CN108748746A - 一种多晶沫回收利用方法 - Google Patents

一种多晶沫回收利用方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108748746A
CN108748746A CN201810615419.6A CN201810615419A CN108748746A CN 108748746 A CN108748746 A CN 108748746A CN 201810615419 A CN201810615419 A CN 201810615419A CN 108748746 A CN108748746 A CN 108748746A
Authority
CN
China
Prior art keywords
polycrystalline
foam
recoverying
utilizing method
bar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810615419.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108748746B (zh
Inventor
王会敏
张浩强
刘彬
赵萌萌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JA Xingtai Solar Co Ltd
Original Assignee
Xingtai Jinglong Electronic Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xingtai Jinglong Electronic Material Co Ltd filed Critical Xingtai Jinglong Electronic Material Co Ltd
Priority to CN201810615419.6A priority Critical patent/CN108748746B/zh
Publication of CN108748746A publication Critical patent/CN108748746A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108748746B publication Critical patent/CN108748746B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/02Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
    • B28D5/021Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by drilling
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/02Silicon
    • C01B33/021Preparation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Solid Wastes (AREA)

Abstract

本发明涉及光伏行业原材料加工处理领域,具体涉及一种多晶沫回收利用方法,依次将破碎产生的1mm以下的多晶沫进行磁铁吸附‑盐酸浸泡‑高磁吸附后,按照特定的方法填充入待拉晶的棒料中。采用本发明的方法可以有效实现1mm以下多晶沫的回收利用,提高了原料的利用率,减少了资源浪费。

