CN108649113A - 一种提高led良品率的新型应用工艺 - Google Patents
一种提高led良品率的新型应用工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108649113A CN108649113A CN201810411912.6A CN201810411912A CN108649113A CN 108649113 A CN108649113 A CN 108649113A CN 201810411912 A CN201810411912 A CN 201810411912A CN 108649113 A CN108649113 A CN 108649113A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led
- powder
- new application
- silica gel
- glue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000012296 anti-solvent Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 20
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 20
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 abstract description 20
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 238000009877 rendering Methods 0.000 abstract description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 244000283207 Indigofera tinctoria Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种提高LED良品率的新型应用工艺,包括如下步骤:S1:配胶,S2:添加抗沉淀粉末,S3:脱泡,S4:点胶,S5:静置,S6:烘烤,S7:冷却,S8:分光,S9:编带,本发明通过在混合硅胶和荧光粉的过程中加入抗沉淀的二氧化硅粉末,有效防止了荧光粉在硅胶中的沉淀,让更多的荧光粉能充分悬浮在硅胶中,使得荧光粉在硅胶中能充分被芯片发出的蓝光激发出更多白光。通过此种工艺生产出的LED的色温,光通量,显色指数等参数更加稳定,在LED分光过程中的集中度更高,继而提高了LED生产过程中的良品率,降低了企业的生产成本,此外,通过此种工艺生产出来的LED还具有更高的可靠性和使用寿命。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装技术领域,尤其涉及一种提高LED良品率的新型应用工艺。
背景技术
白光发光二极管(LED)因其节能、环保、寿命长等优点作为新一代光源而被广泛应用于照明、显示器和车灯等领域。目前,商业用白光LED光源封装,主要采用在蓝光LED芯片上覆盖荧光粉。这种蓝光芯片发射带较窄,通过复合LED基板产生的短波长蓝光和荧光粉发射的长波长黄光,从而得到宽带白光发射。封装工艺为硅胶混合荧光粉粘接在蓝光芯片上。然而,在混合完硅胶和荧光粉后的点胶过程中,硅胶中的荧光粉会随着时间的延长慢慢地发生沉淀,使得大量悬浮在硅胶中的荧光粉慢慢沉降到蓝光芯片附近,使得芯片发出的蓝光不能充分有效地激发荧光粉,继而会导致生产出的白光LED色温,光通量,显色指数等参数会有较大的偏差,继而影响LED生产过程中的成品率,并极大地影响LED光源的可靠性和使用寿命。
有鉴于此,特提出本发明。
发明内容
本发明的目的是提供一种提高LED良品率的新型应用工艺,通过在混合硅胶和荧光粉的过程中加入抗沉淀的二氧化硅粉末,有效防止了荧光粉在硅胶中的沉淀,让更多的荧光粉能充分悬浮在硅胶中,使得荧光粉在硅胶中能充分被芯片发出的蓝光激发出更多白光。通过此种工艺生产出的LED的色温,光通量,显色指数等参数更加稳定,在LED分光过程中的集中度更高,继而提高了LED生产过程中的良品率,降低了企业的生产成本。此外,通过此种工艺生产出来的LED还具有更高的可靠性和使用寿命。
为了实现上述目的,本发明提供的一种提高LED良品率的新型应用工艺,其特征在于,包括如下步骤:
S1:配胶,将AB胶和荧光粉混合制备出粘稠状的荧光胶体;
S2:添加抗沉淀粉末,向S1制备的荧光胶体中加入抗沉淀二氧化硅粉末,并充分搅拌均匀,所述抗沉淀二氧化硅粉末占AB胶的比例为0.6%-1%;
S3:脱泡,将S2加入抗沉淀粉末的胶体放入脱泡机中进行脱泡;
S4:点胶,将S3脱泡后的胶体放入点胶机中进行点胶;
S5:静置,将S4点好胶的LED静置10-20min;
S6:烘烤,将S5静置后的LED放入烤箱中进行烘烤;
S7:冷却,从烤箱中取出S6烘烤后的LED,冷却2h;
S8:分光,将S7冷却后的LED样品放入分光机中,筛选出需要的色温段的产品;
