CN108748746A - 一种多晶沫回收利用方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及光伏行业原材料加工处理领域,具体涉及一种多晶沫回收利用方法,依次将破碎产生的1mm以下的多晶沫进行磁铁吸附‑盐酸浸泡‑高磁吸附后,按照特定的方法填充入待拉晶的棒料中。采用本发明的方法可以有效实现1mm以下多晶沫的回收利用,提高了原料的利用率,减少了资源浪费。

Description

一种多晶沫回收利用方法
技术领域
本发明涉及光伏行业原材料加工处理领域,尤其涉及一种多晶沫回收利用方法。
背景技术
随着单晶硅应用的快速稳定发展,其需求量也逐渐加大,采用多晶硅进行拉晶是生产单晶硅的重要工艺。拉晶车间一埚多棒工艺的推广,对多晶硅小块料的需求越来越多,生产企业都在想办法提高爆料量和效率,来满足不断提升的投料量要求。随着破碎机的兴起,机械加工代替了人工破碎,但是机械破碎产生的1mm以下多晶沫较多,大多数生产企业针对破碎时产生的1mm以下多晶沫,无法实现再利用,造成了极大的原料浪费。
发明内容
针对现有多晶沫无法回收利用等问题,本发明提供一种多晶沫回收利用方法,可有效实现破碎产生的1mm以下多晶沫的再利用,减少资源浪费。
为达到上述发明目的,本发明采用了如下的技术方案:
一种多晶沫回收利用方法,所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫,该方法包括如下步骤:
(1)将所述多晶沫用磁铁进行吸附;
(2)将磁铁吸附后的多晶沫用盐酸浸泡24~36h,然后用去离子水冲洗至中性,烘干;
(3)烘干后的多晶沫再用不低于12000高斯的磁力棒进行吸附,得到回收料;
(4)将待拉晶的多晶棒料中间钻孔,将所述回收料填入孔中,用多晶块料封口即可。
优选地,步骤(1)中所述磁铁为钕铁硼磁铁,磁力约3500高斯。
进一步优选地,步骤(1)中用磁铁进行吸附的方法为:将多晶沫平铺,厚度1~2mm,磁铁外面包裹PVC膜,在多晶沫表面以0.5~1m/s的速度移动进行吸附,吸附次数3~4次。
优选地,步骤(2)中所述盐酸的浓度为5~8wt%,用量为5~10ml/g多晶沫,浸泡过程中每3~4h搅拌5~10min。
优选地,步骤(2)中烘干的温度为60~80℃。
优选地,步骤(3)中,磁力棒的数量为5~7根,直径为22~32mm,磁力棒之间的间隙为5~10mm,多晶沫倒在磁力棒之间,倾倒的速度为0.3~0.5kg/s,重复吸附2~3次。
优选地,步骤(4)中,所述多晶棒料中间钻孔后,孔壁厚28~30mm,用于封口的多晶块料的厚度不小于10mm。
进一步优选地,填充的回收料的质量为多晶棒料原质量的20~40%。
本发明方法中,先对破碎产生的多晶沫进行特定步骤的处理,将多晶沫中的杂质去除完全,再将其填充到待拉晶的棒料中,可以显著降低多晶沫对成晶和单晶参数的影响,填充时采用特定的方式进行填充,进一步降低多晶沫的影响,基本可以达到和不填充多晶沫的棒料相同的拉晶效果。采用本发明的方法可以有效实现1mm以下多晶沫的回收利用,提高了原料的利用率,减少了资源浪费。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
实施例1
一种多晶沫回收利用方法,所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫,该方法包括如下步骤:
(1)将所述多晶沫用钕铁硼磁铁进行吸附,具体吸附方法为:将多晶沫均匀的平铺,厚度2mm,磁铁外面包裹PVC膜,直接接触到多晶沫以1m/秒的速度进行吸附,吸附4遍;
(2)将磁铁吸附后的多晶沫用5%的盐酸浸泡24h,盐酸用量为5ml/g多晶沫,浸泡过程中每4h搅拌10min。然后用去离子水冲洗至中性,60℃烘干;
(3)烘干后的多晶沫再用12000高斯的磁力棒进行吸附,具体为:将5根磁力棒固定在支架上,磁力棒之间间隙在10mm,将多晶沫均匀倒入磁力棒之间,速度为0.3kg/s,重复倒入2遍,得到回收料;
(4)将直径216mm的多晶棒料中间切割下直径160mm的块料,在棒料上形成用于填充多晶沫的孔,孔壁厚为28mm,将所述回收料填入孔中,填充量为棒料质量的21%,用切割下来的多晶块料封口即可,封口块料厚度12mm。钻孔时产生的多晶沫可再按照本实施例的方法进行回收。
实施例2
一种多晶沫回收利用方法,所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫,该方法包括如下步骤:
(1)将所述多晶沫用钕铁硼磁铁进行吸附,具体吸附方法为:将多晶沫均匀的平铺,厚度1mm,磁铁外面包裹PVC膜,直接接触到多晶沫以0.5m/秒的速度进行吸附,吸附3遍;
(2)将磁铁吸附后的多晶沫用8%的盐酸浸泡24h,盐酸用量为10ml/g多晶沫,浸泡过程中每4h搅拌10min。然后用去离子水冲洗至中性,60℃烘干;
(3)烘干后的多晶沫再用12000高斯的磁力棒进行吸附,具体为:将7根磁力棒固定在支架上,磁力棒之间间隙为5mm,将多晶沫均匀倒入磁力棒之间,速度为0.5kg/s,重复倒入3遍,得到回收料;
(4)将直径216mm的多晶棒料中间切割下直径156mm的块料,在棒料上形成用于填充多晶沫的孔,孔壁厚为30mm,将所述回收料填入孔中,填充量为棒料质量的21%,用切割下来的多晶块料封口即可,封口块料厚度10mm。钻孔时产生的多晶沫可再按照本实施例的方法进行回收。
实施例3
一种多晶沫回收利用方法,所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫,该方法包括如下步骤:
(1)将所述多晶沫用钕铁硼磁铁进行吸附,具体吸附方法为:将多晶沫均匀的平铺,厚度2mm,磁铁外面包裹PVC膜,直接接触到多晶沫以0.5m/秒的速度进行吸附,吸附3遍;
