CN108695579A - 一种基于射频mems开关的可调滤波器 - Google Patents
一种基于射频mems开关的可调滤波器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108695579A CN108695579A CN201810617646.2A CN201810617646A CN108695579A CN 108695579 A CN108695579 A CN 108695579A CN 201810617646 A CN201810617646 A CN 201810617646A CN 108695579 A CN108695579 A CN 108695579A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mems switches
- top electrode
- tunable filter
- filter based
- driving electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 5
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 10
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
- H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
本发明属于电子元器件技术领域，具体涉及一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，至少三个射频MEMS开关，所述射频MEMS开关包括衬底、微波传输线、驱动电极、固定锚点及上电极，所述衬底一侧面上设置所述微波传输线，并在所述微波传输线上通过固定锚点设置所述上电极，在所述上电极下方设置所述驱动电极；至少三个带通滤波器，所述上电极与所述微波传输线连接的一端上设置所述带通滤波器，并通过可调中心频率，限定所述射频MEMS开关的工作频率。本发明可实现三个可调中心频率点，具有结构简单、体积小、易集成、应用范围广的特点，可应用于多频带的通信设备中。
Description
技术领域
本发明属于电子元器件技术领域，具体涉及一种基于射频MEMS开关的可调滤波器。
背景技术
在现代通信系统中，基于射频MEMS开关的可调滤波器是关键的射频器件之一，可以有效滤除各频段的噪声和各种无用信号、降低频道间干扰，保障通信设备正常工作，实现高质量通信。因此，基于射频MEMS开关的可调滤波器广泛应用于包括雷达、智能弹药、卫星、单兵作战系统、舰船及广播电视上的射频前端。
在欧美、日本等国家，已经制造出了可以商用的一些可调滤波器产品，实现带通滤波器2中心频率在特定范围内可调。国内起步较晚但发展较快，基于射频MEMS开关的可调滤波器研究主要集中在清华大学、北京大学、北京邮电大学、东南大学、中北大学、中电13所、中科院微电子所等，许多设计理论、仿真方法、制造工艺技术和器件的测试方法等技术的研究和开发工作得到世界同行的承认。传统的可调滤波器一般用YIG(钇铁石榴石)振荡器或固态可调电抗元件作为调谐元件，但YIG振荡器的体积很大，功率消耗大，线性度不高，而固态可调电抗元件在微波、毫米波段虽然体积小，但损耗大，线性度也不够高。基于射频MEMS技术的可调带通滤波器2，由于其体积小、集成度高、调节方便、选择性好，因此基于射频MEMS开关的可调滤波器在远距离通信及各种信号处理方面具有重要应用价值。目前已有的MEMS可调滤波器插入损耗较差，结构不紧凑，体积大，难以和电子通信系统兼容，无法满足雷达接收机、无线通信系统等的要求。例如加拿大滑铁卢大学利用0.35μm CMOS工艺设计的RF MEMS可调带通滤波器2通过偏置电压控制MEMS可变电容器的高度来从而调节滤波器的中心频率，设计的中心频率为9.5GHz，插入损耗为5.66dB。Reid J R等人设计的基于CPW的RF MEMS可调滤波器的尺寸为6.55mm×2.8mm×0.8mm。
一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，可实现三个可调中心频率点，具有结构简单、体积小、易集成、应用范围广的特点，可应用于多频带的通信设备中。
发明内容
本发明的目的是针对背景技术的不足，设计一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，以实现三个可调中心频率点，具有结构简单、体积小、易集成、应用范围广的特点，可应用于多频带的通信设备中。
本发明的具体技术方案如下：一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，所述可调滤波器包括：
至少三个射频MEMS开关，所述射频MEMS开关包括衬底、微波传输线、驱动电极、固定锚点及上电极，所述衬底一侧面上设置所述微波传输线，并在所述微波传输线上通过固定锚点设置所述上电极，在所述上电极下方设置所述驱动电极；
至少三个带通滤波器，所述上电极与所述微波传输线连接的一端上设置所述带通滤波器，并通过可调中心频率，限定所述射频MEMS开关的工作频率。
进一步地，所述微波传输线包括至少一条信号线、至少两条共面波导地线，所述信号线两侧对称平行设置所述共面波导地线；
所述上电极一端与所述共面波导地线连通，另一端横跨过所述信号线后，位于另一所述共面波导地线上方位置。
进一步地，所述信号线上设有至少三处缺口，在所述三次缺口内分别设置有对应的驱动电极，在所述缺口的上表面设置有介质层，并在所述驱动电极上方设置所述上电极。