S9:编带,取出S8分光后的产品放入编带机中进行编带,对其进行包装处理制成产品。
优选地,所述步骤S6烘烤过程中,烘烤温度和烘烤时间依次为80℃1h,120℃1h,150℃3h。
优选地,本工艺适用于制作3014贴片式LED或者4014贴片式LED。
优选地,采用本工艺制作的贴片式LED的色温范围为5850k-6800k。
优选地,本工艺适用于波段为452.5-455nm或者455-457.5nm的芯片。
优选地,本工艺适用于LOP为80-83的芯片。
本发明提供的一种提高LED良品率的新型应用工艺,具有如下有益效果。
1.本发明通过在混合硅胶和荧光粉的过程中加入抗沉淀的二氧化硅粉末,有效防止了荧光粉在硅胶中的沉淀,让更多的荧光粉能充分悬浮在硅胶中,使得荧光粉在硅胶中能充分被芯片发出的蓝光激发出更多白光。
2.本发明生产出的LED的色温,光通量,显色指数等参数更加稳定,在LED分光过程中的集中度更高,继而提高了LED生产过程中的良品率,降低了企业的生产成本。此外,通过此种工艺生产出来的LED还具有更高的可靠性和使用寿命。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明做进一步说明,以助于理解本发明的内容。
实施例一
一种提高LED良品率的新型应用工艺,包括如下步骤:
S1:配胶,将AB胶和荧光粉混合制备出粘稠状的荧光胶体;
S2:添加抗沉淀粉末,向S1制备的荧光胶体中加入抗沉淀二氧化硅粉末,并充分搅拌均匀,所述抗沉淀二氧化硅粉末占AB胶的比例为0.6%;
S3:脱泡,将S2加入抗沉淀粉末的胶体放入脱泡机中进行脱泡;
S4:点胶,将S3脱泡后的胶体放入点胶机中进行点胶;
S5:静置,将S4点好胶的LED静置10min;
S6:烘烤,将S5静置后的LED放入烤箱中进行烘烤;
S7:冷却,从烤箱中取出S6烘烤后的LED,冷却2h;
S8:分光,将S7冷却后的LED样品放入分光机中,筛选出需要的色温段的产品;
S9:编带,取出S8分光后的产品放入编带机中进行编带,对其进行包装处理制成产品。
上述步骤S6烘烤过程中,烘烤温度和烘烤时间依次为80℃1h,120℃1h,150℃3h。
实施例二
一种提高LED良品率的新型应用工艺,包括如下步骤:
S1:配胶,将AB胶和荧光粉混合制备出粘稠状的荧光胶体;
S2:添加抗沉淀粉末,向S1制备的荧光胶体中加入抗沉淀二氧化硅粉末,并充分搅拌均匀,所述抗沉淀二氧化硅粉末占AB胶的比例为0.8%;
S3:脱泡,将S2加入抗沉淀粉末的胶体放入脱泡机中进行脱泡;
S4:点胶,将S3脱泡后的胶体放入点胶机中进行点胶;
S5:静置,将S4点好胶的LED静置15min;
S6:烘烤,将S5静置后的LED放入烤箱中进行烘烤;
S7:冷却,从烤箱中取出S6烘烤后的LED,冷却2h;
S8:分光,将S7冷却后的LED样品放入分光机中,筛选出需要的色温段的产品;
S9:编带,取出S8分光后的产品放入编带机中进行编带,对其进行包装处理制成产品。
上述步骤S6烘烤过程中,烘烤温度和烘烤时间依次为80℃1h,120℃1h,150℃3h。
实施例三
一种提高LED良品率的新型应用工艺,包括如下步骤:
S1:配胶,将AB胶和荧光粉混合制备出粘稠状的荧光胶体;
S2:添加抗沉淀粉末,向S1制备的荧光胶体中加入抗沉淀二氧化硅粉末,并充分搅拌均匀,所述抗沉淀二氧化硅粉末占AB胶的比例为1%;
S3:脱泡,将S2加入抗沉淀粉末的胶体放入脱泡机中进行脱泡;
S4:点胶,将S3脱泡后的胶体放入点胶机中进行点胶;
S5:静置,将S4点好胶的LED静置20min;
S6:烘烤,将S5静置后的LED放入烤箱中进行烘烤;
S7:冷却,从烤箱中取出S6烘烤后的LED,冷却2h;
S8:分光,将S7冷却后的LED样品放入分光机中,筛选出需要的色温段的产品;
S9:编带,取出S8分光后的产品放入编带机中进行编带,对其进行包装处理制成产品。
上述步骤S6烘烤过程中,烘烤温度和烘烤时间依次为80℃1h,120℃1h,150℃3h。
上述三组实施例通过在混合硅胶和荧光粉的过程中加入抗沉淀的二氧化硅粉末,有效防止了荧光粉在硅胶中的沉淀,让更多的荧光粉能充分悬浮在硅胶中,使得荧光粉在硅胶中能充分被芯片发出的蓝光激发出更多白光。通过此种工艺生产出的LED的色温,光通量,显色指数等参数更加稳定,在LED分光过程中的集中度更高,继而提高了LED生产过程中的良品率,降低了企业的生产成本。此外,通过此种工艺生产出来的LED还具有更高的可靠性和使用寿命。
本文中应用了具体个例对发明构思进行了详细阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的核心思想。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离该发明构思的前提下,所做的任何显而易见的修改、等同替换或其他改进,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种提高LED良品率的新型应用工艺,其特征在于,包括如下步骤:
S1:配胶,将AB胶和荧光粉混合制备出粘稠状的荧光胶体;
S2:添加抗沉淀粉末,向S1制备的荧光胶体中加入抗沉淀二氧化硅粉末,并充分搅拌均匀,所述抗沉淀二氧化硅粉末占AB胶的比例为0.6%-1%;
S3:脱泡,将S2加入抗沉淀粉末的胶体放入脱泡机中进行脱泡;
S4:点胶,将S3脱泡后的胶体放入点胶机中进行点胶;
S5:静置,将S4点好胶的LED静置10-20min;
S6:烘烤,将S5静置后的LED放入烤箱中进行烘烤;
S7:冷却,从烤箱中取出S6烘烤后的LED,冷却2h;
S8:分光,将S7冷却后的LED样品放入分光机中,筛选出需要的色温段的产品;
S9:编带,取出S8分光后的产品放入编带机中进行编带,对其进行包装处理制成产品。
2.根据权利要求1所述的一种提高LED良品率的新型应用工艺,其特征在于,所述步骤S6烘烤过程中,烘烤温度和烘烤时间依次为80℃1h,120℃1h,150℃3h。
3.根据权利要求1所述的一种提高LED良品率的新型应用工艺,其特征在于,本工艺适用于制作3014贴片式LED或者4014贴片式LED。
4.根据权利要求1所述的一种提高LED良品率的新型应用工艺,其特征在于,采用本工艺制作的贴片式LED的色温范围为5850k-6800k。
5.根据权利要求1所述的一种提高LED良品率的新型应用工艺,其特征在于,本工艺适用于波段为452.5-455nm或者455-457.5nm的芯片。
6.根据权利要求1所述的一种提高LED良品率的新型应用工艺,其特征在于,本工艺适用于LOP为80-83的芯片。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810411912.6A CN108649113A (zh) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | 一种提高led良品率的新型应用工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810411912.6A CN108649113A (zh) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | 一种提高led良品率的新型应用工艺 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108649113A true CN108649113A (zh) | 2018-10-12 |
Family
ID=63749145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810411912.6A Pending CN108649113A (zh) | 2018-04-28 | 2018-04-28 | 一种提高led良品率的新型应用工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108649113A (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109888084A (zh) * | 2019-02-27 | 2019-06-14 | 福建天电光电有限公司 | 一种荧光胶及应用其增加led半导体光均匀化工艺 |
CN110387149A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-10-29 | 扬州韵和光能材料有限公司 | 一种led灯丝灯专用静电涂白粉及其制备方法 |
CN110931472A (zh) * | 2019-10-23 | 2020-03-27 | 广州硅能照明有限公司 | 一种光转换材料快速沉降的cob封装方法及cob器件 |
CN112310265A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-02 | 杭州数通光电有限公司 | 用于植物照明的光源及其制作方法 |
CN112410033A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-02-26 | 青岛中科芯成照明技术有限公司 | 一种荧光材料、荧光薄膜材料及高散热荧光薄膜 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102395555A (zh) * | 2009-04-17 | 2012-03-28 | 日本化药株式会社 | 烯烃树脂、环氧树脂、可固化树脂组合物及其固化物 |
CN103131190A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-06-05 | 广州市爱易迪新材料科技有限公司 | 一种led封装用的双组份自成型透镜硅胶及其封装工艺 |
CN104164209A (zh) * | 2014-08-12 | 2014-11-26 | 广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院) | 一种透明可加成固化的led灯丝封装硅胶 |
-
2018
- 2018-04-28 CN CN201810411912.6A patent/CN108649113A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102395555A (zh) * | 2009-04-17 | 2012-03-28 | 日本化药株式会社 | 烯烃树脂、环氧树脂、可固化树脂组合物及其固化物 |
CN103131190A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-06-05 | 广州市爱易迪新材料科技有限公司 | 一种led封装用的双组份自成型透镜硅胶及其封装工艺 |
CN104164209A (zh) * | 2014-08-12 | 2014-11-26 | 广东省工业技术研究院(广州有色金属研究院) | 一种透明可加成固化的led灯丝封装硅胶 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109888084A (zh) * | 2019-02-27 | 2019-06-14 | 福建天电光电有限公司 | 一种荧光胶及应用其增加led半导体光均匀化工艺 |
CN110387149A (zh) * | 2019-07-30 | 2019-10-29 | 扬州韵和光能材料有限公司 | 一种led灯丝灯专用静电涂白粉及其制备方法 |
CN110931472A (zh) * | 2019-10-23 | 2020-03-27 | 广州硅能照明有限公司 | 一种光转换材料快速沉降的cob封装方法及cob器件 |
CN110931472B (zh) * | 2019-10-23 | 2022-05-20 | 硅能光电半导体(广州)有限公司 | 一种光转换材料快速沉降的cob封装方法及cob器件 |
CN112410033A (zh) * | 2020-10-20 | 2021-02-26 | 青岛中科芯成照明技术有限公司 | 一种荧光材料、荧光薄膜材料及高散热荧光薄膜 |
CN112410033B (zh) * | 2020-10-20 | 2023-06-30 | 青岛中科芯成照明技术有限公司 | 一种荧光材料、荧光薄膜材料及高散热荧光薄膜 |
CN112310265A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-02-02 | 杭州数通光电有限公司 | 用于植物照明的光源及其制作方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108649113A (zh) | 一种提高led良品率的新型应用工艺 | |
JP6740762B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
CN103066188B (zh) | 一种蓝光激发碳点发光的白光led及其制备方法 | |
TWI509844B (zh) | Applied to the backlight of the LED light-emitting structure | |
CN104536078A (zh) | 一种二向色滤光片增强荧光导光板及其制备方法 | |
JP2010147306A (ja) | 発光装置、この発光装置を用いた照明器具及び表示器具 | |
CN102800794A (zh) | 一种光学波长转换器件以及在白光发光器件的应用 | |
CN108321284A (zh) | 一种直下式量子点白光led背光模组及其制备方法 | |
CN110047986A (zh) | 一种led显示的封装结构 | |
CN101442087B (zh) | 一种小功率型低光衰白光led | |
CN102376857A (zh) | 一种特定波长led出光方式的封装方法 | |
CN109742220A (zh) | 含液态量子点的白光led及其制备方法 | |
CN1710724A (zh) | 白光发光二极管的制造方法 | |
CN109713112A (zh) | 白光led芯片、灯珠及白光led芯片、灯珠制备方法 | |
CN109103174A (zh) | 一种接近太阳光全光谱led光源封装 | |
CN106653980B (zh) | 一种制备高显指白光led封装器件的方法 | |
CN1862844A (zh) | 一种暖白光led制作方法及用该方法制成的光源 | |
CN207097855U (zh) | 一种量子点led封装结构 | |
CN203733842U (zh) | 一种能提高出光率的led | |
CN106367062B (zh) | 白光led用全光谱荧光粉及其制备方法和白光led发光装置 | |
CN209675325U (zh) | 一种led显示的封装结构 | |
CN104503130B (zh) | 一种彩膜基板、显示面板及显示装置 | |
CN107632455A (zh) | 基于双芯片双电路连接led灯珠的侧入式背光源 | |
CN201434248Y (zh) | 一种具有不同白光激发方式的led日光灯 | |
CN206907768U (zh) | 一种led灯结构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181012 |