CN108695189A - 晶圆加工装置及加工半导体晶圆的方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种晶圆加工装置及加工半导体晶圆的方法。上述方法包括提供一晶圆加工装置。晶圆加工装置包括一腔体以及一基台设置于腔体中。基台用于支撑半导体晶圆。上述方法亦包括加热一位于该基台径向外侧的预热组件。上述预热组件包括多个由相邻两个凸肋结构所定义的流道。上述方法还包括经由上述流道对上述半导体晶圆提供一加工气体。

Description

晶圆加工装置及加工半导体晶圆的方法

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体元件生产设备及其加工方法，尤其涉及一种半导体晶圆生产设备及加工半导体晶圆的方法。

背景技术

半导体装置使用于各种电子应用中，举例而言，诸如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，接着使用微影工艺图案化所形成的各种材料层，以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。

在半导体业界，不断降低最小特征尺寸，如此一来可允许更多的装置集积于一个特定的区域中，借此持续改善各种电子装置(例如晶体管、二极管、电阻、电容等等)的集积密度。在某些应用中，相较于过去的产品，这些尺寸更小的电子装置需要利用较少区域及/或较低高度的更小的封装。

在制造集成电路时，一磊晶层(epitaxial layer)可利用混合半导体来源气体并通过化学汽相沉积的工艺形成于半导体晶圆上。为了确保后续工艺所形成的结构与目标特征(例如具有特定宽度、特定高度)一致，上述化学汽相沉积根据一既定的工艺参数所进行。上述工艺参数包括加工时间、加工气体的种类、加工气体的温度、加工腔体的温度及加工腔体的压力等等。

由于目前业界仍然未提出有效控制上述加工气体的温度的方法，因此一个在化学汽相沉积工艺中调整加工温度的改良机制即被需求。

发明内容

本发明实施例的主要目的在于提供一种晶圆加工装置。根据本发明实施例，所述晶圆加工装置包括一腔体、一基台、一流体排放组件、流体排除组件以及一预热组件，所述基台设置于腔体并用以支撑一半导体晶圆；所述流体排除组件沿一横向轴线设置于基台的两侧；所述预热组件位于支撑组件径向的外侧，且包括多个彼此间隔设置的凸肋结构，其中等凸肋结构位于基台与流体排放组件或者流体排除组件至少其中一者之间。

根据本发明另一实施例，晶圆加工装置包括一腔体、一基台、一流体排放组件、一流体排除组件以及一预热组件，所述基台设置于腔体并用以支撑一半导体晶圆；所述流体排除组件沿一横向轴线设置于基台的两侧，其中一加工气体自流体排放组件流向流体排除组件；所述预热组件具有多个彼此间隔设置以供加工气体通过的流道，其中等流道位于基台与流体排放组件或者流体排除组件至少其中一者之间。

本发明实施例的另一个主要目的在于提供一种加工半导体晶圆的方法。根据本发明实施例，所述方法包括提供一晶圆加工装置，晶圆加工装置包括一腔体以及一基台设置于腔体中，基台用于支撑半导体晶圆；加热一位于基台径向外侧的预热组件，其中预热组件包括多个由相邻两个凸肋结构所定义的流道；以及经由等流道对半导体晶圆提供一加工气体。

本发明实施例提供的晶圆加工装置及加工半导体晶圆的方法的优点和有益效果在于：利用多个凸肋结构对施加于半导体晶圆的加工气体进行预先加热，使得半导体晶圆可以在理想的加工条件下进行加工。于是，形成于半导体晶圆上的薄膜的均匀度以及薄膜成长效率可以增加，进而提升半导体晶圆的产品良率。

