CN108649909A - 一种谐波抑制架构固态功率放大器 - Google Patents
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- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
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Abstract
本发明公开了一种谐波抑制架构固态功率放大器，其包括两路功分器，两路功分器上连接有输入端口、上通路和下通路，下通路上依次连接有倍频器、反相器和调幅器，上通路和调幅器均与两路合成器连接，两路合成器与第二固态功率放大器连接，第二固态功率放大器与输出端口连接。本发明设计合理，并且提出了一种新型的谐波抑制架构，该架构在放大器输入端口只需要输入需放大信号，在内部进行倍频、反相产生需放大信号的二次反相谐波信号，然后通过放大器、调幅器、合成器最终实现谐波抑制，进一步实现固态功率放大器高谐波抑制需求。
Description
技术领域
本发明涉及通信技术领域，具体涉及一种谐波抑制架构固态功率放大器。
背景技术
谐波产生的根本原因是由于非线性负载所致。当电流流经负载时，与所加的电压不呈线性关系，就形成非正弦电流，从而产生谐波。谐波污染对电力系统的危害是严重的，采取响应措施加以抑制减少其危害，这就是谐波抑制。目前国内外所研究的谐波抑制架构主要集中在行波管放大器，需要在放大器输入端口输入需放大信号及与需放大信号反相的二次谐波信号，在实际应用中该方法不具有较强的实用性，且在固态功率放大器中暂无相关应用。
发明内容
针对现有技术的上述不足，本发明提供了一种具有新型谐波抑制架构的固态功率放大器。
为达到上述发明目的，本发明所采用的技术方案为：
提供一种谐波抑制架构固态功率放大器，其包括两路功分器和两路合成器，两路功分器上连接有输入端口、上通路和下通路，下通路上依次连接有倍频器、反相器和调幅器，上通路与调幅器均与两路合成器连接，两路合成器与第二固态功率放大器连接，第二固态功率放大器与输出端口连接。
进一步地，调幅器与两路合成器之间还设置有调相器。
进一步地，调幅器与两路合成器之间还设置有第一固态功率放大器。
进一步地，第一固态功率放大器与两路合成器之间设置有调相器。
进一步地，调幅器与两路合成器之间还设置有第一固态功率放大器，第二固态功率放大器设置于上通路上，两路合成器与输出端口连接。
进一步地，第一固态功率放大器与两路合成器之间设置有调相器。
本发明的有益效果为：本方案提供了一种新型的谐波抑制架构固态功率放大器，输入端口输入需放大的输入信号，输入信号经过两路功分器后分为上通路和下通路输出，上通路为主路信号，下通路为辅路信号。辅路信号经过倍频器倍频及反相器反相后即可获得与主路信号方向相反的倍频信号，其作用主要是用来抵消主路信号放大后的二次谐波；调幅器用来调整辅路信号的幅度大小。两路信号通过两路合成器合成后，经过第二固态功率放大器放大，第二固态功率放大器本身的二次谐波与辅路信号经放大后的信号相抵消，实现固态功率放大器的谐波抑制。
下通路上的调相器主要是用来对齐辅路信号与主路信号的相位，减小整个链路的调试难度。调幅器与两路合成器之间设置有第一固态功率放大器，增加了功率幅度的可调范围，并且可以灵活匹配整个链路的增益情况。在第一固态功率放大器与两路合成器之间设置的调相器，其作用是不仅可以对辅路信号进行幅度大范围调整，还可以对相位进行大范围调整。第二固态功率放大器设置于上通路上，可以加强谐波抑制的抵消能力。
本发明是一种具有新型谐波抑制架构的固态功率放大器，在放大器输入端口只需要输入需放大的输入信号，在内部进行倍频、反相产生需放大信号的二次反相谐波信号，然后通过放大器、调幅器、合成器最终实现谐波抑制，能够有效进行固态功率放大器谐波抑制。
附图说明
图1为谐波抑制架构固态功率放大器的原理框图。
具体实施方式
下面对本发明的具体实施方式进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本发明，但应该清楚，本发明不限于具体实施方式的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化在所附的权利要求限定和确定的本发明的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本发明构思的发明创造均在保护之列。
如图1所示，谐波抑制架构固态功率放大器包括两路功分器和两路合成器，两路功分器连接有输入端口、上通路和下通路，下通路上依次连接有倍频器、反相器、调幅器、第一固态功率放大器和调相器，调相器和上通路均与两路合成器连接，两路合成器与第二固态功率放大器连接，第二固态功率放大器与输出端口连接。
本方案在实施时，输入端口输入需放大的输入信号，输入信号经过两路功分器后分为两路信号，上通路为主路信号，下通路为辅路信号。辅路信号经过倍频器倍频及反相器反相后即可获得与主路信号方向相反的倍频信号，其作用主要是用来抵消主路信号放大后的二次谐波。调幅器用来调整辅路信号的信号大小，调相器主要是用来对齐辅路信号与主路信号的相位，调相器不仅可以对辅路信号的幅度进行大范围调整，还可以对相位进行大范围调整。
第一固态放大器增大了整个下通路的功率幅度可调范围，可以灵活匹配整个链路的增益情况。两路信号通过两路合成器合成后经过第二固态功率放大器放大，第二固态功率放大器本身的二次谐波与辅路信号经放大后的信号相抵消，实现固态功率放大器的谐波抑制。
假设输入信号为一余弦信号：
f＝V*cos(w0t)
经过两路功分器后，每路输出信号为：
辅路信号经过倍频、反相后信号为：
辅路信号再经过调幅、调相后信号为(假定调整幅度为A，相位为φ1)：
经过合路器合成后信号为：
由于固态功率放大器具有非线性特性，用泰勒级数拟合固态功率放大器特性，取二阶泰勒级数展开为：
y＝a0+a1x+a2x2+a3x3
代入值后进行归纳可得：
从以上公式中可以看出二次谐波项为：
可以通过调整调幅器及调相器来调整幅度A及相位φ1，使得二次谐波项为0，来抑制固态功率放大器二次谐波。
本方案优选将第二固态功率放大器设置于上通路上，两路合成器与输出端口连接，这种设计的好处在于使谐波抑制的抵消能力更强。
本发明设计合理，并且提出了一种新型的谐波抑制架构，该架构在放大器输入端口只需要输入需放大信号，在内部进行倍频、反相产生需放大信号的二次反相谐波信号，然后通过功率放大器、调幅器、合成器最终实现谐波抑制，进一步实现固态功率放大器高谐波抑制需求。
Claims (6)
1.一种谐波抑制架构固态功率放大器，其特征在于，包括两路功分器和两路合成器，所述两路功分器上连接有输入端口、上通路和下通路，所述下通路上依次连接有倍频器、反相器和调幅器，所述上通路和调幅器均与两路合成器连接，所述两路合成器与第二固态功率放大器连接，所述第二固态功率放大器与输出端口连接。
2.根据权利要求1所述的谐波抑制架构固态功率放大器，其特征在于，所述调幅器与两路合成器之间还设置有调相器。
3.根据权利要求1所述的谐波抑制架构固态功率放大器，其特征在于，所述调幅器与两路合成器之间还设置有第一固态功率放大器。
4.根据权利要求3所述的谐波抑制架构固态功率放大器，其特征在于，所述第一固态功率放大器与两路合成器之间设置有调相器。
5.根据权利要求1所述的谐波抑制架构固态功率放大器，其特征在于，所述调幅器与两路合成器之间还设置有第一固态功率放大器，所述第二固态功率放大器设置于上通路上，所述两路合成器与输出端口连接。
6.根据权利要求5所述的谐波抑制架构固态功率放大器，其特征在于，所述第一固态功率放大器与两路合成器之间设置有调相器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810499930.4A CN108649909A (zh) | 2018-05-23 | 2018-05-23 | 一种谐波抑制架构固态功率放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810499930.4A CN108649909A (zh) | 2018-05-23 | 2018-05-23 | 一种谐波抑制架构固态功率放大器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108649909A true CN108649909A (zh) | 2018-10-12 |
Family
ID=63757679
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810499930.4A Pending CN108649909A (zh) | 2018-05-23 | 2018-05-23 | 一种谐波抑制架构固态功率放大器 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110212930A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-09-06 | 维沃移动通信有限公司 | 射频电路及终端 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5838195A (en) * | 1996-08-06 | 1998-11-17 | Northrop Grumman Corporation | Reduction of second order harmonic distortion in high power TWT amplifiers |
| KR20060095757A (ko) * | 2006-04-17 | 2006-09-01 | 톰슨 라이센싱 | 무선 전송기에서 사용하기 위한 전치왜곡기 |
| US20090201089A1 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | High frequency power amplifier |
| JP2010154458A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 電力増幅器 |
| CN106788498A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种基于dds多载波技术的aotf谐波抑制驱动器 |
| CN208285282U (zh) * | 2018-05-23 | 2018-12-25 | 成都四威功率电子科技有限公司 | 一种谐波抑制架构固态功率放大器 |
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2018
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5838195A (en) * | 1996-08-06 | 1998-11-17 | Northrop Grumman Corporation | Reduction of second order harmonic distortion in high power TWT amplifiers |
| KR20060095757A (ko) * | 2006-04-17 | 2006-09-01 | 톰슨 라이센싱 | 무선 전송기에서 사용하기 위한 전치왜곡기 |
| US20090201089A1 (en) * | 2008-02-12 | 2009-08-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | High frequency power amplifier |
| JP2010154458A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 電力増幅器 |
| CN106788498A (zh) * | 2016-11-24 | 2017-05-31 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种基于dds多载波技术的aotf谐波抑制驱动器 |
| CN208285282U (zh) * | 2018-05-23 | 2018-12-25 | 成都四威功率电子科技有限公司 | 一种谐波抑制架构固态功率放大器 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110212930A (zh) * | 2019-05-29 | 2019-09-06 | 维沃移动通信有限公司 | 射频电路及终端 |
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