CN108474861B - 放射线摄像装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种放射线摄像装置，其具备能够提高在高计数率下的修正精度的检测器，其包括：格栅(9)，以去除来自被照射体(5)的散射线，多个检测器子像素(11)，配置为将格栅(9)之间分割成3个以上；其中，在平面视图中位于格栅(9)的壁面之下的检测器子像素(11A)的面积比其他检测器子像素(11B)的面积大。另外，以格栅(9)间的间距为Pg，以格栅(9)的厚度为Tg，当格栅(9)间的检测器子像素(11)的分割数为N时，不位于格栅(9)的壁面之下的检测器子像素(11)的尺寸为(Pg－Tg－Lsplit×2)/N。

Description

放射线摄像装置
技术领域
本发明涉及放射线摄像装置，尤其涉及在检测器中使用半导体的放射线摄像装置中的检测器结构。
背景技术
作为放射线摄像装置之一的X射线CT(Computed Tomography；计算机断层扫描)装置，是通过由X射线管发射的X射线透过被检测体时的衰减来求出被检测体的断层图像的装置。已知有如下技术，即设计为：在该X射线CT装置所具有的X射线检测器中，在低线束时具有加大像素尺寸以及数量减少的电荷共享边界，当CT检测器的一部分接受到高线束时在该部分具有较小的非饱和像素尺寸(专利文献1)。也就是说，X射线检测器包括收集在直接转换物质中产生的电荷的多个金属化阳极、读出装置、多个开关，还包括重新分配层，该重新分配层具有从多个金属化阳极向至少1个读出装置输送电荷的多个电通路。进一步，多个开关各自包括连接于多个金属化阳极中的1个的输入线、连接于至少1个读出装置的第一输出节点和连接于其他开关的第二输出节点。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009－78143号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，实际的放射线检测器在放射线入射侧配置有用于去除散射线的格栅。因此，当将非饱和像素(检测器子像素)的尺寸设定为将检测器像素进行等分割得到的大小时，在增加分割数的情况下，由于检测器子像素与格栅之间的干涉，从而产生每个检测器子像素的灵敏度不等的状况，导致修正精度降低。
为此，本发明的课题在于提供一种放射线摄像装置，其具备能够提高在高计数率下的修正精度的检测器。
解决课题的方法
为了解决上述课题，根据本发明的放射线摄像装置包括去除来自被照射体的散射线的格栅和配置为将所述格栅之间分割成3个以上的多个检测器子像素，其中，在平面视图中位于所述格栅壁面之下的检测器子像素的面积比其他检测器子像素的面积大。
另外，根据本发明的放射线摄像装置包括：去除来自被照射体的散射线的格栅、半导体元件、形成于所述半导体元件的一侧表面的共用电极、形成于所述半导体的另一侧表面的分割电极，其中，在平面视图中，位于所述格栅壁面之下的分割电极的面积大于其他分割电极的面积。
发明效果
根据本发明，能够提供一种放射线摄像装置，其具有可提高在高计数率下的修正精度的检测器。
附图说明
图1是根据第一实施方式的放射线摄像装置的结构图。
图2是根据第一实施方式的放射线摄像装置所具备的检测器面板的结构图。
图3是显示对于根据第一实施方式的放射线摄像装置的检测器面板，从X射线的入射方向所看到的检测器像素、检测器子像素与格栅的位置关系的图。
图4是显示对于根据第一实施方式的放射线摄像装置的检测器面板，从中轴方向所看到的检测器像素、检测器子像素与格栅的位置关系的图。
图5是显示对于根据第一实施方式的放射线摄像装置的检测器面板，从中轴方向所看到的检测器像素、检测器子像素与格栅的其他位置关系的图。
图6是显示关于根据第一实施方式的放射线摄像装置与现有的放射线摄像装置其计数率不同的图。
图7是显示对于根据第一实施方式的放射线摄像装置与现有的放射线摄像装置的计数率不同，修正后的计数率的图。
图8是显示根据第二实施方式的放射线摄像装置的检测器面板，从X射线入射方向所看到的检测器像素、检测器子像素与格栅的位置关系的图。
