CN108510894B - 微型装置面板和其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种包含以下步骤的用于微型装置面板的制造方法。多个微型装置集合形成于转移基板上，且多个微型装置集合中的每一个具有至少一个微型装置。提供多个接收块。多个微型装置集合由转移头分别从转移基板转移到多个接收块上以形成多个构建块。多个构建块放置于接收基板上。最后，接收基板上的邻近构建块由多个连接装置连接以形成微型装置面板。

Description

微型装置面板和其制造方法
技术领域
本发明涉及一种微型装置面板(micro-device panel)和其制造方法，明确地说，涉及一种具有短制造时间和高收益率的优点的微型装置面板和其制造方法。
背景技术
归因于市场上更薄、更轻、更亮且低功率显示器的需求，已将微型发光二极管(微型LED)显示器视为替换液晶显示器(liquid-crystal display；LCD)和有机发光二极管(organic light-emitting diode；OLED)的潜在方式，这是由于与LCD和甚至OLED相比，微型LED可带来亮度、色彩对比度和能效的显著改善。
然而，微型LED尚未处于大量生产中，且转移技术并不完全成熟。确切地说，在制造包含1080×1920个像素或1080×1920×3个子像素的5英寸全HD面板过程中，微型LED形成于转移基板上，且接着由转移头转移到5英寸全HD面板的作用区域上。如图1中所显示，包含(例如)100×100个mLED的转移单元10被转移到5英寸全HD面板的作用区域20，且作用区域20的大小比转移单元10的大小大得多。因此，当转移一个转移单元10时，多数时间被浪费在移动和对准转移单元10上，且用于将转移单元10放置到作用区域20上的时间仅为约3到4秒。为了制造5英寸全HD面板，约660个转移单元需要转移。因此，这样的制造方法会花费很长的时间。
在其它方面，由于一次将转移单元10的100×100个mLED放置到作用区域20上，因此存在高的故障概率。因此，收益率不能达成百分之百。如果检测到全部5英寸全HD面板具有不能被修复的缺陷，那么必须抛弃那个全部5英寸全HD面板。
发明内容
因此，本发明是针对一种具有短制造时间和高收益率的优点的微型装置面板和其制造方法。
本发明提供一种微型装置面板的制造方法，其包含以下步骤。多个微型装置集合形成于转移基板上，且所述多个微型装置集合中的每一个具有至少一个微型装置。提供多个接收块。所述多个微型装置集合由转移头分别从所述转移基板转移到所述多个接收块上以形成多个构建块。所述多个构建块放置于接收基板上。最后，所述接收基板上的所述邻近构建块由多个连接装置连接以形成所述微型装置面板。
在本发明的一个实施例中，所述多个微型装置集合与所述多个接收块一一对应(one-to-one correspondence)，且由所述转移头分别将所述多个微型装置集合从所述转移基板转移到所述多个接收块上以形成所述多个构建块的步骤还包含以下步骤。将所述多个微型装置集合中的每一个重复地从所述转移基板转移到所述多个接收块中的对应的接收块上以形成所述构建块中的一个。测试所述构建块中的每一个，以确定多个功能性构建块。
在本发明的一个实施例中，所述多个微型装置集合中的每一个的所述至少一个微型装置形成微型装置阵列，所述接收块中的每一个包含具有至少一个子像素的作用区域，且将所述多个微型装置集合中的每一个重复地从所述转移基板转移到所述多个接收块中的所述对应的接收块上以形成所述构建块中的一个还包含以下步骤。从所述转移基板拾取所述多个微型装置集合中的一个。将所述多个微型装置集合中的所述一个移动且与所述接收块中对应于所述多个微型装置集合中的所述一个的一个对准。将所述多个微型装置集合中的所述一个放置到所述接收块中的所述一个上，使得所述微型装置阵列对应于所述作用区域，且对应于所述至少一个子像素安置所述至少一个微型装置。
在本发明的一个实施例中，在所述多个微型装置集合中的每一个的所述微型装置阵列中的所述至少一个微型装置的数目等于在所述多个接收块中的所述对应的接收块的所述作用区域中的所述至少一个子像素的数目。
在本发明的一个实施例中，将所述多个构建块放置于所述接收基板上的步骤还包含以下步骤：将所述多个功能性构建块放置于所述接收基板的同一平面上。
