CN108695357B - 一种显示器件的制备方法及显示器件 - Google Patents

一种显示器件的制备方法及显示器件 Download PDF

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示器件的制备方法及显示器件。本申请设计的一种显示器件及其制备方法，因为电极电源线是由数据线和像素电极组成的，这样会产生比较大的压降，为了降低压降，在电极电源线下垫一圈金属线，金属线和电极电源线并联，降低了原先电极电源线的电阻，这样就可以减小电极电源线的压降，提升整个显示器件的显示质量。

Description

一种显示器件的制备方法及显示器件
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示器件的制备方法及显示器件。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示屏具有自发光、功耗低、反应速度较快、对比度更高和视角较广等特点，因此，AMOLED显示面板在显示技术领域具有广泛的应用前景。
但是目前为了减小OLED显示器件的左右边框尺寸，显示区外侧的ELVSS通常被设为较小宽度，但是线宽变窄后导致ELVSS电阻增大，将导致电流与电阻的乘积或电压降的增加，从而使显示屏降低了显示画面的品质。
发明内容
根据现有市面上传统的显示器件的技术中存在的缺陷，现提供一种显示器件制备方法，具体包括：
一种显示器件的制备方法，其中，包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有显示区域和围绕所述显示区域的边缘区域；
于所述半导体衬底上制备第一栅极绝缘层；
在位于所述边缘区域中的所述第一栅极绝缘层之上形成金属线；
沉积第二栅极绝缘层覆盖所述金属线及所述第一栅极绝缘层暴露的表面；
制备介质层覆盖所述第二栅极绝缘层的表面；
刻蚀所述介质层至所述金属线的上表面，以形成将所述金属线的部分上表面予以暴露的第一凹槽；
于所述边缘区域制备所述显示器件的电极电源线；其中
所述金属线与所述电极电源线通过所述第一凹槽电连接，以降低所述电极电源线通电时的压降。
上述的方法，其中，部分所述电极电源线于所述第一凹槽内与所述金属线接触。
上述的方法，其中，所述方法还包括：
制备数据线覆盖所述第一凹槽的底部及侧壁，且所述数据线还延伸覆盖所述介质层部分上表面；
沉积平坦化薄膜层覆盖所述介质层暴露的表面及所述数据线暴露的表面，且该平坦化薄膜还充满所述第一凹槽；
刻蚀所述平坦化薄膜层至所述数据线的表面，以形成第二凹槽，且所述第二凹槽将位于所述第一凹槽中的所述数据线的表面予以暴露；
制备像素电极覆盖所述第二凹槽的底部及侧壁，且所述像素电极还延伸覆盖所述平坦化薄膜层部分上表面；
沉积像素定义层覆盖所述平坦化薄膜层暴露的表面及所述像素电极暴露的表面，且所述像素定义层还充满所述第二凹槽。
上述的方法，其中，所述方法还包括：
刻蚀所述像素定义层至所述像素电极的表面，以形成第三凹槽，且所述第三凹槽将位于所述平坦化薄膜层上的所述像素电极的部分表面予以暴露。
上述的方法，其中，所述半导体衬底包括基板和设置在所述基板上表面的缓冲层，且所述缓冲层位于所述基板和所述第一栅极绝缘层之间。
上述的方法，其中，所述介质层包括氮化硅层和氧化硅层，且所述氮化硅层位于所述氧化硅层和所述第二栅极绝缘层之间。
上述的方法，其中，所述金属线呈U型围绕所述显示区域。
上述的方法，其中，所述金属线采用栅极金属层制备。
根据上述任意一项所述的方法制备的显示器件，其中，包括：
具有显示区域的半导体衬底；
第一栅极绝缘层，设置于所述半导体衬底之上；
金属线，设置在所述第一栅极绝缘层之上，且所述金属线围绕所述半导体衬底的显示区域；
第二栅极绝缘层，设置在所述金属线表面和所述第一栅极绝缘层暴露的上表面；
介质层，覆盖在所述第二栅极绝缘层的上表面；
第一凹槽，贯通所述介质层和所述第二栅极绝缘层至所述金属线上表面；
数据线，覆盖在所述第一凹槽侧壁和所述金属线上表面，且所述数据线延伸覆盖部分所述介质层上表面；
平坦化薄膜层，覆盖在所述介质层暴露的上表面和数据线；
第二凹槽，贯通所述平坦化薄膜层将部分数据线暴露；
像素电极，覆盖在所述第二凹槽侧壁及被第二凹槽暴露的数据线表面，并延伸覆盖部分所述平坦化薄膜层；
像素定义层，覆盖在所述平坦化薄膜层暴露的表面和所述像素电极暴露的表面，且所述像素定义层充满所述第二凹槽；
第三凹槽，暴露部分覆盖在所述平坦化薄膜层上的所述像素电极。
上述的显示器件，其中，所述介质层包括氧化硅层和氮化硅层，且所述氮化硅层位于所述氧化硅层和所述第二栅极绝缘层之间。本申请设计的一种显示器件及其制备方法，因为电极电源线是由数据线和像素电极组成的，这样会产生比较大的压降，为了降低压降，在电极电源线下垫一圈金属线，金属线和电极电源线并联，降低了原先电极电源线的电阻，这样就可以减小电极电源线的压降，提升整个显示器件的显示质量。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1是本发明的显示器件结构示意图；
图2是本发明显示器件边缘区域剖面图；
图3～7是本发明显示器件的各制备步骤形成的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的技术方案及优点更加易于理解，下面结合附图作进一步详细说明。应当说明，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明设计一种显示器上的新的排线方式，在数据线下垫一圈金属线，这样形成两线并联的形式，有利于降低数据传输线的电阻值。
具体的将通过相关实施例进行说明
实施例一
如图1和图2所示，其中图2所示的结构是图1中A-A处的剖面形成的结构，本发明设计的一种制备显示器的方法，具体的包括：
如图1，首先提供一半导体器件，该半导体器件就是常规制备显示屏的基底，该半导体器件包括基板1和缓冲层2，缓冲层2沉积在基板1的上表面之上；
然后在整个缓冲层2上沉积第一栅极绝缘层3，在整个半导体器件中具有显示区域和围绕该显示区域的边缘区域，目前技术中是在显示区域中沉积第一栅极绝缘层3，而边缘区域是不沉积栅极绝缘层的，而本申请中是在整个缓冲层2上都沉积栅极绝缘层，在原有的基础上稍微做一下延伸，即在边缘区域也设置有第一栅极绝缘层3；
在本发明中，然后在第一栅极绝缘层3的上表面形成金属线9，该金属线9位于整个半导体衬底的边缘区域，且该金属线9围绕半导体衬底的显示区域，整个金属线9呈U型结构，即是不完全闭合的金属线。该金属线9采用栅极金属层制备，在其它实施例中也可以采用不同于栅极金属层的其它金属层制备。然后在金属线9和第一栅极绝缘层3暴露的表面上沉积第二栅极绝缘层4，再在该第二栅极绝缘层4的上表面制备介质层。
当沉积好介质层后，旋涂光刻胶并曝光显影，采用干法刻蚀工艺刻蚀介质层和第二栅极绝缘层4至金属线的上表面，将金属线9的部分上表面暴露出来，这样形成第一凹槽。基于形成的第一凹槽，在该半导体衬底的边缘区中制备显示器件的电极电源线ELVSS，且电极电源线ELVSS与金属线9接触，这样就可以降低显示器件中的电极电源线ELVSS产生的压降。
在制备电机电源线的时候，具体的是在第一凹槽的内侧壁和金属线9暴露的表面制备数据线10，且该数据线10延伸覆盖部分介质层的上表面。然后沉积平坦化薄膜层7，该平坦化薄膜层7覆盖在介质层暴露的表面及数据线9暴露的表面，而且该平坦化薄膜层7充满第一凹槽。
当沉积好平坦化薄膜层7之后，刻蚀该平坦化薄膜层7，一直刻蚀到将数据线10的表面暴露出来，这样形成了第二凹槽，该第二凹槽将位于第一凹槽中的数据线10的表面予以暴露出来。当暴露出数据线10之后，制备像素电极11覆盖第二凹槽的底部及侧壁，在本申请中，覆盖在介质层上的延伸数据线10并没有完全暴露出来，既有部分延伸数据线10被刻蚀暴露出来的，制备的像素电极11是完全覆盖在数据线10暴露的表面上的，同样也覆盖了第二凹槽的侧壁，且像素电极11也延伸覆盖了部分平坦化薄膜层7的上表面。
