CN108538697B - 一种等离子刻蚀机 - Google Patents
一种等离子刻蚀机 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108538697B CN108538697B CN201810468355.1A CN201810468355A CN108538697B CN 108538697 B CN108538697 B CN 108538697B CN 201810468355 A CN201810468355 A CN 201810468355A CN 108538697 B CN108538697 B CN 108538697B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- box body
- mechanical chuck
- arc
- etching
- etching gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 83
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 16
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32412—Plasma immersion ion implantation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明属于半导体芯片制造技术领域，具体的说是一种等离子刻蚀机，包括箱体、偏压装置、机械卡盘、抽吸泵、激励线圈、驱动电机、连杆和调节装置；驱动电机转轴通过万向轴连接着机械卡盘，机械卡盘用于固定晶圆；连杆一端铰接在机械卡盘外圈；连杆另一端通过滚珠滑动安装在箱体内壁的凸轮槽内，激励线圈用于将刻蚀气体激发成等离子体；偏压装置用于对机械卡盘中的晶圆施加偏压；调节装置用于向箱体内注入刻蚀气体，抽吸管设在箱体底部，抽吸管用于抽离刻蚀反应产物。通过驱动电机控制机械卡盘转动，通过机械卡盘外圈设置连杆，连杆在凸轮槽内滑动，使得机械卡盘中的晶圆摆动，便于刻蚀反应产物的排离。
Description
技术领域
本发明属于半导体芯片制造技术领域，具体的说是一种等离子刻蚀机。
背景技术
等离子刻蚀机，又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过电场加速时，会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。某种程度来讲，等离子清洗实质上是等离子体刻蚀的一种较轻微的情况。进行干式蚀刻工艺的设备包括反应室、电源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反应室。气体被导入并与等离子体进行交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。
现有技术中也出现了一些等离子刻蚀机的技术方案，如申请号为2014103562551的一项中国专利公开了刻蚀装置及刻蚀方法，其中刻蚀装置包括：反应腔；晶圆固定装置，晶圆固定装置用于将晶圆固定在反应腔的顶部且晶圆的待刻蚀面朝向反应腔的底部；气体注入口，气体注入口设置在反应腔底部，用于向反应腔通入刻蚀气体；激励线圈，激励线圈环绕反应腔设置，用于将刻蚀气体激发成等离子体；以及偏压提供装置，偏压提供装置与晶圆固定装置相连，用于对晶圆固定装置中的晶圆施加偏压。
该技术方案能够提高刻蚀反应产物的排离速度，但是该方案是依靠刻蚀反应产物的自重下落，其效率较低；同时由于注气口位置固定，刻蚀气体输入反应腔不能快速充盈整个反应腔，造成局部区域气体浓度较高，造成晶圆不同区域刻蚀程度不同，从而影响产品质量。
发明内容
为了弥补现有技术的不足，本发明提出的一种等离子刻蚀机，通过机械卡盘外圈设置连杆，连杆在凸轮槽内滑动，使得机械卡盘中的晶圆摆动，连杆移到到横板的位置，第二支杆沿三角块的斜坡逐渐上升，到达三角块顶部后坠落，使得机械卡盘振动，便于刻蚀反应产物的排离。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种等离子刻蚀机，包括箱体、偏压装置、机械卡盘、抽吸管、激励线圈、驱动电机、连杆和调节装置；所述驱动电机安装在箱体顶部，所述驱动电机转轴通过万向轴连接着机械卡盘，所述机械卡盘用于固定晶圆；所述连杆一端铰接在机械卡盘外圈；所述连杆另一端通过滚珠滑动安装在箱体内壁的凸轮槽内，且凸轮槽的截面形状呈波峰状；所述激励线圈环绕箱体设置，激励线圈用于将刻蚀气体激发成等离子体；偏压装置与箱体相连，偏压装置用于对机械卡盘中的晶圆施加偏压；所述调节装置设置箱体底板上，所述调节装置用于向箱体内注入刻蚀气体，所述抽吸管设在箱体底部，抽吸管用于抽离刻蚀反应产物。通过驱动电机控制机械卡盘转动，通过机械卡盘外圈设置连杆，连杆在凸轮槽内滑动，使得机械卡盘中的晶圆摆动，便于刻蚀反应产物的排离。