在本发明的一个实施例中，将所述多个构建块放置于所述接收基板上的步骤还包含以下步骤：将所述多个功能性构建块放置于所述接收基板的同一侧上的不同平面上，使得所述邻近构建块到所述接收基板上的正交投影(orthogonal projections)相互重叠。
在本发明的一个实施例中，所述构建块中的每一个的所述至少一个微型装置形成微型装置阵列，所述微型装置阵列的行的数目为M，所述微型装置阵列的列的数目为N，且M和N为正整数。
在本发明的一个实施例中，所述连接装置中的每一个包含在第一方向上的多个第一连接线和在第二方向上的多个第二连接线，所述第一连接线的数目为X，所述第二连接线的数目为Y，且X和Y为正整数。
在本发明的一个实施例中，X大于或等于M，且Y大于或等于N。
在本发明的一个实施例中，所述第一连接线和所述第二连接线是通过光刻工艺制造(photolithography process)。
基于以上内容，如在本发明的实施例中所描述，由于将所述微型装置集合中的每一个重复地从所述转移基板转移到所述接收块中的对应的接收块上以形成所述构建块中的一个，因此用于将所述微型装置集合与所述接收块的所述作用区域对准的时间大大减少。此外，在转移过程中的所述微型装置集合的移动距离也减小了，以节省时间且增加制造方法中的准确性。另外，在转移所述微型装置集合过程中使用的设备可较小以减小成本，但可具有更好的效率。
另外，由于接收块的作用区域的大小实质上等于对应的微型装置集合的微型装置阵列的大小，因此转移头的移动步伐可大得多，例如，大于100微米。因此，用于移动微型装置集合的时间也大大地减少。
其它方面，在本发明的示范实施例中可适当地选择正被转移的微型装置的数目，以增大收益率。另外，由于个别地测试构建块中的每一个，使得只将功能性构建块放置于接收基板上以形成微型装置面板。因此，可保证每一微型装置面板恰当地工作。换句话说，制造方法的收益率可达成百分之百，或至少，大大减小制造方法的故障率。
关于在下文的示范性实施例和附图的以下描述，本发明的以上提到的特征和优点将变得更明显且被更好地理解。
附图说明
包含附图以提供对本发明的进一步理解，且附图并入在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并且与描述内容一起用来解释本发明的原理。
图1为说明常规技术中的转移单元和作用区域的示意图；
图2A到图2L为说明根据本发明的实施例的微型装置面板的制造方法的示意性俯视图；
图3A到图3L为分别说明图2A到图2L中描绘的微型装置面板的制造方法的示意性正视图；
图4为说明根据本发明的实施例的微型装置面板的制造方法的流程图；
图5A为说明根据本发明的实施例的微型装置面板的示意图；
图5B为说明图5A中显示的微型装置面板的三维示意图；
图6为说明根据本发明的另一实施例的微型装置面板的三维示意图；
图7为说明根据本发明的实施例的在微型装置的尺寸与子像素的尺寸之间的真实比率的示意图；
图8为说明根据本发明的实施例的微型装置面板的一个构建块的示意图；
图9为说明根据本发明的另一实施例的微型装置面板的一个构建块的示意图；
附图标号说明：
10：转移单元；
20：作用区域；
100：转移基板；
200：转移头；
300：接收基板；
301、302：平面；
401、402：连接装置；
1000：微型装置面板；
BB1、BB2、BB3、BB4、BB5、BB6、BB11：构建块；
BSP：蓝色子像素；
GSP：绿色子像素；
M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、M14、M15、M16、M22：微型装置；
P：位置；
P11、P12、P13、P14：像素；
RB1、RB2、RB3、RB4：接收块；
RSP：红色子像素；
S1、S2、S3、S4：微型装置集合；
S101、S102、S103、S104、S105：步骤；
SP1、SP2、SP3、SP4、SP5、SP6、SP7、SP8、SP9、SP10、SP11、SP12、SP13、SP14、SP15、SP16、SP17、SP18、SP19、SP20、SP21、SP22：子像素。
具体实施方式
现将详细地对本发明的目前优选实施例进行参考，其实例在附图中说明。只要可能，相同的参考编号在图式和描述中用以指相同或相似部分。
