CN108364787B - 一种耐高温电容器薄膜及其电容器 - Google Patents

一种耐高温电容器薄膜及其电容器 Download PDF

Info

Publication number
CN108364787B
CN108364787B CN201711484795.8A CN201711484795A CN108364787B CN 108364787 B CN108364787 B CN 108364787B CN 201711484795 A CN201711484795 A CN 201711484795A CN 108364787 B CN108364787 B CN 108364787B
Authority
CN
China
Prior art keywords
capacitor
film
temperature
poly
methyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711484795.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108364787A (zh
Inventor
储松潮
潘毓娴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Anhui Tongfeng Electronics Co Ltd
Original Assignee
Anhui Tongfeng Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui Tongfeng Electronics Co Ltd filed Critical Anhui Tongfeng Electronics Co Ltd
Priority to CN201711484795.8A priority Critical patent/CN108364787B/zh
Publication of CN108364787A publication Critical patent/CN108364787A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108364787B publication Critical patent/CN108364787B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/14Organic dielectrics
    • H01G4/18Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/015Special provisions for self-healing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/33Thin- or thick-film capacitors 

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

本发明一种耐高温电容器薄膜及其电容器,旨在提供一种耐高温、介质损耗因子低、耐压性能好、轻型化的耐高温电容器薄膜及其电容器。此种耐高温电容器薄膜包括聚‑4‑甲基‑1‑戊烯薄膜,是在聚‑4‑甲基‑1‑戊烯薄膜的至少一个面上真空蒸镀纳米级的Al或Zn/Al镀层。本发明所述的耐高温电容器上述所述的耐高温电容器薄膜制成。

Description

一种耐高温电容器薄膜及其电容器
技术领域
本发明涉及耐高温电容器薄膜及其电容器。
背景技术
