CN108494503A - 一种tdd-lte信号下行自激检测方法及系统 - Google Patents

一种tdd-lte信号下行自激检测方法及系统 Download PDF

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CN108494503A CN201810262590.3A CN201810262590A CN108494503A CN 108494503 A CN108494503 A CN 108494503A CN 201810262590 A CN201810262590 A CN 201810262590A CN 108494503 A CN108494503 A CN 108494503A
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Abstract

本发明公开了一种TDD‑LTE信号下行自激检测方法及系统，其方法包括以下步骤：获取下行射频模块向第一射频开关传输的第一TDD‑LTE下行信号，并根据所述第一TDD‑LTE下行信号输出第一电压模拟信号；将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD‑LTE下行信号在第一预设时间段内的功率值与预设功率阈值进行比较，以输出控制信号；当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接电源电路的开关模块断开，以关闭所述下行射频模块的电源，能够自动进行电路的自激检测，并在发生自激现象后及时反应，切断电路，避免对周围通信及自身设备造成影响。

Description

一种TDD-LTE信号下行自激检测方法及系统
技术领域
本发明涉及电路检测领域，尤其涉及一种TDD-LTE信号下行自激检测方法及系统。
背景技术
随着城市化进程的快速推进，现代移动通信迅猛飞速的发展，人们对移动通信网络质量和数据传输的要求越来越高。在大型建筑物低层、地下商场、地下停车场等场合，形成了移动通信的盲区和阴影区。在会展中心，大型体育场馆等地方，由于人流密集，话务量高，不仅要解决信号覆盖问题，还需解决容量问题。因此仅仅通过室外基站覆盖无法解决室内信号问题，必须通过室内覆盖系统才能解决此类问题。信号满格宝作为解决系统室内信号覆盖的方式之一，具有结构简单、价格低廉、安装快捷、容易维护等优点而被广泛使用。
信号满格宝为信号覆盖增强设备，可支持2G/3G/4G中的一模或多模信号，有效解决室内弱覆盖问题，适用于地下空间、底商、居民家庭、办公室、电梯井等场景，具有成本低、部署快、质量可靠、信号稳定等优势。
信号满格宝输入、输出是同频设备，施主与重发天线之的隔离度不好，就会造成系统自激，简单解释就是，信号满格宝的施主天线接收了重发天线的信号再经过信号满格宝放大，通过重发天线输出，这样的恶性循环，后果是设备损坏，用手机测试的现象为，接收信号好，打不出电话。如果信号满格宝自激将对原网造成严重影响，影响附近基站的接受灵敏度，基站的覆盖范围将大大减小。由于信号满格宝的工作天线较高，会将干扰的破坏作用大面积扩大。
现有技术针对信号满格宝的自激测试主要是在工程安装调试时用手机测试通话质量，查看手机接收功率，或用频谱仪测试频谱，如果现场安装有自激现象，现场调试施主天线和重发天线的方向和隔离度之类。
在实施本发明实施例的过程中，发明人发现：现有技术只在工程安装调试时进行自激检测，但是设备在实际使用过程中会有一些天气、人为等不确定因素改变天线的方向、隔离度以及设备内部出现一些故障导致设备出现自激现象，这时工程人员不能及时赶到现场，会对周围的通信造成一定的影响，甚至损坏自身电路的设备。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于提供一种TDD-LTE信号下行自激检测方法及系统，能够自动进行电路的自激检测，并在发生自激现象后及时反应，切断电路，避免对周围通信及自身设备造成影响。
第一方面，本发明实施例提供了一种TDD-LTE信号下行自激检测方法，包括以下步骤：
获取下行射频模块向第一射频开关传输的第一TDD-LTE下行信号，并根据所述第一TDD-LTE下行信号输出第一电压模拟信号；
将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率值与预设功率阈值进行比较，以输出控制信号；
当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接电源电路的开关模块断开，以关闭所述下行射频模块的电源。