图2A到图2L为说明根据本发明的实施例的微型装置面板的制造方法的示意性俯视图，且图3A到图3L为说明图2A到图2L中描绘的微型装置面板的制造方法的示意性正视图。更具体地说，图2A到图2L分别对应于图3A到图3L。举例来说，图2A和对应于图2A的图3A分别为说明在具体时间点的微型装置面板的制造方法的示意性俯视图和示意性正视图。下文将同时描述对应的图。此外，图4为说明根据本发明的实施例的微型装置面板的制造方法的流程图。
同时参看图2A和图3A，多个微型装置集合S1到S4形成于转移基板100上，且多个微型装置集合S1到S4中的每一个具有至少一个微型装置(图4中的步骤S101)。具体地说，在本实施例中，存在四个形成于转移基板100上的微型装置集合S1到S4。另外，微型装置集合S1具有四个微型装置M1到M4，微型装置集合S2具有四个微型装置M5到M8，微型装置集合S3具有四个微型装置M9到M12，且微型装置集合S4具有四个微型装置M13到M16。此处应注意，在本实施例中，存在四个微型装置集合S1到S4，且四个微型装置集合S1到S4中的每一个具有四个微型装置，但微型装置集合的数目和每一微型装置集合的微型装置的数目不限于此。在本发明的其它实施例中，微型装置集合的数目可大于或等于2，且每一微型装置集合具有一或多个微型装置。
在本实施例中，微型装置集合S1到S4中的每一个的四个微型装置形成微型装置阵列。然而，本发明不限于此，微型装置集合的微型装置可形成圆形、三角形等。
接下来，同时参看图2B和图3B，提供多个接收块RB1到RB4(图4中的步骤102)，且接收块RB1到RB4中的每一个包含具有至少一个子像素的作用区域。在本实施例中，提供四个接收块RB1到RB4。另外，接收块RB1具有四个子像素SP1到SP4，接收块RB2具有四个子像素SP5到SP8，接收块RB3具有四个子像素SP9到SP12，且接收块RB4具有四个子像素SP13到SP16。
此处应注意，多个微型装置集合S1到S4与多个接收块RB1到RB4一一对应。即，微型装置集合S1对应于接收块RB1，微型装置集合S2对应于接收块RB2，微型装置集合S3对应于接收块RB3，且微型装置集合S4对应于接收块RB4。类似地，存在四个图2B和图3B中描绘的接收块，但在本发明中的接收块的数目不限于此。在本发明的其它实施例中，接收块的数目可大于或等于2，只要接收块的数目等于微型装置集合的数目。另外，一个微型装置集合中的微型装置的数目等于对应的接收块中的子像素的数目。
参看图2C到图2L和图3C到图3L，多个微型装置集合S1到S4由转移头200分别从转移基板100转移到多个接收块RB1到RB4上以形成多个构建块BB1到BB4(图4中的步骤S103)。下文将描述细节。
首先，同时参看图2C和图3C，接收块RB1固定到位置P，控制转移头200与微型装置集合S1的四个微型装置M1到M4接触。在本发明中，控制转移头200的方法不受限制。接下来，转移头200从转移基板100拾取微型装置集合S1的四个微型装置M1到M4，如图2D和图3D中所显示，且转移头200沿着一个方向(在图3E中由箭头显示)移动微型装置集合S1的四个微型装置M1到M4，以在位置P处将微型装置集合S1与接收块RB1对准，如在图2E和图3E中所显示。在对准后，转移头200将微型装置集合S1的四个微型装置M1到M4放置到接收块RB1上以形成构建块BB1。此时，微型装置集合S1的微型装置阵列对应于接收块RB1的作用区域，且对应于四个子像素SP1到SP4安置四个微型装置M1到M4。换句话说，构建块BB1包含接收块RB1和分别安置于接收块RB1的四个子像素SP1到SP4中的四个微型装置M1到M4。此处应注意，接收块RB1的作用区域的大小实质上等于微型装置集合S1的微型装置阵列的大小。因此，微型装置集合S1的四个微型装置M1到M4从转移基板100转移到对应于微型装置集合S1的接收块RB1上，以形成构建块BB1。在此之后，构建块BB1由接收块RB2替代，因此接收块RB2固定到位置P，且测试构建块BB1以确定其是否恰当地发挥功能。