优选的，所述调节装置包括转盘、弧形叶片、气孔和进气管；所述进气管安装在箱体底板中心；所述转盘转动安装在进气管端头；所述转盘外圈设有一组弧形叶片；所述弧形叶片中内弧面的一侧设有一组气孔；所述气孔的轴向与转盘的同心圆相切且向晶圆方向倾斜。通过设置一组弧形叶片，刻蚀气体从气孔喷出，在反推力的作用下，使得转盘旋转，使刻蚀气体均匀的充盈反应腔，避免局部刻蚀气体浓度较高，造成晶圆不同区域刻蚀程度不同。
优选的，所述进气管包括上支管、堵块、上浮动板、下浮动板、并联伸缩杆、下支管和软管；所述上支管转动安装在转盘底部，所述上支管一端转动安装堵块；所述堵块设有扇形缺口；所述上支管内壁设有一组导气管；所述导气管开口朝向堵块，所述导气管喷出刻蚀气体使堵块旋转；堵块转动使不同的弧形叶片交替喷出刻蚀气体；所述上支管另一端固定着上浮动板；所述下浮动板通过一组并联伸缩杆连接在上浮动板底部；所述上浮动板和下浮动板中部通过软管连接，所述下浮动板底部固连着下支管；所述下支管固定在箱体底部中心并连接到供气装置上。通过设置堵块和一组导气管，刻蚀气体通过不同的导气管吹向堵块的扇形缺口，使得堵块旋转，由于气孔朝向晶圆方向倾斜，刻蚀气体喷出后的反推力存在一个向下的分推力，由于堵块的封堵，刻蚀气体交替由不同的弧形叶片喷出，使得向下的分推力由不同的弧形叶片交替产生，造成转盘向一侧倾斜，在并联伸缩杆的作用下，产生多方向的摆动，使刻蚀气体均匀的充盈反应腔，避免局部刻蚀气体浓度较高，造成晶圆不同区域刻蚀程度不同。
优选的，所述弧形叶片内部设有垂直气孔的滑道，所述滑道内滑动安装着挡板；所述弧形叶片中内弧面的一侧通过扭簧转动安装一组导流板；所述导流板用于改变气孔喷出的刻蚀气体流向。控制刻蚀气体输入速率，能使转盘以不同的速度旋转，在离心力的作用下，挡板滑动并改变气孔的过流截面大小，相应的吹向导流板气流大小产生变化，使得导流板摆动，导流板摆动用于改变刻蚀气体流向，导流板配合转盘使刻蚀气体均匀的充盈反应腔，避免局部刻蚀气体浓度较高，造成晶圆不同区域刻蚀程度不同
优选的，所述连杆包括第一支杆和第二支杆，所述第一支杆一端通过滚珠滑动安装在箱体内壁的凸轮槽内；所述第一支杆另一端通过弹簧连接着第二支杆的一端；所述第二支杆另一端铰接在机械卡盘外圈；所述箱体内壁固连有支板；所述支板端头设有横板，所述横板上设有一组三角块；所述第二支杆设为圆柱形。连杆移到到横板的位置，第二支杆沿三角块的斜坡逐渐上升，到达三角块顶部后坠落，使得机械卡盘振动，便于刻蚀反应产物的排离。
优选的，所述三角块一侧的横板上设有拱起的弧形弹片。弧形弹片用于减缓第二支杆对横板冲击。
本发明的有益效果如下：
1.本发明通过机械卡盘外圈设置连杆，连杆在凸轮槽内滑动，使得机械卡盘中的晶圆摆动，连杆移到到横板的位置，第二支杆沿三角块的斜坡逐渐上升，到达三角块顶部后坠落，使得机械卡盘振动，便于刻蚀反应产物的排离。
2.本发明通过调节装置设置一组弧形叶片，刻蚀气体从弧形叶片的气孔喷出，在反推力的作用下，使得转盘旋转，使刻蚀气体均匀的充盈反应腔，避免局部刻蚀气体浓度较高，造成晶圆不同区域刻蚀程度不同。
3.本发明通过设置堵块和一组导气管，由于堵块的封堵，刻蚀气体交替由不同的弧形叶片喷出，造成转盘向一侧倾斜，在并联伸缩杆的作用下，产生多方向的摆动，使刻蚀气体均匀的充盈反应腔，避免局部刻蚀气体浓度较高，造成晶圆不同区域刻蚀程度不同。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步说明。
图1是本发明的结构图；
图2是本发明的主视图；
图3是图2中A-A剖视图；
图4是图2中B-B剖视图；
图5是图3中C-C剖视图；
图中：箱体1、偏压装置11、机械卡盘12、抽吸管13、激励线圈14、驱动电机5、连杆6、凸轮槽61、第一支杆67、第二支杆62、支板63、横板64、三角块65、弧形弹片66、调节装置7、转盘71、弧形叶片72、挡板721、导流板722、气孔73、进气管8、上支管81、导气管811、堵块82、上浮动板83、下浮动板84、并联伸缩杆85、下支管86、晶圆9。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
