CN108923642A - 一种升压控制电路及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本公开是关于一种升压控制电路及电子设备，该电路包括：升压电路和电压调节电路，其中，所述升压电路包括：第一充放电模块、第二充放电模块、开关电路和第一控制信号端、第二控制信号端和升压电路输出端，所述电压调节电路包括：第三充放电模块、电流调节模块、电压反馈模块、参考电压端、基准电流端和电压输出端，其中，所述电压输出端与所述升压电路输出端相连接。该升压控制电路中，通过先升压再调节的方式，使得最终升压的电压精度更高。

Description

一种升压控制电路及电子设备
技术领域
本公开涉及电路孔技术领域，尤其涉及一种升压控制电路及电子设备。
背景技术
智能手机的应用领域越来越广泛，在手机的电路设计中，升压电压的设计随处可见，如驱动电路的输入，NFC电路的输入等都需要升压电路的设计。
在目前的手机电路设计中，基本是使用BOOST开关电源，很少有涉及到使用电荷泵升压电路。另外，对于传统的电荷泵升压电路，在设计中设计师们把更多的注意力放在了电荷泵的升压效率上，但在一些低压工艺中，过高的电荷泵的输出电压会使MOS管处于击穿的危险，一旦电荷泵出现故障，进而将导致手机整体无法工作，出现故障。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明实施例中提供了一种升压控制电路及电子设备。
本发明实施例公开了如下技术方案：
第一方面，本申请提供了一种升压控制电路，包括：升压电路和电压调节电路，其中，
所述升压电路包括：第一充放电模块、第二充放电模块、开关电路和第一控制信号端、第二控制信号端和升压电路输出端，所述第一充放电模块串联于所述第一控制信号端和升压电路输出端之间，所述第二充放电模块串联于所述第二控制信号端和升压电路输出端之间，所述开关电路分别与所述第一充放电模块和第二充放电模块相连接；所述开关电路基于所述第一控制信号端和第二控制信号端的电平高低，控制第一充放电模块、第二充放电模块进行交互充放电；
所述电压调节电路包括：第三充放电模块、电流调节模块、电压反馈模块、参考电压端、基准电流端和电压输出端，其中，所述电压输出端与所述升压电路输出端相连接；所述电流调节模块的输入端分别与所述基准电流端、参考电压端、电压输出端相连接，所述电流调节模块的输出端与所述电压反馈模块的输入端相连接，所述第三充放电模块串联于所述电压反馈模块的输出端与电压输出端相连接。
可选地，所述第一充放电模块为第一电容C0，所述第二充放电模块为第二电容C1；
所述开关电路包括：第十一MOS管M11和第十二MOS管M12，其中，
所述第一电容C0的第一端与第一控制信号输入端相连接，第一电容C0的第二端与第十一MOS管M11的源极相连接，所述第二电容C1的第一端与第二控制信号输入端相连接，所述第二电容C1的第二端与第十二MOS管12的源极相连接；所述第一电容CO和第二电容C1的第二端均与所述升压电路输出端相连接；
所述第十一MOS管M11的漏极和第十二MOS管M12的漏极相连接，并且所述第十一MOS管M11的栅极与第十二MOS管M12的源极相连接，第十二MOS管M12的栅极与第十一MOS管M11的源极相连接。
可选地，所述升压电路还包括第一单向导通电路和第二单向导通电路，其中，
所述第一单向导通电路位于第一充放电模块的输出端和升压电路输出端之间，且控制所述升压电路输出端指向所述电压输出端方向导通；
所述第二单向导通电路位于第二充放电模块的输出端和升压电路输出端之间，且控制所述升压电路输出端指向所述电压输出端方向导通。
可选地，所述第一单向导通电路为第十三MOS管M13，第二单向导通电路为第十四MOS管M14，其中，
所述第十三MOS管M13的源极与所述第二电容C1的第二端相连接；所述第十三MOS管M13的漏极与所述升压电路输出端相连接，且所述第十三MOS管M13的漏极和栅极短路连接；
所述第十四MOS管M14的源极与所述第一电容C0的第二端相连接；所述第十四MOS管M14的漏极与所述升压电路输出端相连接，且所述第十四MOS管M14的漏极和栅极短路连接。
可选地，所述第一单向导通电路为第一二极管，其中，所述第一二极管的阳极与所述第一电容C0的第二端相连接，阴极与所述升压电路输出端相连接；
所述第二单向导通电路为第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述第二电容C1的第二端相连接，阴极与所述升压电路输出端相连接。