依序地按相同方式，将微型装置集合S2的四个微型装置M5到M8从转移基板100转移到接收块RB2上，因此四个微型装置M5到M8分别安置于四个子像素SP5到SP8中，将微型装置集合S3的四个微型装置M9到M12从转移基板100转移到接收块RB3上，因此四个微型装置M9到M12分别安置于四个子像素SP9到SP12中，且将微型装置集合S4的四个微型装置M13到M16从转移基板100转移到接收块RB4上，因此四个微型装置M13到M16分别安置于四个子像素SP13到SP16中，如在图2G到图2L和图3G到图3L中所显示。因此，微型装置集合S1到S4逐一地分别转移到接收块RB1到RB4上以形成构建块BB1到BB4。换句话说，将微型装置集合S1到S4中的每一个重复地从转移基板100转移到接收块RB1到RB4中的对应的接收块上以形成构建块BB1到BB4中的一个。
此外，接收块RB1到RB4中的每一个固定到一个具体位置P以接收微型装置集合S1到S4中的对应的微型装置集合，但是本发明不限于此。在本发明的其它实施例中，可具有多于两个的接收块可固定到的位置。
在本实施例中，由于接收块RB1到RB4中的每一个依序固定到一个具体位置P以接收微型装置集合S1到S4中的对应的微型装置集合，因此用于对准微型装置集合与接收块的作用区域的时间大大地减少。
其它方面，在常规技术中，作用区域的大小比包含(例如)100×100个微型装置的微型装置阵列的大小大得多。因此，当微型装置阵列由转移头在作用区域上方移动时，转移头的移动步伐必须很小，例如，必须小于100微米以定位微型装置阵列。然而，在本实施例中，由于接收块RB1到RB4中的每一个的作用区域的大小实质上等于微型装置集合S1到S4中的对应者的微型装置阵列的大小，因此转移头的移动步伐可大得多，例如，大于100微米。因此，用于移动微型装置集合的时间也大大地减少。
此处应注意，在形成后，个别地测试构建块BB1到BB4中的每一个使得确定构建块BB1到BB4中的每一个是否有功能性。如果构建块BB1到BB4中的一个功能异常，那么将其用通过以上描述的相同制造方法形成的另一功能性构建块替换。结果，在本实施例中形成四个功能性构建块。为易于描述，假定在本实施例中四个构建块BB1到BB4都有功能性。然而，在本发明中的功能性构建块的数目不限于此，且形成的功能性构建块的数目是基于要求。
图5A为说明根据本发明的实施例的微型装置面板的示意图，且图5B为说明图5A中显示的微型装置面板的三维示意图。
接下来，参看图5A和图5B，将形成后的功能性四个构建块BB1到BB4放置于接收基板300上(图4中的步骤S104)。将构建块放置于接收基板上的方法在本申请中不受限制。
在本实施例中，如图5A和图5B中所显示，将四个功能性构建块BB1到BB4放置于接收基板300的平面301上。
最后，接收基板300上的邻近构建块(例如，邻近构建块BB1、BB2和BB4，和邻近构建块BB2、BB3和BB4)由多个连接装置401和402连接以形成微型装置面板1000(图4中的步骤S105)。在本实施例中存在两个连接装置401和402，但是本发明不限于此。在其它实施例中，连接装置的数目取决于构建块的数目。
更具体地说，连接装置401和402中的每一个包含在第一方向D1上的多个第一连接线和在第二方向D2上的多个第二连接线，如图5A和图5B中所显示。在连接装置401的第一方向D1上的第一连接线用以在两个邻近构建块BB1与BB4之间连接，在连接装置401的第二方向D2上的第二连接线用以在两个邻近构建块BB1与BB2之间连接。此外，在连接装置402的第一方向D1上的第一连接线用以在两个邻近构建块BB2与BB3之间连接，且在连接装置402的第二方向D2上的第二连接线用以在两个邻近构建块BB3与BB4之间连接。如图5A中所显示，在连接装置401和402中的每一个中的第一连接线的数目为五，且在连接装置401和402中的每一个中的第二连接线的数目也是五。另一方面，在构建块BB1到BB4中的每一个中的微型装置阵列的行的数目为二，且在构建块BB1到BB4中的每一个中的微型装置阵列的列的数目为二。因此，在连接装置401的第一方向D1上的第一连接线的数目大于在两个邻近构建块BB1和BB4中的每一个中的微型装置阵列的行的数目，且在连接装置401的第二方向D2上的第二连接线的数目大于在两个邻近构建块BB1和BB2中的每一个中的微型装置阵列的列的数目。类似地，在连接装置402的第一方向D1上的第一连接线的数目大于在两个邻近构建块BB2和BB3中的每一个中的微型装置阵列的行的数目，且在连接装置402的第二方向D2上的第二连接线的数目大于在两个邻近构建块BB3和BB4中的每一个中的微型装置阵列的列的数目。
