CN108429558A - 基于pifa天线的双平衡混频型射频电路及终端 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种基于PIFA天线的双平衡混频型射频电路及终端，其中射频电路包括：PIFA天线电路、开关电路、低噪声放大电路、滤波电路和混频电路；PIFA天线电路的输出端与开关电路的输入端连接，开关电路的输出端与低噪声放大电路的输入端连接，低噪声放大电路的输出端与滤波电路的输入端连接，滤波电路的输出端与混频电路的输入端连接；混频电路的输出端并联有降噪网络。上述电路在一定程度上降低了噪声干扰，提升了接收机的灵敏度。

Description

基于PIFA天线的双平衡混频型射频电路及终端

技术领域

本发明涉及电路结构技术领域，尤其涉及一种基于PIFA天线的双平衡混频型射频电路及终端。

背景技术

物联网通过智能感知、识别技术与普适计算等通信感知技术广泛应用于网络的融合中，也因此被称为继计算机、互联网之后世界信息产业发展的第三次浪潮。物联网技术的飞速发展与应用，意味着对通信技术的要求越来越高，通讯信号的传输面临着越来越大的挑战。在射频电路中天线的选择、天线开关的设计和混频器的设计对接收机的灵敏度有很大影响，若设计不当，将会使得接收机灵敏度急剧下降。

发明内容

本发明实施例提供了一种基于PIFA天线的双平衡混频型射频电路及终端，能够在一定程度上优化电路体积，同时提升接收信号的信噪比，进而在一定程度上提升了调制解调器对信号的处理效果。

本发明实施例的第一方面提供了一种信号处理电路，该电路包括：PIFA天线电路、开关电路、低噪声放大电路、滤波电路和混频电路；

所述PIFA天线电路的输出端与所述开关电路的输入端连接，所述开关电路的输出端与所述低噪声放大电路的输入端连接，所述低噪声放大电路的输出端与所述滤波电路的输入端连接，所述滤波电路的输出端与所述混频电路的输入端连接；所述混频电路的输出端并联有降噪网络；

所述PIFA天线电路包括：短路板、同轴内导体、同轴外导体、辐射片、地板和电容，所述辐射片平行设置于所述地板上方，所述辐射片左端的端部与所述地板左端的端部通过短路板连接，所述电容设置于地板中，所述同轴外导体竖直设置于所述地板左端下方并与所述电容的第一端连接，所述同轴内导体竖直设置于辐射片与地板之间，且同轴内导体的上端与辐射片左端下表面连接，同轴内导体的下端与所述电容的第二端连接。

可选的，所述低噪声放大电路包括第一电感、第二电感、第三电感、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第一电源、第二电源和第三电源；

所述第一电源的输出端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端与所述第一电容的第一端和所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述第一电容的第二端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一场效应晶体管的漏极和所述第二场效应晶体管的源极连接，所述第一场效应晶体管的源极与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端接地，所述第二电源的输出端与所述第二电容的第一端和所述第二场效应晶体管的栅极连接，所述第二电容的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二场效应晶体管的漏极和所述第三电容的第一端和所述第三电感的第一端连接，所述第三电感的第二端与所述第三电源的输出端连接。

可选的，所述滤波电路包括第一滤波器件、第二滤波器件、第三滤波器件、第四滤波器件、第五滤波器件、第六滤波器件、第七滤波器件、第八滤波器件、第四电容、第五电容、第六电容、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻；

所述第四电容的第一端与所述第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第五电容的第一端和所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述第六电容的第一端和所述第五电阻的第一端和所述第一滤波器件的第一端连接，所述第一滤波器件的第二端与所述第二滤波器件的第一端、第三滤波器件的第一端和第四滤波器件的第一端连接，所述第四滤波器件的第二端与所述第五滤波器件的第一端连接，所述第五滤波器件的第二端与所述第六滤波器件的第一端、第七滤波器件的第一端和第八滤波器件的第一端连接，所述第八滤波器件的第二端与所述第六电阻的第一端连接，所述第四电容的第二端与所述第五电容的第二端、第六电阻的第二端、第五电阻的第二端、第二滤波器件的第二端、第三滤波器件的第二端、第六滤波器件的第二端、第七滤波器件的第二端和第六电阻的第二端连接。

