CN108538979A - 发光二极管及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管制造方法，包含以下多个步骤。形成第一型半导体层。在第一型半导体层上形成第二型半导体层。掺杂杂质进入第二型半导体层的第一部位中。其中在掺杂后，存在于第二型半导体层的第一部位中的杂质的浓度大于第二型半导体层的第二部位的杂质的浓度，使得第二型半导体层的第一部位的电阻率大于第二型半导体层的第二部位的电阻率。第二部位以及第一部位的组合可以限制电流进入第一型半导体层以及第二型半导体层之间的主动层的区域，增强主动层的发光区中的电流密度，从而增进发光二极管的运行稳定性及效率。

Description

发光二极管及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种发光二极管及其制造方法。

背景技术

近年来，发光二极管(light-emitting diode；LED)已经普遍使用在一般和商业照明应用中。作为光源，发光二极管具有多个面向上的优点，包含低的能量消耗、长的寿命、小的尺寸以及快的开关速度，因此传统的照明光源，例如白炽灯，已逐渐被发光二极管光源所替换。在发光二极管之中，当电子与电洞跨过半导体带隙于主动层中复合，复合能量会以光子的形式发射并产生光线。此复合机制就是所谓的辐射复合(radiative recombination)。

在使用大量发光二极管阵列的发光二极管显示器中，为了提供适当的亮度，例如500尼特(nit)至3000尼特，每个发光二极管的发射能量必须精准地控制。否则，发光二极管显示器的亮度将会太大。换言的，控制显示器的发射能量并维持显示器的效率与均匀性是重要的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够增强主动层的发光区中的电流密度，从而增进发光二极管的运行稳定性及效率的发光二极体及其制造方法。

本发明的一方面是提供一种发光二极管制造方法，包含以下多个步骤。形成第一型半导体层。在第一型半导体层上形成第二型半导体层。植入杂质进入第二型半导体层的第一部位中。其中在植入后，存在于第二型半导体层的第一部位中的杂质的浓度大于第二型半导体层的第二部位的杂质的浓度，使得第二型半导体层的第一部位的电阻率大于第二型半导体层的第二部位的电阻率。

本发明的另一方面是提供一种发光二极管，包含第一型半导体层、覆盖层以及第二型半导体层。第一型半导体层包含低电阻部位以及高电阻部位，其中低电阻部位与第一型半导体层的至少一个边缘通过高电阻部位分隔开来，且第一型半导体层的电阻率由低电阻部位往高电阻部位增加。覆盖层设置于第一型半导体层上，其中覆盖层具有孔洞，且孔洞在第一型半导体层上的垂直投影至少部分地与低电阻部位重叠。第一型半导体层存在于覆盖层以及第二型半导体层之间。

本发明的发光二极管及其制造方法与现有技术相比，其第二部位以及第一部位的组合可以限制电流进入第一型半导体层以及第二型半导体层之间的主动层的区域，因此具有增强主动层的发光区中的电流密度，从而增进发光二极管的运行稳定性及效率的有益效果。

附图说明

图1A绘示依据本发明的第一个实施方式的发光二极管(light emittingdiode,LED)的剖面图。

图1B为图1A中第一型半导体层的剖面图，其中下方标有轴线X。

图1C以及图1D绘示图1B中第一型半导体层的电阻率与其X坐标的关系图。

图2A至图2C绘示依据本发明一些实施方式的发光二极管在其制造流程中的剖面图。

图3A以及图3B绘示依据本发明一些实施方式的发光二极管在其制造流程中的剖面图。

图3C绘示依据本发明一些实施方式的发光二极管在其制造流程中的剖面图。

图4绘示依据本发明一些实施方式的发光二极管在其制造流程中的剖面图。

图5A以及图5B绘示依据本发明一些实施方式的发光二极管在其制造流程中的剖面图。

图6绘示依据本发明第二个实施方式的发光二极管的剖面图。

图7绘示依据本发明第三个实施方式的发光二极管的剖面图。

图8绘示依据本发明第四个实施方式的发光二极管的剖面图。

图9绘示依据本发明第五个实施方式的发光二极管的剖面图。

图10绘示依据本发明第六个实施方式的发光二极管的剖面图。

具体实施方式

以下将以附图公开本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。并且，除非有其他表示，在不同附图中相同的元件符号可视为相对应的元件。这些附图的绘示是为了清楚表达这些实施方式中各元件之间的连接关系，并非绘示各元件的实际尺寸。