可选地，所述电流调节模块包括：第一电阻R1、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第七MOS管M7和第八MOS管M8，其中，
所述第一电阻R1的一端与所述电压输出端相连接，另一端与所述第七MOS管M7的源极相连接；
所述第七MOS管M7的栅极与所述第八MOS管M8的栅极相连接；所述第七MOS管M7的漏极作为所述电流调节模块的输出端；
所述第八MOS管M8的源极作为输入端与所述参考电压端相连接；所述第八MOS管M8的栅极和漏极短路连接；
所述第一MOS管M1的漏极与所述基准电流端相连接，所述第一MOS管M1的漏极和栅极相短路，且所述第一MOS管M1的源极接地；
所述第二MOS管M2的栅极与所述基准电流端相连接，所述第二MOS管M2的漏极与所述第八MOS管M8的漏极相连接；所述第二MOS管M2的源极接地；
所述第三MOS管M3的栅极与所述基准电流端相连接，所述第三MOS管M3的漏极与所述第七MOS管M7的漏极相连接；所述第三MOS管M3的源极接地。
可选地，所述电压反馈模块包括：第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第三电阻R3和第四电容C4，其中，
所述第四电容C4的第一端作为所述电压反馈模块的输入端相连接，且所述第四电容C4的第二端通过第三电阻R3与所述参考电压端相连接；
所述第六MOS管M6的源极与所述参考电压端相连接，所述第六MOS管M6的栅极与第二控制信号相连接；
所述第五MOS管M5的栅极与所述第四电容C4的第一端相连接；所述第五MOS管M5的源极与所述第六MOS管M6的漏极相连接，所述第五MOS管M5的漏极作为所述电压反馈模块的输出端；
所述第四MOS管M4的漏极与所述第五MOS管M5的漏极相连接；所述第四MOS管M4的栅极与第二控制信号相连接；所述第四MOS管M4的源极接地；
所述第三充放电模块为第二电容C2。
可选地，所述电压调节电路还包括：第三单向导通模块，其中，
所述第三单向导通模块串联于所述电压输出端和升压电路输出端之间，且控制所述升压电路输出端指向所述电压输出端方向导通。
可选地，所述第三单向导通模块包括：第九MOS管M9；其中所述第九MOS管M9的源极与升压电路输出端相连接；所述第九MOS管M9的漏极与电压输出端相连接，且所述第九MOS管M9的漏极和栅极短路连接；
或者，
所述第三单向导通模块包括：第三二极管，其中，所述第三二极管的阳极与升压电路输出端相连接，阴极与电压输出端相连接。
可选地，所述电压调节电路还包括：稳压电容C3，
所述稳压电容C3的一端接地，另一端与所述电压输出端相连接。
第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括如第一方面任一项所述的升压控制电路。
本申请实施例提供的该升压控制电路中，升压电路可以将电压抬升到2倍左右，但升压后的幅度波动加到，无法精准控制Vhv等于2倍的Vin，而电压调节电路，通过电压负反馈调节可以对升压电路抬升后的电压进行精度更高的调节，使得最终升压的电压精度更高。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种升压控制电路的电路结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种升压控制电路的电路结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
本申请实施例提供的该升压控制电路，可以应用于包括但不局限于：智能手机、平板电脑、便携相机、智能摄像头以及家用智能电子产品，只要具有升压需求的产品，都可以采用本申请实施例提供的该升压控制电路，进行升压操作。
本申请实施例提供的该升压控制电路可以以单独的电路模块设置在电子设备中，也可以为电子设备中电路中的一部分，本领域技术人员应当知道，无论哪种存在形式，主要采用了该升压控制电路，都属于本申请的保护范围。
图1为本申请实施例提供的一种升压控制电路的电路结构示意图。图2为图1中另一种示意图。
如图1和图2所示，该升压控制电路，包括：升压电路100和电压调节电路200。
升压电路100包括：第一充放电模块、第二充放电模块、开关电路101和第一控制信号端、第二控制信号端和升压电路输出端。
第一充放电模块串联于第一控制信号端和升压电路输出端之间，第二充放电模块串联于第二控制信号端和升压电路输出端之间，开关电路101分别与第一充放电模块和第二充放电模块相连接；开关电路101基于第一控制信号端和第二控制信号端的电平高低，控制第一充放电模块、第二充放电模块进行交互充放电；
电压调节电路200包括：第三充放电模块、电流调节模块201、电压反馈模块、参考电压端、基准电流端和电压输出端，其中，电压输出端与升压电路输出端相连接；电流调节模块201的输入端分别与基准电流端、参考电压端、电压输出端相连接，电流调节模块201的输出端与电压反馈模块的输入端相连接，第三充放电模块串联于电压反馈模块的输出端与电压输出端相连接。
如图1和图2所示，在本申请实施例中，第一充放电模块为第一电容C0，第二充放电模块为第二电容C1。并且开关电路101包括：第十一MOS管M11和第十二MOS管M12。
其中，第一电容C0的第一端与第一控制信号输入端相连接，第一电容C0的第二端(图中A点)与第十一MOS管M11的源极相连接。第二电容C1的第一端与第二控制信号输入端相连接，第二电容C1的第二端(图中B点)与第十二MOS管12的源极相连接；第一电容CO和第二电容C1的第二端均与升压电路输出端(图中C点)相连接；
第十一MOS管M11的漏极和第十二MOS管M12的漏极相连接，并且第十一MOS管M11的栅极与第十二MOS管M12的源极相连接，第十二MOS管M12的栅极与第十一MOS管M11的源极相连接。
在本申请实施例中，第一控制信号输入端接入Clk1信号，第二控制信号输入端接入Clk2信号，clk1和clk2为互不交叠的时钟信号。在本申请一些实施例中，clk1和clk2可由电子设备的CPU提供。
在本申请一些实施例中，升压电路100还包括第一单向导通电路和第二单向导通电路，其中，
第一单向导通电路位于第一充放电模块的输出端(图中A点)和升压电路输出端(图中C点)之间，且控制升压电路输出端指向电压输出端方向导通；第二单向导通电路位于第二充放电模块的输出端(图中B点)和升压电路输出端(图中C点)之间，且控制升压电路输出端指向电压输出端方向导通。
在本申请一些实施例中，第一单向导通电路为第十三MOS管M13，第二单向导通电路为第十四MOS管M14，其中，
第十三MOS管M13的源极与第二电容C1的第二端相连接；第十三MOS管M13的漏极与升压电路输出端相连接，且第十三MOS管M13的漏极和栅极短路连接；第十四MOS管M14的源极与第一电容C0的第二端相连接；第十四MOS管M14的漏极与升压电路输出端相连接，且第十四MOS管M14的漏极和栅极短路连接。
在本申请实施例中，第十三MOS管M13和第十四MOS管M14均采用二极管接法，具体为MOS管的栅极和漏极进行短接，进而使得第十三MOS管M13和第十四MOS管M14均相当于一个电阻，并且通过调节内部栅极和漏极的宽长比，使得MOS管的阻抗是可控制的且比较精确的。
此外，在本申请一些实施例中，第一单向导通电路为第一二极管(图中未示出)，其中，第一二极管的阳极与第一电容C0的第二端相连接，阴极与升压电路输出端相连接；第二单向导通电路为第二二极管(图中未示出)，第二二极管的阳极与第二电容C1的第二端相连接，阴极与升压电路输出端相连接。
在本申请一些实施例中，电流调节模块201包括：第一电阻R1、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第七MOS管M7和第八MOS管M8，其中，
第一电阻R1的一端与电压输出端(图中Vhv)相连接，另一端(图中F点)与第七MOS管M7的源极相连接；第七MOS管M7的栅极与第八MOS管M8的栅极相连接；第七MOS管M7的漏极作为电流调节模块201的输出端(图中E点)；
第八MOS管M8的源极作为输入端与参考电压端(图中Vin)相连接；第八MOS管M8的栅极和漏极短路连接；
第一MOS管M1的漏极与基准电流端(图中Ibias)相连接，第一MOS管M1的漏极和栅极相短路，且第一MOS管M1的源极接地；
第二MOS管M2的栅极与基准电流端(图中Ibias)相连接，第二MOS管M2的漏极与第八MOS管M8的漏极相连接；第二MOS管M2的源极接地；
第三MOS管M3的栅极与基准电流端(图中Ibias)相连接，第三MOS管M3的漏极与第七MOS管M7的漏极相连接；第三MOS管M3的源极接地。
在本申请一些实施例中，电压反馈模块包括：第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第三电阻R3和第四电容C4，其中，
第四电容C4的第一端作为电压反馈模块的输入端(图中E点)相连接，且第四电容C4的第二端通过第三电阻R3与参考电压端(图中Vin)相连接；
第六MOS管M6的源极与参考电压端(图中Vin)相连接，第六MOS管M6的栅极与第二控制信号(图中Clk2)相连接；
第五MOS管M5的栅极与第四电容C4的第一端相连接；第五MOS管M5的源极与第六MOS管M6的漏极相连接，第五MOS管M5的漏极作为电压反馈模块的输出端(图中G点)；
第四MOS管M4的漏极与第五MOS管M5的漏极相连接；第四MOS管M4的栅极与第二控制信号(图中Clk2)相连接；第四MOS管M4的源极接地。
在本申请实施例中，第三充放电模块为第二电容C2。
在本申请一些实施例中，电压调节电路200还包括：第三单向导通模块，其中，第三单向导通模块串联于电压输出端和升压电路输出端(图中C或D点)之间，且控制升压电路输出端指向电压输出端方向导通。
在本申请一些实施例中，第三单向导通模块包括：第九MOS管M9；其中第九MOS管M9的源极与升压电路输出端相连接；第九MOS管M9的漏极与电压输出端相连接，且第九MOS管M9的漏极和栅极短路连接；
在本申请一些实施例中，第三单向导通模块包括：第三二极管，其中，第三二极管的阳极与升压电路输出端相连接，阴极与电压输出端相连接。
在本申请一些实施例中，电压调节电路200还包括：稳压电容C3，
稳压电容C3的一端接地，另一端与电压输出端相连接。
在本申请实施例中，如图1和图2所示，其中，，M11、M12、M1、M2、M3、M4为NMOS管，其他均为PMOS管，另外，Ibias为内部基准产生的基准电流。
本申请实施例提供的该升压控制电路，在工作时如下：
对于左侧的升压电路100，其作用是对电压进行抬升，工作原理如下：
在初始状态时，若控制clk1为低电平，clk2为高电平，则相应地，B点电压为Vin，进而使得M11导通，使A点电压抬升为Vin，最终M12管截止。
在下一时段内，若控制clk1高电平，clk2低电平，则相应地，A点电压为2Vin，使由PMOS管构成的二极管接法的M14导通，最终M13截止，使C点的电压为2Vin-Vth(M14)。
在下一时段内，若控制clk1低电平，clk2高电平时，则相应地，将B点电压抬到2Vin，使得M11截止，A电压回到Vin，此时使得使由PMOS构成的二极管接法的M13导通，M14截止，从而C点的输出电压为2Vin-Vth(M13)，clk1和clk2一直如此互不交叠反复工作，从而使得C点电压一直为2Vin-Vth(M13/M14)，保持不变。
而对于右侧的电压调节电路，其作用电压输出及电压控制，工作原理如下：
当输出电压Vhv<Vin+I1R时，F点电压低于Vin，进而E点电压为低，使得M5所在支路电流相对较大。
若控制clk2为高电平时，G点电压为低，D点电压为C点电压；
若控制clk2为低电平时，电路通过电容C2对D点进行升压，使得Vhv增大；当输出电压Vhv>Vin+I1R时，F点电压被拉高，M5关断。
若控制clk2为高电平时，G点电压为低，D点电压为2Vin-Vth(M14)，当clk2低电平时，D点电压维持原态，电容C3进行放电，电荷泵输出电压Vhv开始降低，当Vhv电压低至Vhv<Vin+I1R时，控制电路又开始对D点进行升压，如此反复工作，实现对Vhv电压进行控制。电容C3起到稳压的作用。
本申请实施例提供的该升压控制电路中，升压电路可以将电压抬升到2倍左右，但升压后的幅度波动加到，无法精准控制Vhv等于2倍的Vin，而电压调节电路，通过电压负反馈调节可以对升压电路抬升后的电压进行精度更高的调节，使得最终升压的电压精度更高。
另外，由于PMOS管M13、M14衬底与源漏的高电压相连接，从而消除了电路向衬底漏电，提高了2倍升压部分的效率。同时PMOS管M13、M14采用二极管接法起到了阻止电荷从右向左传输的作用，R3和C4为补偿电阻、电容，从而实现环路的稳定性。
在本申请实施例中，该升压电路的输出电压可以表示为：
Vhv＝vin+I1R (1)
其中，电流I1为基准电流。
此外，在本申请实施例中，还提供一种电子设备，包括如上述任意一个实施例中提及的升压控制电路。
在系统正常工作时，开关管M5和M6处于线性区，此时开关管M5和M6的导通电阻可用公式(2)表示出来。
