CN108736869A - 电子负载mos管驱动器保护电路 - Google Patents

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唐玄
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    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
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Abstract

本发明公开了一种电子负载MOS管驱动器保护电路，属于驱动保护技术领域。所述驱动器保护电路包括：MOS管驱动器、瞬态抑制二极管D1、第一保险管F1、MOS管、第二保险管F2及采样电阻R1；其中：所述瞬态抑制二极管D1的一端与所述MOS管驱动器和所述第一保险管F1的一端分别连接；所述第一保险管F1的另一端与所述MOS管的第一端相连；所述MOS管的第二端用于与被测电源连接，所述MOS管的第三端与所述第二保险管F2的一端连接，所述第二保险管F2的另一端通过所述采样电阻R1接地。有效防止了对整个电子负载装置内部电路的破坏。

Description

电子负载MOS管驱动器保护电路
技术领域
本发明涉及驱动保护领域，特别涉及一种电子负载MOS管驱动器保护电路。
背景技术
电子负载作为一种常用的电力电子测试仪器，在电源测试领域得到了广泛的应用。能耗型电子负载的功率消耗都是通过一个或多个MOS管功耗电路并联实现的。随着被测电源功率的增大，电子负载的功率也越来越大，电子负载装置的损坏通常是由于功率MOS管短路导致的电子负载装置正、负极间短路而无法使用亦或是功率MOS管的损毁导致的整个驱动电路甚至整个电子负载装置的损坏。
发明内容
为了解决现有技术中由于功率MOS管的问题而导致的整个电子负载装置的损坏的问题，本发明实施例提供了一种电子负载MOS管驱动器保护电路。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种电子负载MOS管驱动器保护电路，所述驱动器保护电路包括：所述驱动器保护电路包括：MOS管驱动器、瞬态抑制二极管D1、第一保险管F1、MOS管、第二保险管F2及采样电阻R1；其中：
所述瞬态抑制二极管D1的一端与所述MOS管驱动器和所述第一保险管F1的一端分别连接；
所述第一保险管F1的另一端与所述MOS管的第一端相连；所述MOS管的第二端用于与被测电源连接，所述MOS管的第三端与所述第二保险管F2的一端连接，所述第二保险管F2的另一端通过所述采样电阻R1接地。
可选地，所述MOS管为NMOS，所述NMOS的栅极与所述第一保险管F1的另一端连接，所述NMOS的漏极用于与所述被测电源连接，所述NMOS的源极与所述第二保险管F2的另一端连接。
可选地，所述MOS管为PMOS，所述PMOS的栅极与所述第一保险管F1的另一端连接，所述PMOS的源极用于与所述被测电源连接，所述PMOS的漏极与所述第二保险管F2的另一端连接。
可选地，所述瞬态抑制二极管D1的正向端与所述MOS管驱动器连接，所述瞬态抑制二极管D1的反向端接地。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过设置包括MOS管驱动器、瞬态抑制二极管D1、第一保险管F1、MOS管、第二保险管F2及采样电阻R1的驱动保护电路，使得在发生异常时，可以将损坏的MOS管与整个测试系统隔离，并将危险电压与驱动电路隔离，有效防止了对整个电子负载装置内部电路的破坏。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一示例性实施例示出的一种电子负载MOS管驱动器保护电路的电路图；
图2是本发明一个实施例提供的电子负载MOS管驱动器保护电路的电路图。
具体实施方式
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含所指示的技术特征的数量。由此，限定的“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
请参考图1，其示出了本申请一个实施例提供的电子负载MOS管驱动器保护电路的电路图，如图1所示，所述驱动器保护电路包括：MOS管驱动器110、瞬态抑制二极管D1 120、第一保险管F1 130、MOS管140、第二保险管F2 150及采样电阻R1 160；其中：
所述瞬态抑制二极管D1 120的一端与所述MOS管驱动器110和所述第一保险管F1130的一端分别连接；
所述第一保险管F1 130的另一端与所述MOS管140的第一端相连；所述MOS管140的第二端用于与被测电源连接，所述MOS管140的第三端与所述第二保险管F2 150的一端连接，所述第二保险管F2 150的另一端通过所述采样电阻R1 160接地。
所述瞬态抑制二极管D1的正向端与所述MOS管驱动器连接，所述瞬态抑制二极管D1的反向端接地。
其中，MOS管驱动器110用于驱动MOS管。并且，本实施例中的MOS管可以为NMOS管也可以为PMOS管。
当为NMOS管时，请参考图1，所述NMOS的栅极与所述第一保险管F1 130的另一端连接，所述NMOS的漏极用于与所述被测电源连接，所述NMOS的源极与所述第二保险管F2 150的另一端连接。
这样，一方面，当NMOS管由于异常损坏导致NMOS的漏极D与源极S间短路时，被测电源正、负极将发生短路，导致瞬间输出一个很大的电流直接将第二保险管F2 150熔断，从而使损坏的NMOS功率电路与整个测试系统隔离开来，保障设备的继续测试。另一方面，当NMOS管的栅极G与漏极D间短路导通时，被测电源正极高压将直接灌入栅极G，栅极G与第一保险管F1 130、瞬态抑制二极管D1 120及电源负极间可形成一条电流回路，瞬态抑制二极管D1120可抑制电源正极高压对MOS管驱动器的破坏，而快速熔断第一保险管F1 130可迅速熔断终止电流通路，实现危险电压与驱动电路的物理隔离，防止对MOS管驱动电路及整个电子负载装置内部电路的破坏。
可选地，当所述MOS管140为PMOS，则请参考图2，所述PMOS的栅极与所述第一保险管F1的另一端连接，所述NMOS的栅极用于与所述被测电源连接，所述NMOS的源极与所述第二保险管F2的另一端连接。
与上述NMOS管的实现原理类似，当MOS管140为PMOS时，也可以同样起到保护的效果。
综上所述，本实施例提供的电子负载MOS管驱动器保护电路，通过设置包括MOS管驱动器、瞬态抑制二极管D1、第一保险管F1、MOS管、第二保险管F2及采样电阻R1的驱动保护电路，使得在发生异常时，可以将损坏的MOS管与整个测试系统隔离，并将危险电压与驱动电路隔离，有效防止了对整个电子负载装置内部电路的破坏。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种电子负载MOS管驱动器保护电路，其特征在于，所述驱动器保护电路包括：MOS管驱动器、瞬态抑制二极管D1、第一保险管F1、MOS管、第二保险管F2及采样电阻R1；其中：
所述瞬态抑制二极管D1的一端与所述MOS管驱动器和所述第一保险管F1的一端分别连接；
所述第一保险管F1的另一端与所述MOS管的第一端相连；所述MOS管的第二端用于与被测电源连接，所述MOS管的第三端与所述第二保险管F2的一端连接，所述第二保险管F2的另一端通过所述采样电阻R1接地。
2.根据权利要求1所述的驱动器保护电路，其特征在于，所述MOS管为NMOS，所述NMOS的栅极与所述第一保险管F1的另一端连接，所述NMOS的漏极用于与所述被测电源连接，所述NMOS的源极与所述第二保险管F2的另一端连接。
3.根据权利要求1所述的驱动器保护电路，其特征在于，所述MOS管为PMOS，所述PMOS的栅极与所述第一保险管F1的另一端连接，所述PMOS的源极用于与所述被测电源连接，所述PMOS的漏极与所述第二保险管F2的另一端连接。
4.根据权利要求1至3任一所述的驱动器保护电路，其特征在于，所述瞬态抑制二极管D1的正向端与所述MOS管驱动器连接，所述瞬态抑制二极管D1的反向端接地。
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