图1A绘示依据本发明的第一个实施方式的发光二极管(light emitting diode,LED)100A的剖面图。发光二极管100A包含第一型半导体层120、主动层130、第二型半导体层140、第一电极层150、以及第二电极层152。第一型半导体层120设置于第二型半导体层140上方，且主动层130设置于第一型半导体层120以及第二型半导体层140之间。

第一型半导体层120包含低电阻部位122以及高电阻部位124。在一些实施方式中，低电阻部位122通过高电阻部位124而与第一型半导体层120的边缘126分隔开来，且第一型半导体层120的电阻率由低电阻部位122往高电阻部位124水平增加。第一电极层150与第一型半导体层120电性耦接，且第一电极层150遮盖住低电阻部位122以及高电阻部位124远离主动层130的表面。第二电极层152与第二型半导体层140电性耦接。

因为第一型半导体层120的电阻率由低电阻部位122往高电阻部位124水平增加，当发光二极管100A被施加偏压时，电荷载子倾向由低电阻部位122流过第一型半导体层120。因此，在第一电极层150以及主动层130之间形成的至少一个电荷载子通道102(举例而言，第一型半导体层120中画有阴影线的区域)至少部分地与低电阻部位122重叠，其中电荷载子通道102定义出主动层130中的发光区132(举例而言，主动层130中画有阴影线的区域)。因此，低电阻部位122以及高电阻部位124的组合可以限制电流进入主动层130的区域，而因此增强主动层130的发光区132中的电流密度，从而增进发光二极管100A的运行稳定性及效率。

此外，电荷载子通道102的边界可依据偏压大小或电流大小改变，因此电荷载子通道102的边界为可控制及可改变的。

图1B为图1A中第一型半导体层120的剖面图，其中下方标有轴线X。图1C以及图1D绘示图1B中第一型半导体层120的电阻率与其X坐标的关系图。在图1C以及图1D的关系图中，每个横轴代表图1B中的轴线X，每个纵轴代表电阻率，且轴线X以及电阻率两者在此处为任意单位。图1C以及图1D中绘制的曲线代表第一型半导体层120沿着图1B中虚线R的电阻率。

如图1C以及图1D中的各条曲线所示，在低电阻部位122中出现的区域最小值，标记为ρL，而在高电阻部位124中出现的区域最大值，标记为ρH。也就是说，随着第一型半导体层120的电阻率由低电阻部位122往高电阻部位124逐渐水平增加，第一型半导体层120的电阻率的区域最小值可出现在低电阻部位122中。进一步而言，图1C的曲线显示电阻率由ρL剧烈增加至ρH，而图1D的曲线显示电阻率由ρL逐渐增加至ρH。

在一些实施方式中，低电阻部位122以及高电阻部位124之间的电阻率差异可由植入于低电阻部位122以及高电阻部位124中的杂质浓度造成。举例而言，可将杂质植入高电阻部位124以使存在于高电阻部位124的杂质的浓度大于存在于低电阻部位122的杂质的浓度。在一些实施方式中，杂质包含硅、氧、锗、钛、或以上的任意组合。在一些实施方式中，可将硅植入高电阻部位124以使存在于高电阻部位124中的硅的浓度大于存在于低电阻部位122中的硅的浓度，使得高电阻部位124的电阻率大于低电阻部位122的电阻率。