目前,高分子薄膜及其电容器在各种电子领域广泛应用,但由于各种高分子薄膜本身的性能导致由其制成的电容器的应用受限。以目前最为常见的金属化聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜电容器和金属化聚丙烯薄膜电容器来说。由聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜制造的电容器最大工作温度能够达到150℃,在高温运行上有优势。但其介质损耗因子高达0.005,电容器发热量较大,直接降低了电容器能够运行的环境温度。由聚丙烯薄膜制造的电容器各项性能比较均衡,但由于介质损耗因子仅为0.0002,介质发热量不高。且最大工作温度只能够达到105℃,限制了聚丙烯薄膜电容器在高温环境下的应用。在随着电子领域小型化,轻型化,运行温度条件恶化等要求下,需要能够有一种高分子薄膜及其电容器同时兼顾聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚丙烯的优点,即可以在高温条件下运行而且自身的损耗因子也较低。
发明内容
本发明的目的是提供一种耐高温、介质损耗因子低、耐压性能好、轻型化的耐高温电容器薄膜及其电容器。
为解决上述技术问题,本发明所述的耐高温电容器薄膜,包括聚-4-甲基-1-戊烯薄膜,于聚-4-甲基-1-戊烯薄膜的至少一个面上真空蒸镀纳米级的Al或Zn/Al镀层。
作为本发明的进一步改进,聚-4-甲基-1-戊烯薄膜中添加增塑剂、抗氧化剂、热稳定剂中的任意一种或其结合。
作为本发明的进一步改进,聚-4-甲基-1-戊烯薄膜的厚度为2.5μm~25μm。
作为本发明的进一步改进,纳米级Al或Zn/Al镀层的方阻为0.5Ω/□~300Ω/□,纹路和方阻分布形式不限。
耐高温电容器由上述所述的耐高温电容器薄膜制成。
综上所述本发明的有益效果:(1)聚-4-甲基-1-戊烯薄膜运行温度可以达到140~160℃,耐温性上不逊于聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜;(2)聚-4-甲基-1-戊烯相对介电常数为2.1,和聚丙烯的相对介电常数2.2基本一致;(3)聚-4-甲基-1-戊烯密度为0.835g/cm3,聚丙烯密度为0.905 g/cm3,聚对苯二甲酸乙二醇酯密度为1.4 g/cm3,有利于电容器的轻型化;(4)聚-4-甲基-1-戊烯的介质损耗因子为0.0008,比聚丙烯略高,但远远低于聚对苯二甲酸乙二醇酯。加上本身的高运行温度,由其制成的电容器所能够承受的运行温度高于聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚丙烯;(5)聚-4-甲基-1-戊烯的介电强度为600V/μm和聚丙烯持平,大于聚对苯二甲酸乙二醇酯的430V/μm,由其制成的电容器的耐压性能能够满足使用要求;(6)在本发明中金属层为真空蒸镀在电容器薄膜上,因此电容器也拥有金属化电容器的自愈性。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步描述:
实施例一:
本发明所述的耐高温电容器薄膜,包括厚度为25μm的聚-4-甲基-1-戊烯薄膜,于聚-4-甲基-1-戊烯薄膜的一个面上真空蒸镀方阻为6Ω/□~50Ω/□的Al或Zn/Al镀层,纹路不限。
耐高温电容器由上述耐高温电容器薄膜制成。
实施例二:
本发明所述的耐高温电容器薄膜,包括厚度为20μm 的聚-4-甲基-1-戊烯薄膜,于聚-4-甲基-1-戊烯薄膜的一个面上真空蒸镀方阻为2Ω/□~100Ω/□的Al或Zn/Al镀层,纹路不限。
耐高温电容器由上述耐高温电容器薄膜制成。
实施例三:
本发明所述的耐高温电容器薄膜,包括厚度为20μm 的聚-4-甲基-1-戊烯薄膜,于聚-4-甲基-1-戊烯薄膜的两个面上真空蒸镀方阻为10Ω/□的Al或Zn/Al镀层,纹路不限。
耐高温电容器由上述耐高温电容器薄膜制成。
实施例四:
本发明所述的耐高温电容器薄膜,包括厚度为15μm 的聚-4-甲基-1-戊烯薄膜,于聚-4-甲基-1-戊烯薄膜的两个面上真空蒸镀方阻为20Ω/□的Al或Zn/Al镀层,纹路不限。
耐高温电容器由上述耐高温电容器薄膜制成。
本发明中并不限定耐高温电容器的芯子结构、连接、引出方式和浸渍剂,可以是含有卷芯的圆柱形芯子,也可以是无卷芯的压扁型芯子;卷制成的芯子在两端喷涂金属后,可以将这些电容器芯子单独或并串联组合,也可以在真空蒸镀金属层时调节金属层纹路,使芯子在卷绕时内部即为串联形式;电容器可以用各种气态,液态或固态的浸渍剂进行浸渍和绝缘或不浸渍,但采用各种绝缘材料进行封装和绝缘。

Claims (1)

1.耐高温电容器,其特征在于: 由耐高温电容器薄膜制成,耐高温电容器薄膜包括聚-4-甲基-1-戊烯薄膜,于聚-4-甲基-1-戊烯薄膜的至少一个面上真空蒸镀纳米级的Al或Zn/Al镀层;所述聚-4-甲基-1-戊烯薄膜中添加增塑剂、抗氧化剂、热稳定剂中的任意一种或其结合;所述聚-4-甲基-1-戊烯薄膜的厚度为2.5μm~25μm;所述纳米级Al或Zn/Al镀层的方阻为0.5Ω/□~300Ω/□,纹路和方阻分布形式不限。
CN201711484795.8A 2017-12-29 2017-12-29 一种耐高温电容器薄膜及其电容器 Active CN108364787B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711484795.8A CN108364787B (zh) 2017-12-29 2017-12-29 一种耐高温电容器薄膜及其电容器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711484795.8A CN108364787B (zh) 2017-12-29 2017-12-29 一种耐高温电容器薄膜及其电容器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108364787A CN108364787A (zh) 2018-08-03
CN108364787B true CN108364787B (zh) 2020-06-02

Family

ID=63010818

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711484795.8A Active CN108364787B (zh) 2017-12-29 2017-12-29 一种耐高温电容器薄膜及其电容器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108364787B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4692837A (en) * 1985-11-13 1987-09-08 Hoechst Aktiengesellschaft Coextruded, biaxially oriented, multi-layer and capacitor made therefrom
CN104620343A (zh) * 2012-09-20 2015-05-13 旭化成株式会社 锂离子电容器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1226946A (zh) * 1967-06-23 1971-03-31
CN102964666B (zh) * 2012-10-31 2015-02-18 安徽省易达电子有限公司 一种含有改性膨润土的电容器薄膜及其制备方法
CN102964825B (zh) * 2012-10-31 2015-02-18 安徽省易达电子有限公司 一种以尼龙pa66为基体的电容器薄膜及其制备方法
CN102964664B (zh) * 2012-10-31 2014-08-27 安徽省易达电子有限公司 一种含有改性凹凸棒土的电容器薄膜及其制备方法
CN102964679B (zh) * 2012-10-31 2015-06-17 安徽省易达电子有限公司 一种含有改性滑石粉的电容器薄膜及其制备方法
CN102964658B (zh) * 2012-10-31 2014-07-16 安徽省易达电子有限公司 一种以低密度聚乙烯为基体的电容器薄膜及其制备方法
CN103102588A (zh) * 2012-11-13 2013-05-15 铜陵亿亨达电子有限责任公司 一种以双向拉伸聚丙烯为基体的电容器薄膜及其制备方法
CN103102580B (zh) * 2012-11-13 2015-05-13 铜陵亿亨达电子有限责任公司 一种含有改性铝矾土的电容器薄膜及其制备方法
CN103804752A (zh) * 2013-12-20 2014-05-21 芜湖金鹰机械科技开发有限公司 一种耐压耐高温性能优良的电容器金属化薄膜及其制备方法
CN105970158A (zh) * 2016-06-27 2016-09-28 安徽赛福电子有限公司 一种电容器金属化安全薄膜蒸镀工艺

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4692837A (en) * 1985-11-13 1987-09-08 Hoechst Aktiengesellschaft Coextruded, biaxially oriented, multi-layer and capacitor made therefrom
CN104620343A (zh) * 2012-09-20 2015-05-13 旭化成株式会社 锂离子电容器

Also Published As

Publication number Publication date
CN108364787A (zh) 2018-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7170213B2 (ja) 電解コンデンサおよびその製造方法
US3457478A (en) Wound film capacitors
JP5743689B2 (ja) コンデンサ
JP4915947B2 (ja) 金属化フィルムコンデンサ
CN105970158A (zh) 一种电容器金属化安全薄膜蒸镀工艺
CN108364787B (zh) 一种耐高温电容器薄膜及其电容器
CN102290233A (zh) Bt复合型安全防爆金属化薄膜
US4190878A (en) Self-healing electrical capacitor
CN203456293U (zh) 一种单面单留边铝锌金属化薄膜
US2908593A (en) Electrical capacitors
US8830652B2 (en) Humidity resistant electronic components
CN202615814U (zh) 用于电容器的金属化薄膜
CN205789506U (zh) 一种超薄耐高温聚丙烯电容器金属化薄膜
US10943743B2 (en) Electrolytic capacitor and method for producing same
CN104347272A (zh) 有机薄膜电容器
US2842726A (en) Electrical condensers
JP2013026586A (ja) 金属化フィルムコンデンサ
CN102385985A (zh) 金属薄膜电容及其制备方法
KR102239685B1 (ko) 활성탄으로 이루어진 도전성 접착제, 이를 이용한 전극 집전체, 슈퍼커패시터용 전극 및 고온 성능이 우수한 슈퍼커패시터
CN207250332U (zh) 一种薄膜电容器芯子及高频降压薄膜电容器
US2870385A (en) Impregnated electrical capacitors
CN210826346U (zh) 一种金属化金刚石纳米复镀薄膜
WO2024143173A1 (ja) 固体電解コンデンサ
WO2024203049A1 (ja) 固体電解コンデンサおよびその製造方法
JPH0121542Y2 (zh)

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right

Denomination of invention: A high temperature resistant capacitor film and its capacitor

Effective date of registration: 20211221

Granted publication date: 20200602

Pledgee: Huishang Bank Co.,Ltd. Tongling Beijing Road sub branch

Pledgor: ANHUI TONGFENG ELECTRONICS Co.,Ltd.

Registration number: Y2021340000036

PE01 Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right
PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right

Date of cancellation: 20230106

Granted publication date: 20200602

Pledgee: Huishang Bank Co.,Ltd. Tongling Beijing Road sub branch

Pledgor: ANHUI TONGFENG ELECTRONICS Co.,Ltd.

Registration number: Y2021340000036

PC01 Cancellation of the registration of the contract for pledge of patent right