可选的，所述混频电路包括第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管、第八场效应晶体管、第一降噪电路和第二降噪电路；

所述第七晶体管的源极与所述第八晶体管的源极和地连接，所述第七晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极连接，所述第三晶体管的漏极与所述第一降噪电路连接，所述第四晶体管的栅极与所述第五晶体管的栅极连接，所述第八晶体管的漏极与所述第五晶体管的源极和所述第六晶体管的源极连接，所述第六晶体管的漏极与所述第二降噪电路连接。

可选的，所述第一降噪电路包括第七电阻、第七电容和第一MCU；所述第七电容的第一端与所述第七电阻的第一端连接，且所述第七电容的第一端接地，所述第七电容的第二端与所述第七电阻的第二端连接，所述第一MCU与所述第七电容和第七电阻耦合。

可选的，所述开关电路包括两路信号发射电路和四路信号接收电路，所述信号发射电路用于处理发射信号，信号接收电路用于处理接收信号。

可选的，所述电路还包括保护电路，所述保护电路用于在所述天线遭受预设电压时为所述电路提供保护。

本发明实施例的第二方面提供了一种芯片，该芯片包括处理器、电源电路和上述任第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所提供的信号处理电路。

本发明实施例的第三方面提供了一种电路板，该电路板包括调制解调器、信号处理器和本发明实施例第二方面提供的芯片。

本发明实施例的第四方面提供了一种物联网终端，该终端包括壳体和本发明实施例第三方面提供的电路板。

本发明实施例具有如下有益效果：

通过PIFA天线电路的设计，增加了电流路径，增大电长度，降低了天线的谐振频率，使得天线带宽增宽，同时满足了天线的机械强度。在低噪放的栅极和漏极并联反馈电路，能够很好地改善晶体管的稳定性，此外，反馈的效应使输入和输出更易匹配。在混频电路前串联低通滤波电路与声表面滤波电路串联形成的滤波电路，能够有效滤除噪声，提升信噪比。在混频电路的输出端并联降噪网络，能够进一步降低电路中的噪声，从而降低干扰对信号的影响，提升接收机的灵敏度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1为本发明实施例提供的一种信号处理电路；

图2为本发明实施例提供的一种PIFA天线电路的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种低噪声放大电路结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种滤波电路结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种双平衡混频电路结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种可能的降噪结构示意图；

图7为本发明实施例提供的一种保护电路结构示意图；

图8为本发明实施例提供了芯片的一种可能的结构示意图；

图9为本发明实施例提供了电路板的一种可能的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。

本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。

在本发明中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本发明所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

参见图1，图1为本发明实施例提供了一种信号处理电路。如图1，电路包括：PIFA天线电路101、开关电路102、低噪声放大电路103和混频电路105；

PIFA天线电路101的输出端与开关电路102的输入端连接，开关电路102的输出端与低噪声放大电路103的输入端连接，低噪声放大电路103的输出端与滤波电路104的输入端连接，滤波电路104的输出端与混频电路105的输入端连接；混频电路105的输出端并联有降噪网络；

请参阅图2，PIFA天线电路101包括：短路板202、同轴内导体203、同轴外导体205、辐射片201、地板204和电容206，辐射片201平行设置于地板204上方，辐射片201左端的端部与地板204左端的端部通过短路板连接，电容206设置于地板204中，同轴外导体205竖直设置于地板左端下方并与电容206的第一端连接，同轴内导体203竖直设置于辐射片201与地板204之间，且同轴内导体203的上端与辐射片201左端下表面连接，同轴内导体203的下端与电容206的第二端连接。

可选的，地板204表面的中部开有凹槽，凹槽用于放置阿基米德螺线凹槽，电容206放置于阿基米德螺线凹槽中心，地板204上可设置多个凹槽。

在本发明实施例中，PIFA天线电路的设计，增加了电流路径，增大电长度，降低了天线的谐振频率，保证了天线谐振在所需频点，谐振深度加深，使得天线带宽增宽，同时满足了天线的机械强度。