请参照回图1A。通过低电阻部位122往高电阻部位124的电阻率增加，电荷载子通道102可通过高电阻部位124而与边缘126分隔。在一些实施方式中，高电阻部位124具有远离主动层130的顶部表面128，且高电阻部位124的电阻率由顶部表面128往主动层130减少。举例而言，在第一型半导体层120中，对应至高电阻部位124靠近顶部表面128附近的电阻率为ρ1，对应至高电阻部位124靠近主动层130附近的电阻率为ρ2，则ρ1≧ρ2。就这方面而言，第一型半导体层120可具有第一区域R1以及第二区域R2，其中第一区域R1以及第二区域R2至少部分地与高电阻部位124重叠，且第二区域R2通过第一区域R1与主动层130分隔开来。在一些实施方式中，存在于第一区域R1中的杂质的浓度(硅、氧、锗、钛、或以上的任意组合)小于存在于第二区域R2中的杂质的浓度。此外，低电阻部位122的电阻率小于ρ1以及ρ2的每一个。

图2A至图2C绘示依据本发明一些实施方式的发光二极管在其制造流程中的剖面图。图1A的发光二极管100A可由接下来的步骤制作。

如图2A中所示，缓冲层112形成于生长基板110上。在一些实施方式中，可使用多种生长技术来生长缓冲层112。在一些实施方式中，生长基板110可为包含蓝宝石(Al₂O₃)和砷化镓(GaAs)的块材基板。在其他实施方式中，生长基板110可由其他适当材料形成，诸如Si、GaN、SiC、ZnO或GaAs。在一些实施方式中，缓冲层112可由与生长基板110相同或相异的材料所制成。在其他实施方式中，缓冲层112可为三五族化合物半导体层，诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、以及上述的任意组合。

接下来，第二型半导体层140形成于缓冲层112上，主动层130形成于第二型半导体层140上，而第一型半导体层120形成于主动层130以及第二型半导体层140上。在一些实施方式中，第一型半导体层120、主动层130以及第二型半导体层140可由各种方法形成，举例而言，磊晶方法，如有机金属化学气相沉积法(metal-organic chemical vapordeposition,MOCVD)。在一些实施方式中，第一型半导体层120为P型半导体层，主动层130为量子井层，且第二型半导体层140为N型半导体层。

如图2B所示，第一保护层160形成于第一型半导体层120上以遮盖第一型半导体层120的一部分。在一些实施方式中，在第一保护层160形成后，第一型半导体层120可被分割为暴露部位120A以及覆盖部位120B。在一些实施方式中，第一保护层160作用为气体扩散障蔽。

如图2C中所示，执行后扩散程序，其中在图2C中绘示的后扩散程序为气体扩散程序。在后扩散程序中，杂质可由后扩散程序植入第一型半导体层120，其中杂质可为硅、氧、锗、钛、或以上的任意组合。

举例而言，可施加气态媒介162至第一型半导体层120以执行后扩散，其中气态媒介162包含掺杂元素(举例而言，硅、氧、锗、钛、或以上的任意组合)。因此，杂质可扩散进第一型半导体层120的暴露部位120A中，使得存在于暴露部位120A中的杂质的浓度大于覆盖部位120B中的杂质的浓度。

在后扩散程序后，第一型半导体层120的暴露部位120A的电阻率大于第一型半导体层120的覆盖部位120B的电阻率。因此，图2C中的暴露部位120A对应至图1A中的高电阻部位124，而图2C中的覆盖部位120B对应至图1A中的低电阻部位122。进一步而言，在一些实施方式中，后扩散程序可在一段时间内的高温状态下执行，因此温度以及时间可称为后扩散程序中的参数。

在一些实施方式中，可通过调整参数来改变第一型半导体层120的电阻率的纵向梯度，如延长后扩散程序的时间。在后扩散程序后，可移除第一保护层160，且第一电极层150(见图1A)形成于第一型半导体层120上。接着，图2C中所绘示的结构可被转移至一个暂时基板，并接着被切割。在其他实施方式中，图2C中所示的结构可被切割然后接着转移至一个暂时基板。在转移以及切割步骤后，该结构可被转移至一个接收基板以形成第二电极层152(见图1A)，随后即得到图1A的发光二极管100A。