在第一方面的第一种实现方式中，所述将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率值与预设功率阈值进行比较，以输出控制信号，具体包括：
根据接收的所述第一电压模拟信号采样所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率；其中，设中央处理器控制第一射频开关及第二射频开关切换到下行时隙时的时间点为T1，所述第一预设时间段为(T1+979.7)μs-(T1+1000)μs；
当所述功率值与预设功率阈值的差值大于0时，输出关闭控制信号。
根据第一方面的第一种实现方式，在第一方面的第二种实现方式中，所述预设功率阈值的设置包括：
在信号满格宝安装并调试成功，并在确保通话质量正常时：
获取下行射频模块向所述第一射频开关传输的第二TDD-LTE下行信号，并根据所述第二TDD-LTE下行信号输出第二电压模拟信号；
根据接收的所述第二电压模拟信号采样所述第二TDD-LTE下行信号在第二预设时间段内的功率；其中，设中央处理器控制第一射频开关及第二射频开关切换到下行时隙时的时间点为T0，所述第二预设时间段为T0-(T0+979.7)μs；
将采样的所述第二TDD-LTE下行信号在第二预设时间段内的功率设置为预设功率阈值。
根据第一方面的第一种实现方式，在第一方面的第三种实现方式中，还包括：
接收调制解调器传输的下行切换信号，并根据所述下行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到所述下行射频模块；
获取通过所述第二射频开关传输的所述第三TDD-LTE下行信号，通过所述下行射频模块对所述第三TDD-LTE下行信号进行射频信号处理，以生成所述第一TDD-LTE下行信号。
根据第一方面的第三种实现方式，在第一方面的第四种实现方式中，还包括：
接收所述调制解调器传输的上行切换信号，并根据所述上行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到上行射频模块；
获取通过所述第一射频开关传输的第一TDD-LTE上行信号，通过上行射频模块对所述第一TDD-LTE上行信号进行射频信号处理，以生成第二TDD-LTE上行信号；
通过所述上行射频模块将所述第二TDD-LTE上行信号发送给第二射频开关；
则所述当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接电源电路的开关模块断开，以关闭所述下行射频模块的电源，具体为：
当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接电源电路的开关模块断开，以关闭所述下行射频模块及所述上行射频模块的电源。
根据第一方面的以上任一种实现方式，在第一方面的第五种实现方式中，所述开关模块为功率MOS场效应晶体管。
根据第一方面的第五种实现方式，在第一方面的第六种实现方式中，所述电源电路包括开关电源电路、稳压电源电路、稳流电源电路、功率电源电路、逆变电源电路、DC-DC电源电路及保护电源电路中的任意一种。
第二方面，本发明实施例提供了一种TDD-LTE信号下行自激检测系统，包括功率检测器、下行射频模块、第一射频开关、中央处理器、电源电路及开关模块；
所述功率检测器，用于获取下行射频模块向第一射频开关传输的第一TDD-LTE下行信号，并根据所述第一TDD-LTE下行信号向所述中央处理器输出第一电压模拟信号；
所述中央处理器，用于将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率值与预设功率阈值进行比较，以向所述开关模块输出控制信号；当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接所述电源电路的所述开关模块断开；
所述开关模块，用于根据所述关闭控制信号断开，以关闭所述下行射频模块的电源。
在第二方面的第一种实现方式中，还包括调制解调器及第二射频开关；
所述中央处理器，还用于接收所述调制解调器传输的下行切换信号，并根据所述下行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到所述下行射频模块；
所述下行射频模块，用于获取通过所述第二射频开关传输的所述第三TDD-LTE下行信号，对所述第三TDD-LTE下行信号进行射频信号处理，以生成所述第一TDD-LTE下行信号，将所述第一TDD-LTE下行信号传输给所述第一射频开关及所述功率检测器。
