CN108418409A - 缓存尖峰电压开关管及带有该开关管的开关电源拓扑 - Google Patents

缓存尖峰电压开关管及带有该开关管的开关电源拓扑 Download PDF

Info

Publication number
CN108418409A
CN108418409A CN201810225776.1A CN201810225776A CN108418409A CN 108418409 A CN108418409 A CN 108418409A CN 201810225776 A CN201810225776 A CN 201810225776A CN 108418409 A CN108418409 A CN 108418409A
Authority
CN
China
Prior art keywords
peak voltage
power supply
switching tube
switching
diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201810225776.1A
Other languages
English (en)
Inventor
朱智富
孙鹏
张翼
李圆圆
李水根
陈冲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Qingdao University
Original Assignee
Qingdao University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Qingdao University filed Critical Qingdao University
Priority to CN201810225776.1A priority Critical patent/CN108418409A/zh
Publication of CN108418409A publication Critical patent/CN108418409A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/02—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac
    • H02M3/04—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/10—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M3/145—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/155—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/156—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators
    • H02M3/158—Conversion of dc power input into dc power output without intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of output voltage or current, e.g. switching regulators including plural semiconductor devices as final control devices for a single load
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/08104—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/08108—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit in thyristor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/08112—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit in bipolar transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0003—Details of control, feedback or regulation circuits
    • H02M1/0038—Circuits or arrangements for suppressing, e.g. by masking incorrect turn-on or turn-off signals, e.g. due to current spikes in current mode control
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/0048—Circuits or arrangements for reducing losses
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了缓存尖峰电压开关管及带有该开关管的开关电源拓扑，缓存尖峰电压开关管包括开关管本体，所述开关管本体的一引脚连接第一二极管的阳极，第一二极管的阴极连接第二二极管的阳极，同时第一二极管的阴极连接尖峰电压吸收电容的一端，尖峰电压吸收电容的另一端连接到开关管本体的另一引脚。能够吸收尖峰电压，从而延长开关管寿命，防止出现击穿损坏；吸收并再次利用尖峰能量，减少能量损耗。