包含具有高低电阻部位的第一半导体层的发光二极管也可由其他方法制作。举例而言，发光二极管可由图3A以及图3B中所绘示的方法制作，其中图3A以及图3B绘示依据本发明一些实施方式的发光二极管在其制造流程中的剖面图。图3A以及图3B中绘示的作业以及图2A至图2C中绘示的作业之间的差异在于，图3B中绘示的后扩散程序为液态扩散程序。此外，图3A以及图3B中绘示的作业中，与图2A中绘示的作业相近的诸多细节于此不重复赘述。

如图3A中所示，第二保护层164形成于生长基板110、缓冲层112、第一型半导体层120、主动层130、以及第二型半导体层140的组合上，其中第二保护层164设置于第一型半导体层120上并与其连接以遮盖住第一型半导体层120的一部分。在一些实施方式中，在形成第二保护层164后，第一型半导体层120可被分割为暴露部位120A以及覆盖部位120B。在一些实施方式中，第二保护层164作用为一个液体扩散障蔽。

如图3B中所示，执行后扩散程序，其中在图3B中绘示的后扩散程序为液态扩散程序。在一些实施方式中，液态媒介166被施加至第一型半导体层120以执行后扩散程序，其中液态媒介166包含硅、氧、锗、钛、或以上的任意组合。举例而言，第一型半导体层120、主动层130、以及第二型半导体层140的组合可被浸入液态媒介166中以执行后扩散程序。因此，杂质可被扩散进第一型半导体层120的暴露部位120A中，使得存在于暴露部位120A中的杂质的浓度大于存在于覆盖部位120B中的杂质的浓度。

在后扩散程序后，第一型半导体层120的暴露部位120A的电阻率大于第一型半导体层120的覆盖部位120B的电阻率。因此，图3B中的暴露部位120A对应至图1A中的高电阻部位124，而图3B的覆盖部位120B对应至图1A的低电阻部位122。在一些实施方式中，温度以及时间被称为图3B所绘示的后扩散程序中的参数。进一步而言，在后扩散程序后，可移除第二保护层164，然后第一电极层150(见图1A)形成于第一型半导体层120上。

进一步而言，在一些实施方式中，液态扩散程序可由其他方法执行，如通过供料机167将液态媒介166滴落至第一型半导体层120。举例而言，图3C绘示依据本发明一些实施方式的发光二极管在其制造流程中的剖面图，如图3C中所示，液态媒介166可由供料机167施加至第一型半导体层120，其中液态媒介166可由供料机167滴落至第一型半导体层120。然后，第一型半导体层120的顶部表面可被液态媒介166涂布或遮盖，从而执行扩散。

包含具有高低电阻部位的第一半导体层的发光二极管也可由如图4所绘示的方法制作，其中图4绘示依据本发明一些实施方式的发光二极管在其制造流程中的剖面图。图4中绘示的作业与图2A至图2C中绘示的作业的差异在于，绘示于图4中所执行的后扩散程序为固态扩散程序。此外，图4中绘示的作业中，与图2A中绘示的作业相近的诸多细节于此不重复赘述。

如图4中所示，具有一个孔洞170的覆盖层168形成于生长基板110、缓冲层112、第一型半导体层120、主动层130、以及第二型半导体层140的组合上，其中覆盖层168设置于第一型半导体层120上并与其连接以覆盖住第一型半导体层120的一部分并通过孔洞170将第一型半导体层120的另一部分暴露出来。在一些实施方式中，在形成覆盖层168后，第一型半导体层120可被分割为暴露部位120A以及覆盖部位120B。覆盖层168包含杂质，且杂质包含硅、氧、锗、钛、或以上的任意组合。

然后，执行后扩散程序，其中绘示于图4中所执行的后扩散程序为固态扩散程序。也就是说，具有覆盖层168的情形下，可通过在高温下加热第一型半导体层120以及覆盖层168的组合以执行后扩散程序，举例而言，温度介于150度摄氏至800度摄氏之间。在后扩散程序中，杂质可由覆盖层168扩散进第一型半导体层120的覆盖部位120B中。在一些实施方式中，在后扩散程序中，温度以及时间可被称为参数。就这方面而言，调整该些参数可控制杂质扩散进第一型半导体层120的覆盖部位120B中的深度。