根据第二方面的第一种实现方式，在第二方面的第二种实现方式中，还包括上行射频模块；
所述中央处理器，还用于接收所述调制解调器传输的上行切换信号，并根据所述上行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到所述上行射频模块；
所述上行射频模块，用于获取通过所述第一射频开关传输的第一TDD-LTE上行信号，对所述第一TDD-LTE上行信号进行射频信号处理，以生成第二TDD-LTE上行信号，将所述第二TDD-LTE上行信号发送给第二射频开关；
所述开关模块，具体用于根据所述关闭控制信号断开，以关闭所述下行射频模块及所述上行射频模块的电源。
本发明实施例提供了一种TDD-LTE信号下行自激检测方法及系统，并具有如下有益效果：
首先获取下行射频模块向第一射频开关传输的第一TDD-LTE下行信号，并根据所述第一TDD-LTE下行信号输出第一电压模拟信号，然后将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率值与预设功率阈值进行比较，以输出控制信号，当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接电源电路的开关模块断开，以关闭所述下行射频模块的电源，即在检测到发生下行自激现象时，中央处理器控制与所述电源电路连接的所述开关模块断开，以停止所述电源电路对整个TDD-LTE信号下行自激检测电路的供电，及时关闭设备的自激链路，避免对周围通信造成影响，同时也有利于保护系统的设备，延长设备的使用期限，节约设备成本与人力成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明第一实施例提供的TDD-LTE信号下行自激检测方法的流程示意图。
图2是本发明第一实施例提供的TDD-LTE信号的时隙配置的示意图。
图3是本发明第四实施例提供的TDD-LTE信号下行自激检测系统的结构示意图。
图4是本发明第四实施例提供的下行射频模块的示意图。
图5是本发明第四实施例提供的上行射频模块的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参与图1，本发明第一实施例提供了一种TDD-LTE信号下行自激检测方法，包括以下步骤：
S11，获取下行射频模块向第一射频开关传输的第一TDD-LTE下行信号，并根据所述第一TDD-LTE下行信号输出第一电压模拟信号。
在本发明实施例中，功率检测器是接收射频输入信号，输出与输入射频信号功率相对应的电压的元器件；射频开关是用作射频信号传输路径接收/发射、频段选择或天线分集的切换，同时能够保证接收/发射链路之间的隔离度。
在本发明实施例中，所述功率检测器用于执行S11中的步骤，获取下行射频模块向第一射频开关传输的第一TDD-LTE下行信号，然后根据所述第一TDD-LTE下行信号输出第一电压模拟信号，并将所述第一电压模拟信号传输给中央处理器。
S12，将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率值与预设功率阈值进行比较，以输出控制信号。
在本发明实施例中，请参阅图2，TD-LTE采用无线帧结构，无线帧长度是10ms，由两个长度为5ms的半帧组成，每个半帧由5个长度为1ms的子帧组成，其中有4个普通的子帧和1个特殊子帧，所以整个帧也可理解为分成了10个长度为1ms的子帧作为数据调度和传输的单位，其中前半帧的第二个子帧必须配置为特殊子帧，用于承载DwPTS(下行导频时隙)、GP和UpPTS(上行导频时隙)信号，TDD-LTE中的1个无线帧：1Tf＝307200Ts＝10ms，其中包含624个Ts的GP保护时隙，其长度为GP＝20.3us，当射频开关切换到下行射频电路时，确定通过下行射频电路的时隙有TS0(时隙)和DwPTS(下行导频时隙)，其中TS0包含20.3us的保护时隙，基站下行信号所在的时隙为TS0(不包含20.3us的保护时隙)和DwPTS，TS0中的20.3us保护时隙虽然在下行时隙内，但是在这段时间内是没有基站信号经过的，所以检测到的信号强度和设备底噪是一样的(非常低)，当设备下行存在自激情况时，因为自激信号是连续的CW(Continue Wave)信号，所以这个保护时隙的信号强度和其他下行时隙的功率时一样高，本发明利用TDD-LTE下行信号的时隙中的保护间隔的功率检测来判断电路中设备是否发生自激现象。
