CN108806726A - 一种智能磁敏设备存储方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种智能磁敏设备存储方法及装置，针对人工判断当前位置是否能够对磁敏设备进行存储，很容易操作错误存储错位置导致磁敏元件退磁而且人工操作对管理人员造成极大不便的问题。本发明可以通过判断当前存储位置的磁感应强度信息，对磁敏元件存储的位置的安全性进行判断，根据待存的磁敏元件的磁力阈值依次判断子存储区域磁力信息进行存储，确保当前存储位置对于该磁敏元件安全的，不会导致磁敏元件消磁，保障了磁敏元件的存储安全性，实现了存储的智能化。

Description

一种智能磁敏设备存储方法及装置

技术领域

本公开涉及智能存储领域，具体涉及一种智能磁敏设备存储方法及装置。

背景技术

随着科学技术水平的不断提高，磁敏元件在信息产业、工业自动化、能源电力、交通运输、电力电子技术、家用电器、医疗设备等行业得到了快速普及和发展，特别是在测量和控制领域已经越来越成为不可或缺的产品。磁敏元件是对磁信号或者是对能够转变为磁信号的那些信号参数敏感的元件，具有把磁学物理量转换为电信号的功能。但是由于其脆弱的磁性敏感性，很容易由于外部磁场的磁感应信号过大导致磁敏元件退磁，所以磁敏元件的存储很有必要进行信息化、智能化、规范化以保障磁敏元件的存储安全，现有对于磁敏元件的存储，需要管理员手持磁通门磁力仪等磁力设备一个一个位置依次读取，人工判断当前位置是否能够对磁敏设备进行存储，很容易操作错误存储错位置导致磁敏元件退磁而且人工操作对管理人员造成极大不便。

发明内容

本公开的目的是针对上述问题，提供一种智能磁敏设备存储方法及装置，具体包括以下步骤：

步骤1，将磁敏元件的存储区域网格化划分为N行N列的子存储区域；

步骤2，读取待存的磁敏元件的磁力信息生成磁力阈值；

步骤3，读取空闲的子存储区域磁力信息；

步骤4，根据待存的磁敏元件的磁力阈值依次判断子存储区域磁力信息进行存储；

其中，N为大于等于1的整数，如1,3,4等，对于N的取值不具体限制。

其中，读取磁力信息的设备至少包括质子磁力仪、磁通门磁力仪、光泵磁力仪，所述设备磁感应强度区间为0.01～0.5纳特。

进一步地，在步骤1中，所述磁敏元件至少包括霍耳元件、霍耳集成电路、磁阻元件、磁敏二极管、磁敏三极管。

进一步地，在步骤2中，所述磁力阈值为导致磁敏元件的退磁的磁感应强度的上限值，所述磁感应强度的上限值为磁敏元件的磁力信息的80％，所述磁力信息为磁感应强度数据，由磁通门磁力仪读取。

进一步地，在步骤3中，所述依次读取空闲的子存储区域磁力信息的设备为磁通门磁力仪，所述磁力信息为当前空闲的子存储区域的磁感应强度信息，磁感应强度数据由磁通门磁力仪设备读取。

进一步地，在步骤4中，所述根据待存的磁敏元件的磁力阈值依次判断子存储区域磁力信息进行存储的子步骤为：

步骤4.1，如果子存储区域磁力信息小于待存的磁敏元件的磁力阈值则将该设备存入子存储区域；

步骤4.2，如果子存储区域磁力信息大于或等于磁力阈值则读取下一个子存储区域；

步骤4.3，如果所有的子存储区域大于或等于磁力阈值，则发出异常信息，停止存储该磁敏元件。

本发明还提供了一种智能磁敏元件存储装置，所述装置包括：

区域划分单元，用于将磁敏元件的存储区域网格化划分为N行N列的子存储区域；

阈值生成单元，用于读取待存的磁敏元件的磁力信息生成磁力阈值；

区域磁力读取单元，用于读取空闲的子存储区域磁力信息；

存储判断单元，用于根据待存的磁敏元件的磁力阈值依次判断子存储区域磁力信息进行存储；

其中，N为大于等于1的整数，如1,3,4等，对于N的取值不做具体限制。

其中，读取磁力信息的设备至少包括质子磁力仪、磁通门磁力仪、光泵磁力仪，所述设备磁感应强度区间为0.01～0.5纳特。

本公开的有益效果为：本发明公开了一种智能磁敏元件存储方法，可以通过判断当前存储位置的磁感应强度信息，对磁敏元件存储的位置的安全性进行判断，确保当前存储位置对于该磁敏元件安全的，不会导致磁敏元件消磁，保障了磁敏元件的存储安全性，实现了存储的智能化。

附图说明

通过对结合附图所示出的实施方式进行详细说明，本公开的上述以及其他特征将更加明显，本公开附图中相同的参考标号表示相同或相似的元素，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，在附图中：

图1所示为本公开的一种智能磁敏元件存储方法的流程图；

图2所示为本公开实施方式的一种智能磁敏元件存储装置。

具体实施方式

以下将结合实施例和附图对本公开的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整的描述，以充分地理解本公开的目的、方案和效果。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

如图1所示为根据本公开的一种智能磁敏元件存储方法的流程图，下面结合图1来阐述根据本公开的实施方式的智能磁敏元件存储方法。

本公开提出一种智能磁敏元件存储方法，具体包括以下步骤：

步骤1，将磁敏元件的存储区域网格化划分为N行N列的子存储区域；

步骤2，读取待存的磁敏元件的磁力信息生成磁力阈值；

步骤3，读取空闲的子存储区域磁力信息；

步骤4，根据待存的磁敏元件的磁力阈值依次判断子存储区域磁力信息进行存储；

其中，N为大于等于1的整数，如1,3,4等，对于N的取值不具体限制。

其中，读取磁力信息的设备至少包括质子磁力仪、磁通门磁力仪、光泵磁力仪，所述设备磁感应强度区间为0.01～0.5纳特。

进一步地，在步骤1中，所述磁敏元件至少包括霍耳元件、霍耳集成电路、磁阻元件、磁敏二极管、磁敏三极管。

进一步地，在步骤2中，所述磁力阈值为导致磁敏元件的退磁的磁感应强度的上限值，所述磁感应强度的上限值为磁敏元件的磁力信息的80％，所述磁力信息为磁感应强度数据，由磁通门磁力仪读取。

进一步地，在步骤3中，所述依次读取空闲的子存储区域磁力信息的设备为磁通门磁力仪，所述磁力信息为当前空闲的子存储区域的磁感应强度信息，磁感应强度数据由磁通门磁力仪设备读取。

进一步地，在步骤4中，所述根据待存的磁敏元件的磁力阈值依次判断子存储区域磁力信息进行存储的子步骤为：

步骤4.1，如果子存储区域磁力信息小于待存的磁敏元件的磁力阈值则将该设备存入子存储区域；

步骤4.2，如果子存储区域磁力信息大于或等于磁力阈值则读取下一个子存储区域；

步骤4.3，如果所有的子存储区域大于或等于磁力阈值，则发出异常信息，停止存储该磁敏元件。

本发明还提供了一种智能磁敏元件存储装置，如图2所示，所述装置包括：

区域划分单元，用于将磁敏元件的存储区域网格化划分为N行N列的子存储区域；

阈值生成单元，用于读取待存的磁敏元件的磁力信息生成磁力阈值；

区域磁力读取单元，用于读取空闲的子存储区域磁力信息；

存储判断单元，用于根据待存的磁敏元件的磁力阈值依次判断子存储区域磁力信息进行存储；

其中，N为大于等于1的整数，如1,3,4等，对于N的取值不做具体限制。

其中，读取磁力信息的设备至少包括质子磁力仪、磁通门磁力仪、光泵磁力仪，所述设备磁感应强度区间为0.01～0.5纳特。

所述一种智能磁敏元件存储装置可以运行于桌上型计算机、笔记本、掌上电脑及云端服务器等计算设备中。所述一种智能磁敏元件存储装置可运行的装置可包括，但不仅限于，处理器、存储器。本领域技术人员可以理解，所述例子仅仅是一种智能磁敏元件存储装置的示例，并不构成对一种智能磁敏元件存储装置的限定，可以包括比例子更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如所述一种智能磁敏元件存储装置还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。所称处理器可以是中央处理单元(CentralProcessing Unit，CPU)，还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(Digital SignalProcessor，DSP)、专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)、现成可编程门阵列(Field-Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等，所述处理器是所述一种智能磁敏元件存储装置运行装置的控制中心，利用各种接口和线路连接整个一种智能磁敏元件存储装置可运行装置的各个部分。

所述存储器可用于存储所述计算机程序和/或模块，所述处理器通过运行或执行存储在所述存储器内的计算机程序和/或模块，以及调用存储在存储器内的数据，实现所述一种智能磁敏元件存储装置的各种功能。所述存储器可主要包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需的应用程序(比如声音播放功能、图像播放功能等)等；存储数据区可存储根据手机的使用所创建的数据(比如音频数据、电话本等)等。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非易失性存储器，例如硬盘、内存、插接式硬盘，智能存储卡(Smart Media Card,SMC)，安全数字(SecureDigital,SD)卡，闪存卡(Flash Card)、至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他易失性固态存储器件。

尽管本公开的描述已经相当详尽且特别对几个所述实施例进行了描述，但其并非旨在局限于任何这些细节或实施例或任何特殊实施例，而是应当将其视作是通过参考所附权利要求考虑到现有技术为这些权利要求提供广义的可能性解释，从而有效地涵盖本公开的预定范围。此外，上文以发明人可预见的实施例对本公开进行描述，其目的是为了提供有用的描述，而那些目前尚未预见的对本公开的非实质性改动仍可代表本公开的等效改动。

Claims (6)

1.一种智能磁敏元件存储方法，其特征在于，所述分析方法包括如下步骤：

步骤1，将磁敏元件的存储区域网格化划分为N行N列的子存储区域；

步骤2，读取待存的磁敏元件的磁力信息生成磁力阈值；

步骤3，读取空闲的子存储区域磁力信息；

步骤4，根据待存的磁敏元件的磁力阈值依次判断子存储区域磁力信息进行存储；

其中，N为大于等于1的整数，如1,3,4等，对于N的取值不具体限制；

其中，读取磁力信息的设备至少包括质子磁力仪、磁通门磁力仪、光泵磁力仪，所述设备磁感应强度区间为0.01～0.5纳特。

2.根据权利要求1所述的一种智能磁敏元件存储方法，其特征在于，在步骤1中，所述磁敏元件至少包括霍耳元件、霍耳集成电路、磁阻元件、磁敏二极管、磁敏三极管。

3.根据权利要求1所述的一种智能磁敏元件存储方法，其特征在于，在步骤2中，所述磁力阈值为导致磁敏元件的退磁的磁感应强度的上限值。

4.根据权利要求1所述的一种智能磁敏元件存储方法，其特征在于，在步骤3中，所述依次读取空闲的子存储区域磁力信息的设备为磁通门磁力仪。

5.根据权利要求1所述的一种智能磁敏元件存储方法，其特征在于，在步骤4中，所述根据待存的磁敏元件的磁力阈值依次判断子存储区域磁力信息进行存储的子步骤为：

步骤4.1，如果子存储区域磁力信息小于待存的磁敏元件的磁力阈值则将该设备存入子存储区域；

步骤4.2，如果子存储区域磁力信息大于或等于磁力阈值则读取下一个子存储区域；

步骤4.3，如果所有的子存储区域大于或等于磁力阈值，则发出异常信息，停止存储该磁敏元件。

6.一种智能磁敏元件存储装置，其特征在于，所述装置包括：

区域划分单元，用于将磁敏元件的存储区域网格化划分为N行N列的子存储区域；

阈值生成单元，用于读取待存的磁敏元件的磁力信息生成磁力阈值；

区域磁力读取单元，用于读取空闲的子存储区域磁力信息；

存储判断单元，用于根据待存的磁敏元件的磁力阈值依次判断子存储区域磁力信息进行存储；

其中，N为大于等于1的整数，如1,3,4等，对于N的取值不做具体限制；

其中，读取磁力信息的设备至少包括质子磁力仪、磁通门磁力仪、光泵磁力仪，所述设备磁感应强度区间为0.01～0.5纳特。