如图1至图5所示，本发明所述的一种等离子刻蚀机，包括箱体1、偏压装置11、机械卡盘12、抽吸管13、激励线圈14、驱动电机5、连杆6和调节装置7；所述驱动电机5安装在箱体1顶部，所述驱动电机5转轴通过万向轴连接着机械卡盘12，所述机械卡盘12用于固定晶圆9；所述连杆6一端铰接在机械卡盘12外圈；所述连杆6另一端通过滚珠滑动安装在箱体1内壁的凸轮槽61内，且凸轮槽61的截面形状呈波峰状；所述激励线圈14环绕箱体1设置，激励线圈14用于将刻蚀气体激发成等离子体；偏压装置11与箱体1相连，偏压装置11用于对机械卡盘12中的晶圆9施加偏压；所述调节装置7设置箱体1底板上，所述调节装置7用于向箱体1内注入刻蚀气体，所述抽吸管13设在箱体1底部，抽吸管13用于抽离刻蚀反应产物。通过驱动电机5控制机械卡盘12转动，通过机械卡盘12外圈设置连杆6，连杆6在凸轮槽61内滑动，使得机械卡盘12中的晶圆9摆动，便于刻蚀反应产物的排离。
作为本发明的一种实施方式，所述调节装置7包括转盘71、弧形叶片72、气孔73和进气管8；所述进气管8安装在箱体1底板中心；所述转盘71转动安装在进气管8端头；所述转盘71外圈设有一组弧形叶片72；所述弧形叶片72中内弧面的一侧设有一组气孔73；所述气孔73的轴向与转盘71的同心圆相切且向晶圆9方向倾斜。通过设置一组弧形叶片72，刻蚀气体从气孔73喷出，在反推力的作用下，使得转盘71旋转，使刻蚀气体均匀的充盈反应腔，避免局部刻蚀气体浓度较高，造成晶圆9不同区域刻蚀程度不同。
作为本发明的一种实施方式，所述进气管8包括上支管81、堵块82、上浮动板83、下浮动板84、并联伸缩杆85、下支管86和软管；所述上支管81转动安装在转盘71底部，所述上支管8一端转动安装堵块82；所述堵块82设有扇形缺口；所述上支管81内壁设有一组导气管811；所述导气管811开口朝向堵块82，所述导气管811喷出刻蚀气体使堵块82旋转；堵块82转动使不同的弧形叶片72交替喷出刻蚀气体；所述上支管81另一端固定着上浮动板83；所述下浮动板84通过一组并联伸缩杆85连接在上浮动板83底部；所述上浮动板83和下浮动板84中部通过软管连接，所述下浮动板84底部固连着下支管86；所述下支管86固定在箱体1底部中心并连接到供气装置上。通过设置堵块82和一组导气管811，刻蚀气体通过不同的导气管811吹向堵块82的扇形缺口，使得堵块82旋转，由于气孔73朝向晶圆9方向倾斜，刻蚀气体喷出后的反推力存在一个向下的分推力，由于堵块82的封堵，刻蚀气体交替由不同的弧形叶片72喷出，使得向下的分推力由不同的弧形叶片72交替产生，造成转盘71向一侧倾斜，在并联伸缩杆85的作用下，产生多方向的摆动，使刻蚀气体均匀的充盈反应腔，避免局部刻蚀气体浓度较高，造成晶圆9不同区域刻蚀程度不同。
作为本发明的一种实施方式，所述弧形叶片72内部设有垂直气孔73的滑道，所述滑道内滑动安装着挡板721；所述弧形叶片72中内弧面的一侧通过扭簧转动安装一组导流板722；所述导流板722用于改变气孔73喷出的刻蚀气体流向。控制刻蚀气体输入速率，能使转盘71以不同的速度旋转，在离心力的作用下，挡板721滑动并改变气孔73的过流截面大小，相应的吹向导流板722气流大小产生变化，使得导流板722摆动，导流板722摆动用于改变刻蚀气体流向，导流板722配合转盘71使刻蚀气体均匀的充盈反应腔，避免局部刻蚀气体浓度较高，造成晶圆9不同区域刻蚀程度不同
作为本发明的一种实施方式，所述连杆6包括第一支杆67和第二支杆62，所述第一支杆67一端通过滚珠滑动安装在箱体1内壁的凸轮槽61内；所述第一支杆67另一端通过弹簧连接着第二支杆62的一端；所述第二支杆62另一端铰接在机械卡盘12外圈；所述箱体1内壁固连有支板63；所述支板63端头设有横板64，所述横板64上设有一组三角块65；所述第二支杆62设为圆柱形。连杆6移到到横板64的位置，第二支杆62沿三角块65的斜坡逐渐上升，到达三角块65顶部后坠落，使得机械卡盘12振动，便于刻蚀反应产物的排离。
作为本发明的一种实施方式，所述三角块65一侧的横板64上设有拱起的弧形弹片66。弧形弹片66用于减缓第二支杆62对横板64冲击。