在本发明实施例中，在运行所述TDD-LTE信号下行自激检测方法的设备的调试阶段，所述预设功率阈值的设置包括：在信号满格宝安装并调试成功后，用TDD-LTE制式手机拨打电话并确认通话质量没有问题的情况下：所述调制解调器解析TDD-LTE信号上、下行切换时间，向所述中央处理器发送下行切换信号，所述中央处理器根据接收到的下行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到所述下行射频模块，同时所述中央处理器记录下控制第一射频开关及第二射频开关切换到下行时隙时的时间点为T0，第二射频开关通过BS端口接收基站发射的第四TDD-LTE下行信号，将所述第四TDD-LTE下行信号传输给所述下行射频模块，然后所述第四TDD-LTE下行信号经过所述下行射频模块处理之后输出第二TDD-LTE下行信号，所述功率检测器获取下行射频模块向第一射频开关传输的第二TDD-LTE下行信号，并根据所述第二TDD-LTE下行信号输出第二电压模拟信号，将所述第二电压模拟信号发送给所述中央处理器，中央处理器根据接收的所述第二电压模拟信号采样所述第二TDD-LTE下行信号在第二预设间隔内的功率，所述第二预设时间段为T0-(T0+979.7)μs，将采样的所述第二TDD-LTE下行信号在第二预设时间段内的功率设置为预设功率阈值，需要说明的是，所述预设功率阈值为时隙信号功率。
在本发明实施例中，中央处理器(CPU)是一块超大规模的集成电路，主要包括运算器(ALU，Arithmetic and Logic Unit)和控制器(CU，Control Unit)两大部件，此外，还包括若干个寄存器和高速缓冲存储器及实现它们之间联系的数据、控制及状态的总线。
在本发明实施例中，具体地，在实际使用过程中，所述中央处理器(CPU)接收所述功率检测器传输的第一电压模拟信号，根据接收的所述第一电压模拟信号采样所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率，设中央处理器控制第一射频开关及第二射频开关切换到下行时隙时的时间点为T1，所述第一预设时间段为(T1+979.7)μs-(T1+1000)μs，当所述功率值与预设功率阈值的差值大于0时，，即保护间隔功率与时隙信号功率的差值大于0，设所述功率值为Pmix，所述预设功率阈值为Pmax，两者的差值为Pn，Pn＞＞0，即表明发生了自激现象，所述中央处理器输出关闭控制信号；若Pn不满足Pn＞＞0，则所述中央处理器重复以上步骤继续采样所述功率检测器发送的电压模拟信号以进行判断。
S13，当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接电源电路的开关模块断开，以关闭所述下行射频模块的电源。
在本发明实施例中，所述中央处理器在检测到设备自激时，输出关闭控制信号，所述开关模块根据所述关闭控制信号断开，以关闭下行射频模块及上行射频模块的电源，从而使得整个TDD-LTE信号下行自激检测电路停止运行，避免设备自激对设备造成损坏；所述开关模块为功率MOS场效应晶体管，所述功率MOS场效应晶体管是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件，所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件，功率MOS场效应晶体管主要用于线性或开关电源；所述电源电路是指提供给用电设备电力供应的电源部分的电路设计，使用的电路形式和特点，既有交流电源也有直流电源，所述电源电路可为开关电源电路、稳压电源电路、稳流电源电路、功率电源电路、逆变电源电路、DC-DC电源电路及保护电源电路中的任意一种。
综上所述，本发明第一实施例提供了一种TDD-LTE信号下行自激检测方法，首先获取下行射频模块向第一射频开关传输的第一TDD-LTE下行信号，并根据所述第一TDD-LTE下行信号输出第一电压模拟信号，然后将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率值与预设功率阈值进行比较，以输出控制信号，当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接电源电路的开关模块断开，以关闭所述下行射频模块的电源，通过设备状态良好时，采样信号满格宝TDD－LTE下行TS0时隙中的基站信号的功率值作为一个参考值，再对工作时的TSO的保护间隔功率的值进行采样作为比较值，通过比较值和参考值之间的关系判断设备是否自激，在检测到发生下行自激现象时，中央处理器控制与所述电源电路连接的所述开关模块断开，以停止所述电源电路对整个TDD-LTE信号下行自激检测电路的供电，及时关闭设备的自激链路，避免对周围通信造成影响，同时也有利于保护系统的设备，延长设备的使用期限，节约设备成本与人力成本。
为了便于对本发明的理解，下面将对本发明的一些优选实施例做更进一步的描述。
本发明第二实施例：
在本发明第一实施例的基础上，还包括：
接收调制解调器传输的下行切换信号，并根据所述下行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到所述下行射频模块。
获取通过所述第二射频开关传输的所述第三TDD-LTE下行信号，通过所述下行射频模块对所述第三TDD-LTE下行信号进行射频信号处理，以生成所述第一TDD-LTE下行信号。
在本发明实施例中，所述调制解调器是一种把要传输的数字信号调制到载波上或从载波上把数字信号分离出来的器件，所谓调制，就是把数字信号转换成电话线上传输的模拟信号；解调，即把模拟信号转换成数字信号，合称调制解调器。它在发送端通过调制将数字信号转换为模拟信号，在接收端通过解调再将模拟信号转换为数字信号，需要说明的是，所述调制解调器是TDD-LTE制式的。
在本发明实施例中，所述调制解调器耦合TDD-LTE下行信号并解析上、下行切换时间，以输出信号给中央处理器。
在本发明实施例中，所述调制解调器解析上、下行切换时间，向所述中央处理器输出下行切换信号，所述中央处理器接收所述调制解调器传输的下行切换信号，并根据所述下行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到所述下行射频模块，进行TDD-LTE下行信号处理阶段，TDD-LTE基站发送的第三TDD-LTE下行信号通过BS端口发送给所述第二射频开关，然后所述第二射频开关将传输的第三TDD-LTE下行信号传输给所述下行射频模块，所述下行射频模块获取通过所述第二射频开关传输的所述第三TDD-LTE下行信号，对所述第三TDD-LTE下行信号进行射频信号处理，以生成所述第一TDD-LTE下行信号，然后将所述第一TDD-LTE下行信号传输给所述第一射频开关及所述功率检测器。
在本发明实施例中，所述下行射频模块包括第一低噪声放大器、第一声表滤波器及第一射频功放管；低噪声放大器即噪声系数很低的放大器，用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路；声表滤波器(SAW)是利用压电材料的压电特性，利用输入与输出换能器(Transducer)将电波的输入信号转换成机械能，经过处理后，再把机械能转换成电的信号，以达到过滤不必要的信号及杂讯，提升收讯品质的目标，被广泛应用在各种无线通讯系统、电视机、录放影机及全球卫星定位系统接收器上替代LC谐振电路，用于级间耦合和滤波。主要功用在于把杂讯滤掉，比传统的LC滤波器安装更简单、体积更小；射频功放管又称功率放大器(power amplifier)，是指在给定失真率条件下，能产生最大功率输出以驱动某一负载的放大器，射频功率放大器(RF PA)是各种无线发射机的重要组成部分，为了获得足够大的射频输出功率，必须采用射频功率放大器，射频功率放大器的主要技术指标是输出功率与效率，除此之外，输出中的谐波分量还应该尽可能的小，以避免对其他频道产生干扰。
本发明第三实施例：
在本发明第二实施例的基础上，还包括：
接收所述调制解调器传输的上行切换信号，并根据所述上行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到上行射频模块。
获取通过所述第一射频开关传输的第一TDD-LTE上行信号，通过上行射频模块对所述第一TDD-LTE上行信号进行射频信号处理，以生成第二TDD-LTE上行信号。
通过所述上行射频模块将所述第二TDD-LTE上行信号发送给第二射频开关。
在本发明实施例中，所述调制解调器解析上、下行切换时间，向所述中央处理器输出上行切换信号，所述中央处理器接收所述调制解调器传输的上行切换信号，并根据所述上行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到所述上行射频模块，进行TDD-LTE上行信号处理阶段，手机发射的第一TDD-LTE上行信号经过MS端口通过发送给所述第一射频开关，然后所述第一射频开关将传输的第一TDD-LTE上行信号传输给所述上行射频模块，所述上行射频模块获取通过所述第一射频开关传输的所述第一TDD-LTE上行信号，对所述第一TDD-LTE上行信号进行射频信号处理，以生成第二TDD-LTE上行信号，然后将所述第二TDD-LTE上行信号发送给第二射频开关，以使所述第二射频开关通过BS端口将所述第二TDD-LTE上行信号发送给TDD-LTE基站。