最后在器件上沉积像素定义层8，像素定义层8覆盖了平坦化薄膜层7暴露的上表面和像素电极11的上表面，而且该像素定义层8完全充满了第二凹槽。具体的，在本申请中，在像素定义层8上还刻蚀形成第三凹槽，该第三凹槽将延伸覆盖在平坦化薄膜层7上表面的像素电极部分暴露出来，即在第三凹槽的底部可以看到像素电极11的上表面，这是为了后续制备有机公共层而使用的，有机公共层包括空穴传输层、电子传输层和有机发光层，在本申请中不做详细叙述了。
在本申请中，制备于第二栅极绝缘层4之上的介质层包括孔洞氧化硅层6和孔洞氮化硅层5，且氮化硅层5位于氧化硅层6和第二栅极绝缘层4之间。
另外，呈U型的金属线9是不断开的制备在半导体衬底的边缘区域的，不过该金属线9也可以是由若干断开的的金属线拼接起来制备在半导体衬底的边缘区域的。在选用材料上，本申请的数据线可以使用材质为钛的数据线，也可以使用材质为铝的数据线。
实施例二
如图1和图2所示，本申请还设计一种显示器件，该显示器件基于上述方法制备的显示器件，其中，该显示器件具体的包括有：
半导体衬底，该半导体衬底包括有基板和位于基板上表面的缓冲层，且该半导体衬底画设有显示区域和围绕该显示区域的边缘区域；
在缓冲层上设置有第一栅极绝缘层，即整个半导体衬底上都制备有第一栅极绝缘层，显示区域和边缘区域都制备有第一栅极绝缘层，然后在该第一栅极绝缘层的上表面上还设置有第二栅极绝缘层。在设置第二栅极绝缘层之前，一金属线围绕半导体衬底的显示区域设置在第一栅极绝缘层之上，该金属线设置在半导体衬底的边缘区域。金属线可以是连接的，也可以是若干断开拼接上的金属线，整个金属线围绕显示区域呈U型。
当设置好了第二栅极绝缘层之后，在该第二栅极绝缘层的上表面上设置了介质层，介质层包括有孔洞氮化硅层和孔洞氧化硅层。
第一凹槽贯通氧化硅层、氮化硅层和第二栅极绝缘层停止在第一栅极绝缘层的上金属线的上表面之上，且第一凹槽并不是完全将金属线暴露出来，而只是暴露部分金属线，仍有一部分金属线位于第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层之间，该第一凹槽也是围绕着显示区域进行设置的，采用干法刻蚀的方法刻蚀氧化硅层、氮化硅层和第二栅极绝缘层形成该第一凹槽。
位于第一凹槽的内侧壁和暴露的金属线的上表面上设置数据线，数据线贴合暴露的金属线的上表面，且数据线延伸并覆盖部分氧化硅层的上表面。
平坦化薄膜层，覆盖在氧化硅层的上表面和部分延伸的数据线的上表面上，即该平坦化薄膜层将延伸覆盖在氧化硅层上表面的数据线部分覆盖了，另一部分没有覆盖。另外，平坦化薄膜层并没有将位于第一凹槽内的数据线覆盖了，也就是说，这样的结构形成了第二凹槽。第二凹槽将未被平坦化薄膜层覆盖的金属线和位于第一凹槽内的金属线完全暴露。
像素电极，该像素电极设置在第二凹槽的内侧壁和暴露的数据线的表面上，像素电极同样贴合在数据线暴露的表面上，而且该像素电极延伸并覆盖了部分平坦化薄膜层，同数据线的布局类似。
像素定义层，覆盖于平坦化薄膜层暴露的表面和像素电极表面，且像素定义层充满第二凹槽。在本申请中，还有第三凹槽，该第三凹槽暴露部分延伸覆盖在平坦化薄膜层上的像素电极。第三凹槽是为了制备后续的有机公共层而留存的，同实施例一中叙述的作用相同，在此就不赘述了。
所以，综合上述实施例的说明，本申请设计的一种显示器件及其制备方法，因为电极电源线是由数据线和像素电极组成的，这样会产生比较大的压降，为了降低压降，在电极电源线下垫一圈金属线，金属线和电极电源线并联，降低了原先电极电源线的电阻，这样就可以减小电极电源线的压降，提升整个显示器件的显示质量。
通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。

Claims (9)

1.一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有显示区域和围绕所述显示区域的边缘区域；
于所述半导体衬底上制备第一栅极绝缘层；
在位于所述边缘区域中的所述第一栅极绝缘层之上形成金属线；
沉积第二栅极绝缘层覆盖所述金属线及所述第一栅极绝缘层暴露的表面；
制备介质层覆盖所述第二栅极绝缘层的表面；
刻蚀所述介质层至所述金属线的上表面，以形成将所述金属线的部分上表面予以暴露的第一凹槽；
于所述边缘区域制备所述显示器件的电极电源线；其中
所述金属线与所述电极电源线通过所述第一凹槽电连接，以降低所述电极电源线通电时的压降；
所述方法还包括：
制备数据线覆盖所述第一凹槽的底部及侧壁，且所述数据线还延伸覆盖所述介质层部分上表面；
沉积平坦化薄膜层覆盖所述介质层暴露的表面及所述数据线暴露的表面，且该平坦化薄膜还充满所述第一凹槽；
刻蚀所述平坦化薄膜层至所述数据线的表面，以形成第二凹槽，且所述第二凹槽将位于所述第一凹槽中的所述数据线的表面予以暴露；
制备像素电极覆盖所述第二凹槽的底部及侧壁，且所述像素电极还延伸覆盖所述平坦化薄膜层部分上表面；
沉积像素定义层覆盖所述平坦化薄膜层暴露的表面及所述像素电极暴露的表面，且所述像素定义层还充满所述第二凹槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，部分所述电极电源线于所述第一凹槽内与所述金属线接触。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
刻蚀所述像素定义层至所述像素电极的表面，以形成第三凹槽，且所述第三凹槽将位于所述平坦化薄膜层上的所述像素电极的部分表面予以暴露。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括基板和设置在所述基板上表面的缓冲层，且所述缓冲层位于所述基板和所述第一栅极绝缘层之间。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层包括氮化硅层和氧化硅层，且所述氮化硅层位于所述氧化硅层和所述第二栅极绝缘层之间。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属线呈U型围绕所述显示区域。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属线采用栅极金属层制备。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法制备的显示器件，其特征在于，包括：
具有显示区域的半导体衬底；
第一栅极绝缘层，设置于所述半导体衬底之上；
金属线，设置在所述第一栅极绝缘层之上，且所述金属线围绕所述半导体衬底的显示区域；
第二栅极绝缘层，设置在所述金属线表面和所述第一栅极绝缘层暴露的上表面；
介质层，覆盖在所述第二栅极绝缘层的上表面；
第一凹槽，贯通所述介质层和所述第二栅极绝缘层至所述金属线上表面；
数据线，覆盖在所述第一凹槽侧壁和所述金属线上表面，且所述数据线延伸覆盖部分所述介质层上表面；
平坦化薄膜层，覆盖在所述介质层暴露的上表面和数据线；
第二凹槽，贯通所述平坦化薄膜层将部分数据线暴露；
像素电极，覆盖在所述第二凹槽侧壁及被第二凹槽暴露的数据线表面，并延伸覆盖部分所述平坦化薄膜层；
像素定义层，覆盖在所述平坦化薄膜层暴露的表面和所述像素电极暴露的表面，且所述像素定义层充满所述第二凹槽；
第三凹槽，暴露部分覆盖在所述平坦化薄膜层上的所述像素电极。
9.根据权利要求8所述的显示器件，其特征在于，所述介质层包括氧化硅层和氮化硅层，且所述氮化硅层位于所述氧化硅层和所述第二栅极绝缘层之间。
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