具体实施方式
在由X射线进行的摄像中，由于放射线的生成数量多，导致检测器的计数率高，光子计数CT中有必要通过将检测器像素进行分割以降低每个电路的计数率。因此，相对于现有的X射线CT的检测器中以大致1mm间距排列的检测器，在光子计数CT中使用将检测器像素分割为例如0.5mm至0.05mm间距而得到的检测器子像素。但是，即使将检测器像素进行分割，每个检测器子像素要求数十Mcps这样非常高的计数率，对于电路的死区时间的影响很大。另外，CT对于计数的直线性的要求精度非常高，有必要提高发生死区时间时的修正精度。
为了修正死区时间需要进行复杂计算，因此，构成为将数据传输至再构成图像用工作站等后进行修正处理，但是，若果在数据传输时将已经微细化的检测器子像素的数据直接传输的话，则数据传输量变得巨大，因此希望将检测器子像素的计数进行合计以作为检测器像素的计数来进行传输。此时，如果每个检测器子像素的灵敏度不一致的话，则为了进行修正的演算变得复杂，从而产生修正精度降低的问题。另外，在子像素间发生计数率波动的情况下，则存在通过使计数率最高的子像素变得饱和来决定装置的性能的问题，因此希望检测器子像素的灵敏度一致。
如此，为了提高在高计数率下的死区时间的修正精度，希望每个检测器子像素的灵敏度一致。检测器的灵敏度几乎由其面积决定，因此在制备检测器子像素时只要能够将检测器像素进行等分割则能够使得检测器像素的灵敏度一致。但是，实际上，由于在检测器的放射线入射侧配置有用于去除散射线的格栅，如果通过等分割使得检测器像素的分割数增加，由于检测器子像素与格栅的干涉，则会产生每个检测器子像素的灵敏度不等的状况，存在导致修正精度降低的可能性。
以下，对于用于实施本发明的方式(以下称作“实施方式”)，参考适当的附图进行详细说明。需要说明的是，在各图中对于共通部分标记相同的附图标记，省略其重复说明。
《第一实施方式》
＜放射线摄像装置＞
对于根据第一实施方式的放射线摄像装置S，利用图1进行说明。图1为根据第一实施方式的放射线摄像装置S的结构图。
如图1所示，X射线CT装置(放射线摄像装置)S包括扫描架1、对所收集的数据进行处理以再度构成图像的数据处理装置2、显示经处理的图像的图像显示装置3和保持被检测体5的底座4。
底座4构成为能够向着扫描架1的开口部进行水平移动，并使得被检测体5移动至扫描架1内的摄像位置(未图示)。
在扫描架1内，X射线管6与检测器面板7相对配置。X射线管6与检测器面板7以与在扫描架1内移动的被检测体5的周围相对的状态每秒旋转1次至3次左右，获取来自被检测体5的各方向的投影图像。
X射线管6中，对电子施加100kV左右的高电压以使其进行加速，并使其到达靶材从而产生X射线。所产生的X射线透过被检测体5到达检测器面板7。此时，X射线的强度由于被检测体5而衰减，因此，通过获知该衰减量而能够获取被检测体5的体内的信息。另外，为了获取能量衰减量的不同，已知有使用改变X射线管6的电压等方法。
检测器面板7所取得的数据被传输至数据处理装置2，在此进行修正，进行再构成图像处理。此后，由数据处理装置2再构成的断层图像显示于图像显示装置3。
＜检测器面板7＞
接下来，对于根据第一实施方式的放射线摄像装置S所具备的检测器面板7，利用图2进行说明。图2是根据第一实施方式的放射线摄像装置S所具备的检测器面板7的结构图。需要说明的是，图2是从中轴方向(剖面方向，图1的X射线管6与检测器面板7的旋转中心轴方向，图3的y方向)所看到的检测器面板7的图。
如图2所示，检测器面板7由多个检测器模块8构成，多个检测器模块8配置在以X射线管6(参考图1)的位置为中心的圆弧上。
检测器模块8由格栅9和多个检测器像素10构成。进一步，检测器像素10由多个检测器子像素11构成，各个检测器子像素11上连接有用于读取信号的读出电路12。
在X射线透过被检测体5(参考图1)时，一部分X射线发生散射，其前进方向发生改变。这样的X射线是造成图像模糊的原因，因此希望将其去除，为此设置了格栅9。格栅9是由钨等X射线阻碍能较高的物质制成。另外，为了提高入射X射线的透过率，使用尽可能薄的板。需要说明的是，关于格栅9的板，为了降低因偏转或X射线发生位置的误差产生的影响，可不使用平的板，而使用相对于X射线的入射方向厚度渐渐变化的板、仅增加靠近检测器的部分的厚度的T字型的板等。