在本发明实施例中，所述上行射频模块包括第二低噪声放大器、第二声表滤波器及第二射频功放管。
则所述S13具体为：
当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接电源电路的开关模块断开，以关闭所述下行射频模块及所述上行射频模块的电源。
在本发明实施例中，电源电路通过开关模块给所述上行射频模块及所述下行射频模块供电，当发生电路自激时，所述中央处理器控制所述开关模块断开，以切断所述上行射频模块及所述下行射频模块的电源，防止电路自激造成自身设备损坏。
请参阅图3，本发明第四实施例提供了一种TDD-LTE信号下行自激检测系统10，包括功率检测器11、下行射频模块12、第一射频开关13、中央处理器14、电源电路15及开关模块16。
所述功率检测器11，用于获取下行射频模块12向第一射频开关13传输的第一TDD-LTE下行信号，并根据所述第一TDD-LTE下行信号向所述中央处理器14输出第一电压模拟信号。
所述中央处理器14，用于将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率值与预设功率阈值进行比较，以向所述开关模块16输出控制信号；当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接所述电源电路15的所述开关模块16断开。
在本发明实施例中，设中央处理器控制第一射频开关及第二射频开关切换到下行时隙时的时间点为T1，所述第一预设时间段为(T1+979.7)μs-(T1+1000)μs。
所述开关模块16，用于根据所述关闭控制信号断开，以关闭所述下行射频模块12的电源。在第四实施例的第一种实现方式中，还包括调制解调器17及第二射频开关18。
所述中央处理器14，还用于接收所述调制解调器17传输的下行切换信号，并根据所述下行切换信号切换所述第一射频开关13与所述第二射频开关18，以切换到所述下行射频模块12。
所述下行射频模块12，用于获取通过第二射频开关18传输的所述第三TDD-LTE下行信号，对所述第三TDD-LTE下行信号进行射频信号处理，以生成所述第一TDD-LTE下行信号，将所述第一TDD-LTE下行信号传输给所述第一射频开关13及所述功率检测器11。
根据第四实施例的第一种实现方式，在第四实施例的第二种实现方式中，还包括上行射频模块19。
所述中央处理器14，还用于接收所述调制解调器17传输的上行切换信号，并根据所述上行切换信号切换所述第一射频开关13与所述第二射频开关18，以切换到所述上行射频模块19。
所述上行射频模块19，用于获取通过所述第一射频开关13传输的第一TDD-LTE上行信号，对所述第一TDD-LTE上行信号进行射频信号处理，以生成第二TDD-LTE上行信号，将所述第二TDD-LTE上行信号发送给第二射频开关18。
所述开关模块16，具体用于根据所述关闭控制信号断开，以关闭所述下行射频模块12及所述上行射频模块19的电源。
在本发明实施例中，请参阅图4，所述下行射频模块12包括第一低噪声放大器121、第一声表滤波器122及第一射频功放管123；所述第一低噪声放大器121，用于放大所述第二射频开关18传输的TDD-LTE下行信号，将放大的TDD-LTE下行信号传输给所述第一声表滤波器122；所述第一声表滤波器122，用于将所述放大的TDD-LTE下行信号进行滤波处理，将放大及滤波后的TDD-LTE下行信号传输给所述第一射频功放管123；所述第一射频功放管123，用于将所述放大及滤波后的TDD-LTE下行信号进行射频功率放大处理，以向所述第一射频开关13传输射频处理后的TDD-LTE下行信号，经过所述第一低噪声放大器121、第一声表滤波器122及第一射频功放管123的处理，实现对TDD-LTE下行信号中噪声的抑制，消除干扰问题。
在本发明实施例中，请参阅图5，所述上行射频模块19包括第二低噪声放大器191、第二声表滤波器192及第二射频功放管193；所述第二低噪声放大器191，用于放大所述第一射频开关13传输的TDD-LTE上行信号，将放大的TDD-LTE上行信号传输给所述第二声表滤波器192；所述第二声表滤波器192，用于将所述放大的TDD-LTE上行信号进行滤波处理，将放大及滤波后的TDD-LTE上行信号传输给所述第二射频功放管193；所述第二射频功放管193，用于将所述放大及滤波后的TDD-LTE上行信号进行射频功率放大处理，以向所述第二射频开关18传输射频处理后的TDD-LTE上行信号，经过所述第二低噪声放大器191、第二声表滤波器192及第二射频功放管193的处理，实现对TDD-LTE上行信号中噪声的抑制，消除干扰问题。
在本发明实施例中，所述电源电路15，用于为所述下行射频模块12及所述上行射频模块19提供电源。
在本发明实施例中，所述调制解调器17，耦合TDD-LTE下行信号，用于解析上、下行切换时间，输出上行切换信号或者下行切换信号给中央处理器14(CPU)，以使中央处理器14(CPU)根据信号切换第一射频开关13和第二射频开关18使射频开关，使得TDD-LTE信号下行自激检测系统切换到上行射频模块19或下行射频模块12。
在本发明实施例中，所述第一射频开关13，用于接收所述下行射频模块12传输的TDD-LTE下行信号并通过MS端口传输给手机；并接收手机通过MS端口传输的TDD-LTE上行信号，将所述TDD-LTE上行信号传输给所述上行射频模块19。
在本发明实施例中，所述第二射频开关18，用于接收所述上行射频模块19传输的TDD-LTE上行信号并通过BS端口传输给基站；并接收基站通过BS端口传输的TDD-LTE下行信号，将所述TDD-LTE下行信号传输给所述下行射频模块12。
在本发明实施例中，具体地，所述调制解调器17耦合TDD-LTE下行链路信号并解析上、下行切换时间，输出信号给中央处理器14(CPU)，以使中央处理器14(CPU)根据信号切换第一射频开关13和第二射频开关18使射频开关，使得TDD-LTE信号下行自激检测系统切换到上行射频模块19或下行射频模块12，TDD-LTE基站发射的TDD-LTE下行信号经过BS端口进入所述第二射频开关18，然后通过所述第二射频开关18进入所述下行射频模块12，经过所述下行射频模块12的射频信号放大、选频等操作之后进入第一射频开关13，然后经过MS端口进入手机终端，所述功率检测器11耦合所述下行射频模块12中的TDD-LTE下行信号，在对所述TDD-LTE下行信号进行处理之后，所述功率检测器11输出电压模拟信号输入所述中央处理器14(CPU)，所述电源电路15经过所述功率MOS场效应晶体管给所述下行射频模块12和所述上行射频模块19供电，所述中央处理器14(CPU)控制功率MOS场效应晶体管打开或关闭；手机终端发射的TDD-LTE上行信号经过MS端口进入所述第一射频开关13，然后通过所述第一射频开关13进入所述上行射频模块19，经过所述上行射频模块1918的射频信号放大、选频等操作之后进入所述第二射频开关18，然后经过BS端口进入基站。
需说明的是，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。另外，本发明提供的装置实施例附图中，模块之间的连接关系表示它们之间具有通信连接，具体可以实现为一条或多条通信总线或信号线。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种TDD-LTE信号下行自激检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取下行射频模块向第一射频开关传输的第一TDD-LTE下行信号，并根据所述第一TDD-LTE下行信号输出第一电压模拟信号；
将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率值与预设功率阈值进行比较，以输出控制信号；
当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接电源电路的开关模块断开，以关闭所述下行射频模块的电源。
2.根据权利要求1所述的TDD-LTE信号下行自激检测方法，其特征在于，所述将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率值与预设功率阈值进行比较，以输出控制信号，具体包括：
根据接收的所述第一电压模拟信号采样所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率；其中，设中央处理器控制第一射频开关及第二射频开关切换到下行时隙时的时间点为T1，所述第一预设时间段为(T1+979.7)μs-(T1+1000)μs；
当所述功率值与预设功率阈值的差值大于0时，输出关闭控制信号。
3.根据权利要求2所述的TDD-LTE信号下行自激检测方法，其特征在于，所述预设功率阈值的设置包括：
在信号满格宝安装并调试成功，并在确保通话质量正常时：
获取下行射频模块向所述第一射频开关传输的第二TDD-LTE下行信号，并根据所述第二TDD-LTE下行信号输出第二电压模拟信号；
根据接收的所述第二电压模拟信号采样所述第二TDD-LTE下行信号在第二预设时间段内的功率；其中，设中央处理器控制第一射频开关及第二射频开关切换到下行时隙时的时间点为T0，所述第二预设时间段为T0-(T0+979.7)μs；
将采样的所述第二TDD-LTE下行信号在第二预设时间段内的功率设置为预设功率阈值。
4.根据权利要求2所述的TDD-LTE信号下行自激检测方法，其特征在于，还包括：
接收调制解调器传输的下行切换信号，并根据所述下行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到所述下行射频模块；
获取通过所述第二射频开关传输的所述第三TDD-LTE下行信号，通过所述下行射频模块对所述第三TDD-LTE下行信号进行射频信号处理，以生成所述第一TDD-LTE下行信号。
5.根据权利要求4所述的TDD-LTE信号下行自激检测方法，其特征在于，还包括：
接收所述调制解调器传输的上行切换信号，并根据所述上行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到上行射频模块；
获取通过所述第一射频开关传输的第一TDD-LTE上行信号，通过上行射频模块对所述第一TDD-LTE上行信号进行射频信号处理，以生成第二TDD-LTE上行信号；
通过所述上行射频模块将所述第二TDD-LTE上行信号发送给第二射频开关；
则所述当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接电源电路的开关模块断开，以关闭所述下行射频模块的电源，具体为：
当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接电源电路的开关模块断开，以关闭所述下行射频模块及所述上行射频模块的电源。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的TDD-LTE信号下行自激检测方法，其特征在于，所述开关模块为功率MOS场效应晶体管。
7.根据权利要求6所述的TDD-LTE信号下行自激检测方法，其特征在于，所述电源电路包括开关电源电路、稳压电源电路、稳流电源电路、功率电源电路、逆变电源电路、DC-DC电源电路及保护电源电路中的任意一种。
8.一种TDD-LTE信号下行自激检测系统，其特征在于，包括功率检测器、下行射频模块、第一射频开关、中央处理器、电源电路及开关模块；
所述功率检测器，用于获取下行射频模块向第一射频开关传输的第一TDD-LTE下行信号，并根据所述第一TDD-LTE下行信号向所述中央处理器输出第一电压模拟信号；
所述中央处理器，用于将根据所述第一电压模拟信号获取的所述第一TDD-LTE下行信号在第一预设时间段内的功率值与预设功率阈值进行比较，以向所述开关模块输出控制信号；当所述控制信号为关闭控制信号时，控制连接所述电源电路的所述开关模块断开；
所述开关模块，用于根据所述关闭控制信号断开，以关闭所述下行射频模块的电源。
9.根据权利要求8所述的TDD-LTE信号下行自激检测系统，其特征在于，还包括调制解调器及第二射频开关；
所述中央处理器，还用于接收所述调制解调器传输的下行切换信号，并根据所述下行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到所述下行射频模块；
所述下行射频模块，用于获取通过所述第二射频开关传输的所述第三TDD-LTE下行信号，对所述第三TDD-LTE下行信号进行射频信号处理，以生成所述第一TDD-LTE下行信号，将所述第一TDD-LTE下行信号传输给所述第一射频开关及所述功率检测器。
10.根据权利要求9所述的TDD-LTE信号下行自激检测系统，其特征在于，还包括上行射频模块；
所述中央处理器，还用于接收所述调制解调器传输的上行切换信号，并根据所述上行切换信号切换所述第一射频开关与所述第二射频开关，以切换到所述上行射频模块；
所述上行射频模块，用于获取通过所述第一射频开关传输的第一TDD-LTE上行信号，对所述第一TDD-LTE上行信号进行射频信号处理，以生成第二TDD-LTE上行信号，将所述第二TDD-LTE上行信号发送给第二射频开关；
所述开关模块，具体用于根据所述关闭控制信号断开，以关闭所述下行射频模块及所述上行射频模块的电源。
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