CN108507692A - 铸件充型和凝固过程中温度的分析系统及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种铸件充型和凝固过程中温度的分析系统及方法，属于温度采集领域。铸件充型和凝固过程中温度的分析系统，包括：采集单元，用以采集目标对象所有测试点的温度信号；补偿单元，用以对所述温度信号进行补偿；调理单元，分别连接所述采集单元和所述补偿单元，用以分别对每个测试点的温度信号进行处理；处理单元，连接所述调理单元，用以依据补偿信号对经处理后的温度信号进行数据分析，以生成所述目标对象的温度特性曲线。利用铸件充型和凝固过程中温度的分析系统可有效的捕捉到目标对象的温度变化，准确的获取温度信号，根据温度数据进行分析生成温度特性曲线以便于实时掌握目标对象状态。
Description
技术领域
本发明属于温度采集领域，尤其涉及一种铸件充型和凝固过程温度的多通道高速采集分析系统及方法。
背景技术
铸造技术广泛应用于航空、航天和汽车工业中，但是铸造过程中合金熔体的充型和凝固是一个很复杂的过程，尤其是大型薄壁铸件常常伴随着充型不足、冷隔、缩松、偏析等缺陷，进而使新产品经常出现很高的废品率。随着大型复杂薄壁铸件整体铸造的需求越来越大，目前没有很好的装置及办法直观的反应出铸件实际铸造过程中铸型内部熔体的流动情况及内部各部分的温度变化过程，进而判断出是否符合浇注工艺的设计。
发明内容
本发明是为了解决现有装置及方法不能实时直观反应出铸件实际铸造过程中铸型内部熔体的流动情况及内部各部分的温度变化过程的问题，而提出的一种铸件充型和凝固过程中温度的分析系统及方法。
一种铸件充型和凝固过程中温度的分析系统，包括：
采集单元，用以采集目标对象所有测试点的温度信号；
补偿单元，用以对所述温度信号进行补偿；
调理单元，分别连接所述采集单元和所述补偿单元，用以分别对每个测试点的温度信号进行处理；
处理单元，连接所述调理单元，用以依据补偿信号对经处理后的温度信号进行数据分析，以生成所述目标对象的温度特性曲线。
优选的，所述采集单元包括多个热电偶，每个热电偶对应一测试点，所述热电偶用以采集相应的测试点的温度信号。
优选的，所述调理单元包括多个输入端口，所述输入端口与所述热电偶一一对应，所述输入端口与相应的所述热电偶连接；
所述调理单元用以分别对每个所述热电偶采集的温度信号进行放大和滤波处理。
优选的，还包括：带有屏蔽层的数据线；
所述热电偶通过所述数据线与相应的所述输入端口连接。
优选的，所述补偿单元用以接收外部温度传感器发送的温度数据信号，将所述温度数据信号进行比较计算以获取补偿信号。
优选的，所述处理单元用以对所述温度信号进行数字滤波，冷却速率计算，微分处理、分析充型过程以及计算温度数据的平均值，通过最小二乘拟合热电偶热电势温度特性曲线。
优选的，所述调理单元由第一芯片U1至第六芯片U6，第一电阻R1至第三十七电阻R37和第一电容C1至第十九电容C19组成；
第一电容C1的一端同时与第二电阻R2的一端、第二电容C2的一端和第一芯片U1的管脚OUT相连，第一电容C1的另一端与第一电阻R1的一端相连；
第一电阻R1的另一端同时与第三电阻R3的一端、第三电容C3的一端、第二芯片U2的管脚GND、第三芯片U3的管脚GND、第四芯片U4的管脚GND、第五芯片U5的管脚GND、第四芯片U4的管脚OUT、第五芯片U5的管脚OUT、第六芯片U6的管脚GND和电源地相连；
第二电阻R2的另一端同时与第二电容C2的另一端、第三电阻R3的另一端、第一芯片U1的管脚IN-相连；
第三电容C3的另一端同时与第四电阻R4的一端和第一芯片U1的管脚IN+相连；
第四电阻R4的另一端同时与第二芯片U2的管脚OUT和第三芯片U3的管脚OUT相连；
