CN108735620B - 一种反应腔室 - Google Patents

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Abstract

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种反应腔室。该反应腔室，所述反应腔室内部设置有基座，所述反应腔室上部设置有内衬，还包括与所述内衬连接的内衬下接地机构，所述内衬下接地机构包括上连接块、下连接块和中间结构，所述中间结构包括位于所述上连接块和所述下连接块之间、且相对所述上连接块与所述下连接块的中轴线对称设置的两条连接条，每一所述连接条包括至少一个弯曲件；所述上连接块的端面连接所述内衬的底部，所述下连接块的端面连接所述基座的接地部分。该反应腔室内衬电压分布均匀，射频回路稳定，不容易产生溅射；并且，安装过程中接地块能够产生弹性变形，吸收O型密封圈变形量以及其他加工、安装误差，从而保证内衬不变形。

Description

一种反应腔室
技术领域
本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种反应腔室。
背景技术
随着半导体器件尺寸的减小和硅晶圆尺寸的增加，干法刻蚀技术(等离子体刻蚀)逐渐成为微米量级的半导体器件制备、微纳米制造工艺和微电子制造工艺中广泛应用的刻蚀技术。等离子体刻蚀指利用辉光放电方式，产生包含等离子、电子等带电粒子及具有高度化学活性的中性原子与分子及自由基的等离子，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位与被刻蚀的材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除，从而完成图案转印的刻蚀技术，是实现超大规模集成电路生产中的微细图形高保真地从光刻模板转移到晶圆上的不可替代的工艺过程。等离子体刻蚀用反应气体包括CF4/O2、NF3、Cl2、CH4/Ar等，在等离子体干法刻蚀过程中，会生成大量的Cl基、F基等活性自由基，活性自由基对半导体器件进行刻蚀时，也会对铝和铝合金制备的等离子刻蚀工艺腔的内表面产生腐蚀作用，这种强烈的侵蚀产生了大量的颗粒，不仅降低设备的使用寿命，还会影响刻蚀结果。
因此，在刻蚀工艺腔中，增加内衬(Liner)来改善腔室内部等离子体的有效流动性，同时能够约束等离子体，保护腔室内壁与底部不被刻蚀。随着半导体晶片直径的增大，内衬对等离子体的分布限制和屏蔽作用对工艺参数至关重要，而内衬的接地性能直接影响着内衬对等离子体的屏蔽效果。其中，如图1所示为内衬3在腔室1内的结构位置，该内衬3为薄片式结构，整体置于腔室1的上部；基座上方设置静电卡盘2，静电卡盘2上方形成等离子体区5。如图2所示为现有技术中内衬的接地方式，其通过内衬3上方的接地面6与腔室1连接从而实现接地，内衬3的底面不接地。目前的接地方式可能会导致内衬3的上部接地良好，而下部接地不良，内衬3的上、下存在电势差，造成射频回路不稳定，同时削弱内衬屏蔽等离子体的效果，容易产生溅射。
可见，设计一种接地性能好、且能保证射频回路稳定的反应腔室成为目前亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种反应腔室，至少部分解决反应腔室中接地性能差、射频回路不稳定的问题。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是该反应腔室，所述反应腔室内部设置有基座，所述反应腔室上部设置有内衬，其特征在于，还包括与所述内衬连接的内衬下接地机构，所述内衬下接地机构包括上连接块、下连接块和中间结构，所述中间结构包括位于所述上连接块和所述下连接块之间、且相对所述上连接块与所述下连接块的中轴线对称设置的两条连接条，每一所述连接条包括至少一个弯曲件；
所述上连接块的端面连接所述内衬的底部，所述下连接块的端面连接所述基座的接地部分。
优选的是，所述弯曲件包括具有弯曲度的内凹部和/或凸出部。
优选的是，所述内凹部和/或所述凸出部分别具有与所述中轴线方向垂直的水平延伸部。
优选的是，所述连接条采用铝质材料形成。
优选的是，所述内衬下接地机构中所述上连接块和所述下连接块分别具有块状主体，所述块状主体的表面设有保护涂层。
优选的是，所述保护涂层包括设于端部表面的镀镍层，以及设于除端面表面以外的表面的硬质阳极氧化层。
优选的是，所述上连接块、所述下连接块和所述中间结构分别加工成型，并采用焊接方式组成所述内衬下接地机构；
或者，所述上连接块、所述下连接块和所述中间结构采用机加方式整体加工成所述内衬下接地机构。
优选的是，所述上连接块的端面通过盖帽用真空螺钉与所述内衬连接，所述下连接块的端面通过盖帽用真空螺丝与所述基座连接，所述盖帽为真空螺钉安装树脂螺帽。
优选的是，所述内衬在其底部均匀设置有两个以上所述内衬下接地机构。
优选的是，还包括内衬上接地机构，所述内衬上接地机构为诱电线圈，通过所述诱电线圈将所述内衬和腔室壁的接地部分连接。
本发明的有益效果是：该反应腔室具有如下有益效果：
第一，通过增加内衬底部接地结构，使内衬上、下同时接地，从而提高内衬接地性能，使内衬电压分布均匀，射频回路稳定，不容易产生溅射；