在本发明的其它实施例中，一个连接装置分别由第一连接线和第二连接线在第一和第二方向上连接三个邻近构建块。第一连接线的数目为X，第二连接线的数目为Y，且X和Y为正整数。在第一方向上的两个邻近构建块中的每一个中的微型装置阵列的行的数目为M，在第二方向上的两个邻近构建块中的每一个中的微型装置阵列的列的数目为N，且M和N为正整数。X、Y、M和N必须满足的条件是X大于或等于M，且Y大于或等于N。
此处应注意，在本发明的示范实施例中，第一连接线和第二连接线是通过光刻工艺制造。
另外，由于个别地测试构建块BB1到BB4中的每一个使得只将功能性构建块放置在接收基板300上以形成微型装置面板1000。因此，可保证在制造后，每一微型装置面板1000恰当地工作。换句话说，制造方法的收益率可达成百分之百，或至少，大大减小制造方法的故障率。
在本申请的另一实施例中，存在六个构建块BB1到BB6，且将六个构建块BB1到BB6放置于接收基板300的同一侧上的不同平面301和302上，使得邻近构建块(即，邻近构建块BB1和BB2)到接收基板300上的正交投影相互重叠，如图6中所显示。
图7为说明根据本发明的本实施例的在微型装置的尺寸与每一子像素的尺寸之间的真实比率的示意图。图7显示针对5英寸全HD屏幕(1920×1080)的一个红色子像素RSP、一个蓝色子像素BSP和一个绿色子像素GSP，和一个微型装置。红色子像素RSP、蓝色子像素BSP和绿色子像素GSP的尺寸实质上彼此相等。更具体地说，红色子像素RSP、蓝色子像素BSP和绿色子像素GSP中的每一个的宽度和长度分别为20微米和60微米。另外，微型装置的宽度和长度都等于10微米。
图8为说明根据本发明的实施例的微型装置面板的一个构建块的示意图。如图8中所显示，本申请的构建块BB1具有四个子像素SP1到SP4和分别安置在四个子像素SP1到SP4中的四个微型装置M1到M4。
在本发明的另一实施例中，一个构建块可具有多于四个子像素和多于四个微型装置。举例来说，图9为说明根据本发明的另一实施例的一个构建块的示意图。如图9中所显示，构建块BB11可具有十二个子像素SP11到SP22，且十二个子像素中的每一个被归类为红色子像素、蓝色子像素或绿色子像素。此外，相互邻近的一个红色子像素、一个蓝色子像素与一个绿色子像素的组合形成一个像素。举例来说，构建块BB11可具有由十二个子像素SP11到SP22形成的4个像素P11到P14。此外，构建块BB11可具有十二个微型装置M11到M22，且十二个微型装置M11到M22分别安置在12个子像素SP11到SP22中。举例来说，微型装置M11到M22充当光源。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，在一个构建块中的微型装置的数目和子像素的数目可大于或等于一。
总之，在本发明的示范实施例中，由于接收块中的每一个固定到一个具体位置以接收对应的微型装置集合，因此用于对准微型装置集合与接收块的作用区域的时间大大地减少。此外，在转移过程中的所述微型装置集合的移动距离也减小了，以节省时间且增加制造方法中的准确性。另外，在转移所述微型装置集合过程中使用的设备可较小以减小成本，但可具有更好的效率。
另外，由于接收块的作用区域的大小实质上等于对应的微型装置集合的微型装置阵列的大小，因此转移头的移动步伐可大得多，例如，大于100微米。因此，用于移动微型装置集合的时间也大大地减少。
其它方面，在本发明的示范实施例中可适当地选择正被转移的微型装置的数目，以增大收益率。另外，由于个别地测试构建块中的每一个，使得只将功能性构建块放置于接收基板上以形成微型装置面板。因此，可保证每一微型装置面板恰当地工作。换句话说，制造方法的收益率可达成百分之百，或至少，大大减小制造方法的故障率。
对于所属领域的技术人员将显而易见的是，在不脱离本发明的范围或精神的情况下可以对本发明的结构进行各种修改和变化。鉴于前述内容，希望本发明涵盖属于所附权利要求和其等效内容的范围的本发明的修改和变化。

Claims (20)

1.一种用于微型装置面板的制造方法，其特征在于，包括：