进一步地，所述上电极为矩形桥结构，所述上电极与所述驱动电极对应的一侧面均匀开设有释放孔，形成释放孔阵列。
进一步地，所述带通滤波器为滤波器，所述滤波器设置在所述上电极与所述共面波导地线连通的一端上。
进一步地，所述带通滤波器的三个可调中心频率点分别为8.5GHz，9GHz，9.5GHz；
其中插入损耗分别为2.2dB@8.5GHz，1.2dB@9GHz，2.2dB@9.5GHz。
进一步地，所述衬底11包括石英玻璃、高阻硅材料，所述基于射频MEMS开关的可调滤波器的整体尺寸不大于4mm×4mm×1mm。
进一步地，所述释放孔直径大小为6-10μm，所述释放孔阵列包括至少4排，并垂直于所述信号线的长度方向进行排列，任意一排的释放孔数量为6-12个，相邻释放孔间距为10-20μm。
有益效果
本发明与背景技术相比具有明显的先进性，由三个射频MEMS开关和三个带通滤波器组成，通过控制三个射频MEMS开关的导通与断开来实现滤波器中心工作频率的改变。本发明可实现三个可调中心频率点，具有结构简单、体积小、易集成、应用范围广的特点，可应用于多频带的通信设备中。
附图说明
图1为所述基于射频MEMS开关的可调滤波器的整体结构图；
图2为所述基于射频MEMS开关的可调滤波器的整体结构俯视图；
图3为所述基于射频MEMS开关的可调滤波器的衬底结构俯视图；
图4为所述基于射频MEMS开关的可调滤波器的插入损耗仿真图。
图中所示，附图标记清单如下：
1-射频MEMS开关；2-带通滤波器；11-衬底；12-微波传输线；13-驱动电极；14-介质层；15-固定锚点；16-上电极；17-释放孔；21-第一带通滤波器；22-第二带通滤波器；23-第三带通滤波器；121-信号线；122-共面波导地线；131-第一驱动电极；132-第二驱动电极；133第三驱动电极；141-第一介质层；142-第二介质层；143-第三介质层；161-第一上电极；162-第二上电极；163-第三上电极；1221-第一共面波导地线；1222-第二共面波导地线。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的组合或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。另外，本发明实施例的描述过程中，所有图中的“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等器件位置关系，均以图1为标准。
以下结合附图对本发明做进一步说明：
如图1、2、3所示，为本发明第一实施例的整体结构示意图及俯视图示意图，该实施例提供了一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，所述可调滤波器包括至少三个射频MEMS开关1、至少三个带通滤波器2，通过控制三个射频MEMS开关的导通与断开来实现滤波器中心工作频率的改变，当处在同一路的开关导通时，信号从该路滤波器通过。
在本实施例中，所述射频MEMS开关1包括衬底11、微波传输线12、驱动电极13、介质层14、固定锚点15、上电极16；所述衬底11为长方体结构，所述衬底11包括但不限于石英玻璃、高阻硅材料，所述基于射频MEMS开关的可调滤波器的整体尺寸不大于4mm×4mm×1mm；
在其他实施例中，所述衬底11仅以实现导电率低，并传输射频信号时的低损耗的效果，在此不具体限定所述衬底11的形状结构，及材料；
在所述衬底11上设置所述微波传输线12、及驱动电极13，所述微波传输线12包括至少一条信号线121、至少两条共面波导地线122，所述信号线121两侧对称设置所述共面波导地线122，所述信号线121、共面波导地线122平行设置在所述衬底11表面；
所述信号线121上设有三处缺口，在所述三次缺口的两侧分别设置有对应的驱动电极13，在所述缺口的表面设置有所述介质层14，并在所述驱动电极13上方设置所述上电极16；
所述上电极16为矩形桥结构，所述上电极16一端通过固定锚点15与所述共面波导地线122连通，另一端横跨过所述信号线121后，位于另一所述共面波导地线122上方位置，所述上电极16与所述驱动电极13对应的一侧面均匀开设有释放孔17，形成释放孔阵列；
进一步地，所述释放孔17直径大小为6-10μm，形成释放孔阵列，所述释放孔阵列包括4排(偶数排)，垂直于所述信号线121的长度方向排列，并任意一排的释放孔17数量为6-12个，相邻释放孔17间距为10-20μm，通过所述上电极16的开孔结构，形成释放孔阵列，以提高牺牲层释放效率，同时可以减小极板上下运动的空气阻尼，提高滤波器响应速度。
如图4所示，所述带通滤波器2为滤波器，所述滤波器设置在所述上电极16与所述共面波导地线122连通的一端上，在本实施例中，所述基于射频MEMS开关的可调滤波器可实现三个可调中心频率点，分别为8.5GHz，9GHz，9.5GHz，其中插入损耗分别小于2.2dB@8.5GHz，1.2dB@9GHz，2.2dB@9.5GHz；
利用射频MEMS开关设计的这种可调带通滤波器与采用传统的PIN或FET开关设计相比，具有低插入损耗的优势，采用射频MEM S开关的可调滤波器在8.5GHz-9.5GHz中心频率下可以实现2.5dB以下的插入损耗。
三个射频MEMS开关1界定为第一射频MEMS开关、第二射频MEM S开关、第三射频MEMS开关，三个所述带通滤波器2界定为第一带通滤波器21、第二带通滤波器22、第三带通滤波器23，两条所述共面波导地线122分别界定为第一共面波导地线1221、第二共面波导地线1222；