第五电阻R5的两端分别与第一芯片U1的管脚N1和第一芯片U1的管脚N2相连；第五电阻R5的滑动端同时与第一芯片U1的管脚VC+、第二芯片U2的管脚Vdd、第三芯片U3的管脚Vdd、第四芯片U4的管脚Vdd、第五芯片U5的管脚Vdd和+15V电源相连；
第一芯片U1的管脚VC-同时与第二芯片U2的管脚Vss、第三芯片U3的管脚Vss、第四芯片U4的管脚Vss、第五芯片U5的管脚Vss和-15V电源相连；
第六电阻R6的一端同时与第四电容C4的一端和第三芯片U3的管脚S1相连，第四电容C4的另一端同时与第七电阻R7的一端和第五芯片U5的管脚S1相连；
第八电阻R8的一端同时与第三芯片U3的管脚S2和第五电容C5的一端相连；第五电容C5的另一端同时与第九电阻R9的一端和第五芯片U5的管脚S2相连；
第十电阻R10的一端同时与第三芯片U3的管脚S3和第六电容C6的一端相连；第六电容C6的另一端同时与第十一电阻R11的一端和第五芯片U5的管脚S3相连；
第十二电阻R12的一端同时与第三芯片U3的管脚S4和第七电容C7的一端相连；第七电容C7的另一端同时与第十三电阻R13的一端和第五芯片U5的管脚S4相连；
第十四电阻R14的一端同时与第三芯片U3的管脚S5和第八电容C8的一端相连；第八电容C8的另一端同时与第十五电阻R15的一端和第五芯片U5的管脚S5相连；
第十六电阻R16的一端同时与第三芯片U3的管脚S6和第九电容C9的一端相连；第九电容C9的另一端同时与第十七电阻R17的一端和第五芯片U5的管脚S6相连；
第十八电阻R18的一端同时与第三芯片U3的管脚S7和第十电容C10的一端相连；第十电容C10的另一端同时与第十九电阻R19的一端和第五芯片U5的管脚S7相连；
第二十电阻R20的一端同时与第三芯片U3的管脚S8和第十一电容C11的一端相连；第十一电容C11的另一端同时与第二十一电阻R21的一端和第五芯片U5的管脚S8相连；
第二十二电阻R22的一端同时与第二芯片U2的管脚S1和第十二电容C12的一端相连；第十二电容C12的另一端同时与第二十三电阻R23的一端和第四芯片U4的管脚S1相连；
第二十四电阻R24的一端同时与第二芯片U2的管脚S2和第十三电容C13的一端相连；第十三电容C13的另一端同时与第二十五电阻R25的一端和第四芯片U4的管脚S2相连；
第二十六电阻R26的一端同时与第二芯片U2的管脚S3和第十四电容C14的一端相连；第十四电容C14的另一端同时与第二十七电阻R27的一端和第四芯片U4的管脚S3相连；
第二十八电阻R28的一端同时与第二芯片U2的管脚S4和第十五电容C15的一端相连；第十五电容C15的另一端同时与第二十九电阻R29的一端和第四芯片U4的管脚S4相连；
第三十电阻R30的一端同时与第二芯片U2的管脚S5和第十六电容C16的一端相连；第十六电容C16的另一端同时与第三十一电阻R31的一端和第四芯片U4的管脚S5相连；
第三十二电阻R32的一端同时与第二芯片U2的管脚S6和第十七电容C17的一端相连；第十七电容C17的另一端同时与第三十三电阻R33的一端和第四芯片U4的管脚S6相连；
第三十四电阻R34的一端同时与第二芯片U2的管脚S7和第十八电容C18的一端相连；第十八电容C18的另一端同时与第三十五电阻R35的一端和第四芯片U4的管脚S7相连；
第三十六电阻R36的一端同时与第二芯片U2的管脚S8和第十九电容C19的一端相连；第十九电容C19的另一端同时与第三十七电阻R37的一端和第四芯片U4的管脚S8相连；
第二芯片U2的管脚A0同时与第三芯片U3的管脚A0、第四芯片U4的管脚A0和第五芯片U5的管脚A0相连；
第二芯片U2的管脚A1同时与第三芯片U3的管脚A1、第四芯片U4的管脚A1和第五芯片U5的管脚A1相连；