附图说明

图1显示根据本发明的部分实施例的一晶圆加工装置的剖面图。

图2显示根据本发明的部分实施例的一晶圆加工装置的俯视图。

图3显示根据本发明的部分实施例的一晶圆加工装置的俯视图。

图4显示根据本发明的部分实施例的一晶圆加工装置的部分元件的剖面图。

图5显示根据本发明的部分实施例的一晶圆加工装置的部分元件的剖面图。

图6显示根据本发明的部分实施例的凸肋结构在垂直图1横向轴线T方向上的剖面图。

图7显示根据本发明的部分实施例的凸肋结构的剖面图。

图8显示根据本发明的部分实施例的凸肋结构的剖面图。

图9显示本发明的部分实施例的加工晶圆的方法的流程图。

图10显示根据本发明的部分实施例的一晶圆加工装置的剖面图。

图11显示根据本发明的部分实施例的一晶圆加工装置的剖面图。

附图标记说明：

1、1b、1f、1g～加工装置

5～半导体晶圆

10～壳体

12～上方部分

14～下方部分

16～侧方部分

17～上方夹持元件

171～凸缘

18～下方夹持元件

19～腔体

20～载座

22～转轴

24～支架

26～基台

30～流体排放模块

31～流体排放组件

311～侧表面

321～排放流道

322～开口

325～排放流道

326～开口

33～中介组件

34～中介流道

35～排放连结器组件

37～中介组件

38～中介流道

39～排放连结器组件

40～流体排除组件

60、60c、60d、60e、60f、60g～预热组件

61、62、63、64、65～凸肋结构

61d、62d～凸肋结构

61e、62e～凸肋结构

611e、621e～第一段部

612e、622e～第二段部

68～支撑件

681～内侧缘

70～第一气体供应模块

71～主要气体来源

73～辅助气体来源

711、713、731、733～流体控制单元

80～第二气体供应模块

90、95～加热元件

C～旋转轴

d1～间距

d2～间距

H1、H2、H3、H4、H5～高度

P1-P9～流道

T～横向轴线

具体实施方式

以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施本发明实施例的不同特征。而本说明书以下的公开内容是叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化发明的说明。当然，这些特定的范例并非用以限定本发明实施例。例如，若是本说明书以下的公开内容叙述了将一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦包含了尚可将附加的特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与上述第二特征可能未直接接触的实施例。另外，本发明实施例的说明中不同范例可能使用重复的参考符号及/或用字。这些重复符号或用字为了简化与清晰的目的，并非用以限定各个实施例及/或所述外观结构之间的关系。

再者，为了方便描述附图中一元件或特征部件与另一(多个)元件或(多个)特征部件的关系，可使用空间相关用语，例如“在...之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似的用语等。可以理解的是，除了附图所绘示的方位之外，空间相关用语涵盖使用或操作中的装置的不同方位。所述装置也可被另外定位(例如，旋转90度或者位于其他方位)，并对应地解读所使用的空间相关用语的描述。可以理解的是，在所述方法之前、期间及之后，可提供额外的操作步骤，且在某些方法实施例中，所述的某些操作步骤可被替代或省略。

应注意的是，此处所讨论的实施例可能未必叙述出可能存在于结构内的每一个部件或特征。举例来说，附图中可能省略一个或多个部件，例如当部件的讨论说明可能足以传达实施例的各个实施方式时可能将其从附图中省略。再者，此处所讨论的方法实施例可能以特定的进行顺序来讨论，然而在其他方法实施例中，可以以任何合理的顺序进行。

参照图1，其显示根据本发明部分实施例的一用于沉积一磊晶层(epitaxiallayer)于一半导体晶圆5的晶圆加工装置1的剖面图。在部分实施例中，晶圆加工装置1包括一壳体10、一载座20、一流体排放模块30、一流体排除组件40、一预热结构60、及多个加热元件90、95。晶圆加工装置1的元件可依照需求进行增加或减少，并不仅以此实施例为限。另外，晶圆加工装置1除进行沉积一磊晶层亦可应用于其他半导体工艺，例如任何利用化学气体沉积半导体材料于半导体晶圆5的半导体工艺。