所述第一射频MEMS开关包括第一上电极161、第一驱动电极131、第一介质层141、第一上电极161，所述第一上电极161一端连接所述第一带通滤波器21、及第一共面波导地线1221，另一端横跨所述第一驱动电极131设置在所述第二共面波导地线1222上方，在所述第一驱动电极131对应的缺口处设置所述第一介质层141，在所述第一上电极161和第一上电极131之间未加偏置电压时，第一上电极161悬空，此时所述第一射频MEMS开关断开；当在第一上电极161和第一上电极131之间加一偏置电压时，第一上电极161产生一个下拉静电力，当偏置电压的值达到驱动电压的值时，第一上电极161迅速下落与第一介质层141紧密接触，此时所述第一射频MEMS开关导通第一带通滤波器21；
所述第二射频MEMS开关包括第二上电极162、第二驱动电极132、第二介质层142、第二上电极162，所述第二上电极162一端连接所述第二带通滤波器22、及第二共面波导地线1222，另一端横跨所述第二驱动电极132设置在所述第二共面波导地线1222上方，在所述第二驱动电极132对应的缺口处设置所述第二介质层142，在所述第二上电极162和第二驱动电极132之间未加偏置电压时，第二上电极162悬空，此时所述第二射频MEMS开关断开；当在第二上电极162和第二驱动电极132之间加一偏置电压时，第二上电极162产生一个下拉静电力，当偏置电压的值达到驱动电压的值时，第二上电极162迅速下落与第二介质层142紧密接触，此时所述第二射频MEMS开关导通第二带通滤波器22；
所述第三射频MEMS开关包括第三上电极163、第三驱动电极133、第三介质层143、第三上电极163，所述第三上电极163一端连接所述第三带通滤波器23、及第三共面波导地线122，另一端横跨所述第三驱动电极133设置在所述第三共面波导地线122上方，在所述第三驱动电极133对应的缺口处设置所述第三介质层143，在所述第三上电极163和第三驱动电极133之间未加偏置电压时，第三上电极163悬空，此时所述第三射频MEMS开关断开；当在第三上电极163和第三驱动电极133之间加一偏置电压时，第三上电极163产生一个下拉静电力，当偏置电压的值达到驱动电压的值时，第三上电极163迅速下落与第三介质层143紧密接触，此时所述第三射频MEMS开关导通第三带通滤波器23；
本发明由三个射频MEMS开关1和三个带通滤波器2组成，通过控制三个射频MEMS开关1的导通与断开来实现滤波器中心工作频率的改变。本发明可实现三个可调中心频率点，具有结构简单、体积小、易集成、应用范围广的特点，可应用于多频带的通信设备中。
对于本领域的普通技术人员而言，根据本发明的教导，在不脱离本发明的原理与精神的情况下，对实施方式所进行的改变、修改、替换和变形仍落入本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，其特征在于，所述可调滤波器包括：
至少三个射频MEMS开关，所述射频MEMS开关包括衬底、微波传输线、驱动电极、固定锚点及上电极，所述衬底一侧面上设置所述微波传输线，并在所述微波传输线上通过固定锚点设置所述上电极，在所述上电极下方设置所述驱动电极；
至少三个带通滤波器，所述上电极与所述微波传输线连接的一端上设置所述带通滤波器，并通过可调中心频率，限定所述射频MEMS开关的工作频率。
2.根据权利要求1所述一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，其特征在于，所述微波传输线包括至少一条信号线、至少两条共面波导地线，所述信号线两侧对称平行设置所述共面波导地线；
所述上电极一端与所述共面波导地线连通，另一端横跨过所述信号线后，位于另一所述共面波导地线上方位置。
3.根据权利要求2所述一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，其特征在于，所述信号线上设有至少三处缺口，在所述三次缺口内分别设置有对应的驱动电极，在所述缺口的上表面设置有介质层，并在所述驱动电极上方设置所述上电极。
4.根据权利要求1所述一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，其特征在于，所述上电极为矩形桥结构，所述上电极与所述驱动电极对应的一侧面均匀开设有释放孔，形成释放孔阵列。
5.根据权利要求1所述一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，其特征在于，所述带通滤波器为滤波器，所述滤波器设置在所述上电极与所述共面波导地线连通的一端上。
6.根据权利要求5所述一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，其特征在于，所述带通滤波器的三个可调中心频率点分别为8.5GHz，9GHz，9.5GHz；
其中插入损耗分别小于2.2dB@8.5GHz，1.2dB@9GHz，2.2dB@9.5GHz。
7.根据权利要求1所述一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，其特征在于，所述衬底11包括石英玻璃、高阻硅材料，所述基于射频MEMS开关的可调滤波器的整体尺寸不大于4mm×4mm×1mm。