第二芯片U2的管脚A2同时与第三芯片U3的管脚A2、第四芯片U4的管脚A2和第五芯片U5的管脚A2相连；
第二芯片U2的管脚EN同时与第四芯片U4的管脚EN和第六芯片U6的管脚1Y相连；
第三芯片U3的管脚EN同时与第五芯片U5的管脚EN和第六芯片U6的管脚1A相连；
第六芯片U6的管脚VC与+5V电源相连；
第六电阻R6的另一端至第三十七电阻R37的另一端即为所述每个调理单元设置有多组数据信号输入端。
本发明还提供了一种铸件充型和凝固过程中温度的分析方法，包括下述步骤：
S1.采集目标对象所有测试点的温度信号；
S2.对所述温度信号进行补偿；
S3.分别对每个测试点的温度信号进行处理；
S4.依据补偿信号对经处理后的温度信号进行数据分析，以生成所述目标对象的温度特性曲线。
优选的，在所述步骤S2中对所述温度信号进行补偿的过程为：
接收外部温度传感器发送的温度数据信号，将所述温度数据信号进行比较计算以获取补偿信号。
优选的，在所述步骤S3中分别对每个所述热电偶采集的温度信号进行放大和滤波处理。
上述技术特征可以各种适合的方式组合或由等效的技术特征来替代，只要能够达到本发明的目的。
本发明的有益效果在于：
利用铸件充型和凝固过程中温度的分析系统可有效的捕捉到目标对象的温度变化，准确的获取温度信号，根据温度数据进行分析生成温度特性曲线以便于实时掌握目标对象状态。通过铸件充型和凝固过程中温度的分析方法可以检测反应出铸件基本的凝固规律，包括：金属熔体在不同浇注条件下的流动情况、充型完成情况、铸件冷却过程中温度变化情况，对于改善浇注工艺、热处理工艺，减少铸件缺陷提高铸件的成品率有很大的意义。
附图说明
图1为本发明所述的铸件充型和凝固过程中温度的分析系统一种实施例的模块图；
图2为本发明所述调理单元的电路图；
图3为本发明所述的铸件充型和凝固过程中温度的分析方法的一种实施例的方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
如图1所示，一种铸件充型和凝固过程中温度的分析系统，包括：
采集单元，用以采集目标对象所有测试点的温度信号；
补偿单元，用以对所述温度信号进行补偿；
调理单元，分别连接所述采集单元和所述补偿单元，用以分别对每个测试点的温度信号进行处理；
处理单元，连接所述调理单元，用以依据补偿信号对经处理后的温度信号进行数据分析，以生成所述目标对象的温度特性曲线。
在本实施例中，利用铸件充型和凝固过程中温度的分析系统可有效的捕捉到目标对象的温度变化，准确的获取温度信号，根据温度数据进行分析生成温度特性曲线以便于实时掌握目标对象状态检测反应出铸件基本的凝固规律，包括：金属熔体在不同浇注条件下的流动情况、充型完成情况、铸件冷却过程中温度变化情况，对于改善浇注工艺、热处理工艺，减少铸件缺陷提高铸件的成品率有很大的意义。
在优选的实施例中，所述采集单元包括多个热电偶，每个热电偶对应一测试点，所述热电偶用以采集相应的测试点的温度信号。
在本实施例中，热电偶采用很细的前端绝缘热电偶，以尽量减小热偶的反应时间。
在优选的实施例中，所述调理单元包括多个输入端口，所述输入端口与所述热电偶一一对应，所述输入端口与相应的所述热电偶连接；
所述调理单元用以分别对每个所述热电偶采集的温度信号进行放大和滤波处理。
在本实施例中，调理单元对与多个输入端口连通的测温通道选通放大，排除了由于多路放大电路引起的器件支架的互相干扰及由于多路放大电路因为放大比不同二需要单独修正的问题。
在优选的实施例中，还包括：带有屏蔽层的数据线；
所述热电偶通过所述数据线与相应的所述输入端口连接。
在本实施例中，采用带有屏蔽层的数据线，可减小数据线平行分布可能造成的相互干扰。
在优选的实施例中，所述补偿单元用以接收外部温度传感器发送的温度数据信号，将所述温度数据信号进行比较计算以获取补偿信号。