Description

一种多晶沫回收利用方法
技术领域
本发明涉及光伏行业原材料加工处理领域,尤其涉及一种多晶沫回收利用方法。
背景技术
随着单晶硅应用的快速稳定发展,其需求量也逐渐加大,采用多晶硅进行拉晶是生产单晶硅的重要工艺。拉晶车间一埚多棒工艺的推广,对多晶硅小块料的需求越来越多,生产企业都在想办法提高爆料量和效率,来满足不断提升的投料量要求。随着破碎机的兴起,机械加工代替了人工破碎,但是机械破碎产生的1mm以下多晶沫较多,大多数生产企业针对破碎时产生的1mm以下多晶沫,无法实现再利用,造成了极大的原料浪费。
发明内容
针对现有多晶沫无法回收利用等问题,本发明提供一种多晶沫回收利用方法,可有效实现破碎产生的1mm以下多晶沫的再利用,减少资源浪费。
为达到上述发明目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种多晶沫回收利用方法,所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫,该方法包括如下步骤:
(1)将所述多晶沫用磁铁进行吸附;
(2)将磁铁吸附后的多晶沫用盐酸浸泡24~36h,然后用去离子水冲洗至中性,烘干;
(3)烘干后的多晶沫再用不低于12000高斯的磁力棒进行吸附,得到回收料;
(4)将待拉晶的多晶棒料中间钻孔,将所述回收料填入孔中,用多晶块料封口即可。
优选地,步骤(1)中所述磁铁为钕铁硼磁铁,磁力约3500高斯。
进一步优选地,步骤(1)中用磁铁进行吸附的方法为:将多晶沫平铺,厚度1~2mm,磁铁外面包裹PVC膜,在多晶沫表面以0.5~1m/s的速度移动进行吸附,吸附次数3~4次。
优选地,步骤(2)中所述盐酸的浓度为5~8wt%,用量为5~10ml/g多晶沫,浸泡过程中每3~4h搅拌5~10min。
优选地,步骤(2)中烘干的温度为60~80℃。
优选地,步骤(3)中,磁力棒的数量为5~7根,直径为22~32mm,磁力棒之间的间隙为5~10mm,多晶沫倒在磁力棒之间,倾倒的速度为0.3~0.5kg/s,重复吸附2~3次。
优选地,步骤(4)中,所述多晶棒料中间钻孔后,孔壁厚28~30mm,用于封口的多晶块料的厚度不小于10mm。
进一步优选地,填充的回收料的质量为多晶棒料原质量的20~40%。
本发明方法中,先对破碎产生的多晶沫进行特定步骤的处理,将多晶沫中的杂质去除完全,再将其填充到待拉晶的棒料中,可以显著降低多晶沫对成晶和单晶参数的影响,填充时采用特定的方式进行填充,进一步降低多晶沫的影响,基本可以达到和不填充多晶沫的棒料相同的拉晶效果。采用本发明的方法可以有效实现1mm以下多晶沫的回收利用,提高了原料的利用率,减少了资源浪费。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1
一种多晶沫回收利用方法,所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫,该方法包括如下步骤:
(1)将所述多晶沫用钕铁硼磁铁进行吸附,具体吸附方法为:将多晶沫均匀的平铺,厚度2mm,磁铁外面包裹PVC膜,直接接触到多晶沫以1m/秒的速度进行吸附,吸附4遍;
(2)将磁铁吸附后的多晶沫用5%的盐酸浸泡24h,盐酸用量为5ml/g多晶沫,浸泡过程中每4h搅拌10min。然后用去离子水冲洗至中性,60℃烘干;
(3)烘干后的多晶沫再用12000高斯的磁力棒进行吸附,具体为:将5根磁力棒固定在支架上,磁力棒之间间隙在10mm,将多晶沫均匀倒入磁力棒之间,速度为0.3kg/s,重复倒入2遍,得到回收料;
(4)将直径216mm的多晶棒料中间切割下直径160mm的块料,在棒料上形成用于填充多晶沫的孔,孔壁厚为28mm,将所述回收料填入孔中,填充量为棒料质量的21%,用切割下来的多晶块料封口即可,封口块料厚度12mm。钻孔时产生的多晶沫可再按照本实施例的方法进行回收。
实施例2
一种多晶沫回收利用方法,所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫,该方法包括如下步骤:
(1)将所述多晶沫用钕铁硼磁铁进行吸附,具体吸附方法为:将多晶沫均匀的平铺,厚度1mm,磁铁外面包裹PVC膜,直接接触到多晶沫以0.5m/秒的速度进行吸附,吸附3遍;
(2)将磁铁吸附后的多晶沫用8%的盐酸浸泡24h,盐酸用量为10ml/g多晶沫,浸泡过程中每4h搅拌10min。然后用去离子水冲洗至中性,60℃烘干;
(3)烘干后的多晶沫再用12000高斯的磁力棒进行吸附,具体为:将7根磁力棒固定在支架上,磁力棒之间间隙为5mm,将多晶沫均匀倒入磁力棒之间,速度为0.5kg/s,重复倒入3遍,得到回收料;
(4)将直径216mm的多晶棒料中间切割下直径156mm的块料,在棒料上形成用于填充多晶沫的孔,孔壁厚为30mm,将所述回收料填入孔中,填充量为棒料质量的21%,用切割下来的多晶块料封口即可,封口块料厚度10mm。钻孔时产生的多晶沫可再按照本实施例的方法进行回收。
实施例3
一种多晶沫回收利用方法,所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫,该方法包括如下步骤:
(1)将所述多晶沫用钕铁硼磁铁进行吸附,具体吸附方法为:将多晶沫均匀的平铺,厚度2mm,磁铁外面包裹PVC膜,直接接触到多晶沫以0.5m/秒的速度进行吸附,吸附3遍;
(2)将磁铁吸附后的多晶沫用5%的盐酸浸泡36h,盐酸用量为8ml/g多晶沫,浸泡过程中每3h搅拌5min。然后用去离子水冲洗至中性,80℃烘干;
(3)烘干后的多晶沫再用12000高斯的磁力棒进行吸附,具体为:将5根磁力棒固定在支架上,磁力棒之间间隙为10mm,将多晶沫均匀倒入磁力棒之间,速度为0.5kg/s,重复倒入3遍,得到回收料;
(4)将直径216mm的多晶棒料中间切割下直径160mm的块料,在棒料上形成用于填充多晶沫的孔,孔壁厚为28mm,将所述回收料填入孔中,填充量为棒料质量的40%,用切割下来的多晶块料封口即可,封口块料厚度10mm。钻孔时产生的多晶沫可再按照本实施例的方法进行回收。
将实施例1~3的棒料进行拉晶,单晶参数和未填充的棒料无显著差异。
对比例1
将实施例1中步骤(2)和步骤(1)的顺序颠倒,其他与实施例1相同,拉晶后碳含量较实施例1提高0.5%。
对比例2
将实施例1中步骤(4)中的壁厚调整为26mm,填充量调整为15%,拉晶后碳含量较实施例1提高0.3%。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种多晶沫回收利用方法,所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫,其特征在于包括如下步骤:
(1)将所述多晶沫用磁铁进行吸附;
(2)将磁铁吸附后的多晶沫用盐酸浸泡24~36h,然后用去离子水冲洗至中性,烘干;
(3)烘干后的多晶沫再用磁力不低于12000高斯的磁力棒进行吸附,得到回收料;
(4)将待拉晶的多晶棒料中间钻孔,将所述回收料填入孔中,用多晶块料封口即可。
2.如权利要求1所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:步骤(1)中所述磁铁为钕铁硼磁铁。
3.如权利要求2所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:步骤(1)中用磁铁进行吸附的方法为:将多晶沫平铺,厚度1~2mm,磁铁外面包裹PVC膜,在多晶沫表面以0.5~1m/s的速度移动进行吸附,吸附次数3~4次。
4.如权利要求1所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:步骤(2)中所述盐酸的浓度为5~8wt%,用量为5~10ml/g多晶沫,浸泡过程中每3~4h搅拌5~10min。
5.如权利要求1所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:步骤(2)中烘干的温度为60~80℃。
6.如权利要求1所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:步骤(3)中,磁力棒的数量为5~7根,直径为22~32mm,磁力棒之间的间隙为5~10mm,多晶沫倒在磁力棒之间,倾倒的速度为0.3~0.5kg/s,重复吸附2~3次。
7.如权利要求1所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:步骤(4)中,所述多晶棒料中间钻孔后,孔壁厚28~30mm,用于封口的多晶块料的厚度不小于10mm。
8.如权利要求7所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:填充的回收料的质量为多晶棒料原质量的20~40%。
CN201810615419.6A 2018-06-14 2018-06-14 一种多晶沫回收利用方法 Active CN108748746B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810615419.6A CN108748746B (zh) 2018-06-14 2018-06-14 一种多晶沫回收利用方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810615419.6A CN108748746B (zh) 2018-06-14 2018-06-14 一种多晶沫回收利用方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108748746A true CN108748746A (zh) 2018-11-06
CN108748746B CN108748746B (zh) 2020-02-18