8.根据权利要求4所述一种基于射频MEMS开关的可调滤波器，其特征在于，所述释放孔直径大小为6-10μm，所述释放孔阵列包括至少4排，并垂直于所述信号线的长度方向进行排列，任意一排的释放孔数量为6-12个，相邻释放孔间距为10-20μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810617646.2A CN108695579A (zh) | 2018-06-15 | 2018-06-15 | 一种基于射频mems开关的可调滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810617646.2A CN108695579A (zh) | 2018-06-15 | 2018-06-15 | 一种基于射频mems开关的可调滤波器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108695579A true CN108695579A (zh) | 2018-10-23 |
Family
ID=63848318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810617646.2A Pending CN108695579A (zh) | 2018-06-15 | 2018-06-15 | 一种基于射频mems开关的可调滤波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108695579A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111508780A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-07 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种单片集成多波段控制mems开关 |
| WO2023023976A1 (zh) * | 2021-08-25 | 2023-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 射频微电子机械开关、射频装置 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070278075A1 (en) * | 2004-07-29 | 2007-12-06 | Akihisa Terano | Capacitance Type Mems Device, Manufacturing Method Thereof, And High Frequency Device |
| CN101359760A (zh) * | 2008-09-18 | 2009-02-04 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种应用于k波段的mems电磁带隙可调带阻滤波器 |
| US7583169B1 (en) * | 2007-03-22 | 2009-09-01 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | MEMS switches having non-metallic crossbeams |
| CN101777677A (zh) * | 2010-01-21 | 2010-07-14 | 北京邮电大学 | 基于mems技术的可调带通滤波器 |
| US20120193684A1 (en) * | 2010-04-07 | 2012-08-02 | Uchicago Argonne, Llc | Ultrananocrystalline Diamond Films with Optimized Dielectric Properties for Advanced RF MEMS Capacitive Switches |
| CN105049038A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-11-11 | 东南大学 | 砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅分频器 |
| CN105161798A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-12-16 | 东南大学 | 硅基低漏电流悬臂梁栅的开关电容滤波器及制备方法 |
| CN209016239U (zh) * | 2018-06-15 | 2019-06-21 | 中北大学 | 一种基于射频mems开关的可调滤波器 |
-
2018
- 2018-06-15 CN CN201810617646.2A patent/CN108695579A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070278075A1 (en) * | 2004-07-29 | 2007-12-06 | Akihisa Terano | Capacitance Type Mems Device, Manufacturing Method Thereof, And High Frequency Device |
| US7583169B1 (en) * | 2007-03-22 | 2009-09-01 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | MEMS switches having non-metallic crossbeams |
| CN101359760A (zh) * | 2008-09-18 | 2009-02-04 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种应用于k波段的mems电磁带隙可调带阻滤波器 |
