驱动电路及变频电源
技术领域
本发明涉及电源领域,具体而言,涉及一种驱动电路及变频电源。
背景技术
本申请对于背景技术的描述属于与本申请相关的相关技术,仅用于说明和便于理解本申请的内容,不应理解为申请人明确认为或推定申请人认为是本申请在首次提出申请的申请日的现有技术。
变频技术的应用越来越广泛,例如变频冰箱、变频油烟机和变频风机等,其变频电源通常是利用专门的驱动电路对逆变桥电路进行驱动,而且需要多个专门的驱动电路,导致成本高。
发明内容
为了解决目前变频电源成本高的问题,本发明实施例提供了一种驱动电路及变频电源,使用分立器件代替专门的驱动电路组成驱动电路,结构简单,大大降低了成本。
第一方面,本发明实施例提供了一种驱动电路,包括第一驱动电路和第二驱动电路;所述第一驱动电路包括第一驱动单元、隔离单元和第一推挽单元,所述第一驱动单元与所述隔离单元连接,用于提供驱动信号;所述隔离单元与所述第一推挽单元连接,用于实现所述第一驱动电路的隔离驱动;所述第一推挽单元用于与逆变电路连接;所述第二驱动电路包括第二驱动单元和第二推挽单元,所述第二驱动单元与所述第二推挽单元连接,用于提供驱动信号;所述第二推挽单元用于与所述逆变电路连接。
其中,所述第一驱动电路还包括自举升压单元,所述自举升压单元与所述隔离单元连接,用于为所述第一驱动电路提供能量。
其中,在所述第一驱动单元中,电阻R7的一端与驱动信号输入端连接,电阻R7的另一端与电阻R6的一端、三极管Q6的基极连接;电阻R6的另一端接地;三极管Q6的发射极接地,三极管Q6的集电极与所述隔离单元连接;
所述隔离单元包括光电耦合器,所述光电耦合器的第二端与三极管Q6的集电极连接;所述光电耦合器的第一端与电阻R15的一端连接,电阻R15的另一端与电源输入接口连接;
在自举升压单元中,电阻R5的一端与所述电源输入接口连接,电阻R5的另一端与二极管D2的正极连接,二极管D2的负极分别与电容C1的一端、电容C2的一端连接;电容C1的另一端、电容C2的另一端均与所述逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;
在第一推挽单元中,三极管Q1的集电极、电阻R1的一端均与二极管D2的负极连接,电阻R1的另一端与光电耦合器的第四端连接;三极管Q1的基极、三极管Q2的基极、电阻R2的一端均与光电耦合器的第三端连接;电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极均与所述逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极、电阻R3的一端均与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与所述逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接;电阻R3的另一端与二极管D1的负极连接,二极管D1的正极与所述逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接。
其中,在所述第二驱动单元中,电阻R9的一端与驱动信号输入端连接,电阻R9的另一端与电阻R10的一端、三极管Q5的基极连接;三极管Q5的发射极、电阻R10的另一端均与所述逆变电路的第二开关管Q17的源极连接,三极管Q5的集电极与所述第二推挽单元连接;
在第二推挽单元中,三极管Q3的集电极、电阻R8的一端均与电源输入接口连接,电阻R8的另一端、三极管Q3的基极、三极管Q4的基极均与三极管Q5的集电极连接;三极管Q4集电极与所述逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;三极管Q4的发射极、三极管Q3的发射极、电阻R12的一端均与电阻R11的一端连接;电阻R11的另一端与所述逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接;电阻R12的另一端与二极管D3的负极连接,二极管D3的正极与所述逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接。
其中,在所述第一驱动单元中,电阻R7的一端与驱动信号输入端连接,电阻R7的另一端与电阻R6的一端、三极管Q6的基极连接;电阻R6的另一端接地;三极管Q6的发射极接地,三极管Q6的集电极与所述隔离单元连接;
所述隔离单元包括光电耦合器,所述光电耦合器的第二端与三极管Q6的集电极连接;所述光电耦合器的第一端与电阻R15的一端连接,电阻R15的另一端与电源输入接口连接;
在自举升压单元中,电阻R5的一端与所述电源输入接口连接,电阻R5的另一端与二极管D2的正极连接,二极管D2的负极分别与电容C1的一端、电容C2的一端连接;电容C1的另一端、电容C2的另一端均与所述逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;