将公式(1)代入公式(2)可得：
注：un:电子迁移率；Cox：单位面积氧化层电容值；W/L:MOS管沟道的宽长比；Vgs：MOS管的栅极-源极电压；Vth：MOS管阈值电压
由公式(3)可以看出，开关管M5和开关管M6的导通电阻不受输出电压vhv的影响，只是会受到开关管M5和M6体效应的影响。在上述升压控制电路中，若要使得该输出电压在工艺承受范围之内，可以调节电流I0、I1、及电阻R的大小，得到最终输出电压Vhv。
需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上所述仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (11)

1.一种升压控制电路，其特征在于，包括：升压电路和电压调节电路，其中，
所述升压电路包括：第一充放电模块、第二充放电模块、开关电路和第一控制信号端、第二控制信号端和升压电路输出端，所述第一充放电模块串联于所述第一控制信号端和升压电路输出端之间，所述第二充放电模块串联于所述第二控制信号端和升压电路输出端之间，所述开关电路分别与所述第一充放电模块和第二充放电模块相连接；所述开关电路基于所述第一控制信号端和第二控制信号端的电平高低，控制第一充放电模块、第二充放电模块进行交互充放电；
所述电压调节电路包括：第三充放电模块、电流调节模块、电压反馈模块、参考电压端、基准电流端和电压输出端，其中，所述电压输出端与所述升压电路输出端相连接；所述电流调节模块的输入端分别与所述基准电流端、参考电压端、电压输出端相连接，所述电流调节模块的输出端与所述电压反馈模块的输入端相连接，所述第三充放电模块串联于所述电压反馈模块的输出端与电压输出端相连接。
2.根据权利要求1所述的升压控制电路，其特征在于，所述第一充放电模块为第一电容C0，所述第二充放电模块为第二电容C1；
所述开关电路包括：第十一MOS管M11和第十二MOS管M12，其中，
所述第一电容C0的第一端与第一控制信号输入端相连接，第一电容C0的第二端与第十一MOS管M11的源极相连接，所述第二电容C1的第一端与第二控制信号输入端相连接，所述第二电容C1的第二端与第十二MOS管12的源极相连接；所述第一电容CO和第二电容C1的第二端均与所述升压电路输出端相连接；
所述第十一MOS管M11的漏极和第十二MOS管M12的漏极相连接，并且所述第十一MOS管M11的栅极与第十二MOS管M12的源极相连接，第十二MOS管M12的栅极与第十一MOS管M11的源极相连接。
3.根据权利要求2所述的升压控制电路，其特征在于，所述升压电路还包括第一单向导通电路和第二单向导通电路，其中，
所述第一单向导通电路位于第一充放电模块的输出端和升压电路输出端之间，且控制所述升压电路输出端指向所述电压输出端方向导通；
所述第二单向导通电路位于第二充放电模块的输出端和升压电路输出端之间，且控制所述升压电路输出端指向所述电压输出端方向导通。
4.根据权利要求3所述的升压控制电路，其特征在于，所述第一单向导通电路为第十三MOS管M13，第二单向导通电路为第十四MOS管M14，其中，
所述第十三MOS管M13的源极与所述第二电容C1的第二端相连接；所述第十三MOS管M13的漏极与所述升压电路输出端相连接，且所述第十三MOS管M13的漏极和栅极短路连接；
所述第十四MOS管M14的源极与所述第一电容C0的第二端相连接；所述第十四MOS管M14的漏极与所述升压电路输出端相连接，且所述第十四MOS管M14的漏极和栅极短路连接。
5.根据权利要求3所述的升压控制电路，其特征在于，所述第一单向导通电路为第一二极管，其中，所述第一二极管的阳极与所述第一电容C0的第二端相连接，阴极与所述升压电路输出端相连接；
所述第二单向导通电路为第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述第二电容C1的第二端相连接，阴极与所述升压电路输出端相连接。
6.根据权利要求1所述的升压控制电路，其特征在于，
所述电流调节模块包括：第一电阻R1、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第七MOS管M7和第八MOS管M8，其中，
所述第一电阻R1的一端与所述电压输出端相连接，另一端与所述第七MOS管M7的源极相连接；
所述第七MOS管M7的栅极与所述第八MOS管M8的栅极相连接；所述第七MOS管M7的漏极作为所述电流调节模块的输出端；