工作时，在对晶圆9进行刻蚀时，通过驱动电机5控制机械卡盘12转动，通过机械卡盘12外圈设置连杆6，连杆6在凸轮槽61内滑动，使得机械卡盘12中的晶圆9摆动，连杆6移到到横板64的位置，第二支杆62沿三角块65的斜坡逐渐上升，到达三角块65顶部后坠落，使得机械卡盘12振动，便于刻蚀反应产物的排离；通过设置一组弧形叶片72，刻蚀气体从气孔73喷出，在反推力的作用下，使得转盘71旋转；同时，通过在上支管81内壁设有一组导气管811，刻蚀气体通过不同的导气管811吹向堵块82的扇形缺口，使得堵块82旋转，由于气孔73朝向晶圆9方向倾斜，刻蚀气体喷出后的反推力存在一个向下的分推力，由于堵块82的封堵，刻蚀气体交替由不同的弧形叶片72喷出，使得向下的分推力由不同的弧形叶片72交替产生，造成转盘71向一侧倾斜，在并联伸缩杆85的作用下，产生多方向的摆动，使刻蚀气体均匀的充盈反应腔；还可以控制刻蚀气体输入速率，能使转盘71以不同的速度旋转，在离心力的作用下，挡板721滑动并改变气孔73的过流截面大小，相应的吹向导流板722气流大小产生变化，使得导流板722摆动，导流板722摆动用于改变刻蚀气体流向，导流板722配合转盘71使刻蚀气体均匀的充盈反应腔，避免局部刻蚀气体浓度较高，造成晶圆9不同区域刻蚀程度不同。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (6)
1.一种等离子刻蚀机，包括箱体(1)、偏压装置(11)、机械卡盘(12)、抽吸管(13)和激励线圈(14)；其特征在于：还包括驱动电机(5)、连杆(6)和调节装置(7)；所述驱动电机(5)安装在箱体(1)顶部，所述驱动电机(5)转轴通过万向轴连接着机械卡盘(12)，所述机械卡盘(12)用于固定晶圆；所述连杆(6)一端铰接在机械卡盘(12)外圈；所述连杆(6)另一端通过滚珠滑动安装在箱体(1)内壁的凸轮槽(61)内，且凸轮槽(61)的截面形状呈波峰状；所述激励线圈(14)环绕箱体(1)设置，激励线圈(14)用于将刻蚀气体激发成等离子体；偏压装置(11)与箱体(1)相连，偏压装置(11)用于对机械卡盘(12)中的晶圆施加偏压；所述调节装置(7)设置箱体(1)底板上，所述调节装置(7)用于向箱体(1)内注入刻蚀气体，所述抽吸管(13)设在箱体(1)底部，抽吸管(13)用于抽离刻蚀反应产物。
2.根据权利要求1所述的一种等离子刻蚀机，其特征在于：所述调节装置(7)包括转盘(71)、弧形叶片(72)、气孔(73)和进气管(8)；所述进气管(8)安装在箱体(1)底板中心；所述转盘(71)转动安装在进气管(8)端头；所述转盘(71)外圈设有一组弧形叶片(72)；所述弧形叶片(72)中内弧面的一侧设有一组气孔(73)；所述气孔(73)的轴向与转盘(71)的同心圆相切且向晶圆方向倾斜。
3.根据权利要求2所述的一种等离子刻蚀机，其特征在于：所述进气管(8)包括上支管(81)、堵块(82)、上浮动板(83)、下浮动板(84)、并联伸缩杆(85)、下支管(86)和软管；所述上支管(81)转动安装在转盘(71)底部，所述上支管(8)一端转动安装堵块(82)；所述堵块(82)设有扇形缺口；所述上支管(81)内壁设有一组导气管(811)；所述导气管(811)开口朝向堵块(82)，所述导气管(811)喷出刻蚀气体使堵块(82)旋转；堵块(82)转动使不同的弧形叶片(72)交替喷出刻蚀气体；所述上支管(81)另一端固定着上浮动板(83)；所述下浮动板(84)通过一组并联伸缩杆(85)连接在上浮动板(83)底部；所述上浮动板(83)和下浮动板(84)中部通过软管连接，所述下浮动板(84)底部固连着下支管(86)；所述下支管(86)固定在箱体(1)底部中心并连接到供气装置上。
4.根据权利要求2所述的一种等离子刻蚀机，其特征在于：所述弧形叶片(72)内部设有垂直气孔(73)的滑道，所述滑道内滑动安装着挡板(721)；所述弧形叶片(72)中内弧面的一侧通过扭簧转动安装一组导流板(722)；所述导流板(722)用于改变气孔(73)喷出的刻蚀气体流向。
5.根据权利要求1所述的一种等离子刻蚀机，其特征在于：所述连杆(6)包括第一支杆(67)和第二支杆(62)，所述第一支杆(67)一端通过滚珠滑动安装在箱体(1)内壁的凸轮槽(61)内；所述第一支杆(67)另一端通过弹簧连接着第二支杆(62)的一端；所述第二支杆(62)另一端铰接在机械卡盘(12)外圈；所述箱体(1)内壁固连有支板(63)；所述支板(63)端头设有横板(64)，所述横板(64)上设有一组三角块(65)；所述第二支杆(62)设为圆柱形。
6.根据权利要求5所述的一种等离子刻蚀机，其特征在于：所述三角块(65)一侧的横板(64)上设有拱起的弧形弹片(66)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810468355.1A CN108538697B (zh) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 一种等离子刻蚀机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810468355.1A CN108538697B (zh) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 一种等离子刻蚀机 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108538697A CN108538697A (zh) | 2018-09-14 |
