CN108470739A - 平板探测器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了平板探测器及其制备方法。其中，平板探测器包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上；第一电极，所述第一电极设置在所述第一表面上，且与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；光电转换膜层，所述光电转换膜层设置在所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极之间并与所述第一电极和所述漏极电连接。发明人发现，该平板探测器结构简单，易于实现，厚度较薄，薄膜晶体管的栅极与第一电极同层设置可以简化结构，节省工艺步骤，并且将光电转换膜层设置在第一电极与漏极之间也可以从整体上减少工艺步骤，从而可以大大提高工厂的产能，同时该平板探测器的良率较高，在运输或者使用过程中可以有效防止被划伤。
Description
技术领域
本发明涉及光电转换技术领域，具体的，涉及平板探测器及其制备方法。
背景技术
平板探测器尤其是非晶硅二极管平板探测器由于易大尺寸、高分辨率、高灵敏度、低噪声而获得大量客户的偏爱，但是传统的制备平板探测器的工艺都是通过多次掩模(MASK)工艺才能完成，制备过程较为复杂，成本较高，这大大影响了工厂的产能，而且也会影响产品的良率。
因而，目前的平板探测器仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种结构简单、易于实现、良率较高或者可以通过较少的MASK即可制备得到的平板探测器。
在本发明的一个方面，本发明提供了一种平板探测器。根据本发明的实施例，该平板探测器包括：衬底；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上；第一电极，所述第一电极设置在所述第一表面上，且与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；光电转换膜层，所述光电转换膜层设置在所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极之间并与所述第一电极和所述漏极电连接。发明人发现，该平板探测器结构简单，易于实现，厚度较薄，薄膜晶体管的栅极与第一电极同层设置可以简化结构，节省工艺步骤，并且将光电转换膜层设置在第一电极与漏极之间也可以减少工艺步骤，从而可以大大提高工厂的产能，同时该平板探测器的良率较高，在运输或者使用过程中可以有效防止被划伤。
根据本发明的实施例，该平板探测器还包括：透明电极，所述透明电极设置在所述光电转换膜层靠近所述第一电极的表面上，且所述光电转换膜层在所述衬底上的正投影和所述透明电极在所述衬底上的正投影存在重叠区域，所述重叠区域与所述第一电极在所述衬底上的正投影至少部分不重叠。由此，可以有效增大光电转换膜层接收光线的面积，使得其感应到的光信号较为全面，光电转换效率较高，且透明电极与光电转换膜层的接触面积较大，可以有效收集光电转换膜层的电信号并将其输送到第一电极，收集的电信号的完整性和全面性好，使得平板探测器的灵敏度较高，使用性能较佳。
根据本发明的实施例，所述透明电极在所述衬底上的正投影覆盖所述光电转换膜层在所述衬底上的正投影。由此，透明电极可以收集几乎全部光电转换膜层上的电信号，使得平板探测器的灵敏度更高，使用性能更佳。
根据本发明的实施例，所述透明电极和所述光电转换膜层的形状一致。由此，可以利用同一张掩膜版制备透明电极和光电转换膜层，减少MASK的使用，简化工艺步骤，有效提高工厂的产能。
根据本发明的实施例，该平板探测器还包括：第二电极，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且所述第二电极与所述第一电极电连接。由此，结构简单，易于实现，在制备过程中可以简化工艺步骤，有效提高工厂的产能，并且良率较高。
