CN108880000A - 一种应用于电动汽车充电的大功率无线能量发射装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的一种应用于电动汽车充电的大功率无线能量发射装置属于电子技术的技术领域，其结构有交直流转换电路(1)，高频逆变电路(2)，电感补偿电路(3)，开关控制电路(4)，单片机(5)，相位检测电路(6)。本发明具有负载适应范围宽、传输效率高、使用灵活、系统稳定性和可靠性高等优点。
Description
技术领域
本发明属于电子技术的技术领域。特别涉及一种应用于电动汽车充电的大功率无线能量发射装置。
背景技术
随着传统石油能源未来可能存在的枯竭隐患和污染问题，新能源汽车有逐渐取代传统燃油、燃气汽车的趋势。在新能源汽车中，电动汽车具有对环境影响小、噪音低、轻便等优点，其前景被广泛看好。但目前充电技术的落后极大限制了电动汽车的发展及普及。目前主流的电动汽车充电方式多为有线充电桩，有线充电使用场合固定，具有很大的不便利性。为了进一步拓展使用场合，无线充电必然是电动汽车充电的发展趋势。
在无线充电技术中，磁耦合共振的方式因其传输效率高、功率大、结构方便等优点而被广泛关注。其原理是先将220V/50Hz的市电整流成200V左右的稳压直流电，再由高频逆变电路逆变成50kHz的高频交流电，发射线圈配合适当的电容进行选频谐振，将电能转换成磁能，再通过磁耦合共振的方式由接收线圈接收能量，最终再由接收线圈后续的整流滤波电路将线圈接收的能量转换成恒压或恒流为接收端的蓄电池进行充电。为了保证传输效率和功率，上述系统要求发射线圈所在的初级回路必须谐振，接收线圈所在的次级回路也要谐振。众所周知，当发射线圈和接收线圈进行耦合时，次级回路对初级回路会产生影响，其影响可等效成一个反射阻抗串联在初级回路中，该反射阻抗包括反射电阻和反射电抗，其中反射电抗(呈感性或容性)对初级回路的谐振程度会产生严重影响，因此在设计发射系统时必须考接收系统的参数影响。
目前的磁耦合共振无线传输系统一般都是针对固定的接收回路进行设计的，一旦接收回路的参数发生变化时，其在发射回路中等效的反射阻抗也会发生变化，原本发射回路的谐振状态便会遭到破坏，出现失谐的现象，导致发射回路的电流、功率、效率等重要参数迅速变差。而事实上由于不同的电动汽车生产厂家不同、汽车型号不同，必然导致不同的汽车的接收回路参数的不同，因此目前现有的无线充电系统难以满足在一个充电系统兼容多种型号的汽车的需求。
综上，为了扩宽对不同汽车的适应范围，提高系统的使用灵活度，保证系统的效率，现有的无线充电系统还需要进行改进。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，针对现有技术存在的缺点，一种应用于电动汽车充电的大功率无线能量发射装置。该装置能够根据接收回路的不同，自动调整发射回路的参数，以达到自动匹配不同的负载、提高充电效率的目的。
本发明的目的通过以下技术方案实现：
一种应用于电动汽车充电的大功率无线能量发射装置，其结构有，交直流转换电路1，高频逆变电路2，单片机5，其特征在于，结构还有，电感补偿电路3，开关控制电路4，相位检测电路6；所述的交直流转换电路1的输入端与市电相连，交直流转换电路1的输出端与高频逆变电路2的电源输入端相连，高频逆变电路2的取样输出端与相位检测电路6的输入端相连，相位检测电路6的输出端与单片机5相连，单片机5还分别与高频逆变电路2的控制输入端和开关控制电路4的输入端相连，开关控制电路4的输出端还分别与电感补偿电路3的输入端、相位检测电路6的使能控制端相连，电感补偿电路3的输出端与高频逆变电路2的补偿输入端相连；
所述的高频逆变电路2的结构为，二极管D1的阳极与+12V的电源相连，二极管D1的阴极与电阻R1的一端、三极管Q1的发射极以及电容C1的一端相连，电阻R1的另一端与三极管Q1的基极及三极管Q2的集电极相连，三极管Q2的基极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端+5V直流电源相连，三极管Q2的发射极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端作为高频逆变电路2的第一个控制输入端，记为端口MCU-in1，与单片机5相连，三极管Q1的集电极与二极管D2的阳极、三极管Q3的基极及电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端与电容C1的另一端、三极管Q3的集电极、稳压二极管D3的阳极、场效应管Q8的漏极、电感L的一端及场效应管Q4