CN108508677B - 一种基于ppln晶体的超连续谱变频激光器 - Google Patents

一种基于ppln晶体的超连续谱变频激光器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器。本发明由近红外超连续谱泵浦源、透镜组、PPLN晶体、温控系统、精密调节架和离轴抛物面反射镜组成；透镜组是由第一透镜和第二透镜组成的准直聚焦系统；近红外超连续谱泵浦源输出端位于第一透镜入射面焦点处；PPLN晶体置于温控系统中，入射端面位于第二透镜出射面焦点处；离轴抛物面反射镜焦点位于第二透镜出射面焦点处，中央小孔与近红外超连续谱泵浦源输出端、第一透镜中心、第二透镜中心和PPLN晶体中心共线；本发明利用近红外超连续谱泵浦源和PPLN晶体之间倍频、和频、差频效应及自相位调制、受激拉曼散射效应，实现了输出光谱能够同时覆盖可见光、近红外和中红外波段，且结构紧凑、调节简单。

Description

一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器
技术领域
本发明涉及超连续谱变频激光系统，尤其是一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器。
背景技术
近年来，超连续谱由于同时具有普通激光光源光束质量高和白光光源超宽的频谱特性，在环境监测、气象探测、生物医疗、材料加工、国防安全等领域发挥着越来越重要的作用。目前，在光谱拓展方面，已分别有紫外、可见光、近红外、短波红外、中红外波段的超连续谱光源见诸报道，并逐步走向商品化。通常可见光、近红外和短波红外超连续谱产生于石英基质光纤，中红外超连续谱产生于软玻璃光纤，如氟化物光纤、碲化物光纤和硫系玻璃光纤。但是由于石英光纤在红外波段吸收损耗较大，而软玻璃光纤在可见光和近红外波段损耗较大，因此目前基于光纤抽运的超连续谱光源难以实现同时覆盖可见光、近红外和中红外波段的超宽带超连续谱输出。另外由于石英光纤和软玻璃光纤之间存在巨大的熔点差，石英光纤和软玻璃光纤之间熔融拉锥困难，因此通过合束的方法也难以实现可见光、近红外和中红外波段光谱的合束输出。
和频、差频、光学参量转换等二阶非线性频率变换技术，为激光器输出波长的变换与拓展提供了可能，已成为实现激光频率变换的有效途径。近年来，准相位匹配技术发展非常迅速。在实现准相位匹配技术中应用比较成熟的非线性晶体有周期性极化的铌酸锂晶体(Periodically poled lithium niobate，PPLN)、周期性极化的磷酸钛氧钾晶体PPLNKTP(Periodically poledPotassium Tianyl Phosphate，PPKTP)和周期性极化的钽酸锂晶体(Periodically poled Lithium Tantalate，PPLT)，其中PPLN晶体同时具有高非线性系数(d33＝27.2pm/V)和较宽的传输窗口(330-5500nm)。通过在PPLN晶体中掺杂MgO可提高材料的抗激光损伤阈值，更适合于在大功率激光条件下应用。通过将近红外超连续谱作为泵浦光源泵浦PPLN晶体，超连续谱泵浦光中不同的频谱成分之间相互作用(如倍频、和频、差频等二阶非线性效应以及自相位调制、受激拉曼散射等三阶非线性效应)，大大增加了基于PPLN晶体非线性效应波长转换的多样性，有望在PPLN晶体中实现光谱的进一步展宽，从而实现光谱范围同时覆盖可见光、近红外和中红外波段的超宽带超连续谱输出。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，该激光器输出光谱能够同时覆盖可见光、近红外和中红外波段，具有结构紧凑、调节简单等优点，易于商业化和产品化。
本发明是利用近红外超连续谱泵浦源和PPLN晶体之间倍频、和频、差频等二阶非线性效应及自相位调制、受激拉曼散射等三阶非线性效应，实现光谱范围同时覆盖可见光、近红外和中红外波段的超宽带超连续谱激光光源。
本发明的技术解决方案如下：
一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，它由近红外超连续谱泵浦源、透镜组、PPLN晶体、温控系统、精密调节架和离轴抛物面反射镜组成。透镜组由第一透镜和第二透镜组成。离轴抛物面反射镜中心有中央小孔。
近红外超连续谱泵浦源输出端位于第一透镜入射面焦点处。第一透镜和第二透镜组成准直聚焦系统。PPLN晶体入射端面位于第二透镜出射面焦点处。PPLN晶体置于温控系统中，温控系统固定于精密调节架上。离轴抛物面反射镜焦点位于第二透镜出射面焦点处。离轴抛物面反射镜的中央小孔与近红外超连续谱泵浦源输出端、第一透镜中心、第二透镜中心和PPLN晶体中心共线。
近红外超连续谱泵浦源可以为非保偏超连续谱光源，也可以为保偏超连续谱光源。近红外超连续谱泵浦源输出光斑直径d范围为1～100000μm。
近红外超连续谱泵浦源光谱范围至少覆盖800-1600nm。优选地，近红外超连续谱泵浦源输出光谱范围覆盖800-2400nm波段，峰值功率大于1kW。
近红外超连续谱泵浦源1输出方式可以为光纤尾纤输出，也可以为空间结构输出。
第一透镜和第二透镜分别可以为球面透镜、非球面透镜或者消色差双胶合透镜。第一透镜对近红外超连续谱泵浦源产生的宽谱近红外激光进行准直，第二透镜对准直后的宽谱近红外激光进行聚焦。其中非球面透镜用以消除球差，消色差双胶合透镜用以消除色差。由于本专利采用宽谱超连续谱泵浦源，色差是准直聚焦系统中存在的主要像差，因此第一透镜和第二透镜均优选消色差双胶合透镜，在近红外超连续谱泵浦源输出波段范围内平衡色差，使得在宽带泵浦波长范围内焦距基本不变。
第一透镜和第二透镜焦距依据近红外超连续谱泵浦源输出光斑直径d和峰值功率P而定。设第一透镜和第二透镜的焦距分别为f1和f2，则透镜组对近红外超连续谱泵浦源输出光斑直径的放大倍数A＝f2/f1，入射至PPLN晶体入射端面的光斑面积S＝π(d/2×A)2，峰值功率密度为p＝P/S。第一透镜和第二透镜焦距的选择应使得入射至PPLN晶体入射端面的峰值功率密度p大于0.013kW/μm2，因此
Figure BDA0001594799480000021
峰值功率P的单位为kW，输出光斑直径d的单位为μm。
PPLN晶体长度L范围为1-1000mm，厚度T范围为0.1-100mm，宽度W范围为1-100mm，极化周期Λ范围为1-500μm。
PPLN晶体的入射端面具有近红外泵浦光增透膜，出射端面具有可见光波段和中红外波段宽谱增透膜。优选地，PPLN晶体的入射端面在800-2400nm波段范围要求反射率小于3％。PPLN晶体的出射端面在400-800nm波段和2400-5000nm波段范围要求反射率小于5％。
PPLN晶体为掺MgO的PPLN晶体。优选地，PPLN晶体为5mol％MgO掺杂的MgO:PPLN晶体以提高损伤阈值。
温控系统包裹PPLN晶体并控制其温度。温控系统在20-200℃范围内保持0.01℃的精度。温控系统尺寸应大于PPLN晶体尺寸。温控系统固定于精密调节架上。
精密调节架可以为三轴或者六轴位移台。优选地，精密调节架为六轴位移台，调节精度在μm量级。通过调节精密调节架位置，改变PPLN晶体位置，使得光路垂直于PPLN晶体入射端面。
离轴抛物面反射镜为镀银反射镜，在400nm-20μm的宽带范围上具有大于96％的平均反射率，有效焦距长度大于PPLN晶体长度。离轴抛物面反射镜的反射面面对光路。
本发明的工作过程是：近红外超连续谱泵浦源产生的宽谱近红外激光经过透镜组准直聚焦后入射至PPLN晶体的入射端面。近红外超连续谱泵浦源的输出光中不同的频谱成分在PPLN晶体中相互作用，通过相位失配下的和频和倍频等二阶非线性效应产生可见光成分，差频过程、自相位调制和受激拉曼散射等效应产生中红外成分，最终形成覆盖可见光、近红外和中红外波段的超宽带超连续谱输出。离轴抛物面反射镜准直PPLN晶体出射端面输出的超宽带超连续谱。PPLN晶体置于温控系统中，温控系统控制PPLN晶体工作温度，防止光致折射率损伤。温控系统固定于精密调节架上。通过调节精密调节架位置，改变PPLN晶体位置，使得光路垂直于PPLN晶体入射端面。
本发明具有以下优点：
1、通过采用近红外超连续谱泵浦PPLN晶体，超连续谱中不同的频谱成分之间相互作用(如倍频、和频、差频等二阶非线性效应以及自相位调制、受激拉曼等三阶非线性效应)，大大增加了基于PPLN晶体非线性效应波长转换的多样性，主要为相位失配下的和频和倍频效应产生可见光成分，差频过程、自相位调制和受激拉曼散射等效应产生中红外成分，最终形成覆盖可见光、近红外和中红外波段的超宽带超连续谱输出。
2、通过采用PPLN晶体，不断补偿泵浦光耦合过程中由于色散引起的波矢失配，降低了系统光路对光束入射角的要求，增加不同的频谱成分之间相互作用距离，提高变频效率。
3、本发明结构紧凑，易于产品化，能够实现同时覆盖可见光、近红外和中红外波段超宽带超连续谱输出。
附图说明
图1为本发明总体结构示意图。
图2为PPLN晶体结构示意图。
具体实施方案：
图1为本发明结构示意图。本发明由近红外超连续谱泵浦源1、透镜组、PPLN晶体3、温控系统4、精密调节架5和离轴抛物面反射镜6组成。透镜组由第一透镜21和第二透镜22组成。离轴抛物面反射镜6中心有中央小孔61。
近红外超连续谱泵浦源1输出端位于第一透镜21入射面焦点处。第一透镜21和第二透镜22组成准直聚焦系统。PPLN晶体3入射端面位于第二透镜22出射面焦点处。PPLN晶体3置于温控系统4中，温控系统4固定于精密调节架5上。离轴抛物面反射镜6焦点位于第二透镜22出射面焦点处。离轴抛物面反射镜中央小孔61与近红外超连续谱泵浦源1输出端、第一透镜21中心、第二透镜22中心和PPLN晶体3中心共线。
近红外超连续谱泵浦源1可以为非保偏超连续谱光源，也可以为保偏超连续谱光源。优选地，近红外超连续谱泵浦源1输出光谱范围覆盖800-2400nm波段，峰值功率大于1kW。
近红外超连续谱泵浦源1输出方式可以为光纤尾纤输出，也可以为空间结构输出。近红外超连续谱泵浦源1产生的宽谱近红外激光依次经过第一透镜21准直和第二透镜22聚焦。
第一透镜21和第二透镜22分别可以为球面透镜、非球面透镜或者消色差双胶合透镜。第一透镜21和第二透镜22均优选消色差双胶合透镜。
第一透镜21和第二透镜22焦距依据近红外超连续谱泵浦源输出光斑直径d和峰值功率P而定。第一透镜21的焦距f1和第二透镜22的焦距f2应满足
Figure BDA0001594799480000041
峰值功率P的单位为kW，输出光斑直径d的单位为μm。
图2为本发明中PPLN晶体3结构示意图。PPLN晶体3长度L范围为1-1000mm，厚度T范围为0.1-100mm，宽度W范围为1-100mm，极化周期Λ范围为1-500μm。
PPLN晶体3的入射端面具有近红外泵浦光增透膜，出射端面具有可见光波段和中红外波段宽谱增透膜。优选地，PPLN晶体的入射端面在800-2400nm波段范围要求反射率小于3％。PPLN晶体的出射端面在400-800nm波段范围要求反射率小于5％，在2400-5000nm波段范围反射率小于5％。
PPLN晶体3为掺MgO的PPLN晶体。优选地，PPLN晶体3为5mol％MgO掺杂的MgO:PPLN晶体以提高损伤阈值。
温控系统4包裹PPLN晶体3并控制其温度。温控系统4在20-200℃范围内保持0.01℃的精度。温控系统4尺寸应大于PPLN晶体3尺寸。温控系统4固定于精密调节架5上。
精密调节架5可以为三轴或者六轴位移台。优选地，精密调节架5为六轴位移台，调节精度在μm量级。通过调节精密调节架5位置，改变PPLN晶体3位置，使得光路垂直于PPLN晶体3入射端面。
离轴抛物面反射镜6入射端面镀有带保护层的银膜，在400nm-20μm的宽带范围上具有大于96％的平均反射率，有效焦距长度大于PPLN晶体3长度。
国防科大制备的几款基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器的参数如下：
实施例1，近红外超连续谱泵浦源1为非保偏近红外超连续谱泵浦源，光谱范围为800-2400nm，峰值功率P为10kW，输出光斑直径d为20μm。第一透镜21和第二透镜22均采用焦距为15mm(使得A＝1)的消色差双胶合透镜，组成聚焦准直系统，使得入射至PPLN晶体3前端面光斑直径为20μm，峰值功率密度p为0.032kW/μm2。近红外超连续谱泵浦源1产生的800-2400nm宽谱近红外激光经过第一透镜21准直和第二透镜22聚焦后，入射至所述PPLN晶体3的前端面。PPLN晶体3为5mol％MgO掺杂的MgO:PPLN晶体。PPLN晶体3长度为50mm，厚度为2mm，宽度为3mm，极化周期为6.84μm。PPLN晶体3的入射端面在800-2400nm波段范围反射率小于3％，出射端面在400-800nm波段范围反射率小于5％，出射端面在2400-5000nm波段范围反射率小于5％。温控系统4长度为80mm，包裹PPLN晶体3。温控系统4控制PPLN晶体3工作温度为100℃。温控系统4固定于精密调节架5上。精密调节架5为六轴位移台，调节精度在μm量级。通过调节精密调节架5位置，改变PPLN晶体3位置，使得光路垂直于PPLN晶体3入射端面，通过相位失配下的和频和倍频效应产生可见光成分，差频过程、自相位调制和受激拉曼散射产生中红外成分，在PPLN晶体3出射端面获得400-5000nm范围的超宽带超连续谱输出。抛物面镜6有效焦距长度80mm，入射端面镀带保护层的银膜，在400nm-20μm的宽带范围上具有大于96％的平均反射率，准直输出400-5000nm波段超宽带超连续谱激光。
实施例2，近红外超连续谱泵浦源1为非保偏近红外超连续谱泵浦源，光谱范围为800-2400nm，峰值功率P为20kW，输出光斑直径d约为10μm。第一透镜21采用焦距为15mm的非球面透镜，第二透镜22采用焦距为50mm的非球面透镜，组成聚焦准直系统，使得入射至PPLN晶体3前端面光斑直径为33.3μm，峰值功率密度p为0.023kW/μm2。近红外超连续谱泵浦源1产生的800-2400nm宽谱近红外激光经过第一透镜21准直和第二透镜22聚焦后，入射至所述PPLN晶体3的前端面。PPLN晶体3为5mol％MgO掺杂的MgO:PPLN晶体。PPLN晶体3长度为50mm，厚度为2mm，宽度为3mm，极化周期为6.84μm。PPLN晶体3的入射端面在800-2400nm波段范围反射率小于3％，出射端面在400-800nm波段范围反射率小于5％，出射端面在2400-5000nm波段范围反射率小于5％。温控系统4长度为80mm，包裹PPLN晶体3。温控系统4控制PPLN晶体3工作温度为100℃。温控系统4固定于精密调节架5上。精密调节架5为六轴位移台，调节精度在μm量级。通过调节精密调节架5位置，改变PPLN晶体3位置，使得光路垂直于PPLN晶体3入射端面，通过相位失配下的和频和倍频效应产生可见光成分，差频过程、自相位调制和受激拉曼散射产生中红外成分，在PPLN晶体3出射端面获得400-5000nm范围的超宽带超连续谱输出。抛物面镜6有效焦距长度80mm，入射端面镀带保护层的银膜，在400nm-20μm的宽带范围上具有大于96％的平均反射率，准直输出400-5000nm波段超宽带超连续谱激光。由于泵浦PPLN晶体的峰值功率密度低于实施例一，因此变频效率下降。
实施例3，近红外超连续谱泵浦源1为非保偏近红外超连续谱泵浦源，光谱范围为800-2400nm，峰值功率P为10kW，输出光斑直径d约为20μm。第一透镜21和第二透镜22均采用焦距为15mm(使得A＝1)的消色差双胶合透镜，组成聚焦准直系统，使得入射至PPLN晶体3前端面光斑直径为20μm，峰值功率密度p为0.032kW/μm2。近红外超连续谱泵浦源1产生的800-2400nm宽谱近红外激光经过第一透镜21准直和第二透镜22聚焦后，入射至所述PPLN晶体3的前端面。PPLN晶体3为5mol％MgO掺杂的MgO:PPLN晶体。PPLN晶体3长度为50mm，厚度为2mm，宽度为3mm，极化周期为29.5μm。PPLN晶体3的入射端面在800-2400nm波段范围反射率小于3％，出射端面在400-800nm波段范围反射率小于5％，出射端面在2400-5000nm波段范围反射率小于5％。温控系统4长度为80mm，包裹PPLN晶体3。温控系统4控制PPLN晶体3工作温度为100℃。温控系统4固定于精密调节架5上。精密调节架5为三轴位移台，调节精度在μm量级。通过调节精密调节架5位置，改变PPLN晶体3位置，使得光路垂直于PPLN晶体3入射端面，通过相位失配下的和频和倍频效应产生可见光成分，差频过程、自相位调制和受激拉曼散射产生中红外成分，在PPLN晶体3出射端面获得400-5000nm范围的超宽带超连续谱输出。抛物面镜6有效焦距长度80mm，入射端面镀带保护层的银膜，在400nm-20μm的宽带范围上具有大于96％的平均反射率，准直输出400-5000nm波段超宽带超连续谱激光。相比于实施例一，由于采用不同极化周期的PPLN晶体，输出的超宽带超连续谱激光的光谱细节存在细微不同。
实施例4，近红外超连续谱泵浦源1为非保偏近红外超连续谱泵浦源，光谱范围为800-2400nm，峰值功率P为10kW，输出光斑直径d为20μm。第一透镜21和第二透镜22均采用焦距为25mm的消色差双胶合透镜，组成聚焦准直系统，使得入射至PPLN晶体3前端面光斑直径为20μm，峰值功率密度p为0.032kW/μm2。近红外超连续谱泵浦源1产生的800-2400nm宽谱近红外激光经过第一透镜21准直和第二透镜22聚焦后，入射至所述PPLN晶体3的前端面。PPLN晶体3为5mol％MgO掺杂的MgO:PPLN晶体。PPLN晶体3长度为50mm，厚度为2mm，宽度为3mm，极化周期为6.84μm。PPLN晶体3的入射端面在800-2400nm波段范围反射率小于10％,出射端面在400-800nm波段范围反射率小于10％，出射端面在2400-5000nm波段范围反射率小于10％。温控系统4长度为80mm，包裹PPLN晶体3。温控系统4控制PPLN晶体3工作温度为100℃。温控系统4固定于精密调节架5上。精密调节架5为三轴位移台。通过调节精密调节架5位置，改变PPLN晶体3位置，使得光路垂直于PPLN晶体3入射端面，通过相位失配下的和频和倍频效应产生可见光成分，差频过程、自相位调制和受激拉曼散射产生中红外成分，在PPLN晶体3出射端面获得400-5000nm范围的超宽带超连续谱输出。抛物面镜6有效焦距长度80mm，入射端面镀带保护层的银膜，在400nm-20μm的宽带范围上具有大于96％的平均反射率，准直输出400-5000nm波段超宽带超连续谱激光。由于PPLN晶体镀膜水平低于实施例一，因此变频效率下降。
以上对本发明所提供的一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器的方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方法进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (11)

1.一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，其特征在于基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器是利用近红外超连续谱泵浦源和PPLN晶体之间倍频、和频、差频效应及自相位调制、受激拉曼散射，实现光谱范围同时覆盖可见光、近红外和中红外波段的超宽带超连续谱激光光源；基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器由近红外超连续谱泵浦源(1)、透镜组、PPLN晶体(3)、温控系统(4)、精密调节架(5)和离轴抛物面反射镜(6)组成；透镜组由第一透镜(21)和第二透镜(22)组成；离轴抛物面反射镜(6)中心有中央小孔(61)；
近红外超连续谱泵浦源(1)输出端位于第一透镜(21)入射面焦点处；第一透镜(21)和第二透镜(22)组成准直聚焦系统；PPLN晶体(3)入射端面位于第二透镜(22)出射面焦点处，PPLN晶体(3)置于温控系统(4)中；温控系统(4)固定于精密调节架(5)上；离轴抛物面反射镜(6)焦点位于第二透镜(22)出射面焦点处，离轴抛物面反射镜(6)的中央小孔(61)与近红外超连续谱泵浦源(1)输出端、第一透镜(21)中心、第二透镜(22)中心和PPLN晶体(3)中心共线；
近红外超连续谱泵浦源(1)为非保偏超连续谱光源或保偏超连续谱光源；近红外超连续谱泵浦源(1)光谱范围覆盖800-1600nm，峰值功率P大于1kW，输出光斑直径d范围为1～100000μm；
第一透镜(21)和第二透镜(22)分别为球面透镜、非球面透镜或者消色差双胶合透镜，第一透镜(21)对近红外超连续谱泵浦源(1)产生的宽谱近红外激光进行准直，第二透镜(22)对准直后的宽谱近红外激光进行聚焦；
PPLN晶体(3)的入射端面具有近红外泵浦光增透膜，出射端面具有可见光波段和中红外波段宽谱增透膜；PPLN晶体(3)为掺MgO的PPLN晶体；
温控系统(4)包裹PPLN晶体(3)并控制其温度，温控系统(4)固定于精密调节架(5)上；
精密调节架(5)为三轴或者六轴位移台，通过调节精密调节架(5)位置，改变PPLN晶体(3)位置，使得光路垂直于PPLN晶体(3)入射端面；
离轴抛物面反射镜(6)为镀银反射镜，离轴抛物面反射镜的反射面面对光路。
2.如权利要求1所述的一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，其特征在于所述近红外超连续谱泵浦源(1)光谱范围覆盖800-2400nm。
3.如权利要求1所述的一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，其特征在于所述近红外超连续谱泵浦源(1)输出方式为光纤尾纤输出或空间结构输出。
4.如权利要求1所述的一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，其特征在于所述第一透镜(21)和第二透镜(22)均为消色差双胶合透镜。
5.如权利要求1所述的一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，其特征在于所述第一透镜(21)的焦距f1和第二透镜(22)的焦距f2满足
Figure FDA0002872855240000021
d为近红外超连续谱泵浦源(1)输出光斑直径，P为近红外超连续谱泵浦源(1)峰值功率，P的单位为kW，d的单位为μm。
6.如权利要求1所述的一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，其特征在于所述PPLN晶体(3)长度L范围为1-1000mm，厚度T范围为0.1-100mm，宽度W范围为1-100mm，极化周期Λ范围为1-500μm。
7.如权利要求1所述的一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，其特征在于所述PPLN晶体(3)的入射端面在800-2400nm波段范围要求反射率小于3％，PPLN晶体(3)的出射端面在400-800nm波段和2400-5000nm波段范围要求反射率小于5％。
8.如权利要求1所述的一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，其特征在于所述PPLN晶体(3)为5mol％MgO掺杂的MgO:PPLN晶体。
9.如权利要求1所述的一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，其特征在于所述温控系统(4)要求在20-200℃范围内保持0.01℃的精度，温控系统(4)尺寸大于PPLN晶体(3)尺寸。
10.如权利要求1所述的一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，其特征在于所述精密调节架(5)为六轴位移台，调节精度在μm量级。
11.如权利要求1所述的一种基于PPLN晶体的超连续谱变频激光器，其特征在于所述离轴抛物面反射镜(6)在400nm-20μm的宽带范围上具有大于96％的平均反射率，有效焦距长度大于PPLN晶体(3)长度。
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