CN108808426B - 一种基于光子晶体与光栅组合的逆Smith-Purcell辐射源及产生方法 - Google Patents
一种基于光子晶体与光栅组合的逆Smith-Purcell辐射源及产生方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种基于光子晶体与光栅组合结构的逆Smith‑Purcell辐射源及产生方法,逆Smith‑Purcell辐射源的结构包括电子枪、金属光栅和光子晶体,所述的电子枪设置在金属光栅一侧、所述的光子晶体设置在金属光栅的另外一侧,所述的光子晶体具有负折射特性。本发明将光子晶体与光栅结合,利用光子晶体负折射的特性,实现逆Smith‑Purcell(SP)辐射的作用,建立新型的太赫兹辐射源。
Description
技术领域
本发明属于真空电子学技术领域,具体涉及一种基于光子晶体与光栅组合结构的逆Smith-Purcell辐射源。
背景技术
太赫兹波所处频段的特殊(介于光波与微波之间),其产生方法可以分为两大类:电子学方法与光学方法。通过电子学方法获得的太赫兹源(如电子回旋管、反波管等)由于转换效率高,但只能产生太赫兹频段中的较低频段,调谐范围有限,难以用于产生高频段的太赫兹波。光学方法多采用参量振荡或差频的形式获得太赫兹波,如太赫兹气体激光器、光整流效应的THz波辐射源等,虽然相干性比好,可以产生1THz以上的太赫兹波,但太赫兹波功率较前者比较低。
发明内容
本发明为了提高THz辐射源的频率可调性,提高辐射波收集效率,减小辐射源体积,提供一种基于光子晶体与光栅组合结构的逆Smith-Purcell辐射源及逆Smith-Purcell辐射源的产生方法,把光子晶体与光栅结合,利用光子晶体负折射的特性,实现逆Smith-Purcell(SP)辐射的作用,建立新型的太赫兹辐射源。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种基于光子晶体与光栅组合结构的逆Smith-Purcell辐射源,包括电子枪、金属光栅和光子晶体,所述的电子枪设置在金属光栅一侧、所述的光子晶体设置在金属光栅的另外一侧,所述的光子晶体具有负折射特性。
进一步地,所述的光子晶体为空气柱三角排列的结构。
更进一步地,所述的光子晶体的晶格常数a为630um,空气柱半径为0.45a。
进一步地,所述的金属光栅周期为118um,高100um,占空比为1:1。
进一步地,所述的光子晶体与光栅的厚度为500um,光子晶体与光栅之间的距离为375um。
本发明还提供一种逆Smith-Purcell辐射源的产生方法,包括:
再使用平面波展开法理论计算出光子晶体的能带结构与等频图,平面波展开在TM波的本征方程为:
其中k//=kxex+kyey,G//=b1ex+b2ey,为傅立叶展开系数,A(k//|G//)为列向量,k//为波矢,本征方程的左边为一个关于对角线对称的正定矩阵,因此本征方程的所有特征根全部是正数,将看成是左边矩阵的特征根λ,所以
通过光子晶体的能带结构与等频图找出能够满足在SP频率范围内群速与波矢方向相反的部分,vg·k<0,即光子晶体中能够实现负折射的部分,再把具有负折射性质的光子晶体与光栅相结合,实现逆SP现象。
由于采用了上述技术方案,本发明的有益效果是:
本发明把光栅和具有光子晶体结合,利用光子晶体的负折射的性质,通过光子晶体的色散特性和等频图等调制光子晶体的参数,把光子晶体的负折射频段与光栅自发辐射产生的SP频率相匹配,得到逆向的SP辐射;把逆SP辐射进一步调制、收集,成为新型的辐射源。光子晶体与电子柱分别分布在光栅的两侧,可以防止电子柱与光子晶体的直接接触,以免电子柱直接激发光子晶体的SP辐射。
附图说明
图1是本发明的基于光子晶体与光栅组合结构的逆Smith-Purcell辐射源的结构简图;
图2是本发明的SP在光子晶体结构中的传播示意图。
附图标记:1-电子枪,2-光栅,3-光子晶体,4-电子注。
具体实施方式
参照图1,图2,本发明的逆Smith-Purcell辐射源的结构由电子枪1、金属光栅2和光子晶体3组成,电子枪产生的电子注4,电子枪1与光子晶体3分别在金属光栅2的两侧。本结构中,光子晶体3为空气柱三角排列的光子晶体,光子晶体3晶格常数a为630um,空气柱半径为0.45*a。金属光栅2周期为118um,高100um,占空比为1:1。光子晶体3与金属光栅2的厚度都为500um,光子晶体3与金属光栅2之前的距离为375um。电子枪1电压为3kv。电子枪1发射的电子注4在金属光栅2表面产生自发的非相干的Smith-Purcell辐射,SP辐射通过金属光栅2的孔漏到金属光栅2的另一边进入光子晶体3内部。在光子晶体3中,在某些特殊的频率段,由于材料的折射率经过周期性排列对入射电磁波的周期性调制,电磁波在光子晶体中传播的相速度方向和群速度方向可能相反,从而有了负折射介质的特性。SP在具有这种负折射特性的光子晶体内翻转,高频变为低频,低频转变为高频,实现逆Smith-Purcell辐射现象。
本发明的逆Smith-Purcell辐射源的结构能够实现毫米波、亚毫米波、太赫兹波段的逆Smith-Purcell辐射。
本发明的逆Smith-Purcell辐射源的产生方法,包括:
再使用平面波展开法理论计算出光子晶体的能带结构与等频图,平面波展开在TM波的本征方程为:
其中k//=kxex+kyey,G//=b1ex+b2ey,为傅立叶展开系数,A(k//|G//)为列向量,k//为波矢,本征方程的左边为一个关于对角线对称的正定矩阵,因此本征方程的所有特征根全部是正数,将看成是左边矩阵的特征根λ,所以
通过光子晶体的能带结构与等频图找出能够满足在SP频率范围内群速与波矢方向相反的部分,vg·k<0,即光子晶体中能够实现负折射的部分,再把具有负折射性质的光子晶体与光栅相结合,实现逆SP现象。
如图2所示,SP在结构中的传播示意图,x轴代表光栅位置,O点为电子此时所在位置,电子运动方向从左至右。x轴上半空间为光子晶体部分,下半空间为真空部分。下半空间为正常SP辐射,可以看出频率由电子运动方向由前至后频率由高变低,符合SP公式。上半空间为光子晶体中非寻常的SP辐射,体现为由电子运动方向由前至后频率由中频至低频,再由高频至低频,体现为非寻常的逆SP辐射。本结构能够实现逆SP辐射以达到高效的收集SP,进而加工发展为新型SP的THz辐射源。
Claims (6)
1.一种基于光子晶体与光栅组合的逆Smith-Purcell辐射源,包括电子枪、金属光栅和光子晶体,所述的电子枪设置在金属光栅一侧、所述的光子晶体设置在金属光栅的另外一侧,其特征在于,所述的光子晶体具有负折射特性。
2.根据权利要求1所述的逆Smith-Purcell辐射源,其特征在于,所述的光子晶体为空气柱三角排列的结构。
3.根据权利要求2所述的逆Smith-Purcell辐射源,其特征在于,所述的光子晶体的晶格常数a为630um,空气柱半径为0.45a。
4.根据权利要求1所述的逆Smith-Purcell辐射源,其特征在于,所述的金属光栅周期为118um,高100um,占空比为1:1。
5.根据权利要求1所述的逆Smith-Purcell辐射源,其特征在于,所述的光子晶体与光栅的厚度为500um,光子晶体与光栅之间的距离为375um。
6.一种利用如权利要求1-5任意一项所述的基于光子晶体与光栅组合的逆Smith-Purcell辐射源的逆Smith-Purcell辐射源的产生方法,其特征在于,包括:
再使用平面波展开法理论计算出光子晶体的能带结构与等频图,平面波展开在TM波的本征方程为:
其中k//=kxex+kyey,G//=b1ex+b2ey,为傅立叶展开系数,A(k//|G//)为列向量,k//为波矢,本征方程的左边为一个关于对角线对称的正定矩阵,因此本征方程的所有特征根全部是正数,将看成是左边矩阵的特征根λ,所以
通过光子晶体的能带结构与等频图找出能够满足在SP频率范围内群速与波矢方向相反的部分,vg·k<0,即光子晶体中能够实现负折射的部分,再把具有负折射性质的光子晶体与光栅相结合,实现逆SP现象。
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