Description

缓存尖峰电压开关管及带有该开关管的开关电源拓扑
技术领域
本发明涉及开关管技术领域，尤其涉及缓存尖峰电压开关管及带有该开关管的开关电源拓扑。
背景技术
现有的开关管(如：MOSFET、IGBT、三级管、可控硅)实际应用过程中其电流通路的两极(如：MOSFET为源级和漏极)经常出现尖峰电压，尤其在高频应用场合(如：开关电源)中尖峰电压更为明显。该尖峰电压通常导致能量损耗，开关管寿命缩短，甚至导致击穿损坏。
通常峰值电压吸收电路采用图10-图13所示的RCD电路和RC电路的结构，其缺点是其采用消耗能量的方式吸收峰值电压能量，虽能防止开关管击穿，但是其不能减少损耗，且导致温度上升，散热困难，器件寿命降低等问题。
现有的结构还有的将尖峰电压引回输入端，这样的转化率较低。
发明内容
本发明的目的就是为了解决上述问题，提供缓存尖峰电压开关管及带有该开关管的开关电源拓扑，既能吸收尖峰电压，从而延长寿命防止击穿；又能将尖峰能量再次利用，减少能量损耗。
为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
缓存尖峰电压开关管，包括开关管本体，所述开关管本体的一引脚连接第一二极管的阳极，第一二极管的阴极连接第二二极管的阳极，同时第一二极管的阴极连接尖峰电压吸收电容的一端，尖峰电压吸收电容的另一端连接到开关管本体的另一引脚。
所述开关管本体为MOSFET、三极管或可控硅。
带有所述缓存尖峰电压开关管的开关电源拓扑，包括电源，所述电源的正极同时连接电阻R的一端、电容C1的一端、电容C2的一端及电感L的一端，电阻R的另一端和电容C2的另一端同时连接开关管S2的一端，电容C1的另一端连接电源的负极；开关管S2的另一端和电感L的另一端同时连接所述缓存尖峰电压开关管。
开关管S2的另一端和电感L的另一端同时连接所述缓存尖峰电压开关管的第一二极管的阳极。
所述缓存尖峰电压开关管的第二二极管的阴极连接到所述电阻R、电容C1及开关管S2的公共连接点。
所述开关管本体与尖峰电压吸收电容的公共端连接所述电源的负极。
所述开关管本体为可控开关管，都与开关管控制及驱动单元连接。
所述开关管本体为MOSFET。
所述开关管本体为三极管。
所述开关管本体可控硅。
本发明的有益效果：
1、吸收尖峰电压，从而延长开关管寿命，防止出现击穿损坏。
2、吸收并再次利用尖峰能量，减少能量损耗。
3、将尖峰能量直接泵向输出端，转化效率较高，损耗较小。
附图说明
图1为缓存尖峰电压开关管的电路结构；
图2(a)为削峰前的波形；图2(b)为削峰后的波形；
图3为开关管的等效串联电感模型；
图4为可以缓存尖峰电压的原理；
图5为本发明带有缓存尖峰电压开关管的开关电源拓扑；
图6为开关管为MOSFET的实施例；
图7为开关管为三极管的实施例；
图8为开关管为IGBT的实施例；
图9为开关管为可控硅的实施例；
图10为RCD式吸收尖峰电压的拓扑；
图11为RCD式吸收尖峰电压的拓扑的一种实例；
图12为RC电路式吸收尖峰电压的拓扑；
图13为RC电路式吸收尖峰电压的拓扑的一种实例。
1.缓存尖峰电压开关管。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本发明作进一步说明。
实施例一
如图1所示，缓存尖峰电压开关管，包括开关管本体S10，所述开关管本体的一引脚连接第一二极管D11的阳极，第一二极管D11的阴极连接第二二极管D12的阳极，同时第一二极管D11的阴极连接尖峰电压吸收电容的一端，尖峰电压吸收电容的另一端连接到开关管本体S10的另一引脚。
所述开关管本体S10可以为MOSFET、IGBT、三级管或可控硅。
S10为开关管本体，D11、D12为二极管，C13为尖峰电压吸收电容。其工作原理为S10中有较大电流自上而下流过，在其突然断开时，由于电路中的寄生电感的作用S10上端相对于下端的电压瞬间出现尖峰，此时二极管D11导通，C13将过高的尖峰电压携带的尖峰能量吸收。当D12达到导通电压之后C13又将能量释放出去。其能量吸收效果如图2(a)-图2(b)所示。
寄生电感可引起开关管的尖峰电流的产生。如图3所示，Ls为开关管的ESL(等效串联电感)，Ls即视为器件的引脚和PCB引线带来的电感，实际应用中电感分布如图4中左侧电路所示，包括Ls1和Ls2，本发明中的二极管D11阳极理论上就是接于LS与理想理想开关管之间，如图4右侧电路所示，只不过完全将LS消除是不可能的，故实际应用中尽量使D11阳极与开关管的上端距离小，以使LS的一部分LS2趋近于0，最终近似达到图4中右侧电路所示效果。
带有缓存尖峰电压开关管的开关电源拓扑，如图5所示，包括电源，所述电源的正极同时连接电阻R的一端、电容C1的一端、电容C2的一端及电感L的一端，电阻R的另一端和电容C2的另一端同时连接开关管S2的一端，电容C1的另一端连接电源的负极；开关管S2的另一端和电感L的另一端同时连接所述缓存尖峰电压开关管1。
开关管S2的另一端和电感L的另一端同时连接所述缓存尖峰电压开关管的第一二极管的阳极。
所述缓存尖峰电压开关管的第二二极管的阴极连接到所述电阻R、电容C1及开关管S2的公共连接点。
所述开关管本体与尖峰电压吸收电容的公共端连接所述电源的负极。
该拓扑应用了缓存尖峰电压开关管，可以将S1的上的尖峰电压吸收再释放出去，达到图2(b)所示目的。
带有缓存尖峰电压开关管的开关电源拓扑提供以下几个实施例，开关管本体分别为MOSFET、三极管、IGBT及可控硅时的具体实施例。
实施例二
如图6所示，带有缓存尖峰电压开关管的开关电源拓扑，为一种开关电源，其下桥S1采用的开关管为MOSFET，栅极连接开关管控制及驱动单元。S1和S2开关的时序图互补，即此开彼关。当S1开启时，电池中的流过电感L和S1，电感L储存能量。当S1断开时S2闭合,电感L释放能量电流流过S2。但是，S1断开的瞬间，实际情况下S1漏源极电压会突然升高，此时D11导通C13将电压峰值携带的能量吸收。S1再次闭合之后，C13将刚才的能量通过D12释放。开关管控制及驱动单元负责控制开关管的开通占空比已经驱动开关管的通断。
实施例三
如图7所示，带有缓存尖峰电压开关管的开关电源拓扑，其下桥S11采用的开关管为三极管，三极管的基极连接开关管控制及驱动单元，发射极连接电源的负极以及电容C13的一端。
实施例四
如图8所示，带有缓存尖峰电压开关管的开关电源拓扑，其下桥S21采用的开关管为IGBT。
实施例五
如图9所示，带有缓存尖峰电压开关管的开关电源拓扑，其下桥S31采用的开关管为可控硅。
上述虽然结合附图对本发明的具体实施方式进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本发明的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。

Claims (10)

1.缓存尖峰电压开关管，其特征是，包括开关管本体，所述开关管本体的一引脚连接第一二极管的阳极，第一二极管的阴极连接第二二极管的阳极，同时第一二极管的阴极连接尖峰电压吸收电容的一端，尖峰电压吸收电容的另一端连接到开关管本体的另一引脚。
2.如权利要求1所述缓存尖峰电压开关管，其特征是，所述开关管本体为MOSFET、三极管或可控硅。
3.带有权利要求1所述缓存尖峰电压开关管的开关电源拓扑，其特征是，包括电源，所述电源的正极同时连接电阻R的一端、电容C1的一端、电容C2的一端及电感L的一端，电阻R的另一端和电容C2的另一端同时连接开关管S2的一端，电容C1的另一端连接电源的负极；开关管S2的另一端和电感L的另一端同时连接所述缓存尖峰电压开关管。
4.如权利要求3所述开关电源拓扑，其特征是，开关管S2的另一端和电感L的另一端同时连接所述缓存尖峰电压开关管的第一二极管的阳极。
5.如权利要求3所述开关电源拓扑，其特征是，所述缓存尖峰电压开关管的第二二极管的阴极连接到所述电阻R、电容C1及开关管S2的公共连接点。
6.如权利要求3所述开关电源拓扑，其特征是，所述开关管本体与尖峰电压吸收电容的公共端连接所述电源的负极。
7.如权利要求3所述开关电源拓扑，其特征是，所述开关管本体为可控开关管，都与开关管控制及驱动单元连接。
8.如权利要求3或7所述开关电源拓扑，其特征是，所述开关管本体为MOSFET。
9.如权利要求3或7所述开关电源拓扑，其特征是，所述开关管本体为三极管。
10.如权利要求3或7所述开关电源拓扑，其特征是，所述开关管本体可控硅。
CN201810225776.1A 2018-03-19 2018-03-19 缓存尖峰电压开关管及带有该开关管的开关电源拓扑 Pending CN108418409A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810225776.1A CN108418409A (zh) 2018-03-19 2018-03-19 缓存尖峰电压开关管及带有该开关管的开关电源拓扑

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810225776.1A CN108418409A (zh) 2018-03-19 2018-03-19 缓存尖峰电压开关管及带有该开关管的开关电源拓扑

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108418409A true CN108418409A (zh) 2018-08-17

Family

ID=63132223

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810225776.1A Pending CN108418409A (zh) 2018-03-19 2018-03-19 缓存尖峰电压开关管及带有该开关管的开关电源拓扑

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108418409A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109120142A (zh) * 2018-11-05 2019-01-01 宁波市北仑临宇电子科技有限公司 尖峰电压无损同步吸收电路、升压和降压开关电源电路
CN109167510A (zh) * 2018-11-05 2019-01-08 宁波市北仑临宇电子科技有限公司 无损异步吸收电路和npc三电平电路
CN112234810A (zh) * 2020-09-04 2021-01-15 西安交通大学 一种应用于半桥电路的新型SiC MOSFET振荡抑制电路

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030151929A1 (en) * 2002-01-28 2003-08-14 Salvador Figueroa Power converter with input-side resonance and pulse-position demodulation feedback control
CN1710793A (zh) * 2005-07-05 2005-12-21 北京航空航天大学 燃料电池客车用升压型大功率dc/dc变换器柔性换流电路
CN201018407Y (zh) * 2007-02-02 2008-02-06 深圳晶辰电子科技股份有限公司 抑制浪涌电路
CN103138575A (zh) * 2013-03-26 2013-06-05 西安理工大学 带缓冲吸收电路的箝位式Boost变换器
CN203445779U (zh) * 2013-08-03 2014-02-19 薛涛 一种反激式变压器漏感能量回收电路
CN203967965U (zh) * 2014-06-23 2014-11-26 深圳科士达科技股份有限公司 一种逆变器的igbt电压尖峰吸收电路
CN204271904U (zh) * 2014-12-04 2015-04-15 深圳市英威腾电源有限公司 一种电压尖峰无损吸收电路与开关电源
CN105720817A (zh) * 2016-04-25 2016-06-29 佛山市新光宏锐电源设备有限公司 一种boost电路的pfc软开关电路
CN206313679U (zh) * 2016-12-03 2017-07-07 中国电子科技集团公司第四十三研究所 低电压输入隔离型多路输出开关电源的电路拓扑结构
CN206517295U (zh) * 2016-12-20 2017-09-22 杰华特微电子（张家港）有限公司 一种开关电路

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030151929A1 (en) * 2002-01-28 2003-08-14 Salvador Figueroa Power converter with input-side resonance and pulse-position demodulation feedback control
CN1710793A (zh) * 2005-07-05 2005-12-21 北京航空航天大学 燃料电池客车用升压型大功率dc/dc变换器柔性换流电路
CN201018407Y (zh) * 2007-02-02 2008-02-06 深圳晶辰电子科技股份有限公司 抑制浪涌电路
CN103138575A (zh) * 2013-03-26 2013-06-05 西安理工大学 带缓冲吸收电路的箝位式Boost变换器
CN203445779U (zh) * 2013-08-03 2014-02-19 薛涛 一种反激式变压器漏感能量回收电路
CN203967965U (zh) * 2014-06-23 2014-11-26 深圳科士达科技股份有限公司 一种逆变器的igbt电压尖峰吸收电路
CN204271904U (zh) * 2014-12-04 2015-04-15 深圳市英威腾电源有限公司 一种电压尖峰无损吸收电路与开关电源
CN105720817A (zh) * 2016-04-25 2016-06-29 佛山市新光宏锐电源设备有限公司 一种boost电路的pfc软开关电路
CN206313679U (zh) * 2016-12-03 2017-07-07 中国电子科技集团公司第四十三研究所 低电压输入隔离型多路输出开关电源的电路拓扑结构
CN206517295U (zh) * 2016-12-20 2017-09-22 杰华特微电子（张家港）有限公司 一种开关电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
李圆圆，霍炜，朱智富: ""基于PWM 波的动力电池放电实验系统"", 《储能科学与技术》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109120142A (zh) * 2018-11-05 2019-01-01 宁波市北仑临宇电子科技有限公司 尖峰电压无损同步吸收电路、升压和降压开关电源电路
CN109167510A (zh) * 2018-11-05 2019-01-08 宁波市北仑临宇电子科技有限公司 无损异步吸收电路和npc三电平电路
CN112234810A (zh) * 2020-09-04 2021-01-15 西安交通大学 一种应用于半桥电路的新型SiC MOSFET振荡抑制电路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN201898330U (zh) 一种防反接电路
CN108418409A (zh) 缓存尖峰电压开关管及带有该开关管的开关电源拓扑
CN103346763B (zh) 一种绝缘栅双极晶体管驱动保护电路
CN207652409U (zh) 一种有源钳位电路
CN108336902A (zh) 基于缓存尖峰电压开关管的Boost电路
CN109698614A (zh) 功率半导体开关的有源钳位电路及使用其的功率变流器
CN203788130U (zh) 增强-耗尽型器件组合同步开关电路
CN202424662U (zh) Igbt驱动装置
CN202260437U (zh) 低功耗消除浪涌的电路及开关电源
CN101783666B (zh) 一种能可靠关断的增强-耗尽型器件组合开关电路
CN206264885U (zh) 汽车前大灯
CN108233897A (zh) 一种基于阴极短路栅控晶闸管的脉冲形成网络
CN208691000U (zh) 一种用于带电池功能设备的切换电路
CN105207509A (zh) 一种带吸收的L型四电平Boost电路
CN202218012U (zh) 一种带反接保护功能的电源
CN208707612U (zh) 一种负载开关控制电路
CN201766504U (zh) 一种耗尽型器件栅源电压正偏的组合开关电路
CN206629308U (zh) 一种led调光控制电路
CN207854227U (zh) 低压led线性驱动电路
CN206135723U (zh) 一种超低静态损耗一体化电源模块
CN209072054U (zh) 一种低压大电流防反灌电路
CN201178376Y (zh) 电动自行车的驱动电路
CN205389173U (zh) 驱动系统和空调器
CN204968181U (zh) 一种led自激驱动装置
CN205232026U (zh) 基于耦合电感的新型高增益升压变换电路

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180817

RJ01 Rejection of invention patent application after publication