第二，由于该内衬下接地机构为柔性接地连接，安装过程中接地块能够产生弹性变形，吸收O型密封圈变形量以及其他加工、安装误差，从而保证内衬不变形。
附图说明
图1为现有技术中内衬在反应腔室内的结构示意图；
图2为图1中视图I的内衬接地方式的示意图；
图3为本发明实施例中内衬接地方式的示意图；
图4为本发明实施例中内衬下接地机构的结构示意图；
图5A-图5G为不同形式连接条的内衬下接地机构的结构示意图；
图6为图4中内衬下接地机构的安装结构示意图；
图7为图6中内衬下接地机构的安装结构俯视图；
图8为图4中内衬下接地机构的安装示意图；
图9为图8中视图II的内衬下接地机构的安装示意图；
附图标示中：
1－腔室；2－静电卡盘8；3－内衬；4－O型密封圈；5－等离子体区；6－接地面；
7－内衬下接地机构；71－上连接块；72－连接条；73－下连接块；74－上连接面；75－下连接面；
8－基座；9－真空螺钉；10－树脂螺帽；
11－上部接地；12－下部接地。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明反应腔室作进一步详细描述。
本实施例提供一种反应腔室，该反应腔室中具有内衬加强接地(strengthenearth)结构，其通过柔性的内衬下接地机构(ground structure)，一方面实现内衬上、下同时接地，极大的提高内衬接地性能，使电压分布更均匀，射频回路稳定，不容易产生溅射；另一方面柔性的内衬下接地机构能有效避免内衬接地过程中产生变形，便于安装。
本实施例中，反应腔室内部设置有基座，反应腔室上部设置有内衬，该反应腔室还包括与内衬连接的内衬下接地机构。如图3所示，在内衬3的上部接地11的区域设置有内衬上接地机构，在下部接地12的区域设置有内衬下接地机构。
如图4所示，内衬下接地机构7包括上连接块71、下连接块73和中间结构三部分，中间结构包括位于上连接块71和下连接块73之间、且相对上连接块71与下连接块73的中轴线对称设置的两条连接条72，每一连接条72包括至少一个弯曲件；上连接块71的端面连接内衬3的底部，对于薄片式的内衬3来说即内衬3的下表面；下连接块73的端面连接基座8的接地部分。其中，反应腔室中基座8接地，内衬3通过内衬下接地机构7与基座8导通，实现内衬3的下部接地。另外，具有弯曲件的连接条72在其承受的压力不同的时候，具有不同的压缩弯曲变形，因此形成柔性部件，能在将内衬接地的同时，保证内衬3与地之间的良好接触。
本实施例的反应腔室，内衬下接地机构7构成的柔性接地结构，其中的上连接块71、下连接块73和薄板连接条72可以为图5A-5G中所示的任一结构，但不仅限于此结构，也可为图5A-5G未示出、但是其他包括具有弯曲度的内凹部和/或凸出部的连接条72、其他形状的上连接块71、下连接块73的组成结构。
内衬下接地机构7的其他形式的结构如图5A-图5G所示，连接条72包括具有弯曲度的内凹部和/或凸出部，内凹部和凸出部分别具有与中轴线方向垂直的水平延伸部。图5A-图5G中，连接条72可以仅包括一个凸出部，也可以包括两个(或多个)凸出部，可以仅包括一个内凹部，也可以包括两个(或多个)内凹部，当然也可以包括凸出部/内凹部的多种不同组合。连接条72同时包括内凹部和凸出部时，内凹部和凸出部可以具有不同的弯曲度，和/或，内凹部和凸出部具有不同长度的水平延伸部。本实施例中对称设置的两条连接条72均为非接触和非交叉结构，但并不限制对称设置的两条连接条72之间可以接触和交叉，这里不做详述。
图4中，内衬下接地机构7中上连接块71和下连接块73分别具有块状主体，块状主体的表面设有保护涂层。优选的是，保护涂层包括设于端部表面的镀镍层，以及设于除端面表面以外的表面的硬质阳极氧化层。内衬下接地机构7中上连接块71的上连接面74、下连接块73的内连接面75(朝向基座8的端面)做表面镀镍增加导电性及耐腐蚀性，其余表面(除螺纹孔)做硬质阳极氧化处理。同时，为了便于内衬下接地机构的连接固定，上连接面74、内连接面75形成互相垂直的表面。
其中，连接条72的厚度范围为0.5～1.2mm，优选为1mm；宽度范围为30～40mm，使得内衬下接地机构7既能具备适当的刚度保证安装精度，又能产生一定的弹性变形量，连接条72可根据实际需要的弹性大小选择不同的弯曲长度，具体可参考图4、图5A-图5G。
优选的是，连接条72为板状结构，采用金属材料形成。进一步优选连接条72采用铝质材料形成，以保证良好的接地效果。例如，上连接块71、下连接块73和连接条72的材质选用A5052或6061。当然，考虑成本或成型工艺，也可以采用非铝质材料的其他材质，通过表面处理具备耐腐蚀性即可，这里不做限制。
在内衬下接地机构7的成型工艺中，上连接块71、下连接块73和中间结构各部分可单独分别加工成型，然后采用采用焊接方式组成内衬下接地机构7的整体；或者，上连接块71、下连接块73和中间结构采用机加(电火花)方式整体加工组成内衬下接地机构7，优选采用整体加工方式。
在反应腔室中，内衬3在其底部均匀设置有两个以上内衬下接地机构7。本实施例采用了四点均匀分布接地的方式作为示例，如图6和图7所示，内衬下接地机构7的一端连接基座8的接地部分，另一端连接内衬3的底部实现内衬3的加强接地。