在第一推挽单元中,三极管Q1的集电极、电阻R1的一端均与二极管D2的负极连接,电阻R1的另一端、三极管Q1的基极和三极管Q2的基极均与光电耦合器的第四端连接;三极管Q2的集电极和光电耦合器的第三端均与所述逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极、电阻R3的一端均与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与所述逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接;电阻R3的另一端与二极管D1的负极连接,二极管D1的正极与所述逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接。
其中,在所述第二驱动单元中,电阻R9的一端与驱动信号输入端连接,电阻R9的另一端与电阻R10的一端、三极管Q5的基极连接;三极管Q5的发射极、电阻R10的另一端均与所述逆变电路的第二开关管Q17的源极连接,三极管Q5的集电极与所述第二推挽单元连接;
在第二推挽单元中,三极管Q3的集电极、电阻R8的一端均与电源输入接口连接,电阻R8的另一端、三极管Q3的基极、三极管Q4的基极均与三极管Q5的集电极连接;三极管Q4集电极与所述逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;三极管Q4的发射极、三极管Q3的发射极、电阻R12的一端均与电阻R11的一端连接;电阻R11的另一端与所述逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接;电阻R12的另一端与二极管D3的负极连接,二极管D3的正极与所述逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接。
其中,在所述第一驱动单元中,电阻R20的一端、电容C6的一端均与驱动信号输入端连接,电阻R20的另一端与三极管Q8的集电极连接,三极管Q8的基极与电容C6的另一端、电阻R21的一端连接,电阻R21的另一端、三极管Q8的发射极均接地;电阻R7的一端与三极管Q8的集电极连接,电阻R7的另一端分别与三极管Q6的基极、电阻R6的一端连接;电阻R6的另一端接地;三极管Q6的发射极接地,三极管Q6的集电极与电阻R15的一端连接,电阻R15的另一端与所述隔离单元连接;
所述隔离单元包括光电耦合器,所述光电耦合器的第二端与电阻R15的另一端连接;所述光电耦合器的第一端电源输入接口连接;
在自举升压单元中,电阻R5的一端与所述电源输入接口连接,电阻R5的另一端与二极管D2的正极连接,二极管D2的负极分别与电容C1的一端、电容C2的一端连接;电容C1的另一端、电容C2的另一端均与所述逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;
在第一推挽单元中,三极管Q1的集电极、电阻R1的一端均与二极管D2的负极连接,电阻R1的另一端与光电耦合器的第四端连接;三极管Q1的基极、三极管Q2的基极、电阻R2的一端均与光电耦合器的第三端连接;电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极均与所述逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极、电阻R3的一端均与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与所述逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接;电阻R3的另一端与二极管D1的负极连接,二极管D1的正极与所述逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接。
其中,在所述第二驱动单元中,电阻R23的一端、电容C5的一端均与驱动信号输入端连接,电阻R23的另一端与三极管Q7的集电极连接,三极管Q7的基极与电容C5的另一端、电阻R22的一端连接,电阻R22的另一端、三极管Q7的发射极均与所述逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;电阻R9的一端与三极管Q7的集电极连接,电阻R9的另一端分别与三极管Q5的基极、电阻R10的一端连接;电阻R10的另一端与所述逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;三极管Q5的集电极与所述第二推挽单元连接;
在第二推挽单元中,三极管Q3的集电极、电阻R8的一端均与电源输入接口连接,电阻R8的另一端、三极管Q3的基极、三极管Q4的基极均与三极管Q5的集电极连接;三极管Q4集电极与所述逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;三极管Q4的发射极、三极管Q3的发射极、电阻R12的一端均与电阻R11的一端连接;电阻R11的另一端与所述逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接;电阻R12的另一端与二极管D3的负极连接,二极管D3的正极与所述逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接。
其中,在所述第一驱动单元中,电阻R20的一端、电容C6的一端均与驱动信号输入端连接,电阻R20的另一端与三极管Q8的集电极连接,三极管Q8的基极与电容C6的另一端、电阻R21的一端连接,电阻R21的另一端、三极管Q8的发射极均接地;电阻R7的一端与三极管Q8的集电极连接,电阻R7的另一端分别与三极管Q6的基极、电阻R6的一端连接;电阻R6的另一端接地;三极管Q6的发射极接地,三极管Q6的集电极与所述隔离单元连接;
所述隔离单元包括光电耦合器,所述光电耦合器的第二端与三极管Q6的集电极连接,所述光电耦合器的第一端与电阻R15的一端连接,电阻R15的另一端与电源输入接口连接;
在自举升压单元中,电阻R5的一端与所述电源输入接口连接,电阻R5的另一端与二极管D2的正极连接,二极管D2的负极分别与电容C1的一端、电容C2的一端连接;电容C1的另一端、电容C2的另一端均与所述逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;
在第一推挽单元中,三极管Q1的集电极、电阻R1的一端均与二极管D2的负极连接,电阻R1的另一端、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极均与光电耦合器的第四端连接;光电耦合器的第三端、三极管Q2的集电极均与所述逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极、电阻R3的一端均与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与所述逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接;电阻R3的另一端与二极管D1的负极连接,二极管D1的正极与所述逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接。
其中,在所述第二驱动单元中,电阻R23的一端、电容C5的一端均与驱动信号输入端连接,电阻R23的另一端与三极管Q7的集电极连接,三极管Q7的基极与电容C5的另一端、电阻R22的一端连接,电阻R22的另一端、三极管Q7的发射极均与所述逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;电阻R9的一端与三极管Q7的集电极连接,电阻R9的另一端分别与三极管Q5的基极、电阻R10的一端连接;电阻R10的另一端与所述逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;三极管Q5的集电极与所述第二推挽单元连接;
在第二推挽单元中,三极管Q3的集电极、电阻R8的一端均与电源输入接口连接,电阻R8的另一端、三极管Q3的基极、三极管Q4的基极均与三极管Q5的集电极连接;三极管Q4集电极与所述逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;三极管Q4的发射极、三极管Q3的发射极、电阻R12的一端均与电阻R11的一端连接;电阻R11的另一端与所述逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接;电阻R12的另一端与二极管D3的负极连接,二极管D3的正极与所述逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接。
其中,所述第一开关管14为MOS管或者IGBT管。
其中,所述第一开关管14为MOS管或者IGBT管,所述第二开关管17为MOS管或者IGBT管。
第二方面,本发明实施例提供了一种变频电源,包括上述任一项所述的驱动电路。
第三方面,本发明实施例提供了一种电子设备,包括上述的变频电源。
其中,所述电子设备包括变频风机、变频油烟机和变频冰箱。
本发明实施例驱动电路具有以下技术效果:
本发明实施例的驱动电路包括分立器件,能够驱动变频电源的逆变电路,这样使用分立器件代替专门的驱动电路组成驱动电路,结构简单,物料供应简单易采购,大大降低了成本。
附图说明
图1为本发明实施例驱动电路的原理示意图;
图2为本发明实施例驱动电路一优选实施例的原理示意图;