根据本发明的实施例，该平板探测器包括：所述衬底；所述薄膜晶体管的栅极和所述第一电极，所述薄膜晶体管的栅极和所述第一电极同层设置在所述衬底的第一表面上；透明电极，所述透明电极设置在所述第一电极远离所述衬底的表面上；所述光电转换膜层，所述光电转换膜层设置在所述透明电极远离所述衬底的表面上；所述薄膜晶体管的栅绝缘层，所述薄膜晶体管的栅绝缘层设置在所述衬底的第一表面上，且覆盖所述栅极、所述光电转换膜层的部分表面和所述第一电极的部分表面；所述薄膜晶体管的有源层，所述薄膜晶体管的有源层设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上；所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述薄膜晶体管的源极和漏极设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上，分别覆盖所述有源层的部分表面，且所述漏极覆盖所述光电转换膜层的至少部分表面；第二电极，所述第二电极设置所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上，且通过过孔与所述第一电极电连接；平坦化层，所述平坦化层设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上，且覆盖所述源极、漏极和所述第二电极；阻挡层，所述阻挡层设置在所述平坦化层远离所述衬底的表面上，且在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。由此，平板探测器的结构简单，易于实现，良率较高，可以有效避免使用或者运输过程中造成的损坏，大大提高了平板探测器的可靠性，且可以利用较少的MASK即可制备得到上述平板探测器，简化工艺步骤，节约成本，有效提高工厂的产能，且阻挡层可以有效阻止环境的光线照射到有源层，使得有源层可以更好的在较暗的状态下工作。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种制备前面所述的平板探测器的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：在衬底的第一表面上形成薄膜晶体管和第一电极，所述第一电极和所述薄膜晶体管的栅极通过一次构图工艺形成；在所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极之间形成光电转换膜层，所述光电转换膜层与所述第一电极和所述漏极电连接。发明人发现，该方法可以简化工艺步骤，并且可以在制备薄膜晶体管的同时制备光电转换膜层，使得获得的平板探测器的厚度较薄，结构较为简单，良率较高，有利于大规模生产。
根据本发明的实施例，在形成所述光电转换膜层之前，还包括在所述第一电极远离所述衬底的表面上形成透明电极的步骤。由此，通过形成透明电极，可以有效增大光电转换膜层接收光线的面积，使得光电转换膜层感应到的光信号较为全面，光电转换效率较高，且透明电极与光电转换膜层的接触面积较大，可以有效收集光电转换膜层的电信号并将其输送到第一电极，收集的电信号的完整性和全面性好，使得平板探测器的灵敏度较高，使用性能较佳。
根据本发明的实施例，所述光电转换膜层与所述透明电极利用同一掩膜版形成。由此，减少MASK的使用，节约了成本，有效提高工厂的产能。
根据本发明的实施例，该方法还包括：形成第二电极的步骤，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成。由此，可以简化工艺步骤，节约成本，且操作简单、方便，易于实现。
附图说明
图1是本发明一个实施例中平板探测器的剖面结构示意图。
图2a是图2b中沿gg’方向的剖面结构示意图。
图2b是本发明另一个实施例中平板探测器的俯视图。
图3a是图3b中沿hh’方向的剖面结构示意图。
图3b是本发明另一个实施例中平板探测器俯视图。
图4是本发明另一个实施例中平板探测器的剖面结构示意图。
图5-图12是本发明一个实施例中制备平板探测器的流程示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
本发明是基于发明人的以下认识和发现而完成的：
目前，平板探测器的结构较为复杂，在制备过程中通常先制备得到薄膜晶体管之后再制备光电转换膜层，制备步骤较为繁琐，需要较多次的MASK或者较多的掩膜版才能制备而成，大大影响了工厂的产能，且目前的平板探测器的良率较低，在运输和使用过程中容易受到损坏。针对上述技术问题，发明人进行了深入的研究，研究后发现，可以在制备薄膜晶体管的同时制备光电转换膜层，以减少MASK的次数，体高产品良率，并提高工厂的产能。
有鉴于此，在本发明的一个方面，本发明提供了一种平板探测器。根据本发明的实施例，参照图1，该平板探测器包括：衬底100；薄膜晶体管300，所述薄膜晶体管300设置在所述衬底100的第一表面上；第一电极210，所述第一电极210设置在所述第一表面上，且与所述薄膜晶体管300的栅极310同层设置；光电转换膜层200，所述光电转换膜层200设置在所述第一电极210与所述薄膜晶体管300的漏极320之间并与所述第一电极210和所述漏极320电连接。发明人发现，该平板探测器结构简单，易于实现，厚度较薄，薄膜晶体管的栅极与第一电极同层设置可以简化结构，节省工艺步骤，并且将光电转换膜层设置在第一电极与漏极之间也可以减少工艺步骤，从而可以大大提高工厂的产能，同时该平板探测器的良率较高，在运输或者使用过程中可以有效防止被划伤。