在优选的实施例中，所述处理单元用以对所述温度信号进行数字滤波，冷却速率计算，微分处理、分析充型过程以及计算温度数据的平均值，通过最小二乘拟合热电偶热电势温度特性曲线。
在本实施例中，热电偶热电势温度特性曲线采用了Visual C++与Matcom混合编程，该数据可以通过Matlab或Origin进行后期处理，利用热电偶热电势温度特性曲线能够很好的反应合金的凝固过程。
如图2所示，在优选的实施例中，所述调理单元由第一芯片U1至第六芯片U6，第一电阻R1至第三十七电阻R37和第一电容C1至第十九电容C19组成；
第一电容C1的一端同时与第二电阻R2的一端、第二电容C2的一端和第一芯片U1的管脚OUT相连，第一电容C1的另一端与第一电阻R1的一端相连；
第一电阻R1的另一端同时与第三电阻R3的一端、第三电容C3的一端、第二芯片U2的管脚GND、第三芯片U3的管脚GND、第四芯片U4的管脚GND、第五芯片U5的管脚GND、第四芯片U4的管脚OUT、第五芯片U5的管脚OUT、第六芯片U6的管脚GND和电源地相连；
第二电阻R2的另一端同时与第二电容C2的另一端、第三电阻R3的另一端、第一芯片U1的管脚IN-相连；
第三电容C3的另一端同时与第四电阻R4的一端和第一芯片U1的管脚IN+相连；
第四电阻R4的另一端同时与第二芯片U2的管脚OUT和第三芯片U3的管脚OUT相连；
第五电阻R5的两端分别与第一芯片U1的管脚N1和第一芯片U1的管脚N2相连；第五电阻R5的滑动端同时与第一芯片U1的管脚VC+、第二芯片U2的管脚Vdd、第三芯片U3的管脚Vdd、第四芯片U4的管脚Vdd、第五芯片U5的管脚Vdd和+15V电源相连；
第一芯片U1的管脚VC-同时与第二芯片U2的管脚Vss、第三芯片U3的管脚Vss、第四芯片U4的管脚Vss、第五芯片U5的管脚Vss和-15V电源相连；
第六电阻R6的一端同时与第四电容C4的一端和第三芯片U3的管脚S1相连，第四电容C4的另一端同时与第七电阻R7的一端和第五芯片U5的管脚S1相连；
第八电阻R8的一端同时与第三芯片U3的管脚S2和第五电容C5的一端相连；第五电容C5的另一端同时与第九电阻R9的一端和第五芯片U5的管脚S2相连；
第十电阻R10的一端同时与第三芯片U3的管脚S3和第六电容C6的一端相连；第六电容C6的另一端同时与第十一电阻R11的一端和第五芯片U5的管脚S3相连；
第十二电阻R12的一端同时与第三芯片U3的管脚S4和第七电容C7的一端相连；第七电容C7的另一端同时与第十三电阻R13的一端和第五芯片U5的管脚S4相连；
第十四电阻R14的一端同时与第三芯片U3的管脚S5和第八电容C8的一端相连；第八电容C8的另一端同时与第十五电阻R15的一端和第五芯片U5的管脚S5相连；
第十六电阻R16的一端同时与第三芯片U3的管脚S6和第九电容C9的一端相连；第九电容C9的另一端同时与第十七电阻R17的一端和第五芯片U5的管脚S6相连；
第十八电阻R18的一端同时与第三芯片U3的管脚S7和第十电容C10的一端相连；第十电容C10的另一端同时与第十九电阻R19的一端和第五芯片U5的管脚S7相连；
第二十电阻R20的一端同时与第三芯片U3的管脚S8和第十一电容C11的一端相连；第十一电容C11的另一端同时与第二十一电阻R21的一端和第五芯片U5的管脚S8相连；
第二十二电阻R22的一端同时与第二芯片U2的管脚S1和第十二电容C12的一端相连；第十二电容C12的另一端同时与第二十三电阻R23的一端和第四芯片U4的管脚S1相连；
第二十四电阻R24的一端同时与第二芯片U2的管脚S2和第十三电容C13的一端相连；第十三电容C13的另一端同时与第二十五电阻R25的一端和第四芯片U4的管脚S2相连；