Family

ID=64021711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810615419.6A Active CN108748746B (zh) 2018-06-14 2018-06-14 一种多晶沫回收利用方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108748746B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102557389A (zh) * 2012-01-06 2012-07-11 徐州协鑫太阳能材料有限公司 一种回收废石英坩埚制取高纯熔融石英的方法
CN102626954A (zh) * 2012-02-14 2012-08-08 上海五同机械制造有限公司 硅片切割方法及切割废料回收方法
CN103184520A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 北京有色金属研究总院 一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法
CN102067277B (zh) * 2008-04-11 2013-09-18 伊奥西尔能源公司 从废弃的晶片锯切浆回收硅和碳化硅的方法和设备
CN104313679A (zh) * 2007-10-03 2015-01-28 希里科材料公司 用于处理硅粉末来获得硅晶体的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104313679A (zh) * 2007-10-03 2015-01-28 希里科材料公司 用于处理硅粉末来获得硅晶体的方法
CN102067277B (zh) * 2008-04-11 2013-09-18 伊奥西尔能源公司 从废弃的晶片锯切浆回收硅和碳化硅的方法和设备
CN103481383A (zh) * 2008-04-11 2014-01-01 伊奥西尔能源公司 从废弃的晶片锯切浆回收硅和碳化硅的方法和设备
CN103184520A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 北京有色金属研究总院 一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法
CN102557389A (zh) * 2012-01-06 2012-07-11 徐州协鑫太阳能材料有限公司 一种回收废石英坩埚制取高纯熔融石英的方法
CN102626954A (zh) * 2012-02-14 2012-08-08 上海五同机械制造有限公司 硅片切割方法及切割废料回收方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108748746B (zh) 2020-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Rattan et al. Experimental investigations and multi-response optimization of silicon dioxide (quartz) machining in magnetic field assisted TW-ECSM process
Li et al. Fabrication of porous silicon nanowires by MACE method in HF/H 2 O 2/AgNO 3 system at room temperature
CN201729664U (zh) 多晶硅棒破碎设备
CN102557389A (zh) 一种回收废石英坩埚制取高纯熔融石英的方法
CN103880464B (zh) 管桩余浆垃圾焚烧炉渣混凝土多孔砖制备工艺
CN102303869A (zh) 两步法分离硅片线锯砂浆回收处理尾料中的硅和碳化硅
EP2952594B1 (en) Heavy rare earth element recovery method
CN105098163A (zh) 一种包覆型电极材料的制备方法
EP3291262B1 (en) Method for producing rare-earth magnets, and slurry application device
CN108748746A (zh) 一种多晶沫回收利用方法
Wong et al. The effect of silica nucleation layers on grain control of multi-crystalline silicon in directional solidification
CN110078077A (zh) 一种基于中频熔炼回收金刚线切割硅泥制备金属硅的方法
US20170069482A1 (en) Float zone silicon wafer manufacturing system and related process
Bukowski Czochralski-grown silicon crystals for microelectronics
CN85100812A (zh) 用钙热还原法还原稀土氧化物
CN103802224B (zh) 硅锭的开方方法
CN108249444B (zh) 一种原生多晶硅碳硅分离工艺及其使用装置
CN203834048U (zh) 一种新型pbn坩埚
CN206595792U (zh) 一种永磁电机
Perevostchikov et al. Gettering defects in semiconductors
CN107059117A (zh) 一种硅锭和多晶硅片的制备方法、以及由其制备的硅锭和多晶硅片
JP2010076986A (ja) パーライトの製造方法
CN206762393U (zh) 稀土废料回收用过滤装置
Kim et al. Washing-electrokinetic decontamination for concrete contaminated with cobalt and cesium
CN105107469A (zh) 一种去除放射性废水中铯离子的磁性复合物及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20221121

Address after: No. 1688, Chang'an Road, Xingtai Economic Development Zone, Hebei 054001

Patentee after: JA (XINGTAI) SOLAR Co.,Ltd.

Address before: 054001 Xingda Street, Nanyuan District, Xingtai Development Zone, Hebei

Patentee before: XINGTAI JINGLONG ELECTRONIC MATERIAL Co.,Ltd.