系数包括：

依据以下第二方程式计算所述实际反射系数：Γ₂＝(Γ₁-B)/(A-CΓ₁)，其中，Γ₁为所述测量反射系数，Γ₂为所述实际反射系数，A、B、C为所述校准参数。

4.根据权利要求1所述的驻波检测方法，其特征在于，所述依据所述实际反射系数计算所述天线的驻波比的步骤包括以下步骤：

依据以下第三方程式计算所述驻波比：VSWR＝(1+Γ₂)/(1-Γ₂)，其中，VSWR为所述驻波比，Γ₂为所述实际反射系数。

5.根据权利要求1所述的驻波检测方法，其特征在于，所述获取所述天线的测量反射系数包括：

检测所述天线的入射波功率和反射波功率；和

依据以下第四方程式计算所述测量反射系数：Γ₁＝b/a，其中，Γ₁为所述测量反射系数，b为所述反射波功率，a为所述入射波功率。

6.根据权利要求5所述的驻波检测方法，其特征在于，所述天线组件还包括测试电路板，所述测试电路板包括用于检测所述天线的入射波功率的入射耦合支路，和用于检测所述天线的反射波功率的反射耦合支路，所述检测所述天线的入射波功率和反射波功率包括：

通过所述入射耦合支路检测所述入射波功率；和

通过所述反射耦合支路检测所述反射波功率。

7.一种驻波检测装置，用于检测天线组件的天线的驻波比，其特征在于，所述驻波检测装置包括处理器，所述处理器用于：

获取所述天线的测量反射系数；

获取校准参数，所述获取校准参数包括：

获取三个参考天线的测量反射系数，三个所述参考天线的实际反射系数为已知；和

将三个已知的所述实际反射系数和对应的三个所述参考天线的所述测量反射系数分别代入以下第一方程式并计算所述校准参数：Γ₂A+B-Γ₂Γ₁C＝Γ₁，其中，Γ₁为所述测量反射系数，Γ₂为所述实际反射系数，A、B、C为所述校准参数；

依据所述测量反射系数和所述校准参数计算所述天线的实际反射系数；和

依据所述实际反射系数计算所述天线的驻波比。

8.根据权利要求7所述的驻波检测装置，其特征在于，所述驻波检测装置还包括存储器，所述存储器用于存储第一方程式：Γ₂A+B-Γ₂Γ₁C＝Γ₁。

9.根据权利要求8所述的驻波检测装置，其特征在于，所述参考天线包括以下负载中的一种或多种：开路负载、短路负载和匹配负载。

10.根据权利要求7所述的驻波检测装置，其特征在于，所述驻波检测装置还包括存储器，所述存储器用于存储第二方程式：Γ₂＝(Γ₁-B)/(A-CΓ₁)，其中，Γ₁为所述测量反射系数，Γ₂为所述实际反射系数，A、B、C为所述校准参数，所述处理器还用于依据所述第二方程式计算所述实际反射系数。

11.根据权利要求7所述的驻波检测装置，其特征在于，所述驻波检测装置还包括存储器，所述存储器用于存储第三方程式：VSWR＝(1+Γ₂)/(1-Γ₂)，其中，VSWR为所述驻波比，Γ₂为所述实际反射系数，所述处理器还用于依据所述第三方程式计算所述驻波比。

12.根据权利要求7所述的驻波检测装置，其特征在于，所述驻波检测装置还包括：

检波器，所述检波器用于检测得到所述天线的入射波功率和反射波功率；和

存储器，所述存储器用于存储第四方程式：Γ₁＝b/a，其中，Γ₁为所述测量反射系数，b为所述反射波功率，a为所述入射波功率；

所述处理器还用于依据所述第四方程式计算所述测量反射系数。

13.根据权利要求12所述的驻波检测装置，其特征在于，所述天线组件还包括测试电路板，所述测试电路板包括用于检测所述天线的入射波功率的入射耦合支路，和用于检测所述天线的反射波功率的反射耦合支路，所述检波器还用于：

通过所述入射耦合支路检测所述入射波功率；和

通过所述反射耦合支路检测所述反射波功率。

14.根据权利要求13所述的驻波检测装置，其特征在于，所述测试电路板还包括：

信号源，所述信号源用于产生信号；

双向耦合器，所述双向耦合器与所述信号源和所述天线连接，用于耦合所述信号源与所述天线之间的正反向功率以供所述入射耦合支路和所述反射耦合支路使用；和

切换开关，所述切换开关用于可切换地连接所述检波器与所述入射耦合支路或所述反射耦合支路。

15.根据权利要求14所述的驻波检测装置，其特征在于，所述反射耦合支路包括连接在所述双向耦合器的反向耦合输出端与所述切换开关之间的第一衰减器。

16.根据权利要求15所述的驻波检测装置，其特征在于，所述入射耦合支路包括连接在所述双向耦合器的正向耦合输出端与所述切换开关之间的第二衰减器。

17.一种电子枪，其特征在于，包括天线组件、和与所述天线组件连接驻波检测装置，所述天线组件包括天线，所述驻波检测装置用于检测所述天线的驻波比，所述驻波检测装置包括处理器，所述处理器用于：

获取所述天线的测量反射系数；

获取校准参数，所述获取校准参数包括：

获取三个参考天线的测量反射系数，三个所述参考天线的实际反射系数为已知；和

将三个已知的所述实际反射系数和对应的三个所述参考天线的所述测量反射系数分别代入以下第一方程式并计算所述校准参数：Γ₂A+B-Γ₂Γ₁C＝Γ₁，其中，Γ₁为所述测量反射系数，Γ₂为所述实际反射系数，A、B、C为所述校准参数；

依据所述测量反射系数和所述校准参数计算所述天线的实际反射系数；和

依据所述实际反射系数计算所述天线的驻波比。

18.根据权利要求17所述的电子枪，其特征在于，所述驻波检测装置还包括存储器，所述存储器用于存储所述第一方程式。

19.根据权利要求18所述的电子枪，其特征在于，所述参考天线包括以下负载中的一种或多种：开路负载、短路负载和匹配负载。

20.根据权利要求17所述的电子枪，其特征在于，所述驻波检测装置还包括存储器，所述存储器用于存储第二方程式：Γ₂＝(Γ₁-B)/(A-CΓ₁)，其中，Γ₁为所述测量反射系数，Γ₂为所述实际反射系数，A、B、C为所述校准参数，所述处理器还用于将所述测量反射系数和所述校准参数代入所述第二方程式并计算所述实际反射系数。

21.根据权利要求17所述的电子枪，其特征在于，所述驻波检测装置还包括存储器，所述存储器用于存储第三方程式：VSWR＝(1+Γ₂)/(1-Γ₂)，其中，VSWR为所述驻波比，Γ₂为所述实际反射系数，所述处理器还用于将所述实际反射系数代入所述第三方程式并计算所述驻波比。

22.根据权利要求17所述的电子枪，其特征在于，所述驻波检测装置还包括：

检波器，所述检波器用于检测得到所述天线的入射波功率和反射波功率；和

存储器，所述存储器用于存储第四方程式：Γ₁＝b/a，其中，Γ₁为所述测量反射系数，b为所述反射波功率，a为所述入射波功率；

所述处理器还用于将所述入射波功率和所述反射波功率代入所述第四方程式并计算所述测量反射系数。

23.根据权利要求22所述的电子枪，其特征在于，所述天线组件还包括测试电路板，所述测试电路板包括用于检测所述天线的入射波功率的入射耦合支路，和用于检测所述天线的反射波功率的反射耦合支路，所述检波器还用于：

通过所述入射耦合支路检测所述入射波功率；和

通过所述反射耦合支路检测所述反射波功率。

24.根据权利要求23所述的电子枪，其特征在于，所述测试电路板还包括：

信号源，所述信号源用于产生信号；

双向耦合器，所述双向耦合器与所述信号源和所述天线连接，用于耦合所述信号源与所述天线之间的正反向功率以供所述入射耦合支路和所述反射耦合支路使用；和

切换开关，所述切换开关用于可切换地连接所述检波器与所述入射耦合支路或所述反射耦合支路。

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