第二十六电阻R26的一端同时与第二芯片U2的管脚S3和第十四电容C14的一端相连；第十四电容C14的另一端同时与第二十七电阻R27的一端和第四芯片U4的管脚S3相连；
第二十八电阻R28的一端同时与第二芯片U2的管脚S4和第十五电容C15的一端相连；第十五电容C15的另一端同时与第二十九电阻R29的一端和第四芯片U4的管脚S4相连；
第三十电阻R30的一端同时与第二芯片U2的管脚S5和第十六电容C16的一端相连；第十六电容C16的另一端同时与第三十一电阻R31的一端和第四芯片U4的管脚S5相连；
第三十二电阻R32的一端同时与第二芯片U2的管脚S6和第十七电容C17的一端相连；第十七电容C17的另一端同时与第三十三电阻R33的一端和第四芯片U4的管脚S6相连；
第三十四电阻R34的一端同时与第二芯片U2的管脚S7和第十八电容C18的一端相连；第十八电容C18的另一端同时与第三十五电阻R35的一端和第四芯片U4的管脚S7相连；
第三十六电阻R36的一端同时与第二芯片U2的管脚S8和第十九电容C19的一端相连；第十九电容C19的另一端同时与第三十七电阻R37的一端和第四芯片U4的管脚S8相连；
第二芯片U2的管脚A0同时与第三芯片U3的管脚A0、第四芯片U4的管脚A0和第五芯片U5的管脚A0相连；
第二芯片U2的管脚A1同时与第三芯片U3的管脚A1、第四芯片U4的管脚A1和第五芯片U5的管脚A1相连；
第二芯片U2的管脚A2同时与第三芯片U3的管脚A2、第四芯片U4的管脚A2和第五芯片U5的管脚A2相连；
第二芯片U2的管脚EN同时与第四芯片U4的管脚EN和第六芯片U6的管脚1Y相连；
第三芯片U3的管脚EN同时与第五芯片U5的管脚EN和第六芯片U6的管脚1A相连；
第六芯片U6的管脚VC与+5V电源相连；
第六电阻R6的另一端至第三十七电阻R37的另一端即为所述每个调理单元设置有多组数据信号输入端。
如图3所示，本发明还提供了一种铸件充型和凝固过程中温度的分析方法，包括下述步骤：
S1.采集目标对象所有测试点的温度信号；
S2.对所述温度信号进行补偿；
S3.分别对每个测试点的温度信号进行处理；
S4.依据补偿信号对经处理后的温度信号进行数据分析，以生成所述目标对象的温度特性曲线。
进一步地，在所述步骤S2中对所述温度信号进行补偿的过程为：
接收外部温度传感器发送的温度数据信号，将所述温度数据信号进行比较计算以获取补偿信号。
在所述步骤S3中分别对每个所述热电偶采集的温度信号进行放大和滤波处理。
在本实施例中，通过铸件充型和凝固过程中温度的分析方法可以检测反应出铸件基本的凝固规律，包括：金属熔体在不同浇注条件下的流动情况、充型完成情况、铸件冷却过程中温度变化情况，对于改善浇注工艺、热处理工艺，减少铸件缺陷提高铸件的成品率有很大的意义。
虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明，但是应该理解的是，这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是，可以对示例性的实施例进行许多修改，并且可以设计出其他的布置，只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是，可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是，结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。
Claims (10)
1.一种铸件充型和凝固过程中温度的分析系统，其特征在于，包括：
采集单元，用以采集目标对象所有测试点的温度信号；