的源极相连，作为高频逆变电路2的电感输出端，记为端口L-out与电感补偿电路3的端口L-in相连，三极管Q3的发射极与二极管D2的阴极、稳压二极管D3的阴极及场效应管Q4的栅极相连，场效应管Q4的漏极与场效应管Q9的漏极相连，作为高频逆变电路2的电源输入端，记为端口Vs-in，与交直流转换电路1的直流电压输出端相连，场效应管Q8的栅极与电阻R8的一端及三极管Q7的集电极相连，电阻R8的另一端与三极管Q5的集电极相连，三极管Q5的发射极与电阻R5的一端及+12V直流电源相连，电阻R5的另一端与三极管Q5的基极及三极管Q6的集电极相连，三极管Q6的基极与电阻R6的一端相连，电阻R6的另一端与+5V电源相连，三极管Q6的发射极与电阻R7的一端相连，电阻R7的另一端与电阻R9的一端相连，作为高频逆变电路2的第二个控制输入端，记为端口MCU-in2，与单片机5相连，电阻R9的另一端与三极管Q7的基极相连，三极管Q7的发射极与场效应管Q8的源极相连并接地，电感L的另一端与电容Cs1的一端相连，电容Cs1的另一端与电容Cs2的一端相连，电容Cs2的另一端作为高频逆变电路2的一个补偿输入端，记为端口Ladj-in1，与电感补偿电路3的端口Ladj-out1相连；取样电阻Rs的一端作为高频逆变电路2的另一个补偿输入端，同时还作为高频逆变电路2的一个取样输出端，记为端口Rs-out1，该端口与电感补偿电路3的端口Ladj-out2相连，还与相位检测电路6的端口Rs-in1相连，取样电阻Rs的另一端与场效应管Q13的漏极、场效应管Q9的源极、稳压二极管D4的阳极、三极管Q10的集电极、电阻R10的一端及电容C2的一端相连，作为高频逆变电路2的另一个取样输出端，记为端口Rs-out2，与相位检测电路6的端口Rs-in2相连，场效应管Q9的栅极与稳压二极管D4的阴极、三极管Q10的发射极及二极管D5的阴极相连，三极管Q10的基极与电阻R10的另一端、二极管D5的阳极及三极管Q11的集电极相连，三极管Q11的发射极与电容C2的另一端、电阻R11的一端及二极管D6的阴极相连，二极管D6的阳极与+12V直流电源相连，三极管Q11的基极与电阻R11的另一端及三极管Q12的集电极相连，三极管Q12的基极与电阻R12的一端相连，电阻R12的另一端与+5V直流电源相连，三极管Q12的发射极与电阻R13的一端相连，电阻R13的另一端作为高频逆变电路2的第三个控制输入端，记为端口MCU-in3，与单片机5相连；场效应管Q13的源极与三极管Q14的发射极相连并接地，场效应管Q13的栅极与电阻R14的一端及三极管Q14的集电极相连，三极管Q14的基极与电阻R15的一端相连，电阻R15的另一端与电阻R17的一端相连，作为高频逆变电路2的第四个控制输入端，记为端口MCU-in4，与单片机5相连，电阻R14的另一端与三极管Q15的集电极相连，三极管Q15的发射极与电阻R16的一端及+12V直流电源相连，三极管Q15的基极与电阻R16的另一端及三极管Q16的集电极相连，三极管Q16的发射极与电阻R17的另一端相连，三极管Q16的基极与电阻R18的一端相连，电阻R18的另一端与+5V直流电源相连；
所述的相位检测电路6的结构为，电阻R19的一端与继电器Ks的动触点相连，作为相位检测电路6的一个输入端，记为端口Rs-in1，与高频逆变电路2的端口Rs-out1相连；电阻R19的另一端与比较器U1A的同相输入端及电阻R20的一端相连，电阻R20的另一端接地；继电器Ks的静触点与电阻R21的一端相连，作为相位检测电路6的另一个输入端，记为端口Rs-in2，与高频逆变电路2的端口Rs-out2相连；继电器线圈的一端接地，继电器线圈另一端作为相位检测电路6的使能控制端，记为端口Rins，与开关控制电路4中的第九继电器驱动电路的输出端相连；电阻R21的另一端与电阻R22的一端、比较器U1A的反相输入端及比较器U1B同相输入端相连，电阻R22的另一端与电阻R24相连并接地；电阻R23的一端，作为相位检测电路6的一个输入端，记为端口L-in，电阻R23的另一端接电阻R24的另一端及比较器U1B的反相输入端；比较器U1A的正电源输入端与+5V直流电源，比较器U1A的负电源输入端接地，比较器U1A的输出端与D触发器U2A的CLK端口相连；D触发器U2A的D端口和PR端口与+5V直流电源相连，D触发器U2A的CLR端口与电容C3的一端及电阻R25的一端相连，电容C3的另一端接+5V直流电源，D触发器U2A的Q非端口与电阻R25的另一端相连，D触发器U2A的Q端口与反相器U3A的输入端相连，反相器的输出端与D触发器U4A的PR端口相连；比较器U1B的正电源输入端与+5V直流电源，比较器U1B的负电源输入端接地，比较器U1B的输出端与D触发器U2B的CLK端口相连；D触发器U2B的D端口和PR端口与+5V直流电源相连，D触发器U2B的CLR端口与电容C4的一端及电阻R26的一端相连，电容C4的另一端接+5V直流电源，D触发器U2B的Q非端口与电阻R26的另一端相连，D触发器U2B的Q端口与反相器U3B的输入端相连,反相器U3B的输出端与D触发器U4A的CLR端口相连，D触发器U4A的D端口和CLK端口接地，D触发器的Q端口作为相位检测电路6的输出端，记为端口Phase-out，与单片机5相连；