此处，参考图4，对于检测器子像素11的结构进行说明。图4是对于根据第一实施方式的放射线摄像装置S的检测器面板7，从中轴方向所看到的图。
检测器子像素11由CdTe或者CdZnTe得到，在由1个半导体结晶形成的半导体元件13中形成有多个检测器子像素11。在半导体结晶的相反的2个表面上，分别形成有电极。在一个表面(X射线入射侧，有格栅9的一侧)，在表面整体上形成有共用电极14，以施加用于收集电荷的高电压。在另一个表面(与X射线入射侧相反侧)，形成有被像素化的个别电极15，以读取电荷信号。将另一表面的电极分割为个别电极15，形成多个检测器子像素11。也就是说，1个个别电极15对应1个检测器子像素11。电极使用金、白金通过图案化来形成。检测器的边的长度为10mm至20mm左右，在0.5mm的像素的情况下，20至40个像素排成一列，因为将其平面配置，所以1个半导体元件13中形成数百至数千像素。为了检测X射线，半导体元件13的厚度具有足够的厚度，在医疗用X射线CT装置中具有2mm左右的厚度。
在图2中，当各检测器子像素11中入射X射线时，则生成电荷信号，该信号通过读出电路12而被读出。通过读出电路12从每个X射线光子获取能量的信息，将其根据预先确定的阈值进行分类，计算落入特定的能量范围内的X射线的数量。由于检测器子像素11的数量非常多，在光子计数CT中，将检测器像素10所包含的多个检测器子像素11的信息进行合计并传输给数据处理装置2。
需要说明的是，在根据第一实施方式的放射线摄像装置S中，对于从检测器面板7(读出电路12)向数据处理装置2的数据传输，以将检测器子像素11的计数进行合计来作为检测器像素10的计数进行传输的情况进行了说明，但是不限于此。还可以使用如下方法，即：与物理像素无关，例如将某轴向上的2个检测器子像素11的计数进行合计来进行传输等，以对数据进行压缩的方法。另外，还可以构成为不对检测器子像素11的计数进行合计而直接进行传输。通过直接使用子像素的信息来再构成图像，由此可以获取更高精度的图像。
＜检测器像素10、检测器子像素11与格栅9的位置关系＞
接下来，对于检测器像素10、检测器子像素11与格栅9的位置关系，利用图3及图4进一步说明。图3示出了对于根据第一实施方式的放射线摄像装置S的检测器面板7，从X射线的入射方向所视(平面视图)的检测器像素10、检测器子像素11与格栅9的位置关系的图。
需要说明的是，在从X射线的入射方向看检测器面板7的情况下，不能够看见作为像素化电极的个别电极15(参考图4)，但是，在图3中将个别电极15的位置通过向左下倾斜的阴影线来图示。另外，在图3中，格栅9通过向右下倾斜的阴影线来图示。另外，在图3中，检测器像素10的边界通过虚线来表示，对于一部分检测器子像素11(11A，11B)，其边界用单点划线表示。
如图3所示，根据第一实施方式的放射线摄像装置S的格栅9是所谓1维(1D)格栅。格栅9沿着中轴方向(y方向)设置，设有用于去除一个方向(x方向)的散射线的壁。
检测器像素10以夹持于格栅9之间的方式存在，检测器像素10规则地排列，构成检测器面板7(参考图2)。在图3的例中，检测器像素10由3×3的检测器子像素11构成。需要说明的是，构成检测器像素10的检测器子像素11，不限于该数量，还可以构成为4×4、4×3等。
检测器子像素11通过在半导体元件13(参考图4)的表面设置图案化的个别电极15而形成。在个别电极15与相邻的个别电极15之间(电极间)产生的电荷被引入到任一个别电极15，因此电极间的中心成为检测器子像素11的边界。
如图3所示，检测器子像素11根据相对于格栅9的相对位置不同而尺寸不同。此处，在相对于格栅9配置有3个以上检测器子像素11的情况下(图3的情况下为3个)，从X射线的入射方向看，分为两类，即，与格栅9一部分重叠的检测器子像素11A以及与格栅9不重叠的检测器子像素11B。换言之，从X射线的入射方向看，检测器子像素11A包括位于格栅9的壁面之下的部分，检测器子像素11B不包括位于格栅9的壁面之下的部分。X射线CT装置S的放射线几乎同样地入射至检测器模块8，但由于格栅9的遮挡，到达检测器像素10的X射线会变得不同。因此，根据第一实施方式的放射线摄像装置S的检测器面板7，不位于格栅9的检测器子像素11B相比于位于格栅9的检测器子像素11A，从X射线的入射方向看(平面视图)，其面积减少，从而使得灵敏度更接近一致。
图4示出了对于根据第一实施方式的放射线摄像装置S的检测器面板7，从中轴方向所视检测器像素10、检测器子像素11与格栅9的位置关系。
此处，检测器子像素11的边界L成为个别电极15与相邻的个别电极15之间(电极间)的中心，根据个别电极15的配置来确定检测器子像素11。因此，检测器子像素11的宽度(W11A、W11B)为个别电极15的电极间中心(间隙中心)的间距。
以格栅9的间距为Pg，格栅9的厚度为Tg，以相对于格栅9的格栅间的检测器子像素11的分割数为N的情况下，不位于格栅9的检测器子像素11B的宽度W11B为：
[数1]
Figure BDA0001719176860000071
位于格栅9的检测器子像素11A的宽度W11A为：
[数2]
Figure BDA0001719176860000072
由此，从X射线的入射方向看时，检测器子像素11A的未被格栅9遮挡的宽度WA，可以与检测器子像素11B的宽度W11B相等。也就是说，从X射线的入射方向看时，检测器子像素11A的未被格栅9遮挡的面积可以与检测器子像素11B的面积相等，从而能够使得检测器子像素11的灵敏度几乎一致。另外，通过使检测器子像素11的灵敏度接近一致，能够提高放射线摄像装置S在高计数率下的死区时间的修正精度。
需要说明的是，当格栅9构成为非平行板时，格栅9的厚度Tg可以通过被覆检测器像素10的格栅壁的厚度来计算。
另外，当以电极间的距离(间隙)为G，不位于格栅9的检测器子像素11B的分割电极15B的宽度为：
[数3]
Figure BDA0001719176860000081
位于格栅9的检测器子像素11A的分割电极15A的宽度为：
[数4]
Figure BDA0001719176860000082
由此，能够使得检测器子像素11的灵敏度几乎一致。
需要说明的是，为了使检测器子像素11的灵敏度更接近一致，有必要考虑检测器内的反应。由于检测器子像素11由1个半导体元件13构成，会产生在检测器子像素11的边界L附近反应的X射线由相邻2个检测器子像素11所检测出的现象。因此，仅仅将格栅的开口进行等分(即，WA＝W11B)，还不能使检测器子像素11的灵敏度完全一致。如此通过相邻的2个检测器子像素11检测X射线，虽依赖于X射线的能量、检测器的结构，但以边界L为中心为0～60μm左右的宽度(距离边界L分别为0～30μm左右的宽度)。
由于X射线不会入射到格栅9之下，对于位于格栅9的检测器子像素11A，该效果只在一个端部有效。另一方面，对于不位于格栅9的检测器子像素11B，在2个端部产生该效果。以发生该效果的范围为距离边界L单侧Lsplit的范围的情况下，设定检测器子像素11的宽度为：
[数5]
WA+Lsplit＝W11B+Lsplit×2…(5)
换言之，使不位于格栅9的检测器子像素11B的宽度W11B(μm)为：
[数6]
Figure BDA0001719176860000091
位于格栅9的检测器子像素11A的宽度W11A(μm)为：
[数7]
Figure BDA0001719176860000092
从而能够使检测器子像素11的灵敏度更接近一致。
也就是说，不位于格栅9的检测器子像素11B的宽度W11B为：
[数8]
Figure BDA0001719176860000093
其中，Lsplit对应于检测器的体系、能量，在0μm至30μm的范围内。由此，考虑了入射至边界L附近的X射线被2个检测器子像素11所检测出的现象，能够使得检测器子像素11的灵敏度更接近一致。由此，能够进一步提高放射线摄像装置S在高计数率下的死区时间的修正精度。
另外，以电极间的距离(间隙)为G，使不位于格栅9的检测器子像素11B的分割电极15B的宽度为：
[数9]
Figure BDA0001719176860000094
由此，能够使检测器子像素11的灵敏度进一步接近一致。
图5示出了对于根据第一实施方式的变形例的放射线摄像装置S的检测器面板7，从中轴方向的视图。
检测器子像素11的边界，在个别电极15的电位均相同的情况下，与通过电极间的中心的线一致。因此，在图3及图4所示的根据第一实施方式的放射线摄像装置S中，为了使格栅9的下侧的检测器子像素11B的宽度W11B大于检测器子像素11A的宽度W11A，使个别电极15B的宽度大于个别电极15A的宽度。相对于此，在图5所示的根据变形例的放射线摄像装置S中，除了使个别电极15B的宽度大于个别电极15A的宽度之外，还使格栅9的下侧的个别电极15间的间隙GB宽于不在格栅9下侧的个别电极15间的间隙GA，以使得格栅9的下侧的检测器子像素11B的宽度W11B大于检测器子像素11A的宽度W11A。这样的构成也能够获得与第一实施方式相同的作用效果。但是，在图5所示的构成的情况下，希望进行电极表面的充电对策。
＜效果＞
对于根据第一实施方式的放射线摄像装置S的效果，利用图6以及图7进一步说明。图6是显示根据第一实施方式(本发明)的放射线摄像装置S与现有的放射线摄像装置的计数率不同的图。
该图中示出了相对于X射线的入射率的电路的输出率，越接近直线则为高性能的装置。需要说明的是，输出率是将多个像素累加后的值。
在现有的放射线摄像装置中的检测器中，由于每个像素的灵敏度不同，当X射线的入射率增加时，灵敏度高的像素的输出计数急剧减少，因此计数率特性变差。另一方面，在根据第一实施方式(本发明)的放射线摄像装置S中的检测器中，由于灵敏度一致，其减少量也变缓。通过进行修正能够更显著体现该效果。
图7是显示对于根据第一实施方式的放射线摄像装置S与现有的放射线摄像装置的计数率不同，经修正后的计数率的图。
如果根据电路的死区时间进行推定以进行修正，则本发明几乎成为直线，但现有的方法难以进行修正，从而计数率偏离直线。当然，在现有的方法中只要调节用于修正的值也能够得到改善，但最大计数率变差，而且修正用的值也非电路的设计值，有必要根据实际测量进行推定。
《第二实施方式》
接下来，对于根据第二实施方式的放射线摄像装置S进行说明。图8示出了对于根据第二实施方式的放射线摄像装置S的检测器面板7，从X射线的入射方向所看到的检测器像素10、检测器子像素11与格栅9A的位置关系的图。
需要说明的是，与图3相同，在图8中，对个别电极15的位置标记以向着左下倾斜的阴影线来进行图示，对于格栅9A标记以向右下的阴影线，检测器像素10的边界用虚线表示，对于一部分检测器子像素11(11A～11D)，其边界用单点划线来表示。
根据第二实施方式的放射线摄像装置S，与根据第一实施方式的放射线摄像装置S(参考图3)相比，其不同点在于，格栅9A不是在单一方向上，而是成为格子状的2维(2D)格栅。格栅9A沿着中轴方向(y方向)以及周向(x方向)设置，格栅9A的壁成为格子状，其开口为正方形。
需要说明的是，图8中，格栅9A的间距、厚度在x、y方向相同，但由于在放射线摄像装置S中在摄像时在周向上和在中轴方向上的处理不同，也可在x、y方向上采用不同的尺寸。另外，相对于格栅9A的开口部的检测器子像素11的分割数，也可以是3以外的值。
检测器子像素11的大小对应于检测器像素10内的位置，分为4种。也即分为:仅在x方向的单方向上位于格栅9A的检测器子像素11A，不位于格栅9A的检测器子像素11B，在x方向与y方向上位于格栅9A的检测器子像素11C，仅在y方向单方向上位于格栅9A的检测器子像素11D。
通过分别独立地考虑x方向以及y方向，能够与第一实施方式同样地规定检测器子像素11的宽度。
也就是说，在格栅9A沿着y方向的壁的间距为Pgx，格栅9的沿着y方向的壁的厚度为Tgx，相对于格栅9A的格栅间在x方向的检测器子像素11的分割数为Nx的情况下，检测器子像素11B、11D在x方向的宽度为：
[数10]
Figure BDA0001719176860000111
其中，Lsplit对应于检测器的体系、能量，在0μm至30μm范围内。另外，在格栅9A沿着x方向的壁的间距为Pgy，格栅9的沿着x方向的壁的厚度为Tgy，相对于格栅9A的格栅间的y方向的检测器子像素11的分割数为Ny的情况下，检测器子像素11A、11B的y方向的宽度为：
[数11]
Figure BDA0001719176860000121
由此，考虑了入射至边界L附近的X射线被2个检测器子像素11所检测出的现象，使得检测器子像素11的灵敏度能够更接近一致。由此，能够进一步提高放射线摄像装置S在高计数率下的死区时间的修正精度。
《变形例》
需要说明的是，根据本实施方式的放射线摄像装置S，不限于上述实施方式的结构，在不脱离发明宗旨的范围内可以进行各种变更。
根据本实施方式的放射线摄像装置S，以X射线CT装置的情形进行了说明，但是，不限于此，还可以适用于透射X射线摄像装置、PET(positron emission tomography，正电子发射计算机断层显像)装置、SPECT(single photon emission computed tomography，单光子发射计算机化断层显像)装置、伽马相机等。
本实施方式中，对检测器像素10与格栅9、9A的宽度相对应的情形进行了说明，但不限于此。还可以构成为在1个格栅宽度之间配置多个检测器像素10，也可以构成为对于1个检测器像素10，对应多个格栅孔。
第一实施方式中的1维格栅，对于格栅9沿着中轴方向(y方向)设置的结构进行了说明，但不限于此，也可以构成为沿着周向(x方向)设置，还可以构成为沿着其他方向设置。
附图标记说明
S X射线CT装置(放射线摄像装置)
1 扫描架
2 数据处理装置
3 图像显示装置
4 底座
5 被检测体(被照射体)
6 X射线管
7 检测器面板
8 检测器模块
9 格栅
10 检测器像素
11、11A、11B、11C、11D 检测器子像素
12 读出电路
13 半导体元件
14 共用电极
15 个别电极
Pg 格栅的间距
Tg 格栅的厚度
W11A、W11B 检测器子像素的宽度
GA、GB 间隙

Claims (6)

1.一种放射线摄像装置，其特征在于，包括：
格栅，用以去除来自被照射体的散射线，和
多个检测器子像素，配置为在所述格栅之间存在3个以上检测器子像素；
其中，在从X射线的入射方向看的平面视图中，位于所述格栅壁面之下的检测器子像素的面积比不位于所述格栅壁面之下的检测器子像素的面积大，从而使得检测器子像素的灵敏度接近一致。
2.根据权利要求1所述的放射线摄像装置，其特征在于，在所述平面视图中，Pg为所述格栅间x方向或y方向上的间距，Tg相应为所述格栅x方向或y方向上的厚度，N相应为所述格栅间x方向或y方向上的所述检测器子像素被分割的个数，不位于所述格栅壁面之下的检测器子像素的尺寸为：
[数1]
Figure FDA0003487143650000011
其中，Lsplit为0μm至30μm。
3.根据权利要求2所述的放射线摄像装置，其特征在于，所述格栅为1维格栅。
4.根据权利要求2所述的放射线摄像装置，其特征在于，所述格栅为2维格栅。
5.一种放射线摄像装置，其特征在于，包括：
格栅，用以去除来自被照射体的散射线，
半导体元件，
共用电极，其形成于所述半导体元件的一侧表面，和
分割电极，其形成于所述半导体元件的另一侧表面；
其中，在从X射线的入射方向看的平面视图中，位于所述格栅壁面之下的分割电极的面积大于不位于所述格栅壁面之下其他分割电极的面积，从而使得检测器子像素的灵敏度接近一致。
6.根据权利要求5所述的放射线摄像装置，其特征在于，在所述平面视图中，G为所述分割电极x方向或y方向上的间隙距离，Pg相应为x方向或y方向上所述格栅间的间距，Tg相应为所述格栅x方向或y方向上的厚度，N相应为当所述格栅间x方向或y方向上的所述检测器子像素被分割的个数，不位于所述格栅壁面之下的检测器子像素的分割电极的宽度为：
[数2]
Figure FDA0003487143650000021
其中，Lsplit为0μm至30μm。
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