在后扩散程序后，第一型半导体层120的覆盖部位120B的电阻率大于第一型半导体层120的暴露部位120A的电阻率。因此，图4的覆盖部位120B对应至图1A的高电阻部位124，而图4的暴露部位120A对应至图1A的低电阻部位122。此外，覆盖层168的孔洞170在第一型半导体层120上的垂直投影可至少与图1A的第一型半导体层120的低电阻部位122部分重叠，因此低电阻部位122的尺寸可由孔洞170的尺寸定义。进一步而言，在后扩散程序后，覆盖层168可自第一型半导体层120移除，而第一电极层150(见图1A)形成于第一型半导体层120上。

包含具有高低电阻部位的第一半导体层的发光二极管也可由图5A以及图5B中绘示的方法制作，其中图5A以及图5B绘示依据本发明一些实施方式的发光二极管在其制造流程中的剖面图。图5A以及图5B中所绘示的作业以及图2A至图2C中所绘示的作业的差别在于，杂质通过离子布植程序布植进第一型半导体层120中。此外，如图5A以及图5B中所绘示的作业中，与图2A中绘示的作业相近的诸多细节于此不重复赘述。

如图5A中所示，第三保护层172形成于生长基板110、缓冲层112、第一型半导体层120、主动层130、以及第二型半导体层140的组合上，其中第三保护层172设置于第一型半导体层120上并与其连接以覆盖住第一型半导体层120的一部分。在一些实施方式中，在形成第三保护层172后，第一型半导体层120可被分割为暴露部位120A以及覆盖部位120B。在一些实施方式中，第三保护层172包含二氧化硅、氮化硅、高分子电阻材料、或以上的任意组合

如图5B中所示，执行离子布植程序，其中施加离子束174至第一型半导体层120。在一些实施方式中，离子束174包含硅离子、氧离子、锗离子、钛离子、或以上的任意组合。在离子布植的程序中，离子可被布植进第一型半导体层120的暴露部位120A中，使得存在于暴露部位120A中的杂质(硅、氧、锗、钛、或以上的任意组合)的浓度大于存在于覆盖部位120B中的杂质的浓度。

在离子布植程序后，第一型半导体层120的暴露部位120A的电阻率大于第一型半导体层120的覆盖部位120B的电阻率。因此，图5B的暴露部位120A对应至图1A的高电阻部位124，而图5B的覆盖部位120B对应至图1A的低电阻部位122。在一些实施方式中，在离子布植程序后，对第一型半导体层120、主动层130、以及第二型半导体层140的组合执行退火程序，从而矫正由布植程序所产成的晶格缺陷。此外，在离子布植程序后，可移除第三保护层172，且第一电极层150(见图1A)形成于第一型半导体层120上。

图6绘示依据本发明第二个实施方式的发光二极管100B的剖面图。本实施方式与第一个实施方式的不同之处在于，发光二极管100B进一步包含具有孔洞170的覆盖层168。覆盖层168包含杂质，其中杂质包含硅、氧、锗、钛、或以上的任意组合。存在于高电阻部位124中的杂质的浓度大于存在于低电阻部位122中的杂质的浓度。进一步而言，设置于第一型半导体层120上的第一电极层150通过覆盖层168的孔洞170接触至第一型半导体层120。

为制造发光二极管100B，在图4中绘示的制作阶段后，省略移除覆盖层168的步骤，使得覆盖层168留下来。在一些实施方式中，当覆盖层168由硅所制成，覆盖层168可被称为硅残留物。进一步而言，在发光二极管100B的制作流程中，因为省略移除覆盖层168，第一电极层150形成于第一型半导体层120以及覆盖层168的组合上并与其连接。在一些实施方式中，在形成第一电极层150前，执行一个额外程序以使覆盖层168变为电导体。在其他实施方式中，在形成第一电极层150前，执行一个额外程序以使覆盖层168变为绝缘体，如钝化层。举例而言，当覆盖层168由硅所制成，此额外程序的执行可为施加氧气至覆盖层168以使覆盖层168转化为二氧化硅层。