补偿单元，用以对所述温度信号进行补偿；
调理单元，分别连接所述采集单元和所述补偿单元，用以分别对每个测试点的温度信号进行处理；
处理单元，连接所述调理单元，用以依据补偿信号对经处理后的温度信号进行数据分析，以生成所述目标对象的温度特性曲线。
2.根据权利要求1所述的铸件充型和凝固过程中温度的分析系统，其特征在于，所述采集单元包括多个热电偶，每个热电偶对应一测试点，所述热电偶用以采集相应的测试点的温度信号。
3.根据权利要求2所述的铸件充型和凝固过程中温度的分析系统，其特征在于，所述调理单元包括多个输入端口，所述输入端口与所述热电偶一一对应，所述输入端口与相应的所述热电偶连接；
所述调理单元用以分别对每个所述热电偶采集的温度信号进行放大和滤波处理。
4.根据权利要求3所述的铸件充型和凝固过程中温度的分析系统，其特征在于，还包括：带有屏蔽层的数据线；
所述热电偶通过所述数据线与相应的所述输入端口连接。
5.根据权利要求1所述的铸件充型和凝固过程中温度的分析系统，其特征在于，所述补偿单元用以接收外部温度传感器发送的温度数据信号，将所述温度数据信号进行比较计算以获取补偿信号。
6.根据权利要求1所述的铸件充型和凝固过程中温度的分析系统，其特征在于，所述处理单元用以对所述温度信号进行数字滤波，冷却速率计算，微分处理、分析充型过程以及计算温度数据的平均值，通过最小二乘拟合热电偶热电势温度特性曲线。
7.根据权利要求1所述的铸件充型和凝固过程中温度的分析系统，其特征在于，所述调理单元由第一芯片U1至第六芯片U6，第一电阻R1至第三十七电阻R37和第一电容C1至第十九电容C19组成；
第一电容C1的一端同时与第二电阻R2的一端、第二电容C2的一端和第一芯片U1的管脚OUT相连，第一电容C1的另一端与第一电阻R1的一端相连；
第一电阻R1的另一端同时与第三电阻R3的一端、第三电容C3的一端、第二芯片U2的管脚GND、第三芯片U3的管脚GND、第四芯片U4的管脚GND、第五芯片U5的管脚GND、第四芯片U4的管脚OUT、第五芯片U5的管脚OUT、第六芯片U6的管脚GND和电源地相连；
第二电阻R2的另一端同时与第二电容C2的另一端、第三电阻R3的另一端、第一芯片U1的管脚IN-相连；
第三电容C3的另一端同时与第四电阻R4的一端和第一芯片U1的管脚IN+相连；
第四电阻R4的另一端同时与第二芯片U2的管脚OUT和第三芯片U3的管脚OUT相连；
第五电阻R5的两端分别与第一芯片U1的管脚N1和第一芯片U1的管脚N2相连；第五电阻R5的滑动端同时与第一芯片U1的管脚VC+、第二芯片U2的管脚Vdd、第三芯片U3的管脚Vdd、第四芯片U4的管脚Vdd、第五芯片U5的管脚Vdd和+15V电源相连；
第一芯片U1的管脚VC-同时与第二芯片U2的管脚Vss、第三芯片U3的管脚Vss、第四芯片U4的管脚Vss、第五芯片U5的管脚Vss和-15V电源相连；
第六电阻R6的一端同时与第四电容C4的一端和第三芯片U3的管脚S1相连，第四电容C4的另一端同时与第七电阻R7的一端和第五芯片U5的管脚S1相连；
第八电阻R8的一端同时与第三芯片U3的管脚S2和第五电容C5的一端相连；第五电容C5的另一端同时与第九电阻R9的一端和第五芯片U5的管脚S2相连；
第十电阻R10的一端同时与第三芯片U3的管脚S3和第六电容C6的一端相连；第六电容C6的另一端同时与第十一电阻R11的一端和第五芯片U5的管脚S3相连；
第十二电阻R12的一端同时与第三芯片U3的管脚S4和第七电容C7的一端相连；第七电容C7的另一端同时与第十三电阻R13的一端和第五芯片U5的管脚S4相连；
第十四电阻R14的一端同时与第三芯片U3的管脚S5和第八电容C8的一端相连；第八电容C8的另一端同时与第十五电阻R15的一端和第五芯片U5的管脚S5相连；
第十六电阻R16的一端同时与第三芯片U3的管脚S6和第九电容C9的一端相连；第九电容C9的另一端同时与第十七电阻R17的一端和第五芯片U5的管脚S6相连；
第十八电阻R18的一端同时与第三芯片U3的管脚S7和第十电容C10的一端相连；第十电容C10的另一端同时与第十九电阻R19的一端和第五芯片U5的管脚S7相连；
第二十电阻R20的一端同时与第三芯片U3的管脚S8和第十一电容C11的一端相连；第十一电容C11的另一端同时与第二十一电阻R21的一端和第五芯片U5的管脚S8相连；
第二十二电阻R22的一端同时与第二芯片U2的管脚S1和第十二电容C12的一端相连；第十二电容C12的另一端同时与第二十三电阻R23的一端和第四芯片U4的管脚S1相连；
第二十四电阻R24的一端同时与第二芯片U2的管脚S2和第十三电容C13的一端相连；第十三电容C13的另一端同时与第二十五电阻R25的一端和第四芯片U4的管脚S2相连；
第二十六电阻R26的一端同时与第二芯片U2的管脚S3和第十四电容C14的一端相连；第十四电容C14的另一端同时与第二十七电阻R27的一端和第四芯片U4的管脚S3相连；
第二十八电阻R28的一端同时与第二芯片U2的管脚S4和第十五电容C15的一端相连；第十五电容C15的另一端同时与第二十九电阻R29的一端和第四芯片U4的管脚S4相连；
第三十电阻R30的一端同时与第二芯片U2的管脚S5和第十六电容C16的一端相连；第十六电容C16的另一端同时与第三十一电阻R31的一端和第四芯片U4的管脚S5相连；
第三十二电阻R32的一端同时与第二芯片U2的管脚S6和第十七电容C17的一端相连；第十七电容C17的另一端同时与第三十三电阻R33的一端和第四芯片U4的管脚S6相连；
第三十四电阻R34的一端同时与第二芯片U2的管脚S7和第十八电容C18的一端相连；第十八电容C18的另一端同时与第三十五电阻R35的一端和第四芯片U4的管脚S7相连；
第三十六电阻R36的一端同时与第二芯片U2的管脚S8和第十九电容C19的一端相连；第十九电容C19的另一端同时与第三十七电阻R37的一端和第四芯片U4的管脚S8相连；
第二芯片U2的管脚A0同时与第三芯片U3的管脚A0、第四芯片U4的管脚A0和第五芯片U5的管脚A0相连；
第二芯片U2的管脚A1同时与第三芯片U3的管脚A1、第四芯片U4的管脚A1和第五芯片U5的管脚A1相连；
第二芯片U2的管脚A2同时与第三芯片U3的管脚A2、第四芯片U4的管脚A2和第五芯片U5的管脚A2相连；
第二芯片U2的管脚EN同时与第四芯片U4的管脚EN和第六芯片U6的管脚1Y相连；
第三芯片U3的管脚EN同时与第五芯片U5的管脚EN和第六芯片U6的管脚1A相连；
第六芯片U6的管脚VC与+5V电源相连；
第六电阻R6的另一端至第三十七电阻R37的另一端即为所述每个调理单元设置有多组数据信号输入端。
8.一种铸件充型和凝固过程中温度的分析方法，其特征在于，包括下述步骤：
S1.采集目标对象所有测试点的温度信号；
S2.对所述温度信号进行补偿；
S3.分别对每个测试点的温度信号进行处理；
S4.依据补偿信号对经处理后的温度信号进行数据分析，以生成所述目标对象的温度特性曲线。
9.根据权利要求7所述的铸件充型和凝固过程中温度的分析方法，其特征在于，在所述步骤S2中对所述温度信号进行补偿的过程为：
接收外部温度传感器发送的温度数据信号，将所述温度数据信号进行比较计算以获取补偿信号。
10.根据权利要求7所述的铸件充型和凝固过程中温度的分析方法，其特征在于，在所述步骤S3中分别对每个所述热电偶采集的温度信号进行放大和滤波处理。
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