在可选的实施例中，请参阅图3，图3为本发明实施例提供的一种低噪声放大电路结构示意图，如图所示，低噪声放大电路包括第一电感L1、第二电感L2、第三电感L3、第一场效应晶体管T1、第二场效应晶体管T2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电源S1、第二电源S2和第三电源S3；

第一电源S1的输出端与第一电感L1的第一端连接，第一电感L1的第二端与第一电容C1的第一端和第一场效应晶体管T1的栅极连接，第一电容C1的第二端与第一电阻R1的第一端连接，第一电阻R1的第二端与第一场效应晶体管T1的漏极和第二场效应晶体管T2的源极连接，第一场效应晶体管T1的源极与第二电感L2的第一端连接，第二电感L2的第二端接地，第二电源S2的输出端与第二电容C2的第一端和第二场效应晶体管T2的栅极连接，第二电容C2的第二端与第二电阻R2的第一端连接，第二电阻R2的第二端与第二场效应晶体管T2的漏极和第三电容C3的第一端和第三电感L3的第一端连接，第三电感L3的第二端与第三电源S3的输出端连接。

在上述电路中，在低噪放的栅极和漏极并联反馈电路，能够很好地改善晶体管的稳定性，此外，反馈的效应使输入和输出更易匹配。

在可选的实施例中，请参阅图4，图4为本发明实施例提供的一种滤波电路结构示意图，如图4所示，滤波电路包括第一滤波器件F1、第二滤波器件F2、第三滤波器件F3、第四滤波器件F4、第五滤波器件F5、第六滤波器件F6、第七滤波器件F7、第八滤波器件F8、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6；

第四电容C4的第一端与第三电阻R3的第一端连接，第三电阻R3的第二端与第五电容C5的第一端和第四电阻R4的第一端连接，第四电阻的第二端与第六电容C6的第一端和第五电阻R5的第一端和第一滤波器件F1的第一端连接，第一滤波器件F1的第二端与第二滤波器件F2的第一端、第三滤波器件F3的第一端和第四滤波器件F4的第一端连接，第四滤波器件F4的第二端与第五滤波器件F5的第一端连接，第五滤波器件F5的第二端与第六滤波器件F6的第一端、第七滤波器件F7的第一端和第八滤波器件F8的第一端连接，第八滤波器件F8的第二端与第六电阻R6的第一端连接，第四电容C4的第二端与第五电容C5的第二端、第六电容C6的第二端、第五电阻R5的第二端、第二滤波器件F2的第二端、第三滤波器件F3的第二端、第六滤波器件F6的第二端、第七滤波器件F7的第二端和第六电阻R6的第二端连接。信号通过Vin输入电路，最后取第六电阻R6两端处电压差为输出信号Vout。

该结构前半段为RC低通滤波电路，通过低通滤波电路，能够滤除超过设定临界值的高频信号。可选的，滤波器件例如可以是声表面波滤波器件，声表面波滤波器将信号通过电信号转化为声波信号，然后再将声波信号转化为电信号，从而具有良好选频特性能够滤除信号中的噪声信号，在一定程度上增强了滤波效果，从而能够在一定程度上抑制经过声表面波滤波电路后信号中的带外噪声。

在可选的实施中，请参阅图5，图5为本发明实施例提供的一种双平衡混频电路结构示意图，如图所示，混频电路包括第三场效应晶体管T3、第四场效应晶体管T4、第五场效应晶体管T5、第六场效应晶体管T6、第七场效应晶体管T7、第八场效应晶体管T8、第一降噪电路M1和第二降噪电路M2；

第七场效应晶体管T7的源极与第八场效应晶体管T8的源极和地连接，第七场效应晶体管T7的漏极与第三场效应晶体管T3的源极和第四场效应晶体管T4的源极连接，第三场效应晶体管T3的漏极与第一降噪电路M1连接，第四场效应晶体管T4的栅极与第五场效应晶体管T5的栅极连接，第八场效应晶体管T8的漏极与第五场效应晶体管T5的源极和第六场效应晶体管T6的源极连接，第六场效应晶体管T6的漏极与第二降噪电路M2连接。

可选的，第一降噪电路M1包括第七电阻R7、第七电容C7和第一MCU 601；第七电容C7的第一端与第七电阻R7的第一端连接，且第七电容C7的第一端接地，第七电容C7的第二端与第七电阻R7的第二端连接，第一MCU 601与第七电容C7和第七电阻R7耦合。

可选的，第二降噪电路M2与第一降噪电路M1的结构相同。

双平衡混频电路具有隔离性能高，线性范围大等优点，能够对本振频率和中频信号具有良好的隔振性，提升信噪比，另外在第三晶体管和第六晶体管的漏极串联降噪电路，可以进一步降低电路中的噪声，在降噪电路中加入第一MCU，可周期性的检测第一降噪电路的匹配度，在第一降噪电路的匹配度降低到不能使信号处理电路不能正常工作时，调节电阻和电容的值，使得混频电路的匹配度提升，从而达到信号处理电路正常工作的匹配度。

在可选的实施例中，开关电路包括两路信号发射电路和四路信号接收电路，所述信号发射电路用于处理发射信号，信号接收电路用于处理接收信号。

在可选的实施例中，请参阅图7，图7为本发明实施例提供了一种保护电路可能的结构示意图。如图7所示，电路还包括保护电路，保护电路用于在天线遭受预设电压时为电路提供保护，保护电路包括：第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13、第一稳压管D1、第二稳压管D2、第三稳压管D3、第四稳压管D4、第五稳压管D5、可控硅D6、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第四电感L4、第五电感L5、第六电感L6、第七电感L7、第八电感L8、第九电感L9、带阻滤波器706、静电检测单元709、泄放单元708和晶体管T；

第八电阻R8的第一端通过带阻滤波器706与天线701的输出端相连接，第八电阻R8的第二端与第一稳压管的阳极D1、第九电阻R9的第一端相连接，第一稳压管D1的阴极接地，第九电阻R9的第二端与第二稳压管D2的阳极相连接，第二稳压管D2的阴极接地，第十电阻R10的第一端通过带阻滤波器706与天线701的输出端相连接，第十电阻R10的第二端与第十一电阻R11的第一端、第四稳压管D4的阳极相连接，第四稳压管D4的阴极接地，第十一电阻R11的第二端与第三稳压管D3的阳极相连接，第三稳压管D3的阴极接地，第八电感L8的第一端与天线701的输出端相连接，第八电感L8的第二端与第五稳压管D5的阳极相连接，第五稳压管D5的阴极与第十二电阻R12的第一端连接，第十二电阻R12的第二端与第四电感L4的第一端相和第十三电阻R13的第一端连接，第十三电阻R13的第二端接地，第四电感L4的第二端与第八电容C8的第一端、第九电容C9的第一端、第五电感L5的第一端、晶体管T的栅极相连接，第八电容C8的第二端接地，第九电容C9的第二端与第五电感L5的第二端、第二MCU相连接，晶体管T的漏极与第九电感L9的第二端相连接，第九电感L9的第一端与电源707的输出端相连接，晶体管T的源极与可控硅D6的控制极相连接，可控硅D6的阳极与第七电感L7的第二端相连接，第七电感L7的第一端与开关电路703相连接，可控硅D6的阴极接地，第二MCU通过带阻滤波器706和静电检测单元709与滤波电路702的输出端相连接，第二MCU通过第十电容C10和第六电感L6组成的滤波电路与开关电路703相连接，第二MCU通过静电检测单元709、带阻滤波器706与开关电路703的输出端、低噪声放大电路704的输出端、混频电路705的输出端相连接，泄放单元708的第一端与信号处理电路相连接，泄放单元708的第二端接地，第二MCU与泄放单元708相连接。

上述保护电路的工作原理为，在信号接收电路遇到高于预设电压时，预设电压为该信号接收电路能承受的最大电压，该电压由信号接收电路的电路本身所决定，保护电路中的D1的截止电压低于该预设电压，带阻滤波器的带阻为信号处理电路所能处理的信号的频段，设置此带阻滤波器主要用于防止信号处理电路的发射或接收信号从该支路通过，从而降低信号处理电路的性能，在处理电路中天线输出端的电压高于预设电压时，该电压使得D1、D2、D3、D4和D5导通，从而对该电压进行泄放，对信号处理电路做出保护，同时通过将D1、D2和D3、D4并联设置，在电路遭受到强电流时能够提升电路对该电流的泄放效果，提供第一级防护，避免R8、R9、R10、R11上的功率过大，而出现高放能现象，从而损坏保护电路；

在考虑到，可能前述泄放电路对电压未能完全泄放，有部分电流击穿滤波电路，到达开关电路，此处设置第二级防护，在D5导通后，第二MCU检测到晶体管的栅极处存在电压时，直接控制开关电路完全断开，完全断开为与所有的发射通路和接收通路均断开，同时电压通过L4和C8构成的滤波网络后，为晶体管T提供偏置电压，使得晶体管T的导通，从而晶体管的源极为可控硅D6提供控制电压使得可控硅导通，对电流进行泄放，从而实现第二级防护；

第二MCU还可控制静电检测单元对信号处理电路中的静电进行检测，在该静电达到预设电压时，该预设电压为静电可放电电压，控制泄放单元对信号处理电路中的静电进行泄放，从而达到对信号处理电路的保护；

第二MCU还可通过电荷检测传感器对物联网终端所处的环境中的电荷进行检测，当检测到密集电荷时，可判断出该区域可能具有强电场或者将会出现雷击现象，则直接控制开关电路完全断开，能够一定程度避免在强电压进入电路后对开关电路后的元器件的存在损坏的可能性，从而达到对物联网终端进行保护的目的。

在本发明实施例中，通过PIFA天线电路的设计，增加了电流路径，增大电长度，降低了天线的谐振频率，使得天线带宽增宽，同时满足了天线的机械强度。在低噪放的栅极和漏极并联反馈电路，能够很好地改善晶体管的稳定性，此外，反馈的效应使输入和输出更易匹配。在混频电路前串联低通滤波电路与声表面滤波电路串联形成的滤波电路，能够有效滤除噪声，提升信噪比。在混频电路的输出端并联降噪网络，能够进一步降低电路中的噪声，从而降低干扰对信号的影响，提升接收机的灵敏度。

本发明的另一实施例中提供了一种芯片，该芯片包含如图1所描述的信号处理电路、电源电路和处理器。请参阅图8，图8为本发明实施例提供了芯片的一种可能的结构示意图。如图8所示，芯片包括：电源电路801、处理器802和信号处理电路803。上述电源电路801其主要功能为给该芯片提供电源，上述处理器802例如可以是例如可以是中央处理器(Central Processing Unit，CPU)，通用处理器，数字信号处理器(Digital SignalProcessor，DSP)，专用集成电路(Application-Specific Integrated Circuit，ASIC)，现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、硬件部件或者其任意组合，信号处理电路803为上述实施例中所描述的任一电路。

本发明实施例的另一实施例提供了一种电路板，该电路板包括调制解调器、基带信号处理器和上述实施例中提供的芯片。请参阅图9，图9为本发明实施例提供了电路板的一种可能的结构示意图。如图9所示，该电路板包括：调制解调器901、信号处理器902、芯片903和总线904。调制解调器901、信号处理器902、芯片903通过总线904连接。调制解调器901主要用于处理无线信号经过芯片903处理后的基带信号，信号处理器902主要用于处理经过调制解调器901解调后的信号，芯片903主要用于对无线射频信号进行处理得到基带信号。

本发明的另一实施例中提供了一种终端，该终端包含上述电路板和壳体。

以上的具体实施方式，对本发明实施例的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上仅为本发明实施例的具体实施方式而已，并不用于限定本发明实施例的保护范围，凡在本发明实施例的技术方案的基础之上，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本发明实施例的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种信号处理电路，其特征在于，应用于物联网终端，所述电路包括：PIFA天线电路、开关电路、低噪声放大电路、滤波电路和混频电路；

所述PIFA天线电路的输出端与所述开关电路的输入端连接，所述开关电路的输出端与所述低噪声放大电路的输入端连接，所述低噪声放大电路的输出端与所述滤波电路的输入端连接，所述滤波电路的输出端与所述混频电路的输入端连接；所述混频电路的输出端并联有降噪网络；

所述PIFA天线电路包括：短路板、同轴内导体、同轴外导体、辐射片、地板和电容，所述辐射片平行设置于所述地板上方，所述辐射片左端的端部与所述地板左端的端部通过短路板连接，所述电容设置于地板中，所述同轴外导体竖直设置于所述地板左端下方并与所述电容的第一端连接，所述同轴内导体竖直设置于辐射片与地板之间，且同轴内导体的上端与辐射片左端下表面连接，同轴内导体的下端与所述电容的第二端连接。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述低噪声放大电路包括第一电感、第二电感、第三电感、第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第一电容、第二电容、第三电容、第一电阻、第二电阻、第一电源、第二电源和第三电源；

所述第一电源的输出端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电感的第二端与所述第一电容的第一端和所述第一场效应晶体管的栅极连接，所述第一电容的第二端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一场效应晶体管的漏极和所述第二场效应晶体管的源极连接，所述第一场效应晶体管的源极与所述第二电感的第一端连接，所述第二电感的第二端接地，所述第二电源的输出端与所述第二电容的第一端和所述第二场效应晶体管的栅极连接，所述第二电容的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述第二场效应晶体管的漏极和所述第三电容的第一端和所述第三电感的第一端连接，所述第三电感的第二端与所述第三电源的输出端连接。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述滤波电路包括第一滤波器件、第二滤波器件、第三滤波器件、第四滤波器件、第五滤波器件、第六滤波器件、第七滤波器件、第八滤波器件、第四电容、第五电容、第六电容、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻；

所述第四电容的第一端与所述第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第五电容的第一端和所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述第六电容的第一端和所述第五电阻的第一端和所述第一滤波器件的第一端连接，所述第一滤波器件的第二端与所述第二滤波器件的第一端、第三滤波器件的第一端和第四滤波器件的第一端连接，所述第四滤波器件的第二端与所述第五滤波器件F5的第一端连接，所述第五滤波器件的第二端与所述第六滤波器件的第一端、第七滤波器件的第一端和第八滤波器件的第一端连接，所述第八滤波器件的第二端与所述第六电阻的第一端连接，所述第四电容的第二端与所述第五电容的第二端、所述第六电容的第二端、所述第五电阻的第二端、所述第二滤波器件的第二端、所述第三滤波器件的第二端、所述第六滤波器件的第二端、所述第七滤波器件的第二端和所述第六电阻的第二端连接。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述混频电路包括第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管、第七场效应晶体管、第八场效应晶体管、第一降噪电路和第二降噪电路；

所述第七晶体管的源极与所述第八晶体管的源极和地连接，所述第七晶体管的漏极与所述第三晶体管的源极和所述第四晶体管的源极连接，所述第三晶体管的漏极与所述第一降噪电路连接，所述第四晶体管的栅极与所述第五晶体管的栅极连接，所述第八晶体管的漏极与所述第五晶体管的源极和所述第六晶体管的源极连接，所述第六晶体管的漏极与所述第二降噪电路连接。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述第一降噪电路包括第七电阻、第七电容和第一MCU；所述第七电容的第一端与所述第七电阻的第一端连接，且所述第七电容的第一端接地，所述第七电容的第二端与所述第七电阻的第二端连接，所述第一MCU与所述第七电容和第七电阻耦合。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述开关电路包括两路信号发射电路和四路信号接收电路，所述信号发射电路用于处理发射信号，信号接收电路用于处理接收信号。

7.根据权利要求1-6任一项所述的电路，其特征在于，所述电路还包括保护电路，所述保护电路用于在所述天线遭受预设电压时为所述电路提供保护。

8.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括处理器、电源电路和权利要求1-7任一项所述的信号处理电路。

9.一种电路板，其特征在于，所述电路板包括调制解调器、信号处理器和权利要求8所述的芯片。

10.一种物联网终端，其特征在于，所述终端包括壳体和权利要求9所述的电路板。