图3为本发明实施例变频电源中驱动电路和逆变电路的第一具体电路示意图;
图4为本发明实施例变频电源中驱动电路和逆变电路的第二具体电路示意图;
图5为本发明实施例变频电源中驱动电路和逆变电路的第三具体电路示意图;
图6为本发明实施例变频电源中驱动电路和逆变电路的第四具体电路示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明实施例的上述目的、特征和优点,下面结合附图和具体实施方式对本发明实施例进行进一步的详细描述。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明实施例,但是,本发明实施例还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施,因此,本发明实施例的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
下述讨论提供了本发明的多个实施例。虽然每个实施例代表了发明的单一组合,但是本发明不同实施例可以替换,或者合并组合,因此本发明实施例也可认为包含所记载的相同和/或不同实施例的所有可能组合。因而,如果一个实施例包含A、B、C,另一个实施例包含B和D的组合,那么本发明实施例也应视为包括含有A、B、C、D的一个或多个所有其他可能的组合的实施例,尽管该实施例可能并未在以下内容中有明确的文字记载。
本发明实施例提供了一种驱动电路,包括第一驱动电路和第二驱动电路;第一驱动电路包括第一驱动单元、隔离单元和第一推挽单元,第一驱动单元与隔离单元连接,用于提供驱动信号;隔离单元与第一推挽单元连接,用于实现第一驱动电路的隔离驱动;第一推挽单元用于与逆变电路连接;第二驱动电路包括第二驱动单元和第二推挽单元,第二驱动单元与第二推挽单元连接,用于提供驱动信号;第二推挽单元用于与逆变电路连接。
本发明实施例的驱动电路包括分立器件,能够驱动变频电源的逆变电路,这样使用分立器件代替专门的驱动电路组成驱动电路,结构简单,物料供应简单易采购,大大降低了成本。
本发明实施例的驱动电路能够应用于变频风机、变频油烟机和变频冰箱的变频电源中,用于驱动逆变电路。图1为本发明实施例驱动电路的原理示意图,如图1所示,本发明实施例的驱动电路包括第一驱动电路18和第二驱动电路19,在一个实施例中,第一驱动电路18也可称为上管,第二驱动电路19也可称为下管。第一驱动电路18包括第一驱动单元11、隔离单元12和第一推挽单元13,第一驱动单元11与隔离单元12连接,用于提供驱动信号;隔离单元12与第一推挽单元13连接,用于实现第一驱动电路18的隔离驱动;第一推挽单元13用于与逆变电路连接;第二驱动电路19包括第二驱动单元14和第二推挽单元15,第二驱动单元14与第二推挽单元15连接,用于提供驱动信号;第二推挽单元15用于与逆变电路连接。
图2为本发明实施例驱动电路一优选实施例的原理示意图,如图2所示,本实施例的驱动电路中,第一驱动电路18还包括自举升压单元17,自举升压单元17与隔离单元12连接,用于为第一驱动电路18提供能量。
在一个实施例中,图3为本发明实施例变频电源中驱动电路和逆变电路的第一具体电路示意图,如图3所示,在第一驱动单元中,电阻R7的一端与驱动信号输入端连接,电阻R7的另一端与电阻R6的一端、三极管Q6的基极连接;电阻R6的另一端接地;三极管Q6的发射极接地,三极管Q6的集电极与隔离单元连接;隔离单元包括光电耦合器,光电耦合器的第二端与三极管Q6的集电极连接;光电耦合器的第一端与电阻R15的一端连接,电阻R15的另一端与电源输入接口连接;在自举升压单元中,电阻R5的一端与电源输入接口连接,电阻R5的另一端与二极管D2的正极连接,二极管D2的负极分别与电容C1的一端、电容C2的一端连接;电容C1的另一端、电容C2的另一端均与逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;在第一推挽单元中,三极管Q1的集电极、电阻R1的一端均与二极管D2的负极连接,电阻R1的另一端与光电耦合器的第四端连接;三极管Q1的基极、三极管Q2的基极、电阻R2的一端均与光电耦合器的第三端连接;电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极均与逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极、电阻R3的一端均与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接;电阻R3的另一端与二极管D1的负极连接,二极管D1的正极与逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接。在一个实施例中,第一开关管14为MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,金属-氧化物-半导体场效应管,MOSFET,以下简称MOS管)或者IGBT管(Insulated GateBipolarTransistor,绝缘栅双极型晶体管)。
