CN108733586A - 一种保护方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种保护方法和装置，应用于NAND FLASH，方法包括：接收保护至少一个存储区域的指令；确定至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；对处于未保护状态的存储区域进行保护。本发明实施例可以对NAND FLASH中局部或全部存储区域进行保护，防止写/擦除操作对该区域中CELL的损伤，提高了FLASH的使用寿命，且这种对存储区域的保护可以为永久保护，同时NAND FLASH中各存储区域的保护状态可查询。
Description
技术领域
本发明涉及存储技术领域，特别是涉及一种保护方法和一种保护装置。
背景技术
NAND FLASH(闪存)中，除OTP(One Time Program，一次性写入)区域之外的存储区域，都可以进行写/擦除操作，从长时间来看，频繁地写/擦除操作会损伤NAND FLASH中存储区域的CELL(单元)，影响CELL的数据保存，减小了FLASH的使用寿命。
发明内容
鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种保护方法和相应的一种保护装置，以解决现有技术中写/擦除操作损伤NAND FLASH中存储区域的CELL，影响CELL的数据保存，减小FLASH的使用寿命的问题。
为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种保护方法，应用于NAND FLASH，包括：
接收保护至少一个存储区域的指令；
确定所述至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；
对所述处于未保护状态的存储区域进行保护。
可选地，所述对所述处于未保护状态的存储区域进行保护，包括：
接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址；
对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护。
可选地，在所述对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护之后，还包括：
判断所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域是否处于保护状态；
如果否，返回所述接收所述处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。
可选地，所述接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址，包括：
接收进入保护区域设置的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址；
接收保护区域结束地址开始输入的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的结束地址；
接收保护区域设置确认指令。
可选地，所述保护至少一个存储区域的指令包括所述至少一个存储区域的保护状态查询指令和所述至少一个存储区域的地址。
为了解决上述问题，本发明实施例还公开了一种保护装置，应用于NAND FLASH，包括：
接收模块，用于接收保护至少一个存储区域的指令；
状态确定模块，用于确定所述至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；
保护模块，用于对所述处于未保护状态的存储区域进行保护。
可选地，所述保护模块包括：
接收子模块，用于接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址；
保护子模块，用于对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护。
可选地，在所述保护子模块之后，还包括：
判断模块，用于判断所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域是否处于保护状态；
返回模块，用于当所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域处于未保护状态时，返回所述接收所述处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。
可选地，所述接收子模块包括：
第一接收单元，用于接收进入保护区域设置的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址；
第二接收单元，用于接收保护区域结束地址开始输入的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的结束地址；
第三接收单元，用于接收保护区域设置确认指令。
可选地，所述保护至少一个存储区域的指令包括所述至少一个存储区域的保护状态查询指令和所述至少一个存储区域的地址。
本发明实施例包括以下优点：在接收到保护NAND FLASH中至少一个存储区域的指令后，确定至少一个存储区域中处于未保护状态的一个或多个存储区域，对处于未保护状态的存储区域进行保护。这样，实现了对NAND FLASH中局部或全部存储区域的保护，防止写/擦除操作对该区域中CELL的损伤，提高了CELL的数据保存能力和FLASH的使用寿命，且这种对存储区域的保护可以为永久保护，同时NAND FLASH中各存储区域的保护状态可查询。
附图说明
图1是本发明的一种保护方法实施例的步骤流程图；
图2是本发明的另一种保护方法实施例的步骤流程图；
图3是本发明的一种保护装置实施例的结构框图；
图4是本发明的另一种保护装置实施例的结构框图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
参照图1，其示出了本发明的一种保护方法实施例的步骤流程图，该保护方法可以应用于NAND FLASH。该保护方法具体可以包括如下步骤：
步骤10，接收保护至少一个存储区域的指令。
其中，至少一个存储区域可以为NAND FLASH中的至少一个块区域。其中，在应用NAND FLASH时，用户可以根据使用需求自行确定至少一个存储区域。具体地，当至少一个存储区域为多个存储区域时，至少一个存储区域可以为连续的存储区域。
步骤20，确定至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域。
具体地，在本发明的一个实施例中，NAND FLASH中每个存储区域可以具有一一对应的保护状态标志位，例如，当存储区域处于保护状态时，对应保护状态标志位可以为1；当存储区域处于未保护状态时，对应保护状态标志位可以为0。这样，步骤20根据至少一个存储区域对应保护状态标志位的值，即可确定至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域。