壳体10包括一上方部分12、一下方部分14及一侧方部分16。上方部分12、下方部分14及侧方部分16定义一腔体19于壳体10内。在部分实施例中，腔体19可接收一或多个直径为450mm或更大的半导体晶圆5。

在部分实施例中，上方部分12及下方部分14以具有相对高结构强度、在工艺中呈现化学稳定的材料所制成。在部分实施例中，上方部分12及下方部分14透明的，以允许来自灯(图未示)的光线(可见光或是红外线光)穿过。在部分实施例中，上方部分12及下方部分14以透明的石英所制成。

在部分实施例中，侧方部分16包括一上方夹持元件17以及一下方夹持元件18。上方夹持元件17以及下方夹持元件18通过适当的手段加以共同组合例如锁合，以固定流体排放模块30以及流体排除组件40。在部分实施例中，上方部分12固定于上方夹持元件17的一凸缘171。凸缘171与预热组件60相隔一充分的间距。

载座20包括一转轴22、多个支架24及一基台26。支架24的下端连结于转轴22，并且支架24的上端连结于基台26的底面。因此，基台26水平地固定于支架24的上端，半导体晶圆5受其支撑。在部分实施例中，载座20通过转轴22耦接至一可变速马达(图未示)，以绕一旋转轴C旋转。

流体排放模块30以及流体排除组件40沿一横向轴线T设置于载座20的两侧，以提供一沿基台26的上表面通过的气流。上述横向轴线T通过基台26的旋转轴C。在部分实施例中，流体排放模块30以及流体排除组件40设置于载座20的相对两侧。来自流体排放模块30的加工气体例如硅源气体(silicon source gas)流过基台26的上表面并通过流体排除组件40排出，如图1的箭头所示。

参照图2，其为根据本发明部分实施例的晶圆加工装置1的俯视图。在部分实施例中，流体排放模块30包括一或多个中介组件(例如：中介组件33、37)以及一或多个排放连结器组件，(例如：排放连结器组件35、39)。中介组件33包括一中介流道34流体连结于排放连结器组件35。中介组件37包括一中介流道38流体连结于排放连结器组件39。

在部分实施例中，流体排放模块30流体连结于第一气体供应模块70。来自第一气体供应模块70的加工气体经由流体排放模块30提供于半导体晶圆5。在部分实施例中，第一气体供应模块70包括一主要气体来源71、一辅助气体来源73及多个流体控制单元(例如：流体控制单元711、713、731、及733)。

排放连结器组件35经由流体控制单元711流体连结于主要气体来源71及辅助气体来源73。排放连结器组件39经由流体控制单元713流体连结于主要气体来源71及辅助气体来源73。流体控制单元711、713控制提供至流体排放模块30的加工气体的流速。在部分实施例中，流体控制单元711、713常态性关闭。在流体控制单元731、733开启前，来自辅助气体来源73的加工气体无法提供至排放连结器组件35、39。

在部分实施例中，流体排放模块30还包括一流体排放组件31。流体排放组件31连结于中介组件33、37。流体排放组件31具有一侧表面311，侧表面311相邻预热组件60排列。侧表面311可为一曲面，且以横向轴线T为中心沿半导体晶圆5的周向向两侧延伸并终结于两个端部312、313。两个端部312、313与横向轴线T的距离实质相等。侧表面311可为连续曲面或是多段曲面所组成。

流体排放组件31可包括一或多个排放流道，排放流道配置用以允许来自中介组件33、37的流体排放至半导体晶圆5。举例而言，流体排放组件31包括多个排放流道(例如：排放流道321及325)。

在部分实施例中，排放流道321及325各自流体连结中介流道34、38至形成于流体排放组件31的侧表面311上的开口。举例而言，排放流道321的一端流体连结中介组件33的中介流道34。并且，排放流道321的另一端流体连结于形成于侧表面311上的开口322。另外，排放流道325的一端流体连结中介组件37的中介流道38。并且，排放流道325的另一端流体连结于形成于侧表面311上的开口326。