图7绘示依据本发明第三个实施方式的发光二极管100C的剖面图。本实施方式与第一个实施方式的不同处在于，发光二极管100C进一步包含与第二型半导体层140连接的电流控制层176。电流控制层176具有位于其中的开口178，且电流控制层176的开口178在第一型半导体层120上的垂直投影至少部分地与第一型半导体层120的低电阻部位122重叠。此外，第二电极层152与第二型半导体层140通过开口178电性耦接。

为制造发光二极管100C，在形成第二电极层152前，电流控制层176形成于第二型半导体层140上并与其连接。在一些实施方式中，电流控制层176为介电层，其由介电材料所制成，诸如氮化硅或二氧化硅。在一些实施方式中，电流控制层176为半导体层，使得第二型半导体层140以及电流控制层176之间可形成萧特基障蔽(Schottky barrier)。在一些实施方式中，电流控制层176为电洞阻挡层以及电子阻挡层中的一个。

进一步而言，虽然图7绘示的电流控制层176与第二型半导体层140连接，电流控制层176可形成于发光二极管结构中的其他位置。在一些实施方式中，电流控制层176可存在于第一型半导体层120以及第二型半导体层140的一个中，且可设置电流控制层176使其与主动层130接触或通过半导体层的一部分使其与主动层130分隔开来。此外，在一些实施方式中，超过一个电流控制层176可被设置于发光二极管结构中，且每个电流控制层176彼此独立设置。

举例而言，图8绘示依据本发明第四个实施方式的发光二极管100D的剖面图，如图8中所示，具有开口178的电流控制层176存在于第二型半导体层140中，其中电流控制层176通过第二型半导体层140的一部分与主动层130分隔开来。在一些实施方式中，也可将电流控制层176设置于第一型半导体层120中。图9绘示依据本发明第五个实施方式的发光二极管100E的剖面图，如图9中所示，具有开口178的电流控制层176与第一型半导体层120连接，其中电流控制层176设置于第一型半导体层120以及第一电极层150之间，且第一电极层150与第一型半导体层120通过开口178电性耦接。

图10绘示依据本发明第六个实施方式的发光二极管100F的剖面图。本实施方式与第二个以及第三个实施方式的差异在于，发光二极管100F可说是发光二极管100B以及发光二极管100C的组合。也就是说，具有孔洞170的覆盖层168被留下来以与第一型半导体层120连接，而具有开口178的电流控制层176与第二型半导体层140连接。在一些实施方式中，孔洞170以及开口178在第一型半导体层120上的垂直投影至少部分地与第一型半导体层120的低电阻部位122重叠。相近地，虽然在图10中绘示的电流控制层176与第二型半导体层140连接，电流控制层176也可形成于发光二极管结构的其他位置中。

本发明已由范例及上述实施方式描述，应了解本发明并不限于所公开的实施方式。相反的，本发明涵盖多种变动及近似的布置(如，此领域中的技术人员所能明显得知者)。因此，权利要求应依据最宽的解释以涵盖所有此类变动及近似布置。

Claims (20)

1.一种发光二极管制造方法，其特征在于，包含：

形成第一型半导体层；

在所述第一型半导体层上形成第二型半导体层；以及

植入杂质进入所述第二型半导体层的一第一部位中，其中在所述植入后，存在于所述第二型半导体层的所述第一部位中的所述杂质的浓度大于所述第二型半导体层的第二部位的所述杂质的浓度，使得所述第二型半导体层的所述第一部位的电阻率大于所述第二型半导体层的所述第二部位的电阻率。