所述第八MOS管M8的源极作为输入端与所述参考电压端相连接；所述第八MOS管M8的栅极和漏极短路连接；
所述第一MOS管M1的漏极与所述基准电流端相连接，所述第一MOS管M1的漏极和栅极相短路，且所述第一MOS管M1的源极接地；
所述第二MOS管M2的栅极与所述基准电流端相连接，所述第二MOS管M2的漏极与所述第八MOS管M8的漏极相连接；所述第二MOS管M2的源极接地；
所述第三MOS管M3的栅极与所述基准电流端相连接，所述第三MOS管M3的漏极与所述第七MOS管M7的漏极相连接；所述第三MOS管M3的源极接地。
7.根据权利要求6所述的升压控制电路，其特征在于，所述电压反馈模块包括：第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第三电阻R3和第四电容C4，其中，
所述第四电容C4的第一端作为所述电压反馈模块的输入端相连接，且所述第四电容C4的第二端通过第三电阻R3与所述参考电压端相连接；
所述第六MOS管M6的源极与所述参考电压端相连接，所述第六MOS管M6的栅极与第二控制信号相连接；
所述第五MOS管M5的栅极与所述第四电容C4的第一端相连接；所述第五MOS管M5的源极与所述第六MOS管M6的漏极相连接，所述第五MOS管M5的漏极作为所述电压反馈模块的输出端；
所述第四MOS管M4的漏极与所述第五MOS管M5的漏极相连接；所述第四MOS管M4的栅极与第二控制信号相连接；所述第四MOS管M4的源极接地；
所述第三充放电模块为第二电容C2。
8.根据权利要求7所述的升压控制电路，其特征在于，所述电压调节电路还包括：第三单向导通模块，其中，
所述第三单向导通模块串联于所述电压输出端和升压电路输出端之间，且控制所述升压电路输出端指向所述电压输出端方向导通。
9.根据权利要求8所述的升压控制电路，其特征在于，所述第三单向导通模块包括：第九MOS管M9；其中所述第九MOS管M9的源极与升压电路输出端相连接；所述第九MOS管M9的漏极与电压输出端相连接，且所述第九MOS管M9的漏极和栅极短路连接；
或者，
所述第三单向导通模块包括：第三二极管，其中，所述第三二极管的阳极与升压电路输出端相连接，阴极与电压输出端相连接。
10.根据权利要求6所述的升压控制电路，其特征在于，所述电压调节电路还包括：稳压电容C3，
所述稳压电容C3的一端接地，另一端与所述电压输出端相连接。
11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的升压控制电路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111629085A (zh) * 2019-02-27 2020-09-04 北京小米移动软件有限公司 电子设备的控制电路及电子设备、控制方法、存储介质

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101510728A (zh) * 2008-12-18 2009-08-19 昆山锐芯微电子有限公司 电荷泵及cmos图像传感器
CN107070202A (zh) * 2017-04-19 2017-08-18 中国电子科技集团公司第二十四研究所 具有电压自动调节功能的负电压产生电路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101510728A (zh) * 2008-12-18 2009-08-19 昆山锐芯微电子有限公司 电荷泵及cmos图像传感器
CN107070202A (zh) * 2017-04-19 2017-08-18 中国电子科技集团公司第二十四研究所 具有电压自动调节功能的负电压产生电路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111629085A (zh) * 2019-02-27 2020-09-04 北京小米移动软件有限公司 电子设备的控制电路及电子设备、控制方法、存储介质
CN111629085B (zh) * 2019-02-27 2023-01-17 北京小米移动软件有限公司 电子设备的控制电路及电子设备、控制方法、存储介质

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