在内衬下接地机构7的组装工艺中，如图8和图9所示，上连接块71直接通过真空螺钉9安装与内衬3连接，下连接块73通过真空螺丝固定与基座8连接。更具体的是，上连接块71的端面通过盖帽用真空螺钉9与内衬3连接，下连接块73的端面通过盖帽用真空螺丝与基座8连接，盖帽为真空螺钉9安装树脂螺帽10。上连接面74、内连接面75分别通过盖帽用真空螺钉9分别与内衬3、基座8连接，盖帽用真空螺钉9安装树脂螺帽10，减少真空螺钉9在腔室暴露的面积。
容易理解的是，参考图1和图2，在该反应腔室中还包括内衬上接地机构，内衬上接地机构为诱电线圈，通过诱电线圈将内衬3和腔室壁的接地部分连接，并在其连接处设置O型密封圈。本实施例中的反应腔室相对现有技术的反应腔室，可以保持上部的接地方式不变，下部增加柔性接地结构的内衬下接地机构7，从而实现内衬3的上部、下部同时接地。
一般的刚性连接容易导致内衬3的底部发生变形，原因在于安装内衬3时处于大气状态，上部接地11处的O型密封圈4(请参考图1)处于未压缩状态，当腔室抽成真空时，O型密封圈4被完全压缩，此时内衬3会下降约2mm；反之，腔室由真空恢复大气时，内衬3会升高约2mm。若下部接地结构采用刚性连接，由于内衬3的刚度相对薄弱，内衬3容易发生变形。本实施例中的反应腔室，在内衬上接地机构的基础上还采用了一种柔性的内衬下接地机构7进行连接，以吸收O型密封圈4的变形量及其他加工、安装误差，从而实现提高内衬接地性能的同时，又保证内衬连接过程中不变形。
本实施例中的反应腔室，内衬在其下部增设上述内衬下接地机构后，具有如下有益效果：
第一，通过增加内衬底部接地结构，使内衬上、下同时接地，从而提高内衬接地性能，使内衬电压分布均匀，射频回路稳定，不容易产生溅射；
第二，由于该内衬下接地机构为柔性接地连接，安装过程中接地块能够产生弹性变形，吸收O型密封圈变形量以及其他加工、安装误差，从而保证内衬不变形。
本实施例的反应腔室中涉及的接地中间结构，不仅可以应用于IC领域，也可以应用于其它领域，并不做限制。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种反应腔室，所述反应腔室内部设置有基座，所述反应腔室上部设置有内衬，其特征在于，还包括与所述内衬连接的内衬下接地机构，所述内衬下接地机构包括上连接块、下连接块和中间结构，所述中间结构包括位于所述上连接块和所述下连接块之间、且相对所述上连接块与所述下连接块的中轴线对称设置的两条连接条，每一所述连接条包括至少一个弹性弯曲件；
所述上连接块的朝向所述内衬的端面连接所述内衬的底部，所述下连接块的朝向所述基座的端面连接所述基座的接地部分。
2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述弯曲件包括具有弯曲度的内凹部和/或凸出部。
3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述内凹部和/或所述凸出部分别具有与所述中轴线方向垂直的水平延伸部。
4.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述连接条采用铝质材料形成。
5.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述内衬下接地机构中所述上连接块和所述下连接块分别具有块状主体，所述块状主体的表面设有保护涂层。
6.根据权利要求5所述的反应腔室，其特征在于，所述保护涂层包括设于所述上连接块的朝向所述内衬的端面的镀镍层，和所述下连接块的朝向所述基座的端面的镀镍层，以及设于所述上连接块的除朝向所述内衬的端面以外的表面的硬质阳极氧化层，和所述下连接块的除朝向所述基座的端面以外的表面的硬质阳极氧化层。
7.根据权利要求1-6任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述上连接块、所述下连接块和所述中间结构分别加工成型，并采用焊接方式组成所述内衬下接地机构；
或者，所述上连接块、所述下连接块和所述中间结构采用机加方式整体加工成所述内衬下接地机构。
8.根据权利要求1-6任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述上连接块的朝向所述内衬的端面通过盖帽用真空螺钉与所述内衬连接，所述下连接块的朝向所述基座的端面通过盖帽用真空螺丝与所述基座连接，所述盖帽为真空螺钉安装树脂螺帽。
9.根据权利要求1-6任一项所述的反应腔室，其特征在于，所述内衬在其底部均匀设置有两个以上所述内衬下接地机构。
10.根据权利要求1-6任一项所述的反应腔室，其特征在于，还包括内衬上接地机构，所述内衬上接地机构为诱电线圈，通过所述诱电线圈将所述内衬和腔室壁的接地部分连接。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112017933B (zh) * 2019-05-31 2024-03-26 北京北方华创微电子装备有限公司 内衬、反应腔室和半导体加工设备
CN112185786B (zh) * 2019-07-03 2024-04-05 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理设备及用于等离子体处理设备的接地环组件