步骤30，对处于未保护状态的存储区域进行保护。
其中，当未保护状态的存储区域为多个存储区域时，步骤30可以对处于未保护状态的存储区域同时进行保护，或步骤30可以对处于未保护状态的存储区域依次进行保护。
需要说明的是，步骤30对处于未保护状态的存储区域进行保护可以为永久保护，即步骤30后，处于保护状态的存储区域只能进行读操作，而不能进行写/擦除操作。
本发明实施例一包括以下优点：在接收到保护NAND FLASH中至少一个存储区域的指令后，确定至少一个存储区域中处于未保护状态的一个或多个存储区域，对处于未保护状态的存储区域进行保护。这样，实现了对NAND FLASH中局部或全部存储区域的保护，防止写/擦除操作对该区域中CELL的损伤，提高了CELL的数据保存能力和FLASH的使用寿命，且这种对存储区域的保护可以为永久保护，同时NAND FLASH中各存储区域的保护状态可查询。
实施例二
参照图2，其示出了本发明的另一种保护方法实施例的步骤流程图，该保护方法可以应用于NAND FLASH。该保护方法具体可以包括如下步骤：
步骤10，接收保护至少一个存储区域的指令。
步骤20，确定至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域。
步骤30，对处于未保护状态的存储区域进行保护。
参照图2，在本发明的一个实施例中，步骤30对处于未保护状态的存储区域进行保护，可以包括：
步骤31，接收处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址。
具体地，若处于未保护状态的存储区域为多个存储区域时，例如存储区域1、存储区域2和存储区域3，则步骤31中处于未保护状态的存储区域对应的起始地址可以为存储区域1的起始地址，步骤31中处于未保护状态的存储区域对应的结束地址可以为存储区域3的结束地址。
步骤32，对起始地址和结束地址对应的存储区域进行保护。
可选地，参照图2，在本发明的一个实施例中，在对起始地址和结束地址对应的存储区域进行保护之后，保护方法还可以包括：
步骤40，判断起始地址和结束地址对应的存储区域是否处于保护状态。
其中，步骤40可以根据起始地址和结束地址对应的存储区域中，每个存储区域对应保护状态标志位的值，来确定存储区域是否处于保护状态。
步骤50，如果否，返回接收处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。
步骤50后，进入步骤32。这样步骤31、步骤32、步骤40和步骤50循环进行，直至步骤40判断起始地址和结束地址对应的存储区域处于保护状态。有效提高了保护方法的可靠性。
可选地，参照图2，在本发明的一个实施例中，步骤31接收处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址，可以包括：
步骤311，接收进入保护区域设置的指令和处于未保护状态的存储区域对应的起始地址。
步骤312，接收保护区域结束地址开始输入的指令和处于未保护状态的存储区域对应的结束地址。
步骤313，接收保护区域设置确认指令。
可选地，保护至少一个存储区域的指令可以包括至少一个存储区域的保护状态查询指令和至少一个存储区域的地址。
其中，进入保护区域设置的指令、保护区域结束地址开始输入的指令、保护区域设置确认指令和至少一个存储区域的指令可以为任意指令，且进入保护区域设置的指令、保护区域结束地址开始输入的指令、保护区域设置确认指令和至少一个存储区域的指令为互不相同的指令。
本发明实施例二包括以下优点：在接收到保护NAND FLASH中至少一个存储区域的指令后，确定至少一个存储区域中处于未保护状态的一个或多个存储区域，进而在接收处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址后，对起始地址和结束地址对应的存储区域进行保护，以及判断起始地址和结束地址对应的存储区域是否处于保护状态，如果否，返回接收处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。这样，实现了对NAND FLASH中局部或全部存储区域的保护，防止写/擦除操作对该区域中CELL的损伤，提高了CELL的数据保存能力和FLASH的使用寿命，且这种对存储区域的保护可以为永久保护，同时NAND FLASH中各存储区域的保护状态可查询。
需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
实施例三
参照图3，其示出了本发明的一种保护装置实施例的结构框图，该保护装置可以应用于NAND FLASH。该保护装置具体可以包括如下模块：
接收模块10，用于接收保护至少一个存储区域的指令。
状态确定模块20，用于确定至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域。
保护模块30，用于对处于未保护状态的存储区域进行保护。
本发明实施例三包括以下优点：在接收模块接收到保护NAND FLASH中至少一个存储区域的指令后，状态确定模块确定至少一个存储区域中处于未保护状态的一个或多个存储区域，保护模块对处于未保护状态的存储区域进行保护。这样，实现了对NAND FLASH中局部或全部存储区域的保护，防止写/擦除操作对该区域中CELL的损伤，提高了CELL的数据保存能力和FLASH的使用寿命，且这种对存储区域的保护可以为永久保护，同时NAND FLASH中各存储区域的保护状态可查询。
实施例四
参照图4，其示出了本发明的另一种保护装置实施例的结构框图，该保护装置可以应用于NAND FLASH。该保护装置具体可以包括：
接收模块10，用于接收保护至少一个存储区域的指令。
状态确定模块20，用于确定至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域。
保护模块30，用于对处于未保护状态的存储区域进行保护。
参照图4，在本发明的一个实施例中，保护模块30可以包括：
接收子模块31，用于接收处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址。
保护子模块32，用于对起始地址和结束地址对应的存储区域进行保护。
可选地，参照图4，在本发明的一个实施例中，在保护子模块32之后，保护装置还可以包括：
判断模块40，用于判断起始地址和结束地址对应的存储区域是否处于保护状态。
返回模块50，用于当起始地址和结束地址对应的存储区域处于未保护状态时，返回接收处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。