在一个实施例中,如图3所示,在第二驱动单元中,电阻R9的一端与驱动信号输入端连接,电阻R9的另一端与电阻R10的一端、三极管Q5的基极连接;三极管Q5的发射极、电阻R10的另一端均与逆变电路的第二开关管Q17的源极连接,三极管Q5的集电极与第二推挽单元连接;在第二推挽单元中,三极管Q3的集电极、电阻R8的一端均与电源输入接口连接,电阻R8的另一端、三极管Q3的基极、三极管Q4的基极均与三极管Q5的集电极连接;三极管Q4集电极与逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;三极管Q4的发射极、三极管Q3的发射极、电阻R12的一端均与电阻R11的一端连接;电阻R11的另一端与逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接;电阻R12的另一端与二极管D3的负极连接,二极管D3的正极与逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接。在一个实施例中,第二开关管Q17为MOS管或者IGBT管。
在一个实施例中,图4为本发明实施例变频电源中驱动电路和逆变电路的第二具体电路示意图,如图4所示,在第一驱动单元中,电阻R7的一端与驱动信号输入端连接,电阻R7的另一端与电阻R6的一端、三极管Q6的基极连接;电阻R6的另一端接地;三极管Q6的发射极接地,三极管Q6的集电极与隔离单元连接;隔离单元包括光电耦合器,光电耦合器的第二端与三极管Q6的集电极连接;光电耦合器的第一端与电阻R15的一端连接,电阻R15的另一端与电源输入接口连接;在自举升压单元中,电阻R5的一端与电源输入接口连接,电阻R5的另一端与二极管D2的正极连接,二极管D2的负极分别与电容C1的一端、电容C2的一端连接;电容C1的另一端、电容C2的另一端均与逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;在第一推挽单元中,三极管Q1的集电极、电阻R1的一端均与二极管D2的负极连接,电阻R1的另一端、三极管Q1的基极和三极管Q2的基极均与光电耦合器的第四端连接;三极管Q2的集电极和光电耦合器的第三端均与逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极、电阻R3的一端均与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接;电阻R3的另一端与二极管D1的负极连接,二极管D1的正极与逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接。
在一个实施例中,如图4所示,在第二驱动单元中,电阻R9的一端与驱动信号输入端连接,电阻R9的另一端与电阻R10的一端、三极管Q5的基极连接;三极管Q5的发射极、电阻R10的另一端均与逆变电路的第二开关管Q17的源极连接,三极管Q5的集电极与第二推挽单元连接;在第二推挽单元中,三极管Q3的集电极、电阻R8的一端均与电源输入接口连接,电阻R8的另一端、三极管Q3的基极、三极管Q4的基极均与三极管Q5的集电极连接;三极管Q4集电极与逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;三极管Q4的发射极、三极管Q3的发射极、电阻R12的一端均与电阻R11的一端连接;电阻R11的另一端与逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接;电阻R12的另一端与二极管D3的负极连接,二极管D3的正极与逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接。
在一个实施例中,图5为本发明实施例变频电源中驱动电路和逆变电路的第三具体电路示意图,如图5所示,在第一驱动单元中,电阻R20的一端、电容C6的一端均与驱动信号输入端连接,电阻R20的另一端与三极管Q8的集电极连接,三极管Q8的基极与电容C6的另一端、电阻R21的一端连接,电阻R21的另一端、三极管Q8的发射极均接地;电阻R7的一端与三极管Q8的集电极连接,电阻R7的另一端分别与三极管Q6的基极、电阻R6的一端连接;电阻R6的另一端接地;三极管Q6的发射极接地,三极管Q6的集电极与电阻R15的一端连接,电阻R15的另一端与隔离单元连接;隔离单元包括光电耦合器,光电耦合器的第二端与电阻R15的另一端连接;光电耦合器的第一端电源输入接口连接;在自举升压单元中,电阻R5的一端与电源输入接口连接,电阻R5的另一端与二极管D2的正极连接,二极管D2的负极分别与电容C1的一端、电容C2的一端连接;电容C1的另一端、电容C2的另一端均与逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;在第一推挽单元中,三极管Q1的集电极、电阻R1的一端均与二极管D2的负极连接,电阻R1的另一端与光电耦合器的第四端连接;三极管Q1的基极、三极管Q2的基极、电阻R2的一端均与光电耦合器的第三端连接;电阻R2的另一端、三极管Q2的集电极均与逆变电路的MOS管Q14的源极连接;三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极、电阻R3的一端均与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接;电阻R3的另一端与二极管D1的负极连接,二极管D1的正极与逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接。
在一个实施例中,如图5所示,在第二驱动单元中,电阻R23的一端、电容C5的一端均与驱动信号输入端连接,电阻R23的另一端与三极管Q7的集电极连接,三极管Q7的基极与电容C5的另一端、电阻R22的一端连接,电阻R22的另一端、三极管Q7的发射极均与逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;电阻R9的一端与三极管Q7的集电极连接,电阻R9的另一端分别与三极管Q5的基极、电阻R10的一端连接;电阻R10的另一端与逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;三极管Q5的集电极与第二推挽单元连接;在第二推挽单元中,三极管Q3的集电极、电阻R8的一端均与电源输入接口连接,电阻R8的另一端、三极管Q3的基极、三极管Q4的基极均与三极管Q5的集电极连接;三极管Q4集电极与逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;三极管Q4的发射极、三极管Q3的发射极、电阻R12的一端均与电阻R11的一端连接;电阻R11的另一端与逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接;电阻R12的另一端与二极管D3的负极连接,二极管D3的正极与逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接。
本实施例的驱动电路的工作原理为:如图5所示,当上管(第一驱动电路18)来高电平驱动信号,先通过电容C6快速使三极管Q8导通,电阻R20与电阻R7之间的联接点被强制拉低,当电容C6充电完成三极管Q8截止(三极管Q8,电阻R21,电容C6,电阻R20组成的死区控制模块完成使命,通过调节电容C6的容值,电阻R21的阻值可以调节死区的时间长短);高电平信号经过死区控制后到三极管Q6,三极管Q6导通,光电耦合器U1得电导通,通过光电耦合器U1将信号送达推挽电路(推挽单元),促使三极管Q1导通,将第一开关管Q14的G极(栅极)电平置高,第一开关管Q14开通。
当上管来低电平驱动信号,与上面高电平信号刚好相反,上管来低电平则三极管Q8,三极管Q6,光电耦合器U1都是截止的,电阻R2促使三极管Q2导通,第一开关管Q14的G极电平拉低,第一开关管Q14关断。
本实施例的驱动电路不仅成本低,而且上下管的死区时间可以随意调节,节省MCU(算法资源)。
在一个实施例中,图6为本发明实施例变频电源中驱动电路和逆变电路的第四具体电路示意图,如图6所示,在第一驱动单元中,电阻R20的一端、电容C6的一端均与驱动信号输入端连接,电阻R20的另一端与三极管Q8的集电极连接,三极管Q8的基极与电容C6的另一端、电阻R21的一端连接,电阻R21的另一端、三极管Q8的发射极均接地;电阻R7的一端与三极管Q8的集电极连接,电阻R7的另一端分别与三极管Q6的基极、电阻R6的一端连接;电阻R6的另一端接地;三极管Q6的发射极接地,三极管Q6的集电极与隔离单元连接;隔离单元包括光电耦合器,光电耦合器的第二端与三极管Q6的集电极连接,光电耦合器的第一端与电阻R15的一端连接,电阻R15的另一端与电源输入接口连接;在自举升压单元中,电阻R5的一端与电源输入接口连接,电阻R5的另一端与二极管D2的正极连接,二极管D2的负极分别与电容C1的一端、电容C2的一端连接;电容C1的另一端、电容C2的另一端均与逆变电路的第一开关管Q14的源极连接;在第一推挽单元中,三极管Q1的集电极、电阻R1的一端均与二极管D2的负极连接,电阻R1的另一端、三极管Q1的基极、三极管Q2的基极均与光电耦合器的第四端连接;光电耦合器的第三端、三极管Q2的集电极均与逆变电路的MOS管Q14的源极连接;三极管Q1的发射极、三极管Q2的发射极、电阻R3的一端均与电阻R4的一端连接,电阻R4的另一端与逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接;电阻R3的另一端与二极管D1的负极连接,二极管D1的正极与逆变电路的第一开关管Q14的栅极连接。
在一个实施例中,如图6所示,在第二驱动单元中,电阻R23的一端、电容C5的一端均与驱动信号输入端连接,电阻R23的另一端与三极管Q7的集电极连接,三极管Q7的基极与电容C5的另一端、电阻R22的一端连接,电阻R22的另一端、三极管Q7的发射极均与逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;电阻R9的一端与三极管Q7的集电极连接,电阻R9的另一端分别与三极管Q5的基极、电阻R10的一端连接;电阻R10的另一端与逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;三极管Q5的集电极与第二推挽单元连接;在第二推挽单元中,三极管Q3的集电极、电阻R8的一端均与电源输入接口连接,电阻R8的另一端、三极管Q3的基极、三极管Q4的基极均与三极管Q5的集电极连接;三极管Q4集电极与逆变电路的第二开关管Q17的源极连接;三极管Q4的发射极、三极管Q3的发射极、电阻R12的一端均与电阻R11的一端连接;电阻R11的另一端与逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接;电阻R12的另一端与二极管D3的负极连接,二极管D3的正极与逆变电路的第二开关管Q17的栅极连接。
本实施例的驱动电路的工作原理为:如图6所示,当上管来高电平驱动信号,先通过电容C6快速使三极管Q8导通,电阻R20与电阻R7之间的联接点被强制拉低,当电容C6充电完成三极管Q8截止(三极管Q8,电阻R21,电容C6,电阻R20组成的死区控制模块完成使命,通过调节电容C6的容值,电阻R21的阻值可以调节死区的时间长短);高电平信号经过死区控制后到三极管Q6,三极管Q6导通,光电耦合器U1得电导通,通过光电耦合器U1将信号送达推挽电路,促使三极管Q2导通,将第一开关管Q14的G极(栅极)电平拉低,第一开关管Q14关断。
当上管来低电平驱动信号,与上面高电平信号刚好相反,上管来低电平则三极管Q8,三极管Q6,光电耦合器U1都是截止的,电阻R1促使三极管Q1导通,第一开关管Q14的G极电平为高,第一开关管Q14开通。
图中电阻R5,二极管D2,电容C1,电容C2组成自举升压电路(为上管驱动电路提供VCC),当第二开关管Q17导通时,VCC通过电阻R5,二极管D2,第二开关管Q17给电容C1,电容C2充电。
当下管来高电平驱动信号,先通过电容C5快速使三极管Q7导通,电阻R23与电阻R9之间的联接点被强制拉低,当电容C5充电完成三极管Q7截止(三极管Q7,电阻R22,电容C5,电阻R23组成的死区控制模块完成使命,通过调节电容C5的容值,电阻R22的阻值可以调节死区的时间长短);高电平信号经过死区控制后到三极管Q5,三极管Q5导通,引起推挽电路中三极管Q4导通,将第二开关管Q17的G极电平拉低,第二开关管Q17关断。
当下管(第二驱动电路19)来低电平驱动信号,与上面高电平信号刚好相反,下管来低电平则三极管Q7、Q5都是截止的,电阻R8促使三极管Q3导通,第二开关管Q17的G极电平为高,第二开关管Q17开通。
本发明实施例还提供了一种变频电源,包括上述任一项的驱动电路。
本发明实施例还提供了一种电子设备,包括上述的变频电源。
其中,电子设备包括变频风机、变频油烟机和变频冰箱。
关于变频电源、电子设备的实施例,请参考驱动电路的实施例。
在本发明中,术语“第一”、“第二”、“左”、“右”仅用于描述的目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性;术语“多个”则指两个或两个以上,除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解,例如,“连接”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;“相连”可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。
本发明实施例的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作,因此,不能理解为对本发明实施例的限制。
在本说明书的描述中,术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且,描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明实施例,对于本领域的技术人员来说,本发明实施例可以有各种更改和变化。凡在本发明实施例的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。