(2)将磁铁吸附后的多晶沫用5%的盐酸浸泡36h,盐酸用量为8ml/g多晶沫,浸泡过程中每3h搅拌5min。然后用去离子水冲洗至中性,80℃烘干;
(3)烘干后的多晶沫再用12000高斯的磁力棒进行吸附,具体为:将5根磁力棒固定在支架上,磁力棒之间间隙为10mm,将多晶沫均匀倒入磁力棒之间,速度为0.5kg/s,重复倒入3遍,得到回收料;
(4)将直径216mm的多晶棒料中间切割下直径160mm的块料,在棒料上形成用于填充多晶沫的孔,孔壁厚为28mm,将所述回收料填入孔中,填充量为棒料质量的40%,用切割下来的多晶块料封口即可,封口块料厚度10mm。钻孔时产生的多晶沫可再按照本实施例的方法进行回收。
将实施例1~3的棒料进行拉晶,单晶参数和未填充的棒料无显著差异。
对比例1
将实施例1中步骤(2)和步骤(1)的顺序颠倒,其他与实施例1相同,拉晶后碳含量较实施例1提高0.5%。
对比例2
将实施例1中步骤(4)中的壁厚调整为26mm,填充量调整为15%,拉晶后碳含量较实施例1提高0.3%。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种多晶沫回收利用方法,所述多晶沫为拉晶车间对多晶块料进行破碎时产生的1mm以下的多晶沫,其特征在于包括如下步骤:
(1)将所述多晶沫用磁铁进行吸附;
(2)将磁铁吸附后的多晶沫用盐酸浸泡24~36h,然后用去离子水冲洗至中性,烘干;
(3)烘干后的多晶沫再用磁力不低于12000高斯的磁力棒进行吸附,得到回收料;
(4)将待拉晶的多晶棒料中间钻孔,将所述回收料填入孔中,用多晶块料封口即可。
2.如权利要求1所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:步骤(1)中所述磁铁为钕铁硼磁铁。
3.如权利要求2所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:步骤(1)中用磁铁进行吸附的方法为:将多晶沫平铺,厚度1~2mm,磁铁外面包裹PVC膜,在多晶沫表面以0.5~1m/s的速度移动进行吸附,吸附次数3~4次。
4.如权利要求1所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:步骤(2)中所述盐酸的浓度为5~8wt%,用量为5~10ml/g多晶沫,浸泡过程中每3~4h搅拌5~10min。
5.如权利要求1所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:步骤(2)中烘干的温度为60~80℃。
6.如权利要求1所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:步骤(3)中,磁力棒的数量为5~7根,直径为22~32mm,磁力棒之间的间隙为5~10mm,多晶沫倒在磁力棒之间,倾倒的速度为0.3~0.5kg/s,重复吸附2~3次。
7.如权利要求1所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:步骤(4)中,所述多晶棒料中间钻孔后,孔壁厚28~30mm,用于封口的多晶块料的厚度不小于10mm。
8.如权利要求7所述的多晶沫回收利用方法,其特征在于:填充的回收料的质量为多晶棒料原质量的20~40%。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102557389A (zh) * 2012-01-06 2012-07-11 徐州协鑫太阳能材料有限公司 一种回收废石英坩埚制取高纯熔融石英的方法
CN102626954A (zh) * 2012-02-14 2012-08-08 上海五同机械制造有限公司 硅片切割方法及切割废料回收方法
CN103184520A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 北京有色金属研究总院 一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法
CN102067277B (zh) * 2008-04-11 2013-09-18 伊奥西尔能源公司 从废弃的晶片锯切浆回收硅和碳化硅的方法和设备
CN104313679A (zh) * 2007-10-03 2015-01-28 希里科材料公司 用于处理硅粉末来获得硅晶体的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104313679A (zh) * 2007-10-03 2015-01-28 希里科材料公司 用于处理硅粉末来获得硅晶体的方法
CN102067277B (zh) * 2008-04-11 2013-09-18 伊奥西尔能源公司 从废弃的晶片锯切浆回收硅和碳化硅的方法和设备
CN103481383A (zh) * 2008-04-11 2014-01-01 伊奥西尔能源公司 从废弃的晶片锯切浆回收硅和碳化硅的方法和设备
CN103184520A (zh) * 2011-12-29 2013-07-03 北京有色金属研究总院 一种砷化镓晶体残料的直拉再利用方法
CN102557389A (zh) * 2012-01-06 2012-07-11 徐州协鑫太阳能材料有限公司 一种回收废石英坩埚制取高纯熔融石英的方法
CN102626954A (zh) * 2012-02-14 2012-08-08 上海五同机械制造有限公司 硅片切割方法及切割废料回收方法

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