需要说明的是，上述第一表面是指在使用时远离入射光的表面；第一电极与栅极同层设置是指第一电极和栅极可以通过一次构图工艺形成。
根据本发明的实施例，衬底可以为玻璃或者树脂等，只要能够满足要求，本领域技术人员可以根据实际需要灵活选择。
根据本发明的实施例，形成第一电极与栅极的材料相同，且形成第一电极和栅极的材料可以包括但不限于金属(例如钽、钨等)、合金、氮化物(例如氮化钽或氮化钛等)等，只要能够满足要求，本领域技术人员可以根据实际需要灵活选择。
根据本发明的实施例，光电转换膜层可以将可见光的信号转换成相应的电信号，或者可以将X射线的光信号转换成相应的电信号，或者可以将红外线的光信号转换成相应的电信号等，由此，使用场景较为广泛。当光电转换膜层将可见光的信号转换成相应的电信号时，所述光电转换膜层可以为PN二极管(形成PN二极管的材料可以包括但不限于P型硅和N型硅等)、PIN二极管(形成PIN二极管的材料可以包括但不限于P型硅、I型硅和N型硅等)。当光电转换膜层将X射线的光信号转换成相应的电信号时，形成光电转换膜层的材料可以包括但不限于非晶硒等。根据本发明的实施例，驱动光电转换膜层进行光电转换的电极为第一电极和薄膜晶体管的漏极，由此，可以简化平板探测器的结构，有效降低平板探测器的厚度。
根据本发明的实施例，光电转换膜层与第一电极可以直接接触电连接也可以通过连接电极进行电连接。由于目前工艺条件的限制，形成第一电极的材料通常为不透明的材料，为了提高光电转换膜层的受光面积，可以将第一电极所占的面积尽量降低，这样会导致第一电极获得的光电转换膜层的信号不完全或者灵敏度较低，因此，为了在尽量增大光电转换膜层的受光面积的同时，提高第一电极感应光电转换膜层的电信号的灵敏度，参照图2a、图2b、图3a和图3b，可以在光电转换膜层200靠近所述第一电极210的表面上设置透明电极220，且所述光电转换膜层200在所述衬底100上的正投影和所述透明电极220在所述衬底100上的正投影存在重叠区域，所述重叠区域所述第一电极210在所述衬底100上的正投影至少部分不重叠，具体的，该重叠区域与第一电极在衬底上的正投影完全不重叠，或者该重叠区域的一部分与第一电极在衬底上的正投影重叠(具体可参照图6-图8)。由此，可以有效增大光电转换膜层接收光线的面积，使得其感应到的光信号较为全面，光电转换效率较高，且透明电极与光电转换膜层的接触面积较大，可以有效收集光电转换膜层的电信号并将其输送到第一电极，收集的电信号的完整性和全面性好，使得平板探测器的灵敏度较高，使用性能较佳。
需要说明的是，上述重叠区域的面积可以是等于光电转换膜层在衬底上的正投影的面积，透明电极在衬底上的正投影的面积可以大于或者等于重叠区域的面积。由此，可以使得透明电极与光电转换膜层的接触面积较大，并能够使透明电极可以接收光电转换膜层的几乎全部的电信号，电信号的完整性和全面性好，使用性能较佳。
根据本发明的实施例，形成透明电极的材料可以包括但不限于铝掺杂的氧化锌(AZO)、氧化铝锌锡(AZTO)、氧化铟锡(ITO)或者掺杂氟的二氧化锡(FTO)等，只要能够满足要求，本领域技术人员可以根据实际需要灵活选择。
根据本发明的实施例，为了进一步提高第一电极接收光电转换膜层的电信号的完整性，所述透明电极在所述衬底上的正投影覆盖所述光电转换膜层在所述衬底上的正投影。由此，透明电极可以收集几乎全部光电转换膜层上的电信号，使得平板探测器的灵敏度更高，使用性能更佳。
在本发明的一些优选实施例中，为了减少掩膜版的数量或者简化工艺步骤，所述透明电极和所述光电转换膜层的形状一致。由此，可以利用同一张掩膜版制备透明电极和光电转换膜层，减少MASK的使用，简化工艺步骤，有效提高工厂的产能。
根据本发明的实施例，为了将第一电极接收到的电信号及时有效的导出，参照图4，该平板探测器还包括：第二电极230，所述第二电极230与所述薄膜晶体管300的源极350和漏极320同层设置，且所述第二电极230与所述第一电极210电连接。由此，结构简单，易于实现，在制备过程中可以减少MASK的使用，简化工艺步骤，有效提高工厂的产能，并且良率较高。
可以理解的是，由于第二电极与薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，形成第二电极的材料与薄膜晶体管的源极或者漏极的材料相同，且形成源极、漏极和第二电极的材料可以包括但不限于钼、铜、铝钼合金等。
根据本发明的实施例，为了保护光电转换膜层，漏极可以部分覆盖光电转换膜层也可以全部覆盖光电转换膜层，只要能够满足要求，本领域技术人员可以根据实际需要灵活选择。
在本发明的一些具体示例中，参照图5，平板探测器包括：所述衬底100；所述薄膜晶体管300的栅极310和所述第一电极210，所述薄膜晶体管300的栅极310和所述第一电极210同层设置在所述衬底100的第一表面上；透明电极220，所述透明电极220设置在所述第一电极210远离所述衬底100的表面上；所述光电转换膜层200，所述光电转换膜层200设置在所述透明电极220远离所述衬底100的表面上；所述薄膜晶体管300的栅绝缘层340，所述薄膜晶体管300的栅绝缘层340设置在所述衬底100的第一表面上，且覆盖所述栅极310、所述光电转换膜层200的部分表面和所述第一电极210的部分表面；所述薄膜晶体管300的有源层330，所述薄膜晶体管300的有源层330设置在所述栅绝缘层340远离所述衬底100的表面上；所述薄膜晶体管300的源极350、漏极320，所述薄膜晶体管300的源极350和漏极320设置在所述栅绝缘层340远离所述衬底100的表面上，分别覆盖所述有源层330的部分表面，且所述漏极320覆盖所述光电转换膜层200的至少部分表面；第二电极230，所述第二电极230设置所述栅绝缘层340远离所述衬底100的表面上，且通过过孔与所述第一电极210电连接；平坦化层400，所述平坦化层400设置在所述栅绝缘层340远离所述衬底100的表面上，且覆盖所述源极350、漏极320和所述第二电极230；阻挡层500，所述阻挡层500设置在所述平坦化层400远离所述衬底100的表面上，且在所述衬底100上的正投影覆盖所述有源层330在所述衬底100上的正投影。由此，平板探测器的结构简单，易于实现，良率较高，可以有效避免使用或者运输过程中造成的损坏，大大提高了平板探测器的可靠性，且可以利用较少的MASK即可制备得到上述平板探测器，简化工艺步骤，节约成本，有效提高工厂的产能，且阻挡层可以有效阻止环境的光线照射到有源层，使得有源层可以更好的在较暗的状态下工作。
根据本发明的实施例，形成栅绝缘层、平坦化层或者阻挡层的材料为常规栅绝缘层、平坦化层或者阻挡层的材料，在此不再过多赘述。
在本发明的另一方面，本发明提供了一种制备前面所述的平板探测器的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：在衬底的第一表面上形成薄膜晶体管和第一电极，所述第一电极和所述薄膜晶体管的栅极通过一次构图工艺形成；在所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极之间形成光电转换膜层，所述光电转换膜层与所述第一电极和所述漏极电连接。发明人发现，该方法可以简化工艺步骤，并且可以在制备薄膜晶体管的同时制备光电转换膜层，使得获得的平板探测器的厚度较薄，结构较为简单，良率较高，有利于大规模生产。
需要说明的是，上述“在衬底的第一表面上形成薄膜晶体管和第一电极”并不表示形成薄膜晶体管和第一电极的先后顺序，仅表示包括形成薄膜晶体管和第一电极的步骤。
根据本发明的实施例，制备平板探测器的方法可以包括以下步骤：
S100：在衬底100的第一表面上形成同层设置的薄膜晶体管的栅极310和第一电极210，具体结构可参照图6(其中，图6中A2为步骤S100得到的结构的俯视图，A1为A2中沿aa’方向的剖面图)。
根据本发明的实施例，第一表面、薄膜晶体管的栅极和第一电极与前面的描述一致，在此不再过多赘述。根据本发明的实施例，形成薄膜晶体管栅极和第一电极的方法可以为：先在衬底的第一表面上沉积一层金属，然后通过一次MASK形成同层设置的薄膜晶体管的栅极和第一电极。由此，可以通过一次MASK并利用一张掩膜版就可以形成薄膜晶体管的栅极和第一电极，有效简化工艺步骤，节约成本。
根据本发明的实施例，在形成所述光电转换膜层之前，还可以包括：
S200：在第一电极210远离衬底100的表面上形成透明电极220，具体结构可参照图7(其中，图7中B2为步骤S200得到的结构的俯视图，B1为B2中沿bb’方向的剖面图)。
根据本发明的实施例，透明电极与前面的描述一致，在此不再过多赘述。形成透明电极的方法可以为湿法刻蚀或者光刻等。
S300：在透明电极220远离衬底100的表面形成光电转换膜层200，具体结构可参照图8(其中，图8中C2为步骤S300得到的结构的俯视图，C1为B2中沿cc’方向的剖面图)。