在转移基板上形成多个微型装置集合，其中所述多个微型装置集合中的每一个具有至少一个微型装置；
提供多个接收块；
重复地将所述多个接收块中的至少一接收块固定到一个具体位置；
重复地由转移头将所述多个微型装置集合中至少一微型装置集合从所述转移基板转移到位于所述具体位置的所述至少一接收块上，藉此形成多个构建块；
将所述多个构建块放置于接收基板上；以及
由多个连接装置连接所述接收基板上的邻近的所述构建块以形成所述微型装置面板。
2.根据权利要求1所述的用于微型装置面板的制造方法，其特征在于，所述多个微型装置集合与所述多个接收块一一对应，且依次地由所述转移头将所述多个微型装置集合中所述至少一微型装置集合从所述转移基板转移到位于所述具体位置的所述至少一接收块上的步骤还包括：
将所述多个微型装置集合中的每一个重复地从所述转移基板转移到所述多个接收块中的对应的接收块上以形成所述构建块中的一个；以及
测试所述构建块中的每一个，以确定多个功能性构建块。
3.根据权利要求2所述的用于微型装置面板的制造方法，其特征在于，所述多个微型装置集合中的每一个的所述至少一个微型装置形成微型装置阵列，所述接收块中的每一个包括具有至少一个子像素的作用区域，且将所述多个微型装置集合中的每一个重复地从所述转移基板转移到所述多个接收块中的所述对应的接收块上以形成所述构建块中的一个还包括：
从所述转移基板拾取所述多个微型装置集合中的一个；
将所述多个微型装置集合中的所述一个移动且与所述接收块中对应于所述多个微型装置集合中的所述一个的一个对准；
将所述多个微型装置集合中的所述一个放置到所述接收块中的所述一个上，使得所述微型装置阵列对应于所述作用区域，且对应于所述至少一个子像素安置所述至少一个微型装置。
4.根据权利要求3所述的用于微型装置面板的制造方法，其特征在于，在所述多个微型装置集合中的每一个的所述微型装置阵列中的所述至少一个微型装置的数目等于在所述多个接收块中的所述对应的接收块的所述作用区域中的所述至少一个子像素的数目。
5.根据权利要求2所述的用于微型装置面板的制造方法，其特征在于，将所述多个构建块放置于所述接收基板上的步骤还包括：
将所述多个功能构建块放置于所述接收基板的同一平面上。
6.根据权利要求2所述的用于微型装置面板的制造方法，其特征在于，将所述多个构建块放置于所述接收基板上的步骤还包括：
将所述多个功能性构建块放置于所述接收基板的同一侧上的不同平面，使得邻近的所述功能性构建块到所述接收基板上的正交投影相互重叠。
7.根据权利要求1所述的用于微型装置面板的制造方法，其特征在于，所述构建块中的每一个的所述至少一个微型装置形成微型装置阵列，所述微型装置阵列的行的数目为M，所述微型装置阵列的列的数目为N，且M和N为正整数。
8.根据权利要求7所述的用于微型装置面板的制造方法，其特征在于，所述连接装置中的每一个包括在第一方向上的多个第一连接线和在第二方向上的多个第二连接线，所述第一连接线的数目为X，所述第二连接线的数目为Y，且X和Y为正整数。
9.根据权利要求8所述的用于微型装置面板的制造方法，其特征在于，X大于或等于M，且Y大于或等于N。
10.根据权利要求8所述的用于微型装置面板的制造方法，其特征在于，所述第一连接线和所述第二连接线是通过光刻工艺制造。
11.一种微型装置面板，其特征在于，包括
接收基板；
多个构建块，其安置于所述接收基板上；
多个微型装置集合，其中所述多个微型装置集合中的每一个具有至少一个微型装置，且所述多个构建块中的每一个具有所述多个微型装置集合中的一个；以及
多个连接装置，其连接所述接收基板上的邻近的所述构建块，
其中，所述多个构建块是透过重复地将所述多个微型装置集合中至少一微型装置集合转移到位于一个具体位置的至少一接收块上来形成，并且所述多个构建块被设置于所述接收基板上以形成所述微型装置面板。
12.根据权利要求11所述的微型装置面板，其特征在于，所述多个微型装置集合中的每一个的所述至少一个微型装置形成微型装置阵列，所述微型装置阵列的行的数目为M，所述微型装置阵列的列的数目为N，且M和N为正整数。
13.根据权利要求12所述的微型装置面板，其特征在于，所述连接装置中的每一个包括在第一方向上的多个第一连接线和在第二方向上的多个第二连接线，所述第一连接线的数目为X，所述第二连接线的数目为Y，且X和Y为正整数。