应当理解的是，流体排放组件31的排放流道的数量并不仅限于图2所示的实施例。排放流道的数量可为单一，且一狭长的开口横向延伸于流体排放组件31的侧表面311上并连结上述排放流道。

通过流体排放组件31，加工气体可以通过半导体晶圆5的大部分面积，以沉积一硅薄膜于半导体晶圆5上。然而，来自流体排放组件31的加工气体在通过半导体晶圆5的中心时，加工气体倾向于在半导体晶圆5的中心进行汇聚。为此，沉积于半导体晶圆5的中心以及边缘上的硅薄膜将会产生变异。

在部分实施例中，如图2所示，为解决上述问题，一第二气体供应模块80为此而提供。第二气体供应模块80配置以提供工艺气体例如硅源气体至半导体晶圆5。来自第二气体供应模块80的工艺气体是沿一个不同于第一气体供应模块70供应工艺气体的方向而供应。举例而言，来自第一气体供应模块70的工艺气体是沿横向轴线T而提供，并且来自第二气体供应模块80的工艺气体是经由一喷嘴沿垂直横向轴线T的方向而提供。通过上述配置，工艺气体均匀提供至半导体晶圆5，具有均匀轮廓的硅薄膜即可形成于半导体晶圆5。

预热组件60吸收来自加热元件90、95的热能，并设置于载座20周向方向上的外侧。来自流体排放模块30的加工气体依序通过位于图面左侧的预热组件60、半导体晶圆5及位于图面右侧的预热组件60再经由流体排除组件40排除。

在部分实施例中，预热组件60包括一支撑件68以及多个凸肋结构(例如：凸肋结构61、62、63、64及65)。支撑件68可为封闭的环形并围绕于基台26。然而，应了解的是本发明的实施例仍可有多种形式以及变化。在其他实施例中，支撑件68为一拱形结构，其拱角接近360度，一缝隙位于拱形结构的两端部之间，以在支撑件68受热膨胀后，避免热应力累积而产生形变。

在部分实施例中，在基台26的周向方向上，支撑件68的内侧缘681以及基台26的外侧缘有一间隙形成于其间，以允许基台26进行旋转。支撑件68的上表面与基台26用于设置半导体晶圆的上表面可以实质齐平。或者，支撑件68的上表面略高于基台26的上表面。支撑件68可以利用不透明的材质(例如：硅碳化物、镀有硅碳化物的石墨、以及/或者相似物)所制成，并可涂覆碳化硅以避免加工气体侵蚀。

参照图2，多个凸肋结构61、62、63、64及65相邻侧表面311并设置于支撑件68的上表面。在部分实施例中，凸肋结构61、62、63、64及65以对称的方式排列于横向轴线T的两侧。在部分实施例中，两个相邻的凸肋结构61、62、63、64及65在垂直横向轴线T的方向上相隔相同间距。然而，应了解的是本发明的实施例仍可有多种形式以及变化。两个相邻的凸肋结构间的间距可以具有变化。举例而言，远离横向轴线T的两个相邻的凸肋结构63、64的间距小于靠近横向轴线T的两个相邻的凸肋结构61、62的间距，以充分提高远离横向轴线T的区域内的加工气体的温度，借此提升加工品质。

在部分实施例中，每一凸肋结构61、62、63、64及65在平行横向轴线T的方向上延伸相同长度，并且彼此平行设置。于是，靠近横向轴线T的凸肋结构61与支撑件68的内侧缘681的间距d1小于远离横向轴线T的凸肋结构63的间距d2。然而，应了解的是本发明的实施例仍可有多种形式以及变化。凸肋结构与支撑件68的内侧缘681的间距可以维持一致，或者依照工艺参数进行调整。