2.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述杂质包含硅、氧、锗、钛、或以上的组合。

3.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述植入包含离子布植程序，其中所述离子布植程序包含：

形成保护层以遮盖所述第二型半导体层的所述第二部位；以及

施加离子束至所述第二型半导体层，其中所述离子束包含硅离子、氧离子、锗离子、钛离子、或以上的组合。

4.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述植入包含后扩散所述杂质进入该第二型半导体层中。

5.如权利要求4所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述后扩散包含：

在所述第二型半导体层的所述第二部位上形成保护层；以及

施加气态媒介至所述第二型半导体层以执行所述后扩散，其中所述气态媒介包含所述杂质。

6.如权利要求4所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述后扩散包含：

在所述第二型半导体层的所述第二部位上形成保护层；以及

施加液态媒介至所述第二型半导体层以执行所述后扩散，其中所述液态媒介包含所述杂质。

7.如权利要求4所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述后扩散包含：

在所述第二型半导体层的所述第一部位上形成覆盖层，其中所述覆盖层包含所述杂质；以及

由所述覆盖层扩散所述杂质进入所述第二型半导体层的所述第一部位。

8.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述在所述第二型半导体层的所述第一部位形成所述覆盖层包含：

形成具有孔洞的所述覆盖层，其中所述覆盖层的所述孔洞在所述第二型半导体层上的垂直投影至少部分地与所述第二型半导体层的所述第二部位重叠。

9.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于，由加热所述第二型半导体层以及所述覆盖层的组合以执行所述后扩散。

10.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于，进一步包含：

自所述第二型半导体层移除所述覆盖层。

11.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于，进一步包含：

在所述第二型半导体层以及所述覆盖层的组合上形成电极层。

12.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于，进一步包含：

形成连接所述第一型半导体层、所述第二型半导体层、或以上的组合的电流控制层，其中所述电流控制层具有开口，且所述开口在所述第二型半导体层上的垂直投影至少部分地与所述第二部位重叠。

13.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述第一型半导体层为N型半导体层，所述第二型半导体层为P型半导体层，且所述发光二极管制造方法进一步包含：

在所述第一型半导体层以及所述第二型半导体层之间形成主动层。

14.一种发光二极管，其特征在于，包含：

第一型半导体层，包含低电阻部位以及高电阻部位，其中所述低电阻部位与所述第一型半导体层的至少一个边缘通过所述高电阻部位分隔开来，且所述第一型半导体层的所述电阻率由所述低电阻部位往所述高电阻部位增加；

覆盖层，设置于所述第一型半导体层上，其中所述覆盖层具有孔洞，且所述孔洞在所述第一型半导体层上的一垂直投影至少部分地与所述低电阻部位重叠；以及

第二型半导体层，其中所述第一型半导体层存在于所述覆盖层以及所述第二型半导体层之间。

15.如权利要求14所述的发光二极管，其特征在于，所述覆盖层包含杂质，以及存在于所述高电阻部位的所述杂质的浓度大于存在于所述低电阻部位的所述杂质的浓度。

16.如权利要求15所述的发光二极管，其特征在于，所述杂质包含硅、氧、锗、钛、或以上的组合。

17.如权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，进一步包含：

主动层，设置于所述第一型半导体层以及所述第二型半导体层之间，其中所述第一型半导体层具有第一区域以及第二区域，所述第二区域至少部分地与所述高电阻部位重叠，且由所述第一区域与所述主动层分隔开来，且存在于所述第一区域中的所述杂质的浓度小于所述存在于所述第二区域中的所述杂质的浓度。

18.如权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，进一步包含：

电极层，设置于所述第一型半导体层上，且通过所述覆盖层的所述孔洞与所述第一型半导体层接触。

19.如权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，进一步包含：

电流控制层，与所述第一型半导体层、所述第二型半导体层、或以上的组合连接，其中所述电流控制层具有开口，且所述开口在所述第一型半导体层上的垂直投影至少部分地与所述低电阻部位重叠。

20.如权利要求16所述的发光二极管，其特征在于，所述第一型半导体层为P型半导体层，且所述第二半导体层为N型半导体层。