CN108572924A - 一种3d mlc闪存设备的请求处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种3D MLC闪存设备的请求处理方法，包括：以读请求优先的方式执行读请求；待晶圆空闲时再执行写请求；并保证在执行读/写请求时所属晶圆的工作模式与所属块的工作模式一致；待晶圆空闲时再执行垃圾回收请求，并在设备当前容量不充足时，选择SLC模式的块中有效页最少的块为待回收块，在设备当前队列拥塞时，选择SLC模式的空闲块为目标块，以及在设备当前容量不充足时，将已擦除的待回收块的工作模式设置为MLC模式；若所有晶圆的总擦除次数增加一定数量，则循环地设置下一晶圆的工作模式为SLC模式。本发明能够充分利用3D MLC闪存芯片的新特性，减少垃圾回收的时延，并提升闪存设备的使用寿命。
Description
技术领域
本发明属于SSD(Solid State Disk，固态硬盘，简称固态盘)存储控制领域，更具体地，涉及一种3D MLC闪存设备的请求处理方法。
背景技术
闪存由于其性能、能耗等优势，广泛应用于个人电脑、服务器以及数据中心等场景。然而NAND闪存在制程20nm以内时达到了物理极限，许多闪存厂商将发展重心转移到3D闪存上。3D闪存相对于2D闪存密度更高、价格更低。3D闪存芯片也提供了更多的高级命令支持。首先，3D闪存芯片可中断芯片上正在执行的写操作或擦除操作，在执行完其它操作后，恢复先前的写操作或擦除操作。其次，3D MLC闪存支持通过高级命令动态调整晶圆内闪存块的工作模式，即将闪存块设置为SLC模式或者MLC模式。SLC模式和MLC模式的区别在于，SLC模式每个存储单元仅存储1位而MLC模式存储2位。和MLC模式相比，SLC模式由于存储单元存储密度低，SLC模式下闪存块内页数目减少一半，闪存读写操作的时延减少。与此同时，SLC模式下闪存块可靠性和寿命比MLC模式更好。最后，为了保证3D闪存的可靠性，每个晶圆额外提供一些备用块。当部分块过早成为坏块时，备用块则替换坏块。
3D闪存也带来了新的问题。首先，3D闪存的块容量更大，在垃圾回收和磨损均衡时迁移的有效页的数目更多、时延更长。3D闪存的块容量增加的同时，块擦除的时间也随之增加。过长的擦除时间导致其他请求的响应时间也随之增长，降低系统的整体性能。其次，3D闪存中页容量增加，数据传输的时延随之增加，请求队列排队时延增加，请求间冲突的可能性增加，导致固态盘系统资源利用率降低，性能下降。最后，随着固态盘擦写次数的增加，部分块由于磨损严重，数据出错率增长，而被视为坏块而不再使用，导致固态盘容量损失。在3D闪存的块容量、页容量大幅度增加的情况下，磨损坏块导致损失的容量更多。
发明内容
针对现有技术的缺陷和改进需求，本发明提供了一种3D MLC闪存设备的请求处理方法，其目的在于充分利用3D MLC闪存芯片可通过高级命令中断写/擦除操作以及动态调整晶圆内闪存块的工作模式的特性，减少垃圾回收的时延，以缓解3D MLC应用于固态盘系统中过长的垃圾回收时延所带来的性能下降问题，同时减少闪存设备的擦除次数，从而延长固态盘的寿命。
为实现上述目的，本发明提供了一种一种3D MLC闪存设备的请求处理方法，包括如下步骤：
(1)判断所到达的请求的类型，若为读请求，则转入步骤(2)；若为写请求，则转入步骤(3)；若为垃圾回收请求，则转入步骤(4)；
(2)以读请求优先的方式执行读请求，并转入步骤(6)；
(3)执行写请求，并转入步骤(6)；
(4)执行垃圾回收请求，并转入步骤(5)；
(5)若芯片内所有晶圆的总擦除次数E满足：E％M＝0，则将第(i+1)％N+1个晶圆的工作模式设定为为SLC模式，并将第i个晶圆的工作模式设定为MLC模式，并转入步骤(6)；否则，直接转入步骤(6)；其中，M为预设的阈值，i为当前工作模式为SLC模式的晶圆编号，N为闪存芯片内的晶圆数目；
(6)请求处理结束。
进一步地，步骤(2)中，以读请求优先的方式执行读请求，包括如下步骤：
(21)若读请求所属晶圆空闲，则直接转入步骤(22)；若读请求所属晶圆当前被其他读请求所占用，则等待晶圆空闲，并在晶圆空闲时转入步骤(22)；若读请求所属晶圆当前被写操作或擦除操作占用，则中断晶圆中正在执行的写操作或擦除操作，并转入步骤(22)；
(22)判断读请求所属块的工作模式与所属晶圆的工作模式是否一致，若是，则执行读请求，并转入步骤(24)；若否，则设置读请求所属晶圆的工作模式与所属块的工作模式一致，然后执行读请求，并转入步骤(23)；
(23)还原晶圆的工作模式，并转入步骤(24)；
(24)若晶圆中不存在被中断的写操作或者擦除操作，则读请求执行结束；否则，恢复被中断的写操作或擦除操作，读请求执行结束。
进一步地，步骤(3)中，执行写请求包括如下步骤：
(31)判断写请求所属晶圆是否空闲，若是，则直接转入步骤(32)；若否，则等待晶圆空闲，并在晶圆空闲时转入步骤(32)；
(32)判断读请求所属块的工作模式与所属晶圆的工作模式是否一致，若是，则执行写请求，并转入步骤(34)；若否，则设置读请求所属晶圆的工作模式与所属块的工作模式一致，然后执行写请求，并转入步骤(33)；
(33)还原晶圆的工作模式，并转入步骤(34)；
(34)写请求执行结束。
进一步地，步骤(4)中，执行垃圾回收请求包括如下步骤：
(41)判断垃圾回收请求所属晶圆是否空闲，若是，则直接转入步骤(42)；若否，则等待晶圆空闲，并在晶圆空闲时转入步骤(42)；
(42)判断设备当前容量是否充足，若是，则选择垃圾回收请求所属晶圆内有效页最少的块作为待回收块，并转入步骤(43)；若否，则选择垃圾回收请求所属晶圆内工作模式为SLC模式且有效页最少的块作为待回收块，并转入步骤(43)；
(43)判断当前请求队列拥塞，若是，则选择工作模式为SLC模式的空闲块作为目标块，并转入步骤(44)；若否，则选择工作模式为MLC模式的空闲块作为目标块，并转入步骤(44)；
(44)将待回收块中的有效页迁移到目标块中，并对待回收块执行擦除操作；
(45)判断设备当前容量是否充足，若是，则将已擦除的待回收块的工作模式设置为其所属晶圆的工作模式；若否，则将已擦除的待回收块的工作模式设置为MLC模式；
(46)垃圾回收请求执行结束。
更进一步地，判断设备当前容量是否充足的方法为：若设备当前的空闲容量不低于pC，则判定设备当前容量充足；否则，判定设备当前容量不充足；其中，C为闪存设备的总容量，p为根据垃圾回收的性能要求设定的一个小数值，且p的取值范围为：0＜p＜1；若p设置过大，则会导致闪存块在两种工作模式下频繁切换，影响闪存设备的读写性能和使用寿命；若p设置过小，则会导致在处理垃圾回收请求时一直选择工作模式为MLC模式的块作为目标快，进而使得闪存设备的空闲容量一直较少，垃圾回收的性能反而下降。
总体而言，通过本发明所构思的以上技术方案，能够取得以下有益效果：
(1)本发明所提供的3D MLC闪存设备的请求处理方法，将芯片内其中一个晶圆的工作模式设置为SLC模式，并根据所有晶圆的总擦除次数交替地设置其他晶圆的工作模式设置为SLC模式。一方面，3D MLC闪存块在SLC工作模式下具有可靠性优势，通过交替地将晶圆的工作模式设置为SLC模式，能够延长闪存设备的使用寿命；另一方面，3D MLC闪存块在SLC工作模式下其写性能较好，通过保证在任一时刻都有一个晶圆处于SLC工作模式，从而将部分空闲块的工作模式设置为SLC模式，能够充分发挥3D闪存设备的性能优势。
(2)本发明所提供的3D MLC闪存设备的请求处理方法，在处理读请求时，若晶圆当前正在执行写操作或擦除操作，则利用3D闪存芯片提供的高级命令中断当前正在执行的操作，执行读请求，并在读请求执行结束后恢复被中断的操作。通过优先执行读请求，能够缩短请求的等待时延，提高系统的读性能。
(3)本发明所提供的3D MLC闪存设备的请求处理方法，在处理垃圾回收请求时，若闪存设备当前空闲容量充足，则在所有块中选择有效页最少的块作为待回收块；若闪存设备当前容量不充足，则在工作模式为SLC模式的块中选择有效页最少的块作为待回收块，因而能够在闪存设备容量不充足时利用SLC工作模式的存储特性，释放更多的存储空间，从而更好地满足存储设备对存储容量的需求，提高闪存设备的垃圾回收性能。
(4)本发明所提供的3D MLC闪存设备的请求处理方法，在处理垃圾回收请求时，若当前请求队列拥塞，则选择工作模式为SLC模式的空闲块作为目标块；否则，选择工作模式为MLC模式的空闲块作为目标块，因而，能够在请求队列拥塞时，充分利用SLC工作模式的低操作时延的优势，最小化由于垃圾回收导致的请求等待时延。
附图说明
图1为本发明实施例提供的3D MLC闪存设备的请求处理方法流程图；
图2为本发明实施例提供的交替地将芯片内部晶圆的工作模式设置为SLC模式的方法示意图；
图3为本发明实施例提供的中断写操作响应读请求的执行流程；
图4为本发明实施例提供的中断擦除操作响应读请求的执行流程；
图5为本发明实施例提供的设置闪存芯片晶圆工作方式为SLC模式的执行流程；
图6为本发明实施例提供的设置闪存芯片晶圆工作方式为MLC模式的执行流程。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
3D MLC闪存芯片的读写操作粒度为页，擦除操作粒度为块，一个芯片包含多个晶圆，一个晶圆包含多个块，一个块包含多个页，本实施例采用的3D MLC闪存芯片中，一个块的大小为1024页，每个闪存芯片包含4个晶圆，每个晶圆包含2192个块，其中向上层提供2048个块，144个块备用。另外，本实施例所采用的芯片中设置晶圆中块工作方式为SLC模式的命令字和地址字为D5h-91h-00h-01h-00h，设置晶圆中块工作方式为MLC模式的命令字和地址字为D5h-91h-02h-01h-00h，中断和恢复写操作的命令字分别为84h和13h，中断和恢复擦除操作的命令字分别为61h和D2h。
本发明提供的3D MLC闪存设备的请求处理方法，如图1所示，包括如下步骤：
(1)判断所到达的请求的类型，若为读请求，则转入步骤(2)；若为写请求，则转入步骤(3)；若为垃圾回收请求，则转入步骤(4)；
(2)以读请求优先的方式执行读请求，并转入步骤(6)；
在本实施例中，以读请求优先的方式执行读请求，包括如下步骤：
(21)若读请求所属晶圆空闲，则直接转入步骤(22)；若读请求所属晶圆当前被其他读请求所占用，则等待晶圆空闲，并在晶圆空闲时转入步骤(22)；若读请求所属晶圆当前被写操作或擦除操作占用，则中断晶圆中正在执行的写操作或擦除操作，并转入步骤(22)；
(22)判断读请求所属块的工作模式与所属晶圆的工作模式是否一致，若是，则执行读请求，并转入步骤(24)；若否，则设置读请求所属晶圆的工作模式与所属块的工作模式一致，然后执行读请求，并转入步骤(23)；
(23)还原晶圆的工作模式，并转入步骤(24)；
(24)若晶圆中不存在被中断的写操作或者擦除操作，则读请求执行结束；否则，恢复被中断的写操作或擦除操作，读请求执行结束；
(3)执行写请求，并转入步骤(6)；
在本实施例中，执行写请求包括如下步骤：
(31)判断写请求所属晶圆是否空闲，若是，则直接转入步骤(32)；若否，则等待晶圆空闲，并在晶圆空闲时转入步骤(32)；
(32)判断读请求所属块的工作模式与所属晶圆的工作模式是否一致，若是，则执行写请求，并转入步骤(34)；若否，则设置读请求所属晶圆的工作模式与所属块的工作模式一致，然后执行写请求，并转入步骤(33)；
(33)还原晶圆的工作模式，并转入步骤(34)；
(34)写请求执行结束；
(4)执行垃圾回收请求，并转入步骤(5)；
在本实施例中，执行垃圾回收请求包括如下步骤：
(41)判断垃圾回收请求所属晶圆是否空闲，若是，则直接转入步骤(42)；若否，则等待晶圆空闲，并在晶圆空闲时转入步骤(42)；
(42)若设备当前的空闲容量不低于设备总容量的10％，则判定设备当前容量充足，选择垃圾回收请求所属晶圆内有效页最少的块作为待回收块，并转入步骤(43)；否则，判定设备当前容量不充足，选择垃圾回收请求所属晶圆内工作模式为SLC模式且有效页最少的块作为待回收块，并转入步骤(43)；
(43)判断当前请求队列拥塞，若是，则选择工作模式为SLC模式的空闲块作为目标块，并转入步骤(44)；若否，则选择工作模式为MLC模式的空闲块作为目标块，并转入步骤(44)；
(44)将待回收块中的有效页迁移到目标块中，并对待回收块执行擦除操作；
(45)若设备当前的空闲容量不低于设备总容量的10％，则判定设备当前容量充足，将已擦除的待回收块的工作模式设置为其所属晶圆的工作模式；否则，判定设备当前容量不充足，将已擦除的待回收块的工作模式设置为MLC模式；
(46)垃圾回收请求执行结束；
(5)若芯片内所有晶圆的总擦除次数E满足：E％M＝0，则将第(i+1)％N+1个晶圆的工作模式设定为为SLC模式，并将第i个晶圆的工作模式设定为MLC模式，并转入步骤(6)；否则，直接转入步骤(6)；其中，M为预设的阈值，i为当前工作模式为SLC模式的晶圆编号，N为闪存芯片内的晶圆数目；
由于每个芯片会额外提供部分块作为备用，在本实施例中，将额外提供的144个块固定为SLC模式，不参与SLC模式和MLC模式的交替循环；如图2所示，芯片内部4个晶圆交替采用SLC工作模式的执行流程为：
(51)初始状态，仅第一个晶圆内所有块采用SLC工作模式，其它晶圆采用MLC工作模式；
(52)当芯片内部晶圆擦除总次数达到1000次后，第二个晶圆内所有块采用SLC工作模式，其它晶圆采用MLC工作模式；
(53)当芯片内部晶圆擦除总次数达到2000次后，第三个晶圆内所有块采用SLC工作模式，其它晶圆采用MLC工作模式；
(54)当芯片内部晶圆擦除总次数达到3000次后，第四个晶圆内所有块采用SLC工作模式，其它晶圆采用MLC工作模式；
(55)芯片内部晶圆擦除总次数4000次后，回到初始状态，继续相同的循环；
(6)请求处理结束。
如图3所示，中断写操作相应读操作的流程为：向芯片写入命令字84h中断写操作，等待芯片进入空闲状态；执行读请求；在读请求执行结束后，向芯片写入命令字13h恢复原先中断的写操作。
如图4所示，中断擦除操作响应读请求的流程为：向芯片写入命令字61h中断擦除操作，等待芯片进入空闲状态；执行读请求；在读请求之行结束后，向芯片写入命令字D2h恢复原先中断的擦除操作。
如图5所示，将闪存芯片内部晶圆内部块工作方式设置为SLC的执行流程为：向芯片写入命令字D5h；向芯片写入地址字91h；依次向芯片写入数据00h、01h、00h和00h，将晶圆的工作模式设置为SLC模式。
如图6所示，将闪存芯片内部晶圆内部块工作方式设置为MLC的执行流程为：向芯片写入命令字D5h；向芯片写入地址字91h；依次向芯片写入数据02h、01h、00h和00h，将晶圆的工作模式设置为MLC模式。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种3D MLC闪存设备的请求处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)判断所到达的请求的类型，若为读请求，则转入步骤(2)；若为写请求，则转入步骤(3)；若为垃圾回收请求，则转入步骤(4)；
(2)以读请求优先的方式执行读请求，并转入步骤(6)；
(3)执行写请求，并转入步骤(6)；
(4)执行垃圾回收请求，并转入步骤(5)；
(5)若芯片内所有晶圆的总擦除次数E满足：E％M＝0，则将第(i+1)％N+1个晶圆的工作模式设定为SLC模式，并将第i个晶圆的工作模式设定为MLC模式，并转入步骤(6)；否则，直接转入步骤(6)；其中，M为预设的阈值，i为当前工作模式为SLC模式的晶圆编号，N为闪存芯片内的晶圆数目；
(6)请求处理结束。
2.如权利要求1所述的3D MLC闪存设备的请求处理方法，其特征在于，所述步骤(2)中，以读请求优先的方式执行读请求，包括如下步骤：
(21)若读请求所属晶圆空闲，则直接转入步骤(22)；若读请求所属晶圆当前被其他读请求所占用，则等待晶圆空闲，并在晶圆空闲时转入步骤(22)；若读请求所属晶圆当前被写操作或擦除操作占用，则中断晶圆中正在执行的写操作或擦除操作，并转入步骤(22)；
(22)判断读请求所属块的工作模式与所属晶圆的工作模式是否一致，若是，则执行读请求，并转入步骤(24)；若否，则设置读请求所属晶圆的工作模式与所属块的工作模式一致，然后执行读请求，并转入步骤(23)；
(23)还原晶圆的工作模式，并转入步骤(24)；
(24)若晶圆中不存在被中断的写操作或者擦除操作，则读请求执行结束；否则，恢复被中断的写操作或擦除操作，读请求执行结束。
3.如权利要求1所述的3D MLC闪存设备的请求处理方法，其特征在于，所述步骤(3)中，执行写请求包括如下步骤：
(31)判断写请求所属晶圆是否空闲，若是，则直接转入步骤(32)；若否，则等待晶圆空闲，并在晶圆空闲时转入步骤(32)；
(32)判断读请求所属块的工作模式与所属晶圆的工作模式是否一致，若是，则执行写请求，并转入步骤(34)；若否，则设置读请求所属晶圆的工作模式与所属块的工作模式一致，然后执行写请求，并转入步骤(33)；
(33)还原晶圆的工作模式，并转入步骤(34)；
(34)写请求执行结束。
4.如权利要求1所述的3D MLC闪存设备的请求处理方法，其特征在于，所述步骤(4)中，执行垃圾回收请求包括如下步骤：
(41)判断垃圾回收请求所属晶圆是否空闲，若是，则直接转入步骤(42)；若否，则等待晶圆空闲，并在晶圆空闲时转入步骤(42)；
(42)判断设备当前容量是否充足，若是，则选择垃圾回收请求所属晶圆内有效页最少的块作为待回收块，并转入步骤(43)；若否，则选择垃圾回收请求所属晶圆内工作模式为SLC模式且有效页最少的块作为待回收块，并转入步骤(43)；
(43)判断当前请求队列拥塞，若是，则选择工作模式为SLC模式的空闲块作为目标块，并转入步骤(44)；若否，则选择工作模式为MLC模式的空闲块作为目标块，并转入步骤(44)；
(44)将待回收块中的有效页迁移到目标块中，并对待回收块执行擦除操作；
(45)判断设备当前容量是否充足，若是，则将已擦除的待回收块的工作模式设置为其所属晶圆的工作模式；若否，则将已擦除的待回收块的工作模式设置为MLC模式；
(46)垃圾回收请求执行结束。
5.如权利要求4所述的3D MLC闪存设备的请求处理方法，其特征在于，判断设备当前容量是否充足的方法为：若设备当前的空闲容量不低于pC，则判定设备当前容量充足；否则，判定设备当前容量不充足；其中，C为闪存设备的总容量，p为根据垃圾回收的性能要求设定的一个小数值，且p的取值范围为：0＜p＜1。
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|---|---|
| CN (1) | CN108572924B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109189348A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-01-11 | 华中科技大学 | 基于电荷捕获型3d tlc闪存的存储系统的读性能优化方法 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101625894A (zh) * | 2008-07-11 | 2010-01-13 | 三星电子株式会社 | 非易失性存储器装置及其操作方法 |
| CN102142277A (zh) * | 2010-01-28 | 2011-08-03 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 一种存储器及存储器读写控制方法及系统 |
| CN103562883A (zh) * | 2011-05-31 | 2014-02-05 | 美光科技公司 | 存储器装置中的动态存储器高速缓存大小调整 |
| CN103870214A (zh) * | 2014-02-26 | 2014-06-18 | 深圳市安信达存储技术有限公司 | 多层存储块兼具单层存储块性能的方法 |
| CN104091617A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-10-08 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 一种闪存存储设备检测的方法及装置 |
| CN104346291A (zh) * | 2013-08-05 | 2015-02-11 | 炬芯（珠海）科技有限公司 | 一种存储器的存储方法及存储系统 |
| US20160141041A1 (en) * | 2014-11-18 | 2016-05-19 | Sandisk Technologies Inc. | Partial Erase of Nonvolatile Memory Blocks |
| CN105988716A (zh) * | 2015-02-09 | 2016-10-05 | 深圳市硅格半导体有限公司 | 存储装置及其模式转换的方法 |
| US20170062060A1 (en) * | 2015-09-02 | 2017-03-02 | Silicon Motion Inc. | Method and controller for managing memory device |
| CN107037988A (zh) * | 2017-04-06 | 2017-08-11 | 华中科技大学 | 一种基于文件级粒度的闪存安全删除方法及系统 |
| CN107291626A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-24 | 北京小米移动软件有限公司 | 数据存储方法和装置 |
| CN107591182A (zh) * | 2016-07-07 | 2018-01-16 | 爱思开海力士有限公司 | 存储器系统及其操作方法 |
-
2018
- 2018-04-20 CN CN201810360727.9A patent/CN108572924B/zh active Active
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101625894A (zh) * | 2008-07-11 | 2010-01-13 | 三星电子株式会社 | 非易失性存储器装置及其操作方法 |
| CN102142277A (zh) * | 2010-01-28 | 2011-08-03 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 一种存储器及存储器读写控制方法及系统 |
| CN103562883A (zh) * | 2011-05-31 | 2014-02-05 | 美光科技公司 | 存储器装置中的动态存储器高速缓存大小调整 |
| CN104346291A (zh) * | 2013-08-05 | 2015-02-11 | 炬芯（珠海）科技有限公司 | 一种存储器的存储方法及存储系统 |
| CN103870214A (zh) * | 2014-02-26 | 2014-06-18 | 深圳市安信达存储技术有限公司 | 多层存储块兼具单层存储块性能的方法 |
| CN104091617A (zh) * | 2014-06-17 | 2014-10-08 | 深圳市江波龙电子有限公司 | 一种闪存存储设备检测的方法及装置 |
| US20160141041A1 (en) * | 2014-11-18 | 2016-05-19 | Sandisk Technologies Inc. | Partial Erase of Nonvolatile Memory Blocks |
| CN105988716A (zh) * | 2015-02-09 | 2016-10-05 | 深圳市硅格半导体有限公司 | 存储装置及其模式转换的方法 |
| US20170062060A1 (en) * | 2015-09-02 | 2017-03-02 | Silicon Motion Inc. | Method and controller for managing memory device |
| CN107591182A (zh) * | 2016-07-07 | 2018-01-16 | 爱思开海力士有限公司 | 存储器系统及其操作方法 |
| CN107037988A (zh) * | 2017-04-06 | 2017-08-11 | 华中科技大学 | 一种基于文件级粒度的闪存安全删除方法及系统 |
| CN107291626A (zh) * | 2017-06-19 | 2017-10-24 | 北京小米移动软件有限公司 | 数据存储方法和装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 刘洋等: "Dual-FTL:一种基于MLC/SLC双模闪存芯片的闪存转换层", 《河南师范大学学报(自然科学版)》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109189348A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-01-11 | 华中科技大学 | 基于电荷捕获型3d tlc闪存的存储系统的读性能优化方法 |
Also Published As
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