| CN108538697B true CN108538697B (zh) | 2020-02-21 |
Family
ID=63471618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810468355.1A Active CN108538697B (zh) | 2018-05-16 | 2018-05-16 | 一种等离子刻蚀机 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108538697B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111508806B (zh) * | 2020-04-17 | 2023-01-17 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺腔室及半导体加工设备 |
| CN112928182B (zh) * | 2021-01-22 | 2022-05-31 | 徐州中辉光伏科技有限公司 | 一种散热性能好的太阳能光伏刻蚀装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04137727A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Hitachi Ltd | イオンビームエッチング方法及びイオンビームエッチング装置 |
| JPH0529273A (ja) * | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Kobe Steel Ltd | プラズマ処理装置 |
| KR100940403B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2010-02-02 | 주식회사 동부하이텍 | 돔 온도 제어 장치 및 이를 이용한 플라즈마 식각장치 |
| US8562742B2 (en) * | 2010-04-30 | 2013-10-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for radial delivery of gas to a chamber and methods of use thereof |
| CN203787383U (zh) * | 2014-04-09 | 2014-08-20 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种适应性耦合等离子刻蚀机 |
| CN106653645B (zh) * | 2015-10-29 | 2019-10-29 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 晶圆的刻蚀装置及刻蚀方法 |
| JP6546874B2 (ja) * | 2016-04-13 | 2019-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給機構及び半導体製造システム |
-
2018
- 2018-05-16 CN CN201810468355.1A patent/CN108538697B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108538697A (zh) | 2018-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108666198B (zh) | 一种半导体芯片生产工艺 | |
| US10304705B2 (en) | Cleaning device for atomizing and spraying liquid in two-phase flow | |
| CN108538697B (zh) | 一种等离子刻蚀机 | |
| CN100543931C (zh) | 基板处理装置、液膜冻结方法以及基板处理方法 | |
| TWI436413B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| CN105513999B (zh) | 一种具有气体保护的二相流雾化喷射清洗装置及清洗方法 | |