14.根据权利要求13所述的微型装置面板，其特征在于，X大于或等于M，且Y大于或等于N。
15.根据权利要求13所述的微型装置面板，其特征在于，所述第一连接线和所述第二连接线是通过光刻工艺制造。
16.根据权利要求11所述的微型装置面板，其特征在于，所述多个构建块布置于所述接收基板的同一平面上。
17.根据权利要求11所述的微型装置面板，其特征在于，所述多个构建块布置于所述接收基板的同一侧上的不同平面上，且邻近的所述构建块到所述接收基板上的正交投影相互重叠。
18.根据权利要求11所述的微型装置面板，其特征在于，所述多个构建块中的每一个还具有作用区域，所述作用区域具有至少一个子像素，并且，在所述构建块中的每一个中，所述作用区域对应于所述微型装置阵列使得对应于所述至少一个子像素安置所述至少一个微型装置。
19.根据权利要求18所述的微型装置面板，其特征在于，在所述构建块中的每一个中，所述至少一个微型装置的数目等于所述至少一个子像素的数目。
20.根据权利要求11所述的微型装置面板，其特征在于，通过测试将所述多个构建块中的每一个的所述微型装置集合个别地确定为功能性。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10790246B1 (en) * 2019-07-10 2020-09-29 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Method of transferring different types of micro devices
CN112967644A (zh) * 2020-11-13 2021-06-15 重庆康佳光电技术研究院有限公司 拼接显示装置的校正方法、装置、存储介质及电子装置
US20220344533A1 (en) * 2021-04-27 2022-10-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-use transfer mold and method of manufacturing display apparatus

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053056A (ja) * 1999-06-07 2001-02-23 Agilent Technol Inc エピタキシャル層を１つの基板から分離して他の基板に移し替えるための方法
CN1349205A (zh) * 2000-10-06 2002-05-15 索尼株式会社 器件安装方法
CN1447958A (zh) * 2000-07-18 2003-10-08 索尼株式会社 图像显示装置及制造图像显示装置的方法
CN103594054A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 聚积科技股份有限公司 显示结构及显示器
TW201416252A (zh) * 2012-10-04 2014-05-01 Guardian Industries 製造層疊式ｌｅｄ陣列及／或包括該陣列之產品的方法
CN104054168A (zh) * 2011-11-18 2014-09-17 勒克斯维科技公司 传送微器件的方法
CN104659162A (zh) * 2013-11-18 2015-05-27 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
CN105493297A (zh) * 2015-05-21 2016-04-13 歌尔声学股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
WO2016160322A1 (en) * 2015-04-01 2016-10-06 Sxaymiq Technologies Llc Electrostatic cleaning device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9018655B2 (en) * 2005-02-03 2015-04-28 Epistar Corporation Light emitting apparatus and manufacture method thereof
US20120175650A1 (en) * 2009-10-09 2012-07-12 Sharp Kabushiki Kaisha Illuminating device and display device
US9748214B2 (en) * 2011-10-21 2017-08-29 Santa Barbara Infrared, Inc. Techniques for tiling arrays of pixel elements and fabricating hybridized tiles
US8518204B2 (en) * 2011-11-18 2013-08-27 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating and transferring a micro device and an array of micro devices utilizing an intermediate electrically conductive bonding layer
CN104521012B (zh) * 2012-08-07 2018-04-24 首尔伟傲世有限公司 晶圆级发光二极管阵列及其制造方法
US9252375B2 (en) * 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US9318475B2 (en) * 2014-05-15 2016-04-19 LuxVue Technology Corporation Flexible display and method of formation with sacrificial release layer
KR20170129983A (ko) * 2016-05-17 2017-11-28 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI646680B (zh) * 2017-01-10 2019-01-01 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 微型發光二極體晶片以及顯示面板

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001053056A (ja) * 1999-06-07 2001-02-23 Agilent Technol Inc エピタキシャル層を１つの基板から分離して他の基板に移し替えるための方法
CN1447958A (zh) * 2000-07-18 2003-10-08 索尼株式会社 图像显示装置及制造图像显示装置的方法
CN1349205A (zh) * 2000-10-06 2002-05-15 索尼株式会社 器件安装方法
CN104054168A (zh) * 2011-11-18 2014-09-17 勒克斯维科技公司 传送微器件的方法
CN103594054A (zh) * 2012-08-17 2014-02-19 聚积科技股份有限公司 显示结构及显示器
TW201416252A (zh) * 2012-10-04 2014-05-01 Guardian Industries 製造層疊式ｌｅｄ陣列及／或包括該陣列之產品的方法
CN104659162A (zh) * 2013-11-18 2015-05-27 晶元光电股份有限公司 发光装置及其制作方法
WO2016160322A1 (en) * 2015-04-01 2016-10-06 Sxaymiq Technologies Llc Electrostatic cleaning device
CN105493297A (zh) * 2015-05-21 2016-04-13 歌尔声学股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备

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