在部分实施例中，凸肋结构61、62、63、64及65与流体排放组件31的侧表面311上的开口交错设置。举例而言，凸肋结构61、62与开口322交错设置，且凸肋结构63、64与开口326交错设置。于是，流体排放组件31上的每一开口相对于两个相邻凸肋结构所定义的流道。举例而言，开口322直接面向于凸肋结构61、62所定义的流道P1。并且，开口326直接面向于凸肋结构63、64所定义的流道P2。在部分实施例中，流道P1、P2的内侧壁实质为U形，上方呈开放，并未为预热组件60的其他元件所遮蔽。

凸肋结构61、62、63、64及65可以利用不透明的材质(例如：硅碳化物、镀有硅碳化物的石墨以及/或者相似物)所制成，并可涂覆碳化硅以避免加工气体侵蚀。在部分实施例中，支撑件68与凸肋结构61、62、63、64及65以一体成形的方式工艺，但本发明实施例并不仅此为限。凸肋结构61、62、63、64及65可利用任何适当的手段，例如：卡合、锁固等方式固定于支撑件68之上。

应了解的是本发明的实施例仍可有多种形式以及变化。在另一实施例中，凸肋结构对齐开口设置，凸肋结构两侧的流道与开口交错设置。

举例而言，在图3所示的晶圆加工装置1a中，凸肋结构61与凸肋结构64分别对齐开口322与开口326。凸肋结构61两侧的流道P3、P4与开口322交错设置。并且，凸肋结构64两侧的流道P5、P6与开口326交错设置。在此实施例中，来自开口的加工气体，因凸肋结构的设置，在通过凸肋结构时将产生一扰流，进而在凸肋结构所定义的流道中均匀混合，借此达到充分加热加工气体的目的。

参照图4，在部分实施例中，预热组件60所定义的流道高度相等或大于形成于侧表面311上的开口的高度。举例而言，流道P1的高度H2(定义流道P1的凸肋结构61自支撑件68向上延伸的高度)大于形成于侧表面311上的开口326的高度H1。预热组件60的流道的高度可以维持定值或者具有变化。

举例而言，如图5所示，预热组件60c的流道P7的高度(凸肋结构61c自支撑件68向上延伸的高度)在朝向基台26的方向上自高度H3渐增至高度H4。高度H3大于开口326的高度H1，且高度H4大于高度H3。凸肋结构61c高度的变化可为线性或非线性。在部分实施例中，凸肋结构61c的上端面为一曲面。曲面的曲率可维持一致或具有变化。在部分实施例中，凸肋结构61c的最大高度H4小于用于支撑上方部分12的凸缘171的间距与支撑件68的间距H5，以避免凸肋结构与凸缘171或者上方部分12产生干涉。

在部分实施例中，预热组件60的凸肋结构在垂直横向轴向T(图1)的剖面宽度为定值。举例而言，如图6所示，预热组件60的凸肋结构61、62的剖面为矩形，在远离支撑件68的方向上具有恒定的宽度。然而，应了解的是本发明的实施例仍可有多种形式以及变化。

在部分实施例中，预热组件60的凸肋结构具有宽度变化，其中在远离支撑件68的部份的宽度大于靠近支撑件68的部份的宽度，以增加预热组件60暴露于加热元件的辐射热度的面积，进而提升预热组件60的热交换效率。

举例而言，如图7所示，预热组件60d的凸肋结构61d、62d在远离支撑件68的方向上具有渐增的宽度。凸肋结构61d、62d的上端面(远离支撑件68的表面)的宽度大于凸肋结构61d、62d的上端面的宽度(连结支撑件68的表面)。于是，凸肋结构61d、62d间的流道P8的宽度在远离支撑件68的方向上渐缩。通过上述特征，可增加凸肋结构61d、62d与加工气体的接触面积，以在加工气体到达半导体晶圆5之间充分进行加热。

或者，如图8所示，预热组件60e的凸肋结构61e、62e各自具有一第一段部611e、621e以及一第二段部612e、622e。第一段部611e、621e位于第二段部612e、622e之上，其中第一段部611e、621e的宽度大于第二段部612e、622e的宽度。凸肋结构61d、62d间的流道P9的宽度由第二段部612e、622e所定义。流道P9的宽度可为定值或在远离支撑件68的方向上逐渐增加。相邻凸肋结构61e、62e的第一段部612e、622e间可间隔一间隙。或者，相邻凸肋结构61e、62e的第一段部可以彼此相连。

图9显示本发明的部分实施例的加工晶圆的方法100的流程图。为了举例，该流程以图1、图2的示意图来说明。在不同的实施例中，部分阶段可以替换或是消去。可加入额外的特性至半导体装置结构中。在不同的实施例中，部分上述特性可以替换或是消去。

方法100起始于操作101，在操作101提供一上述任一实施例的晶圆加工装置，并放置于一半导体晶圆5于基台26之上。在半导体晶圆5放置并固定于基台26之后，基台26开始绕旋转轴C旋转。基台26可在约0rpm至约2000rpm的转速旋转。同时，基台26对半导体晶圆5加热。在一实施例中，设置于基台26上的半导体晶圆5受加热至一既定温度。上述既定温度不超过摄氏800度。

方法100接续于操作102，在操作102中加热预热组件60。在部分实施例中，预热组件60同时利用例如图1所示的加热元件90以及加热元件95进行加热，其中预热组件60的凸肋结构61-65是主要利用位于上方部分12之上的加热元件90进行加热，并且预热组件60的支撑件68是主要利用位于下方部分16的加热元件95进行加热。另外，凸肋结构61-65与支撑件68间亦通过热传导的方式相互传递热能。于是凸肋结构61-65与支撑件68具有实质相同的温度。在部分实施例中，预热组件60是受加热元件加热至一既定温度。上述既定温度不超过摄氏800度。

方法100接续于操作103，经由预热组件60上的流道(例如：流道P1、P2)供应一加工气体于半导体晶圆5之上。在部分实施例中，当加工气体通过预热组件60的流道P1、P2时，加工气体受预热组件60加热而升温至一期望温度，例如摄氏约300度至约800度。值得注意的是，在加工气体通过预热组件60时，由于加工气体与预热组件60的接触面积较传统预热组件(未设置凸肋结构的预热组件)的接触面积大，因此加工气体可以有效率的被加热至一期望温度，进而提升加工品质。

值得注意的是，在加工气体通过预热组件60时，加工气体在预热组件60的流道P1、P2内发生扰流(turbulence)，于是加工气体可更快速且均匀地加热至期望温度。

图10显示本发明的部分实施例的加工装置1f的剖面示意图。在图10所示的实施例中，与图1所示的实施例相同或相似的特征将施予相同的标号，且其特征将不再说明，以简化说明内容。加工装置1f与加工装置1的差异包括，预热组件60f的支撑件68相邻流体排放模块30的区域未设置凸肋结构，但预热组件60f的支撑件68相邻流体排除组件40的区域设置有多个凸肋结构61(图9仅显示一个凸肋结构61)。

在部分实施例中，相邻流体排除组件40的凸肋结构61可以相似于图2的凸肋结构61-65进行排列，且具有相似的结构形状。凸肋结构61-65面向流体排除组件40的排除流道41设置。流经半导体晶圆5的加工气体通过凸肋结构61间的流道后以及排除流道41后进入流体排除组件40。在此实施例中，通过在流体排除组件40一侧设置凸肋结构61-65，加工气体在接近流体排除组件40时流速增加，借此减少在腔体19内部产生污染粒子的可能性。另外，也能增加清洁气体(例如：氯化氢(hydrogen chloride,HCL)等)的温度，以提高对于附着于薄膜之污染以及/或者次生成物的蚀刻与去除能力。

图11显示本发明的部分实施例的加工装置1f的剖面示意图。在图11所示的实施例中，与图1所示的实施例相同或相似的特征将施予相同的标号，且其特征将不再说明，以简化说明内容。加工装置1g与加工装置1的差异包括，预热组件60g的支撑件68相邻流体排除组件40的区域亦设置有多个凸肋结构(图10仅显示一个凸肋结构61)。

在部分实施例中，相邻流体排除组件40的凸肋结构61可以相似于图2的凸肋结构61-65进行排列，且具有相似的结构形状。凸肋结构61-65面向流体排除组件40的排除流道41设置。流经半导体晶圆5的加工气体通过凸肋结构61间的流道后以及排除流道41后进入流体排除组件40。

在此实施例中，通过在流体排放模块30一侧设置凸肋结构61-65，加工气体在到达半导体晶圆5之前可提前加热至一期望温度，以提升加工品质。另外，通过在流体排除组件40一侧设置凸肋结构61-65，加工气体在接近流体排除组件40时流速增加，借此减少在腔体19内部产生污染粒子的可能性。

上述加工半导体晶圆的加工装置利用多个凸肋结构对施加于半导体晶圆的加工气体进行预先加热，使得半导体晶圆可以在理想的加工条件下进行加工。于是，形成于半导体晶圆上的薄膜的均匀度以及薄膜成长效率可以增加，进而提升半导体晶圆的产品良率。

根据本发明部分实施例，一种晶圆加工装置是被提供。上述晶圆加工装置包括一腔体。上述晶圆加工装置亦包括一设置于上述腔体的载座。载座包括一用以支撑一半导体晶圆的基台。上述晶圆加工装置还包括沿一横向轴线设置于该基台的两侧的一流体排放组件以及一流体排除组件。另外，上述加工装置包括一预热组件。上述预热组件位于上述支撑组件径向的外侧并且包括多个彼此间隔设置的凸肋结构。上述凸肋结构位于上述基台与上述流体排放组件或者上述流体排除组件至少其中一者之间。

在一实施例中，凸肋结构沿实质平行横向轴线的方向延伸，且在垂直横向轴线的方向上间隔设置。

在一实施例中，凸肋结构的最大高度大于流体排放组件的一开口的高度。

在一实施例中，凸肋结构在垂直横向轴线的剖面上，具有一第一段部以及一第二段部，第一段部位于第二段部之上，其中第一段部的宽度大于第二段部的宽度。

在一实施例中，预热组件还包括一支撑件，支撑件环绕基台且具有一内侧缘紧邻基台，凸肋结构形成于支撑件之上；其中，凸肋结构的第一凸肋结构较凸肋结构的第二凸肋结构靠近横向轴线，且第一凸肋结构与支撑件的内侧缘的间距小于第二凸肋结构与支撑件的内侧缘的间距。

根据本发明部分实施例，一种晶圆加工装置是被提供。上述晶圆加工装置包括一腔体。上述晶圆加工装置亦包括一设置于上述腔体的载座。基台包括一用以支撑一半导体晶圆的基台。上述晶圆加工装置还包括沿一横向轴线设置于基台的两侧的一流体排放组件以及一流体排除组件，使一加工气体自上述流体排放组件流向上述流体排除组件。另外，上述加工装置包括一预热组件。上述预热组件具有多个彼此间隔设置以供上述加工气体通过的流道。上述流道位于上述基台与上述流体排放组件或者上述流体排除组件至少其中一者之间。

在一实施例中，流道沿实质平行横向轴线的方向延伸，且在垂直横向轴线的方向上间隔设置。

在一实施例中，流道由两个相邻的凸肋结构所定义，且凸肋结构的最大高度大于流体排放组件上所对应的一开口高度。

在一实施例中，预热组件包括一支撑件，支撑件环绕基台且具有一内侧缘紧邻基台，等流道形成于支撑件之上；流道的第一流道较所述流道的第二流道靠近横向轴线，且第一流道靠近基台的一端与支撑件的内侧缘的间距小于第二流道靠近基台的一端与支撑件的内侧缘的间距。

根据本发明部分实施例，一种加工半导体晶圆的方法是被提供。上述方法包括提供一晶圆加工装置。上述晶圆加工装置包括一腔体以及一设置于上述腔体内并用于支撑半导体晶圆的基台。上述方法亦包括加热一位于上述基台径向外侧的预热组件。上述预热组件包括多个由相邻二个凸肋结构所定义的流道。上述方法还包括经由上述流道对半导体晶圆提供一加工气体。

以上概略说明了本发明多个实施例的特征，使本领域技术人员对于后续本发明实施例的详细说明可更为容易理解。本领域技术人员应了解到本说明书可轻易作为其它结构或工艺的变更或设计基础，以进行相同于本发明实施例的目的及/或获得相同的优点。本领域技术人员也可理解与上述等同的结构或工艺并未脱离本发明实施例的精神和保护范围内，且可在不脱离本发明实施例的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。

Claims (10)

1.一种晶圆加工装置，包括：

一腔体；

一基台，位于该腔体中并用以支撑一半导体晶圆；

一流体排放组件以及一流体排除组件沿一横向轴线设置于该基台的两侧；以及

一预热组件，位于该支撑组件径向的外侧，且包括多个彼此间隔设置的凸肋结构，其中所述凸肋结构位于该流体排放组件和该流体排除组件至少其中一者与该基台之间。

2.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其中所述凸肋结构沿实质平行该横向轴线的方向延伸，且在垂直该横向轴线的方向上间隔设置。

3.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其中所述凸肋结构的最大高度大于该流体排放组件的一开口的高度。

4.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其中所述凸肋结构在垂直该横向轴线的剖面上，具有一第一段部以及一第二段部，该第一段部位于该第二段部之上，其中该第一段部的宽度大于该第二段部的宽度。

5.如权利要求1所述的晶圆加工装置，其中该预热组件还包括一支撑件，该支撑件环绕该基台且具有一内侧缘紧邻该基台，所述凸肋结构形成于该支撑件之上；

其中，所述凸肋结构的第一凸肋结构较所述凸肋结构的第二凸肋结构靠近该横向轴线，且该第一凸肋结构与该支撑件的内侧缘的间距小于该第二凸肋结构与该支撑件的内侧缘的间距。

6.一种晶圆加工装置，包括：

一腔体；

一基台，位于该腔体中并用以支撑一半导体晶圆；

一流体排放组件以及一流体排除组件沿一横向轴线设置于该基台的两侧，其中一加工气体自该流体排放组件流向该流体排除组件；以及

一预热组件，具有多个彼此间隔设置以供该加工气体通过的流道，其中所述流道位于该流体排放组件和该流体排除组件至少其中一者与该基台之间。

7.如权利要求6所述的晶圆加工装置，其中所述流道沿实质平行该横向轴线的方向延伸，且在垂直该横向轴线的方向上间隔设置。

8.如权利要求6所述的晶圆加工装置，其中所述流道由两个相邻的凸肋结构所定义，且所述凸肋结构的最大高度大于该流体排放组件上所对应的一开口高度。

9.如权利要求6所述的晶圆加工装置，其中该预热组件包括一支撑件，该支撑件环绕该基台且具有一内侧缘紧邻该基台，该等流道形成于该支撑件之上；

其中，所述流道的第一流道较所述流道的第二流道靠近该横向轴线，且该第一流道靠近该基台的一端与该支撑件的内侧缘的间距小于该第二流道靠近该基台的一端与该支撑件的内侧缘的间距。

10.一种加工半导体晶圆的方法，包括：

提供一晶圆加工装置，该晶圆加工装置包括一腔体以及一基台设置于该腔体中，该基台用于支撑该半导体晶圆；

加热位于该基台径向外侧的一预热组件，其中该预热组件包括多个由相邻两个凸肋结构所定义的流道；以及

经由所述流道对该半导体晶圆提供一加工气体。