所述的电感补偿电路3的结构为，继电器K1、K2、K3、K4、K5、K6、K7、K8的线圈的一端均接地，另一端作为电感补偿电路3的八个输入端，依次记为端口Rin1、Rin2、Rin3、Rin4、Rin5、Rin6、Rin7、Rin8，分别与开关控制电路4中第一继电器驱动电路～第八继电器驱动电路的八个输出端相连，电感L1、L2、L3、L4、L5的一端相连，还与电感L6的一端及继电器K5的动触点相连，电感L2、L3、L4、L5的另一端依次与继电器K1、K2、K3、K4的动触点相连，电感L1的另一端与继电器K1、K2、K3、K4的静触点均相连，作为电感补偿电路3的一个输出端，记为端口Ladj-out1，与高频逆变电路2的端口Ladj-in1相连，电感L6的另一端与电感L7的一端、继电器K5的静触点及继电器K6的动触点相连，电感L7的另一端与电感L8的一端、继电器K6的静触点及继电器K7的动触点相连，电感L8的另一端与电感L9的一端、继电器K7的静触点及继电器K8的动触点相连，电感L9的另一端与继电器K8的静触点相连，作为电感补偿电路3的另一个输出端，记为端口Ladj-out2，与高频逆变电路2的端口Rs-out1相连；
所述的开关控制电路4由第一继电器驱动电路～第九继电器驱动电路共9个继电器驱动电路构成，其中，第一继电器驱动电路～第八继电器驱动电路的输出端分别与电感补偿电路3的八个输入端相连，第九继电器驱动电路的输出端与相位检测电路6的使能控制端相连，第一继电器驱动电路～第九继电器驱动电路的输入端分别与单片机5的九个不同的I/O口相连；
所述的第一继电器驱动电路～第九继电器驱动电路的结构均相同，具体结构为，电阻R27的一端与+5V直流电源相连，另一端与光耦U5中发光二极管的阳极相连，光耦U5中发光二极管的阴极作为继电器驱动电路的输入端，记为端口MCU-in，与单片机5相连；光耦U5中光电三极管的发射极接地，集电极与电阻R28的一端及电阻R29的一端相连，电阻R28的另一端接+12V电源，电阻R29的另一端与三极管Q17的基极相连，三极管Q17的发射极接+12V电源，集电极与二极管D8的阴极相连，作为继电器驱动电路的输出端，记为端口Rout，二极管D8的阳极接地。
在高频逆变电路2中，电感L的取值优选285uH，耐压400V，电容Cs1和电容Cs2的取值分别优选51nF和110nF，耐压400V。取样电阻Rs的阻值优选0.1欧姆。
在电感补偿电路3中，各电感的取值优选为，电感L1：1uH，电感L2：250nH，电感L3：670nH，电感L4：1.5uH，电感L5：4uH，电感L6和电感L7：1uH，电感L8：2uH，电感L9：5uH。
所述的交直流转换电路1是现有技术，可以是任意能将220V市电转换成直流电压输出的电路，优选输出直流电压为200V。
有益效果：
1、本发明通过相位检测判断系统对负载的谐振程度，进而自动调整补偿电抗，使系统给不同负载充电时均能保持实时谐振，大大提高了系统的工作效率以及对负载的适应范围。
2、本发明在高频逆变电路中对功率管采用了特殊的驱动设计，减小了转换过程中的能量损失，可提高整个系统的功率和效率。
3、本发明在电感补偿电路中，巧妙设计了电感补偿网络，用少量的元器件实现了多种不同电感值的选择。
4、本发明在继电器驱动电路中，采用光耦对单片机和主回路进行隔离，使得系统的信号电和功率电互不影响，提高了系统的稳定性和可靠性。
5、本发明对取样电阻及相位检测电路设计了使能控制功能，在初始化完成后可以使取样电阻及相位检测电路与主回路脱离，减小了充电过程中取样电阻对主回路的影响，进一步提高了效率。
附图说明
图1是本发明的总体结构框图。
图2是开关控制电路4的原理框图。
图3是高频逆变电路2的原理电路图。
图4是相位检测电路6的原理电路图。
图5是电感补偿电路3的电路原理图。
图6是继电器的原理电路图。
具体实施方式
下面结合附图通过具体实施例对本发明的工作原理作进一步说明，附图中所标示的元器件参数是各实施例的优选参数，但不是对本发明实施的限制。