| US9805938B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| CN105413905A (zh) | 一种二相流雾化喷射清洗装置及清洗方法 | |
| CN104841660A (zh) | 气液两相雾化清洗装置及清洗方法 | |
| JP2014194965A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP5114252B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| CN107346755B (zh) | 晶圆级带tsv通孔的薄晶圆清洗装置及清洗方法 | |
| CN106132564B (zh) | 用于旋转涂布中的缺陷控制的盖板 | |
| CN104091776B (zh) | 一种消除连接孔刻蚀副产物凝结缺陷的晶圆净化设备 | |
| WO2020110858A1 (ja) | 基板洗浄方法、処理容器洗浄方法、および基板処理装置 | |
| US20140251539A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| CN107230653B (zh) | 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 | |
| JP4502854B2 (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
| CN103047839A (zh) | 一种半导体硅片干燥装置及干燥方法 | |
| JP5111999B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| CN102237246A (zh) | 一种排气板及等离子体处理设备 | |
| JPH0817817A (ja) | Ｓｏｇ膜の成膜方法及びｓｏｇコータ | |
| CN112635389A (zh) | 蚀刻治具、蚀刻装置及蚀刻方法 | |
| JP2006121075A (ja) | ウエハの高精度エッチング方法 | |
| JP4997058B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20200117 Address after: 234000 Intersection of Longteng Road and Fengxiang Road in the East Circular Economy Demonstration Park of Suzhou City, Anhui Province Applicant after: ANHUI SHENGYUAN ENVIRONMENTAL PROTECTION NEW MATERIAL Co.,Ltd. Address before: 310014 Energy Education Institute, Zhejiang University of Technology, 18 Chao Wang Road, Xiacheng District, Hangzhou, Zhejiang Applicant before: Wang Yujie |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230717 Address after: No. 530, Qingyang North Road, Zhoushi Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province 215300 Patentee after: Kunshan Yiheng Technology Co.,Ltd. Address before: 234000 intersection of Longteng road and Fengxiang Road, Chengdong circular economy demonstration park, Suzhou City, Anhui Province Patentee before: ANHUI SHENGYUAN ENVIRONMENTAL PROTECTION NEW MATERIAL Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |