CN108508667A - Tft阵列基板及液晶显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种TFT阵列基板及液晶显示面板。本发明的TFT阵列基板采用Notch设计，其衬底基板一端形成有凹槽，衬底基板包括功能区及位于功能区外侧的外围区，衬底基板上的平坦化层具有与衬底基板的功能区对应的第一部分，所述第一部分靠近凹槽的区域设有至少一个凹坑，凹坑的深度小于第一部分的厚度，从而在将该TFT阵列基板与彩膜基板进行对组，在TFT阵列基板与彩膜基板之间注入液晶后，液晶扩散时在平坦化层的第一部分靠近凹槽的区域产生的液晶堆积会容纳在凹坑中，从而使形成的液晶显示面板的液晶层的厚度均匀性好，提升产品的品质。

Description

TFT阵列基板及液晶显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及液晶显示面板。
背景技术
在显示技术领域，液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)等平板显示装置已经逐步取代阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示装置。液晶显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。通常液晶显示面板由彩膜(Color Filter，CF)基板、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管阵列基板之间的液晶(Liquid Crystal，LC)及密封胶框(Sealant)组成。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
随着显示技术不断的发展，高屏占比的移动显示设备越来越受到消费者的青睐。为了进一步提高显示面板的屏占比，一种采用内凹(Notch)设计的显示面板应运而生。请参阅图1，现有的采用Notch设计的显示面板的TFT阵列基板100的一端设有凹槽110，而该TFT阵列基板100包括功能区120及位于功能区120外侧的外围区130，用于贴合彩膜基板与TFT阵列基板100的框胶300是对应外围区130设置的，因此框胶300在涂布时也会随着凹槽110向TFT阵列基板100的内侧凹陷，导致在向TFT阵列基板100与彩膜基板之间注入液晶后，液晶在扩散时会在功能区120靠近凹槽110的区域产生堆积，使得液晶显示面板的液晶层在该处的厚度较大，从而在该处形成显示不良(Mura)，影响产品的品质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板，应用于液晶显示面板中能够使液晶显示面板的液晶层的厚度均匀，提升液晶显示面板的产品品质。
本发明的另一目的在于提供一种液晶显示面板，其液晶层厚度均匀，产品品质高。
为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT阵列基板，包括衬底基板及设于衬底基板上的平坦化层；
所述衬底基板的一端设有凹槽，所述衬底基板包括功能区及位于功能区外侧的外围区；所述平坦化层具有与衬底基板的功能区对应的第一部分；所述第一部分靠近凹槽的区域设有至少一个凹坑；
所述凹坑的深度小于第一部分的厚度。
在所述平坦化层的横截面上，所述第一部分设有凹坑的区域内单位面积上凹坑所占的面积在沿第一部分指向凹槽的方向上逐渐增大。
所述第一部分上靠近所述凹槽的区域内单位面积上凹坑的数量大于所述第一部分上远离所述凹槽的区域内单位面积上凹坑的数量。
所述第一部分上靠近所述凹槽的区域内的凹坑的内径大于所述第一部分上远离所述凹槽的区域内的凹坑的内径。
所述第一部分靠近凹槽的区域设有N列凹坑，每一列凹坑中的多个凹坑与凹槽之间的距离相同，其中，N为正整数；
每一列凹坑中相邻两个凹坑之间的间隔相等。
3≤N≤5。
所述凹坑的深度为0.5um～3um。
所述衬底基板设有凹槽的一端包括依次连接的第一侧壁、第二侧壁、第三侧壁、第四侧壁及第五侧壁；所述第一侧壁与第五侧壁位于同一平面，所述第二侧壁、第三侧壁及第四侧壁共同形成所述凹槽。
本发明还提供一种液晶显示面板，包括相对设置的TFT阵列基板与彩膜基板、设于TFT阵列基板与彩膜基板之间的液晶层；
所述TFT阵列基板为上述的TFT阵列基板；
所述液晶层的部分容纳于所述凹坑内。
本发明的有益效果：本发明提供的TFT阵列基板采用Notch设计，其衬底基板一端形成有凹槽，衬底基板包括功能区及位于功能区外侧的外围区，衬底基板上的平坦化层具有与衬底基板的功能区对应的第一部分，所述第一部分靠近凹槽的区域设有至少一个凹坑，凹坑的深度小于第一部分的厚度，从而在将该TFT阵列基板与彩膜基板进行对组，在TFT阵列基板与彩膜基板之间注入液晶后，液晶扩散时在平坦化层的第一部分靠近凹槽的区域产生的液晶堆积会容纳在凹坑中，从而使形成的液晶显示面板的液晶层的厚度均匀性好，提升产品的品质。本发明提供的液晶显示面板的液晶层厚度均匀，产品品质高。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的采用Notch设计的显示面板的TFT阵列基板与框胶的俯视示意图；
图2为本发明的TFT阵列基板的第一实施例的俯视示意图；
图3为本发明的TFT阵列基板的衬底基板的俯视示意图；
图4为沿图2中的A-A’线的剖视示意图；
图5为本发明的TFT阵列基板的第二实施例的俯视示意图；
图6为沿图5中的B-B’线的剖视示意图；
图7为本发明的液晶显示面板的第一实施例的TFT阵列基板及框胶的俯视示意图；
图8为本发明的液晶显示面板的第一实施例在第一部分靠近凹槽的区域的剖视示意图；
图9为本发明的液晶显示面板的第二实施例的TFT阵列基板及框胶的俯视示意图；
图10为本发明的液晶显示面板的第二实施例在第一部分靠近凹槽的区域的剖视示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2至图4，本发明的TFT阵列基板的第一实施例包括衬底基板200及设于衬底基板200上的平坦化层400。
所述TFT阵列基板采用采用Notch设计，请参阅图3，其衬底基板200的一端设有凹槽260，且其衬底基板200包括功能区201及位于功能区201外侧的外围区202。请参阅图2，并结合图4，所述平坦化层400具有与衬底基板200的功能区201对应的第一部分410。所述第一部分410靠近凹槽260的区域设有至少一个凹坑420。所述凹坑420的深度小于第一部分410的厚度。
具体地，本发明的TFT阵列基板还包括位于衬底200与平坦化层400之间的多个TFT器件(未图示)及设于平坦化层400上的多个像素电极(未图示)。TFT器件及像素电极均设置在功能区201内，通常地，功能区210与显示面板的显示区(Active Area)相对应，外围区202与显示面板的非显示区(例如，涂布框胶的区域，设置驱动电路的区域)相对应。每一像素电极经一穿过平坦化层400的过孔与对应的TFT器件的漏极连接，所述凹坑420可于制作连接像素电极与TFT器件的过孔的同时制作完成。
具体地，在所述平坦化层400的横截面上，所述第一部分410设有凹坑420的区域内单位面积上凹坑420所占的面积在沿第一部分410指向凹槽260的方向上逐渐增大。
进一步地，请参阅图2及图4，在本发明的TFT阵列基板的第一实施例中，所述第一部分410上靠近所述凹槽260的区域内单位面积上凹坑420的数量大于所述第一部分410上远离所述凹槽260的区域内单位面积上凹坑420的数量。所述第一部分410靠近凹槽260的区域设有N列凹坑420，每一列凹坑420中的多个凹坑420与凹槽260之间的距离相同，其中，N为正整数。每一列凹坑420中相邻两个凹坑420之间的间隔相等。
具体地，在本发明的TFT阵列基板的第一实施例中，每一凹坑420的内径、每一列凹坑420中相邻两个凹坑420之间的距离以及相邻两列凹坑420之间的距离可以根据实际产品需求进行调节。优选地，3≤N≤5，也即第一部分410靠近凹槽260的区域设有凹坑420的列数可以为3、4或5列。在图2及图4所示的实施例中，N为3。
优选地，所述凹坑420的深度为0.5um～3um。
具体地，请参阅图3，所述衬底基板200设有凹槽260的一端包括依次连接的第一侧壁210、第二侧壁220、第三侧壁230、第四侧壁240及第五侧壁250；所述第一侧壁210与第五侧壁250位于同一平面，所述第二侧壁220、第三侧壁230及第四侧壁240共同形成所述凹槽260。
进一步地，请参阅图3，所述第一侧壁210与所述第二侧壁220垂直，所述第二侧壁220与所述第三侧壁230垂直，所述第三侧壁230与所述第四侧壁240垂直。
具体地，所述外围区202用于在该TFT阵列基板与彩膜基板对组之后，在TFT阵列基板与彩膜基板之间对应外围区202设置框胶，使框胶的内侧面与功能区201的边缘重合。
需要说明的是，利用本发明的TFT阵列基板的第一实施例制作液晶显示面板时，将本发明的TFT阵列基板的第一实施例与彩膜基板对组，在TFT阵列基板的第一实施例与彩膜基板之间对应外围区202形成框胶，框胶的内侧面与功能区201的边缘重合，在TFT阵列基板与彩膜基板之间于框胶的内侧注入液晶以形成液晶层，由于衬底基板200具有凹槽260，框胶对应凹槽260的部分也会随着凹槽260向TFT阵列基板内侧弯曲，因此液晶在扩散过程中，会在平坦层400对应功能区201的第一部分410靠近凹槽260的区域产生堆积，且越靠近凹槽260液晶堆积越多，而本发明的TFT阵列基板的第一实施例在所述平坦化层400对应功能区201的第一部分410靠近凹槽260的区域设置至少一个凹坑420，具体设置所述第一部分410上靠近所述凹槽260的区域内单位面积上凹坑420的数量大于所述第一部分410上远离所述凹槽260的区域内单位面积上凹坑420的数量，实现了在所述平坦化层400的横截面上，所述第一部分410设有凹坑420的区域内单位面积上凹坑420所占的面积在沿第一部分410指向凹槽260的方向上逐渐增大，从而利用凹坑420能够对堆积的液晶进行容纳，使得最终得到的液晶显示面板的液晶层的部分容纳于所述凹坑420中，液晶层的厚度均匀性较好，相比于现有技术，能够消除由于采用Notch的设计而在功能区边缘产生显示不良，从而提升了产品的品质。
请参阅图5及图6，并结合图3，本发明的TFT阵列基板的第二实施例与上述第一实施例的区别在于，所述第一部分410上靠近所述凹槽260的区域内的凹坑420的内径大于所述第一部分410上远离所述凹槽260的区域内的凹坑420的内径。其余均与上述第一实施例相同，在此不再赘述。
需要说明的是，本发明的TFT阵列基板的第二实施例在所述平坦化层400对应功能区201的第一部分410靠近凹槽260的区域设置凹坑420，且所述第一部分410上靠近所述凹槽260的区域内的凹坑420的内径大于所述第一部分410上远离所述凹槽260的区域内的凹坑420的内径，实现了在所述平坦化层400的横截面上，所述第一部分410设有凹坑420的区域内单位面积上凹坑420所占的面积在沿第一部分410指向凹槽260的方向上逐渐增大，从而能够在将TFT阵列基板与彩膜基板对组，对应外围区202形成框胶并在框胶内侧注入液晶时，对液晶在第一部分410靠近凹槽260的区域产生的堆积进行容纳，使得最终得到的液晶显示面板的液晶层的部分容纳于所述凹坑420内，液晶层的厚度均匀性较好，相比于现有技术，能够消除由于采用Notch的设计而在功能区边缘产生显示不良，从而提升了产品的品质。
基于同一发明构思，请参阅图7及图8，并结合图3，本发明的液晶显示面板的第一实施例包括相对设置的TFT阵列基板10与彩膜基板20、设于TFT阵列基板10与彩膜基板20之间的液晶层30及设于TFT阵列基板10与彩膜基板20之间且位于液晶层30外侧的框胶40。
请参阅图7，所述TFT阵列基板10为上述的TFT阵列基板的第一实施例，在此不再对TFT阵列基板10的结构做重复性描述。
所述液晶层30的部分容纳于所述凹坑420内。
具体地，所述框胶40对应外围区202设置。所述框胶40的内侧面与功能区201的边缘重合，而所述框胶40的外侧面与TFT阵列基板10的边缘之间存在间隔。
需要说明的是，请参阅图7及图8，本发明的液晶显示面板的第一实施例在制作时，将TFT阵列基板10与彩膜基板20对组，在TFT阵列基板10与彩膜基板20之间对应外围区202形成框胶40，且框胶40的内侧面与功能区201的边缘重合，而后向TFT阵列基板10与彩膜基板20之间于框胶40的内侧注入液晶以形成液晶层30，由于衬底基板200具有凹槽260，框胶40对应凹槽260的部分也会随着凹槽260向TFT阵列基板10内侧弯曲，因此液晶在扩散过程中，会在平坦层400对应功能区201的第一部分410靠近凹槽260的区域产生堆积，且越靠近凹槽260液晶堆积越多，而本发明的液晶显示面板的第一实施例中，TFT阵列基板10在所述平坦化层400对应功能区201的第一部分410靠近凹槽260的区域设置至少一个凹坑420，具体为设置所述第一部分410上靠近所述凹槽260的区域内单位面积上凹坑420的数量大于所述第一部分410上远离所述凹槽260的区域内单位面积上凹坑420的数量，实现了在所述平坦化层400的横截面上，所述第一部分410设有凹坑420的区域内单位面积上凹坑420所占的面积在沿第一部分410指向凹槽260的方向上逐渐增大，从而能够对堆积的液晶进行容纳，使得得到的液晶层30的部分容纳于所述凹坑420内，液晶层30的厚度均匀性较好，相比于现有技术，能够消除由于采用Notch的设计而在功能区边缘产生显示不良，从而提升了产品的品质。
请参阅图9及图10，并结合图3，本发明的液晶显示面板的第二实施例与上述第一实施例的区别在于，其TFT阵列基板10为上述的TFT阵列基板的第二实施例，其余均与上述第一实施例相同，在此不再赘述。
需要说明的是，本发明的液晶显示面板的第二实施例的TFT阵列基板10在所述平坦化层400对应功能区201的第一部分410靠近凹槽260的区域设置凹坑420，且所述第一部分410上靠近所述凹槽260的区域内的凹坑420的内径大于所述第一部分410上远离所述凹槽260的区域内的凹坑420的内径，实现了在所述平坦化层400的横截面上，所述第一部分410设有凹坑420的区域内单位面积上凹坑420所占的面积在沿第一部分410指向凹槽260的方向上逐渐增大，从而该液晶显示面板的第二实施例在制作时，凹坑420能够对液晶在第一部分410靠近凹槽260的区域产生的堆积进行容纳，使得得到的液晶层30的部分容纳于所述凹坑420内，液晶层30的厚度均匀性较好，相比于现有技术，能够消除由于采用Notch的设计而在功能区边缘产生显示不良，从而提升了产品的品质。
综上所述，本发明的TFT阵列基板采用Notch设计，其衬底基板一端形成有凹槽，衬底基板包括功能区及位于功能区外侧的外围区，衬底基板上的平坦化层具有与衬底基板的功能区对应的第一部分，所述第一部分靠近凹槽的区域设有至少一个凹坑，凹坑的深度小于第一部分的厚度，从而在将该TFT阵列基板与彩膜基板进行对组，在TFT阵列基板与彩膜基板之间注入液晶后，液晶扩散时在平坦化层的第一部分靠近凹槽的区域产生的液晶堆积会容纳在凹坑中，从而使形成的液晶显示面板的液晶层的厚度均匀性好，提升产品的品质。本发明的液晶显示面板的液晶层厚度均匀，产品品质高。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括衬底基板(200)及设于衬底基板(200)上的平坦化层(400)；
所述衬底基板(200)的一端设有凹槽(260)，所述衬底基板(200)包括功能区(201)及位于功能区(201)外侧的外围区(202)；所述平坦化层(400)具有与衬底基板(200)的功能区(201)对应的第一部分(410)；所述第一部分(410)靠近凹槽(260)的区域设有至少一个凹坑(420)；
所述凹坑(420)的深度小于第一部分(410)的厚度。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，在所述平坦化层(400)的横截面上，所述第一部分(410)设有凹坑(420)的区域内单位面积上凹坑(420)所占的面积在沿第一部分(410)指向凹槽(260)的方向上逐渐增大。
3.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一部分(410)上靠近所述凹槽(260)的区域内单位面积上凹坑(420)的数量大于所述第一部分(410)上远离所述凹槽(260)的区域内单位面积上凹坑(420)的数量。
4.如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一部分(410)上靠近所述凹槽(260)的区域内的凹坑(420)的内径大于所述第一部分(410)上远离所述凹槽(260)的区域内的凹坑(420)的内径。
5.如权利要求3或4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一部分(410)靠近凹槽(260)的区域设有N列凹坑(420)，每一列凹坑(420)中的多个凹坑(420)与凹槽(260)之间的距离相同，其中，N为正整数；
每一列凹坑(420)中相邻两个凹坑(420)之间的间隔相等。
6.如权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，3≤N≤5。
7.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凹坑(420)的深度为0.5um～3um。
8.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述衬底基板(200)设有凹槽(260)的一端包括依次连接的第一侧壁(210)、第二侧壁(220)、第三侧壁(230)、第四侧壁(240)及第五侧壁(250)；所述第一侧壁(210)与第五侧壁(250)位于同一平面，所述第二侧壁(220)、第三侧壁(230)及第四侧壁(240)共同形成所述凹槽(260)。
9.如权利要求8所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一侧壁(210)与所述第二侧壁(220)垂直，所述第二侧壁(220)与所述第三侧壁(230)垂直，所述第三侧壁(230)与所述第四侧壁(240)垂直。
10.一种液晶显示面板，其特征在于，包括相对设置的TFT阵列基板(10)与彩膜基板(20)、设于TFT阵列基板(10)与彩膜基板(20)之间的液晶层(30)；
所述TFT阵列基板(10)为如权利要求1-9任一项所述的TFT阵列基板；
所述液晶层(30)的部分容纳于所述凹坑(420)内。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019200836A1 (zh) * 2018-04-20 2019-10-24 武汉华星光电技术有限公司 Tft阵列基板及液晶显示面板
US10600811B2 (en) 2018-04-20 2020-03-24 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. TFT array substrate and LCD
US11239447B2 (en) 2018-05-16 2022-02-01 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED display panel and manufacturing method thereof

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070052893A1 (en) * 2001-12-17 2007-03-08 Seiko Epson Corporation Substrate for electrooptic device and method of manufacturing the same, electrooptic device, and electronic equipment
KR20110029262A (ko) * 2009-09-15 2011-03-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
US20130328051A1 (en) * 2012-06-06 2013-12-12 Jeremy C. Franklin Notched Display Layers
CN204389840U (zh) * 2015-01-04 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及光电显示装置
CN106019723A (zh) * 2016-05-24 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN106405913A (zh) * 2016-12-06 2017-02-15 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶显示装置
CN106773353A (zh) * 2017-01-03 2017-05-31 合肥京东方光电科技有限公司 一种显示基板、显示面板和液晶显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2610361Y (zh) * 2003-01-28 2004-04-07 中华映管股份有限公司 液晶皿结构
WO2014199839A1 (ja) * 2013-06-11 2014-12-18 堺ディスプレイプロダクト株式会社 液晶パネル及び絶縁膜の溝部形成方法
JP6275418B2 (ja) * 2013-09-03 2018-02-07 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN105652526B (zh) * 2014-11-12 2018-12-14 群创光电股份有限公司 显示面板
CN108508667B (zh) * 2018-04-20 2020-07-28 武汉华星光电技术有限公司 Tft阵列基板及液晶显示面板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070052893A1 (en) * 2001-12-17 2007-03-08 Seiko Epson Corporation Substrate for electrooptic device and method of manufacturing the same, electrooptic device, and electronic equipment
KR20110029262A (ko) * 2009-09-15 2011-03-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
US20130328051A1 (en) * 2012-06-06 2013-12-12 Jeremy C. Franklin Notched Display Layers
CN204389840U (zh) * 2015-01-04 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种基板及光电显示装置
CN106019723A (zh) * 2016-05-24 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN106405913A (zh) * 2016-12-06 2017-02-15 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶显示装置
CN106773353A (zh) * 2017-01-03 2017-05-31 合肥京东方光电科技有限公司 一种显示基板、显示面板和液晶显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019200836A1 (zh) * 2018-04-20 2019-10-24 武汉华星光电技术有限公司 Tft阵列基板及液晶显示面板
US10600811B2 (en) 2018-04-20 2020-03-24 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. TFT array substrate and LCD
US11239447B2 (en) 2018-05-16 2022-02-01 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED display panel and manufacturing method thereof

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