实施例1本发明的整体结构
本发明的整体结构如图1所示，包括交直流转换电路1，高频逆变电路2，电感补偿电路3，开关控制电路4，单片机5，相位检测电路6；所述的交直流转换电路1的输入端与市电相连，交直流转换电路1的输出端与高频逆变电路2的电源输入端相连，高频逆变电路2的取样输出端与相位检测电路6的输入端相连，相位检测电路6的输出端与单片机5相连，单片机5还分别与高频逆变电路2的控制输入端和开关控制电路4的输入端相连，开关控制电路4的输出端还分别与电感补偿电路3的输入端、相位检测电路6的使能控制端相连，电感补偿电路3的输出端与高频逆变电路2的补偿输入端相连。
实施例2本发明的高频逆变电路
本发明中采用的高频逆变电路2的结构如图3所示，二极管D1的阳极与+12V的电源相连，二极管D1的阴极与电阻R1的一端、三极管Q1的发射极以及电容C1的一端相连，电阻R1的另一端与三极管Q1的基极及三极管Q2的集电极相连，三极管Q2的基极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端+5V直流电源相连，三极管Q2的发射极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端作为高频逆变电路2的第一个控制输入端，记为端口MCU-in1，与单片机5相连，三极管Q1的集电极与二极管D2的阳极、三极管Q3的基极及电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端与电容C1的另一端、三极管Q3的集电极、稳压二极管D3的阳极、场效应管Q8的漏极、电感L的一端及场效应管Q4的源极相连，作为高频逆变电路2的电感输出端，记为端口L-out与电感补偿电路3的端口L-in相连，三极管Q3的发射极与二极管D2的阴极、稳压二极管D3的阴极及场效应管Q4的栅极相连，场效应管Q4的漏极与场效应管Q9的漏极相连，作为高频逆变电路2的电源输入端，记为端口Vs-in，与交直流转换电路1的直流电压输出端相连，场效应管Q8的栅极与电阻R8的一端及三极管Q7的集电极相连，电阻R8的另一端与三极管Q5的集电极相连，三极管Q5的发射极与电阻R5的一端及+12V直流电源相连，电阻R5的另一端与三极管Q5的基极及三极管Q6的集电极相连，三极管Q6的基极与电阻R6的一端相连，电阻R6的另一端与+5V电源相连，三极管Q6的发射极与电阻R7的一端相连，电阻R7的另一端与电阻R9的一端相连，作为高频逆变电路2的第二个控制输入端，记为端口MCU-in2，与单片机5相连，电阻R9的另一端与三极管Q7的基极相连，三极管Q7的发射极与场效应管Q8的源极相连并接地，电感L的另一端与电容Cs1的一端相连，电容Cs1的另一端与电容Cs2的一端相连，电容Cs2的另一端作为高频逆变电路2的一个补偿输入端，记为端口Ladj-in1，与电感补偿电路3的端口Ladj-out1相连；取样电阻Rs的一端作为高频逆变电路2的另一个补偿输入端，同时还作为高频逆变电路2的一个取样输出端，记为端口Rs-out1，该端口与电感补偿电路3的端口Ladj-out2相连，还与相位检测电路6的端口Rs-in1相连，取样电阻Rs的另一端与场效应管Q13的漏极、场效应管Q9的源极、稳压二极管D4的阳极、三极管Q10的集电极、电阻R10的一端及电容C2的一端相连，作为高频逆变电路2的另一个取样输出端，记为端口Rs-out2，与相位检测电路6的端口Rs-in2相连，场效应管Q9的栅极与稳压二极管D4的阴极、三极管Q10的发射极及二极管D5的阴极相连，三极管Q10的基极与电阻R10的另一端、二极管D5的阳极及三极管Q11的集电极相连，三极管Q11的发射极与电容C2的另一端、电阻R11的一端及二极管D6的阴极相连，二极管D6的阳极与+12V直流电源相连，三极管Q11的基极与电阻R11的另一端及三极管Q12的集电极相连，三极管Q12的基极与电阻R12的一端相连，电阻R12的另一端与+5V直流电源相连，三极管Q12的发射极与电阻R13的一端相连，电阻R13的另一端作为高频逆变电路2的第三个控制输入端，记为端口MCU-in3，与单片机5相连；场效应管Q13的源极与三极管Q14的发射极相连并接地，场效应管Q13的栅极与电阻R14的一端及三极管Q14的集电极相连，三极管Q14的基极与电阻R15的一端相连，电阻R15的另一端与电阻R17的一端相连，作为高频逆变电路2的第四个控制输入端，记为端口MCU-in4，与单片机5相连，电阻R14的另一端与三极管Q15的集电极相连，三极管Q15的发射极与电阻R16的一端及+12V直流电源相连，三极管Q15的基极与电阻R16的另一端及三极管Q16的集电极相连，三极管Q16的发射极与电阻R17的另一端相连，三极管Q16的基极与电阻R18的一端相连，电阻R18的另一端与+5V直流电源相连。
该结构中，4个场效应管Q4、Q8、Q9、Q13构成逆变电桥，用来将交直流转换电路1输出的直流信号逆变成高频交流信号，用于为发射线圈(即图中的电感L)提供能量，每个场效应管的栅极还采用了特殊设计的驱动电路，可减小转换过程中的能量衰减，保证系统可以达到很高的输出功率和效率。取样电阻Rs用来将发射回路中的电流转换成电压并提供给后级的相位检测电路6，取样电阻Rs是一个大功率、小阻值的精密电阻，可以保证在取样的过程不会消耗过多能量。
实施例3本发明的相位检测电路
本发明的幅度检测电路6的原理电路如图4所示，电阻R19的一端与继电器Ks的动触点相连，作为相位检测电路6的一个输入端，记为端口Rs-in1，与高频逆变电路2的端口Rs-out1相连；电阻R19的另一端与比较器U1A的同相输入端及电阻R20的一端相连，电阻R20的另一端接地；继电器Ks的静触点与电阻R21的一端相连，作为相位检测电路6的另一个输入端，记为端口Rs-in2，与高频逆变电路2的端口Rs-out2相连；继电器线圈的一端接地，继电器线圈另一端作为相位检测电路6的使能控制端，记为端口Rins，与开关控制电路4中的第九继电器驱动电路的输出端相连；电阻R21的另一端与电阻R22的一端、比较器U1A的反相输入端及比较器U1B同相输入端相连，电阻R22的另一端与电阻R24相连并接地；电阻R23的一端，作为相位检测电路6的一个输入端，记为端口L-in，电阻R23的另一端接电阻R24的另一端及比较器U1B的反相输入端；比较器U1A的正电源输入端与+5V直流电源，比较器U1A的负电源输入端接地，比较器U1A的输出端与D触发器U2A的CLK端口相连；D触发器U2A的D端口和PR端口与+5V直流电源相连，D触发器U2A的CLR端口与电容C3的一端及电阻R25的一端相连，电容C3的另一端接+5V直流电源，D触发器U2A的Q非端口与电阻R25的另一端相连，D触发器U2A的Q端口与反相器U3A的输入端相连，反相器的输出端与D触发器U4A的PR端口相连；比较器U1B的正电源输入端与+5V直流电源，比较器U1B的负电源输入端接地，比较器U1B的输出端与D触发器U2B的CLK端口相连；D触发器U2B的D端口和PR端口与+5V直流电源相连，D触发器U2B的CLR端口与电容C4的一端及电阻R26的一端相连，电容C4的另一端接+5V直流电源，D触发器U2B的Q非端口与电阻R26的另一端相连，D触发器U2B的Q端口与反相器U3B的输入端相连,反相器U3B的输出端与D触发器U4A的CLR端口相连，D触发器U4A的D端口和CLK端口接地，D触发器的Q端口作为相位检测电路6的输出端，记为端口Phase-out，与单片机5相连。
该检测电路将取样电阻Rs(位于高频逆变电路2中)两端交流电压的相位(也相当于回路电流的相位)与参考相位进行比较，比较结果以占空比变化的方波形式输出，当两者相位相同时，输出方波的占空比为50％，当取样电阻两端电压的相位超前参考相位时，输出方波的占空比大于50％，反之则小于50％，该结果送入单片机后由单片机进行存储，再根据方波的占空比判断出回路电流的相位与参考相位的差，进而判断回路的谐振情况。输出方波的占空比为50％，代表回路电流的相位等于参考相位，回路总阻抗呈纯电阻性，回路处于谐振状态；输出方波的占空比大于50％，代表回路电流相位超前于参考相位，意味着回路失谐且回路总阻抗呈电容性，为了使回路谐振，单片机会增大电感补偿网络补偿的电感值；方波的占空比小于50％，代表回路电流相位超前于参考相位，意味着回路失谐且回路总阻抗呈电感性，为了使回路谐振，则单片机会减小电感补偿网络补偿的电感值。由于取样电阻Rs位于高频逆变电路2的电桥中，在工作时两端的电位最高均可达到接近Vs(200V左右)的大小，因此本发明对取样电阻Rs两端的电压采取了降压处理，使取样电阻Rs两端交流电压信号更便于相位检测。
为了使本发明使用更加灵活，在相位检测电路6中还利用继电器Ks实现使能控制功能，在系统初始化阶段，为了检测发射回路的谐振情况，继电器Ks的开关会打开，取样电阻Rs(位于高频逆变电路2中)有效，相位检测电路进行检测，在初始化完成之后系统根据检测结果选择好合适的补偿电感后进行正式充电时，由于已不需要再进行检测，继电器Ks的开关闭合，将取样电阻Rs连同后面的相位检测电路6一起短路掉，以避免充电过程中取样电阻继续消耗能量，进一步提高了系统的充电效率。
实施例4本发明的电感补偿电路
本发明所采用的电感补偿电路3的结构如图5所示，继电器K1、K2、K3、K4、K5、K6、K7、K8的线圈的一端均接地，另一端作为电感补偿电路3的八个输入端，依次记为端口Rin1、Rin2、Rin3、Rin4、Rin5、Rin6、Rin7、Rin8，分别与开关控制电路(4)中第一继电器驱动电路～第八继电器驱动电路的八个输出端相连，电感L1、L2、L3、L4、L5的一端相连，还与电感L6的一端及继电器K5的动触点相连，电感L2、L3、L4、L5的另一端依次与继电器K1、K2、K3、K4的动触点相连，电感L1的另一端与继电器K1、K2、K3、K4的静触点均相连，作为电感补偿电路3的一个输出端，记为端口Ladj-out1，与高频逆变电路2的端口Ladj-in1相连，电感L6的另一端与电感L7的一端、继电器K5的静触点及继电器K6的动触点相连，电感L7的另一端与电感L8的一端、继电器K6的静触点及继电器K7的动触点相连，电感L8的另一端与电感L9的一端、继电器K7的静触点及继电器K8的动触点相连，电感L9的另一端与继电器K8的静触点相连，作为电感补偿电路3的另一个输出端，记为端口Ladj-out2，与高频逆变电路2的端口Rs-out1相连；该网络通过对不同电感的选择接入，实现了总电感值以0.2uH为间隔，从0.2uH～10uH的变化，以少量的元器件为高频逆变电路2提供50个可选的补偿电感。大大拓宽了本发明的负载适应范围。
实施例5本发明的开关控制电路
如图2所示，所述的开关控制电路4由第一继电器驱动电路～第九继电器驱动电路共9个继电器驱动电路构成，其中，第一继电器驱动电路～第八继电器驱动电路的输出端分别与电感补偿电路3的八个输入端相连，第九继电器驱动电路的输出端与相位检测电路6的使能控制端相连，第一继电器驱动电路～第九继电器驱动电路的输入端分别与单片机5的九个不同的I/O口相连。
开关控制电路4的功能是在单片机的控制下对相位检测电路6及电感补偿电路3中各继电器的开关进行驱动控制，以实现选择或屏蔽不同的电感，以及控制相位检测电路是否工作。其中各继电器驱动电路的结构均相同，如图6所示，电阻R27的一端与+5V直流电源相连，另一端与光耦U5中发光二极管的阳极相连，光耦U5中发光二极管的阴极作为继电器驱动电路的输入端，记为端口MCU-in，与单片机5相连；光耦U5中光电三极管的发射极接地，集电极与电阻R28的一端及电阻R29的一端相连，电阻R28的另一端接+12V电源，电阻R29的另一端与三极管Q17的基极相连，三极管Q17的发射极接+12V电源，集电极与二极管D8的阴极相连，作为继电器驱动电路的输出端，记为端口Rout，二极管D8的阳极接地。该驱动电路在单片机5与继电器之间采用了光耦进行隔离，有效防止了继电器线圈或高频逆变电路2中的大电流对单片机5的影响。
实施例6本发明的工作原理
结合附图1～6对本发明的工作原理及工作过程进一步说明如下：在本发明的系统对电动汽车进行充电之前，首先会进行一个初始化过程，单片机5通过开关控制电路4来控制电感补偿电路3，选取一个补偿电感接入主电路，该补偿电感与发射线圈的电感L进行叠加形成总电感，尝试使回路达到谐振，同时单片机还通过开关控制电路4控制相位检测电路6中的继电器Ks使开关打开，相位检测电路6检测取样电阻Rs两端交流电压相位与参考相位的差值送入单片机5进行存储，然后单片机5通过开关控制电路4来控制电感补偿电路3改变补偿电感的值，再重复上述过程，如此反复，在尝试完所有不同取值的补偿电感后，单片机5对所有的相位检测结果进行比较，选取相位差最接近0的补偿方案(当充电的汽车的接收回路不同时，最佳的补偿方案也会不同)。初始化过程结束后，单片机5将最佳的补偿电感选出并接入主回路，同时控制相位检测电路6中的继电器Ks使开关闭合，使取样电阻Rs及相位检测电路6脱离谐振回路，初始化完成，然后对汽车进行充电。该初始化过程使系统对不同的接收回路进行充电时，均能使发射回路处于谐振状态，可以有效地保证不同负载下均能达到很高的传输功率和效率。
Claims (3)
1.一种应用于电动汽车充电的大功率无线能量发射装置，其结构有，交直流转换电路(1)，高频逆变电路(2)，单片机(5)，其特征在于，结构还有，电感补偿电路(3)，开关控制电路(4)，相位检测电路(6)；所述的交直流转换电路(1)的输入端与市电相连，交直流转换电路(1)的输出端与高频逆变电路(2)的电源输入端相连，高频逆变电路(2)的取样输出端与相位检测电路(6)的输入端相连，相位检测电路(6)的输出端与单片机(5)相连，单片机(5)还分别与高频逆变电路(2)的控制输入端和开关控制电路(4)的输入端相连，开关控制电路(4)的输出端分别与电感补偿电路(3)的输入端、相位检测电路(6)的使能控制端相连，电感补偿电路(3)的输出端与高频逆变电路(2)的补偿输入端相连；
所述的高频逆变电路(2)的结构为，二极管D1的阳极与+12V的电源相连，二极管D1的阴极与电阻R1的一端、三极管Q1的发射极以及电容C1的一端相连，电阻R1的另一端与三极管Q1的基极及三极管Q2的集电极相连，三极管Q2的基极与电阻R2的一端相连，电阻R2的另一端+5V直流电源相连，三极管Q2的发射极与电阻R3的一端相连，电阻R3的另一端作为高频逆变电路(2)的第一个控制输入端，记为端口MCU-in1，与单片机(5)相连，三极管Q1的集电极与二极管D2的阳极、三极管Q3的基极及电阻R4的一端相连，电阻R4的另一端与电容C1的另一端、三极管Q3的集电极、稳压二极管D3的阳极、场效应管Q8的漏极、电感L的一端及场效应管Q4的源极相连，作为高频逆变电路(2)的电感输出端，记为端口L-out与电感补偿电路(3)的端口L-in相连，三极管Q3的发射极与二极管D2的阴极、稳压二极管D3的阴极及场效应管Q4的栅极相连，场效应管Q4的漏极与场效应管Q9的漏极相连，作为高频逆变电路(2)的电源输入端，记为端口Vs-in，与交直流转换电路(1)的直流电压输出端相连，场效应管Q8的栅极与电阻R8的一端及三极管Q7的集电极相连，电阻R8的另一端与三极管Q5的集电极相连，三极管Q5的发射极与电阻R5的一端及+12V直流电源相连，电阻R5的另一端与三极管Q5的基极及三极管Q6的集电极相连，三极管Q6的基极与电阻R6的一端相连，电阻R6的另一端与+5V电源相连，三极管Q6的发射极与电阻R7的一端相连，电阻R7的另一端与电阻R9的一端相连，作为高频逆变电路(2)的第二个控制输入端，记为端口MCU-in2，与单片机(5)相连，电阻R9的另一端与三极管Q7的基极相连，三极管Q7的发射极与场效应管Q8的源极相连并接地，电感L的另一端与电容Cs1的一端相连，电容Cs1的另一端与电容Cs2的一端相连，电容Cs2的另一端作为高频逆变电路(2)的一个补偿输入端，记为端口Ladj-in1，与电感补偿电路(3)的端口Ladj-out1相连；取样电阻Rs的一端作为高频逆变电路(2)的另一个补偿输入端，同时还作为高频逆变电路(2)的一个取样输出端，记为端口Rs-out1，该端口与电感补偿电路(3)的端口Ladj-out2相连，还与相位检测电路(6)的端口Rs-in1相连，取样电阻Rs的另一端与场效应管Q13的漏极、场效应管Q9的源极、稳压二极管D4的阳极、三极管Q10的集电极、电阻R10的一端及电容C2的一端相连，作为高频逆变电路(2)的另一个取样输出端，记为端口Rs-out2，与相位检测电路(6)的端口Rs-in2相连，场效应管Q9的栅极与稳压二极管D4的阴极、三极管Q10的发射极及二极管D5的阴极相连，三极管Q10的基极与电阻R10的另一端、二极管D5的阳极及三极管Q11的集电极相连，三极管Q11的发射极与电容C2的另一端、电阻R11的一端及二极管D6的阴极相连，二极管D6的阳极与+12V直流电源相连，三极管Q11的基极与电阻R11的另一端及三极管Q12的集电极相连，三极管Q12的基极与电阻R12的一端相连，电阻R12的另一端与+5V直流电源相连，三极管Q12的发射极与电阻R13的一端相连，电阻R13的另一端作为高频逆变电路(2)的第三个控制输入端，记为端口MCU-in3，与单片机(5)相连；场效应管Q13的源极与三极管Q14的发射极相连并接地，场效应管Q13的栅极与电阻R14的一端及三极管Q14的集电极相连，三极管Q14的基极与电阻R15的一端相连，电阻R15的另一端与电阻R17的一端相连，作为高频逆变电路(2)的第四个控制输入端，记为端口MCU-in4，与单片机(5)相连，电阻R14的另一端与三极管Q15的集电极相连，三极管Q15的发射极与电阻R16的一端及+12V直流电源相连，三极管Q15的基极与电阻R16的另一端及三极管Q16的集电极相连，三极管Q16的发射极与电阻R17的另一端相连，三极管Q16的基极与电阻R18的一端相连，电阻R18的另一端与+5V直流电源相连；
所述的相位检测电路(6)的结构为，电阻R19的一端与继电器Ks的动触点相连，作为相位检测电路(6)的一个输入端，记为端口Rs-in1，与高频逆变电路(2)的端口Rs-out1相连；电阻R19的另一端与比较器U1A的同相输入端及电阻R20的一端相连，电阻R20的另一端接地；继电器Ks的静触点与电阻R21的一端相连，作为相位检测电路(6)的另一个输入端，记为端口Rs-in2，与高频逆变电路(2)的端口Rs-out2相连；继电器线圈的一端接地，继电器线圈另一端作为相位检测电路(6)的使能控制端，记为端口Rins，与开关控制电路4中的第九继电器驱动电路的输出端相连；电阻R21的另一端与电阻R22的一端、比较器U1A的反相输入端及比较器U1B同相输入端相连，电阻R22的另一端与电阻R24相连并接地；电阻R23的一端，作为相位检测电路(6)的一个输入端，记为端口L-in，电阻R23的另一端接电阻R24的另一端及比较器U1B的反相输入端；比较器U1A的正电源输入端与+5V直流电源，比较器U1A的负电源输入端接地，比较器U1A的输出端与D触发器U2A的CLK端口相连；D触发器U2A的D端口和PR端口与+5V直流电源相连，D触发器U2A的CLR端口与电容C3的一端及电阻R25的一端相连，电容C3的另一端接+5V直流电源，D触发器U2A的Q非端口与电阻R25的另一端相连，D触发器U2A的Q端口与反相器U3A的输入端相连，反相器的输出端与D触发器U4A的PR端口相连；比较器U1B的正电源输入端与+5V直流电源，比较器U1B的负电源输入端接地，比较器U1B的输出端与D触发器U2B的CLK端口相连；D触发器U2B的D端口和PR端口与+5V直流电源相连，D触发器U2B的CLR端口与电容C4的一端及电阻R26的一端相连，电容C4的另一端接+5V直流电源，D触发器U2B的Q非端口与电阻R26的另一端相连，D触发器U2B的Q端口与反相器U3B的输入端相连,反相器U3B的输出端与D触发器U4A的CLR端口相连，D触发器U4A的D端口和CLK端口接地，D触发器的Q端口作为相位检测电路(6)的输出端，记为端口Phase-out，与单片机(5)相连；
所述的电感补偿电路(3)的结构为，继电器K1、K2、K3、K4、K5、K6、K7、K8的线圈的一端均接地，另一端作为电感补偿电路(3)的八个输入端，依次记为端口Rin1、Rin2、Rin3、Rin4、Rin5、Rin6、Rin7、Rin8，分别与开关控制电路(4)中第一继电器驱动电路～第八继电器驱动电路的八个输出端相连，电感L1、L2、L3、L4、L5的一端相连，还与电感L6的一端及继电器K5的动触点相连，电感L2、L3、L4、L5的另一端依次与继电器K1、K2、K3、K4的动触点相连，电感L1的另一端与继电器K1、K2、K3、K4的静触点均相连，作为电感补偿电路(3)的一个输出端，记为端口Ladj-out1，与高频逆变电路(2)的端口Ladj-in1相连，电感L6的另一端与电感L7的一端、继电器K5的静触点及继电器K6的动触点相连，电感L7的另一端与电感L8的一端、继电器K6的静触点及继电器K7的动触点相连，电感L8的另一端与电感L9的一端、继电器K7的静触点及继电器K8的动触点相连，电感L9的另一端与继电器K8的静触点相连，作为电感补偿电路(3)的另一个输出端，记为端口Ladj-out2，与高频逆变电路(2)的端口Rs-out1相连；
所述的开关控制电路(4)由第一继电器驱动电路～第九继电器驱动电路共9个继电器驱动电路构成，其中，第一继电器驱动电路～第八继电器驱动电路的输出端分别与电感补偿电路(3)的八个输入端相连，第九继电器驱动电路的输出端与相位检测电路(6)的使能控制端相连，第一继电器驱动电路～第九继电器驱动电路的输入端分别与单片机(5)的九个不同的I/O口相连；
所述的第一继电器驱动电路～第九继电器驱动电路的结构均相同，具体结构为，电阻R27的一端与+5V直流电源相连，另一端与光耦U5中发光二极管的阳极相连，光耦U5中发光二极管的阴极作为继电器驱动电路的输入端，记为端口MCU-in，与单片机(5)相连；光耦U5中光电三极管的发射极接地，集电极与电阻R28的一端及电阻R29的一端相连，电阻R28的另一端接+12V电源，电阻R29的另一端与三极管Q17的基极相连，三极管Q17的发射极接+12V电源，集电极与二极管D8的阴极相连，作为继电器驱动电路的输出端，记为端口Rout，二极管D8的阳极接地。
2.根据权利要求1所述的一种应用于电动汽车充电的大功率无线能量发射装置，其特征在于，在高频逆变电路(2)中，电感L的取值为285uH，耐压400V，电容Cs1和电容Cs2的取值分别为51nF和110nF，耐压400V；取样电阻Rs的阻值为0.1欧姆。
3.根据权利要求1所述的一种应用于电动汽车充电的大功率无线能量发射装置，其特征在于，在电感补偿电路(3)中，各电感的取值为，电感L1：1uH，电感L2：250nH，电感L3：670nH，电感L4：1.5uH，电感L5：4uH，电感L6和电感L7：1uH，电感L8：2uH，电感L9：5uH。
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