可选地，参照图4，在本发明的一个实施例中，接收子模块31可以包括：
第一接收单元311，用于接收进入保护区域设置的指令和处于未保护状态的存储区域对应的起始地址。
第二接收单元312，用于接收保护区域结束地址开始输入的指令和处于未保护状态的存储区域对应的结束地址。
第三接收单元313，用于接收保护区域设置确认指令。
可选地，保护至少一个存储区域的指令可以包括至少一个存储区域的保护状态查询指令和至少一个存储区域的地址。
本发明实施例四包括以下优点：在接收模块接收到保护NAND FLASH中至少一个存储区域的指令后，接收模块确定至少一个存储区域中处于未保护状态的一个或多个存储区域，进而在接收子模块接收处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址后，通过保护子模块对起始地址和结束地址对应的存储区域进行保护，以及通过判断模块判断起始地址和结束地址对应的存储区域是否处于保护状态，如果否，返回模块返回接收处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。这样，实现了对NAND FLASH中局部或全部存储区域的保护，防止写/擦除操作对该区域中CELL的损伤，提高了CELL的数据保存能力和FLASH的使用寿命，且这种对存储区域的保护可以为永久保护，同时NAND FLASH中各存储区域的保护状态可查询。
对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种保护方法和一种保护装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种保护方法，应用于NAND FLASH，其特征在于，包括：
接收保护至少一个存储区域的指令；
确定所述至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；
对所述处于未保护状态的存储区域进行保护。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述处于未保护状态的存储区域进行保护，包括：
接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址；
对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护之后，还包括：
判断所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域是否处于保护状态；
如果否，返回所述接收所述处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址，包括：
接收进入保护区域设置的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址；
接收保护区域结束地址开始输入的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的结束地址；
接收保护区域设置确认指令。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护至少一个存储区域的指令包括所述至少一个存储区域的保护状态查询指令和所述至少一个存储区域的地址。
6.一种保护装置，应用于NAND FLASH，其特征在于，包括：
接收模块，用于接收保护至少一个存储区域的指令；
状态确定模块，用于确定所述至少一个存储区域中处于未保护状态的存储区域；
保护模块，用于对所述处于未保护状态的存储区域进行保护。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述保护模块包括：
接收子模块，用于接收所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址和结束地址；
保护子模块，用于对所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域进行保护。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，在所述保护子模块之后，还包括：
判断模块，用于判断所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域是否处于保护状态；
返回模块，用于当所述起始地址和所述结束地址对应的存储区域处于未保护状态时，返回所述接收所述处于未保护状态的存储区域的起始地址和结束地址的步骤。
9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述接收子模块包括：
第一接收单元，用于接收进入保护区域设置的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的起始地址；
第二接收单元，用于接收保护区域结束地址开始输入的指令和所述处于未保护状态的存储区域对应的结束地址；
第三接收单元，用于接收保护区域设置确认指令。
10.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述保护至少一个存储区域的指令包括所述至少一个存储区域的保护状态查询指令和所述至少一个存储区域的地址。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| CB02 | Change of applicant information | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: Room 101, Floor 1-5, Building 8, Yard 9, Fenghao East Road, Haidian District, Beijing 100094 Applicant after: Zhaoyi Innovation Technology Group Co.,Ltd. Applicant after: HEFEI GEYI INTEGRATED CIRCUIT Co.,Ltd. Address before: 12th Floor, Block A, Tiangong Building, Science and Technology University, No. 30 Xueyuan Road, Haidian District, Beijing, 100083 Applicant before: GIGADEVICE SEMICONDUCTOR(BEIJING) Inc. Applicant before: HEFEI GEYI INTEGRATED CIRCUIT Co.,Ltd. |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181102 |