需要说明的是，光电转换膜层与前面的描述一致，在此不再过多赘述，形成光电转换膜层的方法可以为光刻等。在本发明的一些优选实施例中，光电转换膜层与透明电极的形状一致，所述光电转换膜层与所述透明电极可以利用同一掩膜版形成。具体的，可以先利用光刻法形成光电转换膜层，再利用同一张掩膜版使用湿法刻蚀形成透明电极，工艺较简单，操作较简便。
根据本发明的实施例，在形成光电转换膜层之后，还可以包括：
S400：形成薄膜晶体管的栅绝缘层340和有源层330的步骤，具体结构可参照图9(其中，图9中D2为步骤S400得到的结构的俯视图，D1为D2中沿dd’方向的剖面图，需要说明的是，D2中没有示出栅绝缘层)和图10。
根据本发明的实施例，所述薄膜晶体管的栅绝缘层和有源层与前面的描述一致，在此不再过多赘述，形成薄膜晶体管的栅绝缘层和有源层的方法可以各自独立的为光刻等。
根据本发明的实施例，参照图9和图10，形成栅绝缘层和有源层的具体步骤可以为：先在衬底100的第一表面形成一层第一绝缘层360，第一绝缘层360覆盖栅极310、光电转换膜层200和第一电极210的部分表面，然后在第一绝缘层360远离衬底100的表面形成一层有源层金属，通过一次MASK形成有源层330，之后再通过一次MASK在第一绝缘层360上形成过孔以形成栅绝缘层340。
根据本发明的实施例，为了将第一电极接收到的电信号及时有效的导出并且使得光电转换膜层能够正常工作，还可以包括：
S500：形成第二电极230、源极350和漏极320的步骤，具体结构可参照图11(其中，图11中E2为步骤S500得到的结构的俯视图，E1为E2中沿ee’方向的剖面图，需要说明的是，E2中没有示出栅绝缘层)，第二电极与薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成。
根据本发明的实施例，第二电极、源极和漏极与前面的描述一致，在此不再过多赘述，形成第二电极、源极和漏极的方法为刻蚀等。
根据本发明的实施例，在形成第二电极、源极和漏极之后，为了使得平板探测器的表面较为平坦，并可以有效保护平板探测器，上述方法还可以包括：
S600：形成平坦化层400和阻挡层500的步骤，具体结构可参照图4和12(其中，图12为步骤S600制备得到的结构的俯视图，图4为图12沿ff’的剖面图，需要说明的是，图12中没有示出平坦化层)。
根据本发明的实施例，平坦化层和阻挡层与前面的描述一致，在此不再过多赘述，形成阻挡层的方法可以为刻蚀等。在本发明的一些具体示例中，形成阻挡层和有源层的掩膜版相同，由此，可以减少掩膜版的数量，节约成本。
下面举例进行说明本申请中制备平板探测器的具体制备步骤，需要说明的是，以下步骤仅仅用于说明本申请，而不能理解为对本申请的限制。在本发明的一些具体实施例中，制备平板探测器的方法可以包括以下步骤：
1、在衬底的第一表面上沉积第一层金属，然后通过第一次MASK形成栅极和第一电极；
2、依次沉积透明电极层、PIN层，其中，透明电极层设置在衬底的第一表面上且覆盖栅极和第一电极，PIN层设置在透明电极层远离衬底的表面，通过第二次MASK形成光电转换膜层和透明电极；
3、依次沉积第一绝缘层和a-Si层以及N+层，其中，第一绝缘层设置在衬底的第一表面且覆盖栅极、光电转换膜层和第一电极的部分表面，a-Si覆盖第一绝缘层远离衬底的表面，N+层覆盖a-Si层远离衬底的表面，通过第三次MASK形成有源层(需要说明的是，有源层为高浓度掺杂的N型导电层)；
4、通过第四次MASK，在绝缘层上形成刻蚀孔，以形成栅绝缘层；
5、在栅绝缘层远离衬底的表面沉积第二层金属层如Mo，Al/Mo，Cu等，通过第五次MASK形成源极、漏极和第二电极；其中，漏极通过过孔与光电转换膜层电连接，第二电极通过过孔与第二电极电连接；
6、在源极、漏极和第二电极远离衬底的表面沉积平坦化层，并在平坦化层远离衬底的表面沉积第三层金属层如Mo，Al/Mo，Cu等；通过第六次MASK(与有源层的MASK相同)形成阻挡层。
由此，上述步骤可以利用6次MASK(5张掩膜版)即可制备得到上述平板探测器，工艺流程比较简单，容易实现大规模成产，可以提高工厂的产能。
根据本发明的实施例，目前制备平板探测器的方法均为先制备薄膜晶体管，之后再制备光电转换膜层，制备工艺较为复杂，良率较低，使用性能不佳。而本申请中，在制备薄膜晶体管的同时制备光电转换膜层，并利用薄膜晶体管的漏极作为驱动光电转换膜层的一个电极，制备工艺得到很大程度的简化，有效节约了成本，可以防止在使用或者运输过程中被划伤，且使得最终制备得到的平板探测器的厚度较薄，良率较高，使用性能较佳，适于工厂大规模生产。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种平板探测器，其特征在于，包括：
衬底；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述衬底的第一表面上；
第一电极，所述第一电极设置在所述第一表面上，且与所述薄膜晶体管的栅极同层设置；
光电转换膜层，所述光电转换膜层设置在所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极之间并与所述第一电极和所述漏极电连接。
2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，还包括：
透明电极，所述透明电极设置在所述光电转换膜层靠近所述第一电极的表面上，且所述光电转换膜层在所述衬底上的正投影和所述透明电极在所述衬底上的正投影存在重叠区域，所述重叠区域与所述第一电极在所述衬底上的正投影至少部分不重叠。
3.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述透明电极在所述衬底上的正投影覆盖所述光电转换膜层在所述衬底上的正投影。
4.根据权利要求2所述的平板探测器，其特征在于，所述透明电极和所述光电转换膜层的形状一致。
5.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，还包括：第二电极，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，且所述第二电极与所述第一电极电连接。
6.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，包括：
所述衬底；
所述薄膜晶体管的栅极和所述第一电极，所述薄膜晶体管的栅极和所述第一电极同层设置在所述衬底的第一表面上；
透明电极，所述透明电极设置在所述第一电极远离所述衬底的表面上；
所述光电转换膜层，所述光电转换膜层设置在所述透明电极远离所述衬底的表面上；
所述薄膜晶体管的栅绝缘层，所述薄膜晶体管的栅绝缘层设置在所述衬底的第一表面上，且覆盖所述栅极、所述光电转换膜层的部分表面和所述第一电极的部分表面；
所述薄膜晶体管的有源层，所述薄膜晶体管的有源层设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上；
所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述薄膜晶体管的源极和漏极设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上，分别覆盖所述有源层的部分表面，且所述漏极覆盖所述光电转换膜层的至少部分表面；
第二电极，所述第二电极设置所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上，且通过过孔与所述第一电极电连接；
平坦化层，所述平坦化层设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的表面上，且覆盖所述源极、漏极和所述第二电极；
阻挡层，所述阻挡层设置在所述平坦化层远离所述衬底的表面上，且在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层在所述衬底上的正投影。
7.一种制备权利要求1-6任一项所述的平板探测器的方法，其特征在于，包括：
在衬底的第一表面上形成薄膜晶体管和第一电极，所述第一电极和所述薄膜晶体管的栅极通过一次构图工艺形成；
在所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极之间形成光电转换膜层，所述光电转换膜层与所述第一电极和所述漏极电连接。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述光电转换膜层之前，还包括在所述第一电极远离所述衬底的表面上形成透明电极的步骤。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述光电转换膜层与所述透明电极利用同一掩膜版形成。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：
形成第二电极的步骤，所述第二电极与所述薄膜晶体管的源极和漏极通过一次构图工艺形成。
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