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2786810Y (zh) * 2005-03-25 2006-06-07 长谷川精密科技股份有限公司 弹片的结构改良
CN1877808A (zh) * 2005-06-03 2006-12-13 应用材料公司 具有夹持电连接器的衬底支撑
CN102810770A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 中微半导体设备(上海)有限公司 实现等离子体刻蚀腔体与阴极之间电连接的接地器件
CN103177926A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 朗姆研究公司 具有耐腐蚀部件的等离子体处理装置
JP2014007215A (ja) * 2012-06-22 2014-01-16 Tokyo Electron Ltd 被処理体の処理装置及び被処理体の載置台
CN106158698A (zh) * 2015-04-24 2016-11-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 压环组件及半导体加工设备

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10170279B2 (en) * 2012-07-20 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Multiple coil inductively coupled plasma source with offset frequencies and double-walled shielding

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2786810Y (zh) * 2005-03-25 2006-06-07 长谷川精密科技股份有限公司 弹片的结构改良
CN1877808A (zh) * 2005-06-03 2006-12-13 应用材料公司 具有夹持电连接器的衬底支撑
CN102810770A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 中微半导体设备(上海)有限公司 实现等离子体刻蚀腔体与阴极之间电连接的接地器件
CN103177926A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 朗姆研究公司 具有耐腐蚀部件的等离子体处理装置
JP2014007215A (ja) * 2012-06-22 2014-01-16 Tokyo Electron Ltd 被処理体の処理装置及び被処理体の載置台
CN106158698A (zh) * 2015-04-24 2016-11-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 压环组件及半导体加工设备

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