| CN101777677A (zh) * | 2010-01-21 | 2010-07-14 | 北京邮电大学 | 基于mems技术的可调带通滤波器 |
| US20120193684A1 (en) * | 2010-04-07 | 2012-08-02 | Uchicago Argonne, Llc | Ultrananocrystalline Diamond Films with Optimized Dielectric Properties for Advanced RF MEMS Capacitive Switches |
| CN105049038A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-11-11 | 东南大学 | 砷化镓基低漏电流双固支梁开关双栅分频器 |
| CN105161798A (zh) * | 2015-07-01 | 2015-12-16 | 东南大学 | 硅基低漏电流悬臂梁栅的开关电容滤波器及制备方法 |
| CN209016239U (zh) * | 2018-06-15 | 2019-06-21 | 中北大学 | 一种基于射频mems开关的可调滤波器 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| E. FOURN等: "MEMS switchable interdigital coplanar filter", IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES ( VOLUME: 51, ISSUE: 1, JANUARY 2003) * |
| 李应良, 潘武: "射频系统中MEMS谐振器和滤波器", 光学精密工程, no. 01 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111508780A (zh) * | 2020-04-23 | 2020-08-07 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种单片集成多波段控制mems开关 |
| CN111508780B (zh) * | 2020-04-23 | 2022-04-15 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种单片集成多波段控制mems开关 |
| WO2023023976A1 (zh) * | 2021-08-25 | 2023-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 射频微电子机械开关、射频装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN209016239U (zh) | 一种基于射频mems开关的可调滤波器 | |
| CN103700910B (zh) | 一种互补开口谐振环和缺陷地结构半模基片集成波导的双带滤波器 | |
| JP3389886B2 (ja) | 高周波回路装置及び通信機装置 | |
| CN101777882B (zh) | X波段三位mems可调带通滤波器 | |
| CN104409808A (zh) | 基于多模谐振器的多通带滤波器 | |
| CN108695579A (zh) | 一种基于射频mems开关的可调滤波器 | |
| CN103390784A (zh) | 一种小型化基片集成波导双工器 | |
| CN103811832A (zh) | 滤波器、接收器、发送器和收发器 | |
| CN107134614B (zh) | 一种多层陶瓷微波带通滤波器 | |
| CN107706488A (zh) | 一种结构型多阶谐振带通滤波器 | |
| CN107256995A (zh) | 一种微带双通带带通滤波器 | |
| CN109951170A (zh) | 一种基于腔体谐振器的双频滤波开关 | |
| CN109768356A (zh) | 一种基于腔体谐振器的小型化多模滤波开关 | |
| CN107482288B (zh) | 四分之一结构基片集成波导双通带电调谐滤波器 | |
| CN105655674B (zh) | 零点可调的微带滤波器 | |
| CN208173804U (zh) | 一种移动终端天线电路 | |
| CN208986181U (zh) | 一种平面型全向偶极子双工天线 | |
| CN108306082B (zh) | 一种基于腔体的滤波巴伦 | |
| CN109473771B (zh) | 一种平面型全向偶极子双工天线 | |
| CN102881972A (zh) | 基于交指电容的小型化超宽带滤波器 | |
| CN105826641A (zh) | 高选择性带通可调滤波器 | |
| CN102496755A (zh) | 一种小型化双阻带微带滤波器 | |
| CN104409811A (zh) | 一种可切换的平面带通-带阻滤波器 | |
| CN109904576A (zh) | 一种接地耦合式混合耦合器及毫米波超宽带单刀单掷开关 | |
| CN109411855A (zh) | 一种基于腔体的双频滤波巴伦 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |