CN108352285A - 低轮廓获取电极组件 - Google Patents
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Abstract
一种低轮廓获取电极组件包括：绝缘体，具有主体；多个间隔开的安装支脚，从所述主体的第一面延伸；多个间隔开的安装支脚，从所述主体的与所述第一面相对的第二面延伸，从所述第二面延伸的所述多个间隔开的安装支脚在与所述主体的轴线正交的方向相对于从所述第一面延伸的所述多个间隔开的安装支脚偏置，所述低轮廓获取电极组件还包括：接地电极，紧固至从所述第一面延伸的所述安装支脚；以及抑制电极，紧固至从所述第二面延伸的所述安装支脚，其中所述接地电极与所述抑制电极之间的放电路径距离大于所述接地电极与所述抑制电极之间的焦距。
Description
技术领域
本发明的各实施例涉及半导体及太阳能电池处理领域，且更具体地说，涉及一种用于有利于在离子束植入机中的获取电极的紧密靠近耦合的低轮廓、高电压绝缘体。
背景技术
离子植入是一种用于将改变传导性的杂质引入至例如晶片或其他衬底等工件中的技术。在离子束植入机的离子源中将所期望的杂质材料离子化，对离子进行加速以形成具有规定能量的离子束，且将所述离子束引导至所述工件的表面处。所述束中的高能离子穿透至块状工件材料中，且嵌入至所述工件材料的晶格中以形成具有所期望的传导性的区。
传统的离子束植入机常常包括用以从离子源获取离子束并以所期望的方式操纵(例如，聚焦和/或引导)所述离子束的大量获取电极，所述获取电极包括抑制电极及接地电极。所述获取电极通常安装在电极定位系统上，所述电极定位系统包括机动操纵器臂，以有利于所述获取电极相对于所述离子源的选择性移动。举例来说，如果在最初从所述离子源获取离子束时焦点未对准，则所述操纵器臂可以纠正的方式重新定位所述获取电极从而以所期望的方式对所述离子束进行聚焦。
由于在离子植入机的运行期间接地电极与抑制电极之间的大的电位差，因此执行将所述电极彼此电绝缘的操作以防止或减缓所述电极之间的电流的流动。具体来说，通过电绝缘体将接地电极与抑制电极分离开。沿所述电极之间的绝缘体的表面测量的最短距离，通常被称作“放电路径距离”(tracking distance)，实现了所述电极之间所期望程度的实体分离及电绝缘。通常执行维持接地电极与抑制电极之间的特定距离，以下被称作“焦距”(focal distance)，的操作从而以所期望的方式对所获取离子束进行聚焦。
焦距通常短于放电路径距离。因此，为了在接地电极与抑制电极之间提供具有所期望长度的放电路径距离的同时维持所述电极之间的所期望的焦距，常常使用复杂的安装配置将接地电极与抑制电极彼此耦合，所述复杂的安装配置包括具有相关联制造公差的多种连接结构及支撑结构(例如，支撑臂、机械紧固件等)。当综合至一起时，这些制造公差可导致接地电极与抑制电极之间的不合需要的偏置(offset)或偏心(eccentricity)，从而对所获取离子束的聚焦和/或对准造成不利影响。此外，用以耦合接地电极与抑制电极的各种支撑结构及连接结构可由具有不同热膨胀系数的各种材料形成，和/或可在离子植入机的运行期间进行不均匀加热。这可导致支撑结构及连接结构的不协调的热膨胀及收缩，从而进一步加剧接地电极与抑制电极之间的偏心。
根据这些及其他考量，当前的改善可为有用的。
发明内容
提供本发明内容是为了以简化形式介绍以下在具体实施方式中所进一步阐述的一系列概念。本发明内容并非旨在识别所主张的标的物的关键特征或基本特征，也并非旨在说明确定所主张的标的物的范围。
根据本发明的低轮廓获取电极组件的示例性实施例可包括：绝缘体；接地电极，紧固至所述绝缘体的第一侧；以及抑制电极，紧固至所述绝缘体的与所述第一侧相对的第二侧，其中所述接地电极与所述抑制电极之间的放电路径距离大于所述接地电极与所述抑制电极之间的焦距。
根据本发明的低轮廓获取电极组件的另一示例性实施例可包括：绝缘体，具有圆形的主体；三个安装支脚，从所述主体的第一面延伸并围绕所述主体的轴线彼此间隔开；以及三个安装支脚，从所述主体的与所述第一面相对的第二面延伸并围绕所述主体的所述轴线彼此间隔开，从所述第二面延伸的所述三个安装支脚围绕所述主体的所述轴线相对于从所述第一面延伸的所述三个安装支脚偏置，所述低轮廓获取电极组件还包括：接地电极，紧固至从所述第一面延伸的所述三个安装支脚；抑制电极，紧固至从所述第二面延伸的所述三个安装支脚；第一外侧粒子遮罩件及第二外侧粒子遮罩件，在所述绝缘体的外侧沿径向从所述接地电极延伸；以及第一内侧粒子遮罩件及第二内侧粒子遮罩件，在所述绝缘体的内侧沿径向从所述接地电极延伸，所述第一外侧粒子遮罩件沿径向与所述第二外侧粒子遮罩件重叠，且所述第一内侧粒子遮罩件沿径向与所述第二内侧粒子遮罩件重叠。
根据本发明的离子植入机的示例性实施例可包括：源腔室；离子源，安置于所述源腔室内且用以产生离子束；以及低轮廓获取电极组件，与所述离子源邻近地安置于所述源腔室内且用以获取所述离子束并对所述离子束进行聚焦，所述低轮廓获取电极组件包括：绝缘体；接地电极，紧固至所述绝缘体的第一侧；以及抑制电极，紧固至所述绝缘体的与所述第一侧相对的第二侧，其中所述接地电极与所述抑制电极之间的放电路径距离大于所述接地电极与所述抑制电极之间的焦距。
附图说明
通过实例，现在将参照附图来阐述所公开设备的各种实施例，在附图中：
图1是说明根据本发明的束线离子植入机的示例性实施例的示意性平面图。
图2a是说明根据本发明的实施例的示例性获取电极组件的正面等轴视图。
图2b是说明图2a中所示的示例性获取电极组件的背面等轴视图。
图3是说明图2a及图2b中所示的示例性获取电极组件的剖视侧面图。
具体实施方式
以下，将参照其中呈现有获取电极组件的某些示例性实施例的附图来更充分地阐述根据本发明的用于有利于电极在离子束植入机中紧密靠近耦合的低轮廓获取电极组件。所述获取电极组件可以许多不同的形式来实施且不应视为对本文中所提出的实施例进行限制。提供这些实施例是为了使本发明将通彻及完整，且将向所属领域中的技术人员充分地传达所述获取电极组件的范围。在附图中，通篇中相同的编号指代相同的元件。
图1是束线离子植入机100(以下简称“植入机100”)的示意图。所属领域中的技术人员将认识到，植入机100是能够生产及引导用于掺杂衬底的离子束的束线离子植入机的许多实例中的一个实例。因此，本文中所阐述的绝缘体并不仅限于图1中所示的示例性植入机100中的应用。此外，植入机100并不局限于“束线”设计，而是可包括例如基于等离子体浸入、浸没、或其他等离子体源设计的其他类型的离子植入机。
一般来说，植入机100可包括用以产生用于形成离子束104的离子的源腔室102。源腔室102可包括离子源106，其中将供应至离子源106的原料气体离子化。这种原料气体可为、或可包括或含有例如氢气、氦气、其他稀有气体、氧气、氮气、砷、硼、磷、铝、铟、镓、锑、碳硼烷、烷烃、另一大分子化合物、或其他p型掺杂物或n型掺杂物。可通过一连串用以对离子束104进行聚焦及引导离子束104的获取电极(包括抑制电极108及接地电极110)来从离子源106获取所产生的离子，如以下进一步所阐述。所获取离子束104可被质量分析器112进行质量分析，质量分析器112包括解析磁铁114及具有解析孔118的遮蔽电极116。解析磁铁114可使离子束104中的离子转向以使具有与特定掺杂物离子物质相关联的所期望的质荷比的离子能够穿过解析孔118。由于遮蔽电极116阻塞了不合需要的离子物质，因此所述不合需要的离子物质不穿过解析孔118。
由所期望的离子物质形成的离子可穿过解析孔118到达角度校正器磁铁120。角度校正器磁铁120可使由所期望的离子物质形成的离子转向并可因此将离子束从分散的离子束转换成具有大体平行离子轨迹的带状离子束122。在某些实施例中植入机100还可包括加速和/或减速单元。可在离子植入系统中使用加速及减速单元以加快或减缓离子束。通过对安置于离子束的相对两侧上的多组电极施加电压电位的特定组合来实现速度调整。当离子束在所述电极之间经过时，离子能量根据所施加的电压电位而增加或降低。由于离子植入的深度与入射离子束的能量成比例，因此当执行深的离子植入时，可期望束的加速。相反地，当期望浅的离子植入时，可执行束的减速以确保入射离子行进进入工件中仅某一短的距离。图1中所示的示例性植入机100包括减速单元124。
植入机100的末端站126可包括平台128，平台128用以支撑一或多个工件，例如衬底130，所述一或多个工件安置于带状离子束122的路径中以使由所期望的物质形成的离子被植入至衬底130中。衬底130可为例如半导体晶片、太阳能电池等。末端站126也可包括扫描器(未示出)，所述扫描器用于在与带状离子束122横截面的长尺寸垂直的方向上移动衬底130，从而相应地使离子分布在衬底130的整个表面上。尽管示出了带状离子束122，但植入机100的其他实施例可提供点状束。在离子植入期间，离子束横穿的整个路径被排空。植入机100还可包括所属领域中的技术人员所知的额外的组件且在某些实施例中可包含离子的热植入或冷植入。
仍参照图1，抑制电极108及接地电极110可通过低轮廓、高电压绝缘体132(以下简称“绝缘体132”)彼此耦合，以在将抑制电极108与接地电极110保持在所期望的距离的同时将抑制电极108与接地电极110电绝缘，如以下更详细地所阐述。接地电极110可包括安装臂134，安装臂134耦合至位于源腔室102内的离子束操纵器138(以下简称“操纵器138”)的操纵器臂136。操纵器138可被设置为用于相对于离子源106而选择性地调整互连的抑制电极108、绝缘体132、及接地电极110(以下共同地被称作“获取电极组件140”)的位置，从而以所期望的方式对所获取离子束104进行聚焦。在替代实施例中，安装臂134可从抑制电极108延伸而非从接地电极110延伸。在另一替代实施例中，可省略安装臂134且可将操纵器臂136直接耦合至接地电极110或抑制电极108。在另一替代实施例中，所述操纵器可部分地或全部地位于源腔室102的外侧。
参照图2a及图2b，图中示出说明植入机100的获取电极组件140的正面分解等轴视图及背面分解等轴视图。获取电极组件140的绝缘体132可由适合在源腔室102(图1)内使用的电绝缘、耐温的材料形成，此种材料包括石英、陶瓷(例如矾土及锆土)、各种热塑性塑胶、及高温热固性塑胶(例如环氧树脂)。绝缘体132可包括主体133，主体133具有从其第一面143延伸的第一多个安装支脚142a、142b、142c，并具有从主体133的与第一面143相对的第二面145延伸的第二多个安装支脚144a、144b、144c。在所示出的实例中，主体133是圆形的。如以下进一步所阐述，设想出其他形状且可实作其他形状。安装支脚142a、142b、142c可围绕主体133的假想中央轴线Q彼此圆周地间隔开120度。相似地，安装支脚144a、144b、144c可围绕假想中央轴线Q彼此圆周地间隔开120度。安装支脚144a、144b、144c可围绕假想中央轴线Q相对于安装支脚142a、142b、142c圆周地偏置60度。绝缘体132可具有例如在1毫米至20毫米范围内的总体厚度(即，在与假想中央轴线Q平行的方向上的最大尺寸)。
绝缘体132的安装支脚142a、142b、142c可例如通过延伸穿过安装支脚142a、142b、142c且穿过接地电极110中的相应的安装孔146a、146b、146c的机械紧固件(未示出)而被紧固至接地电极110。相似地，绝缘体132的安装支脚144a、144b、144c可例如通过延伸穿过安装支脚144a、144b、144c且穿过抑制电极108中的相应的安装孔148a、148b、148c的机械紧固件(未示出)而被紧固至抑制电极108。如此组装的获取电极组件140及特别是获取电极组件140的绝缘体132可在抑制电极108与接地电极110之间提供所期望的电绝缘，同时也维持抑制电极108与接地电极110之间的所期望的“放电路径距离”及所期望的“焦距”，其中“放电路径距离”在本文中被定义为沿抑制电极108与接地电极110之间的绝缘体132的表面测量的最短距离，且其中“焦距”在本文中被定义为沿抑制电极108与接地电极110之间的假想中央轴线Q测量的距离。具体来说，如图2a中的虚线150所指示，抑制电极108与接地电极110之间的放电路径距离可为下列之和：从主体133的第一面143延伸的安装支脚142a中的一者的长度、从主体133的第二面145延伸的圆周邻近安装支脚144a中的一者的长度、在安装支脚142a与安装支脚144a之间延伸的绝缘体132的圆周区段的长度及主体133的厚度。以另一方式来表达，抑制电极108与接地电极110之间的放电路径距离可为绝缘体132的总体厚度与在安装支脚142a与安装支脚144a之间延伸的绝缘体132的圆周区段的长度之和。
因此，归因于安装支脚144a、144b、144c相对于安装支脚142a、142b、142c的圆周偏置，抑制电极108与接地电极110之间的放电路径距离可显著地大于抑制电极108与接地电极110之间的焦距。举例来说，如果绝缘体132的直径为4.88英寸且绝缘体132的总体厚度为0.67英寸，则抑制电极108与接地电极110之间的放电路径距离可为3.23英寸，而图3中由虚线152所指示的抑制电极108与接地电极110之间的焦距可为0.197英寸。这种关系是在不存在例如采用多种耦合的复杂安装臂配置等额外的结构或元件(即，除绝缘体132之外的结构或元件)的条件下实现，所述额外的结构或元件用于连接抑制电极108与接地电极110和/或使抑制电极108与接地电极110绝缘。由于抑制电极108与接地电极110在不存在任何其他中间结构或元件的条件下通过绝缘体132而彼此直接耦合，因此抑制电极108与接地电极110之间的偏心得到避免，所述偏心原本可能在植入机100的运行期间由这种中间结构或元件的不均匀的热膨胀和/或收缩而造成。
在各种替代实施例中，可以较大或较少数目的安装支脚(即，大于或少于从主体133的第一面143延伸的三个安装支脚142a、142b、142c和/或大于或少于从主体133的第二面145延伸的三个安装支脚144a、144b、144c)来实作绝缘体132。在一个实例中，两个安装支脚可从所述主体的第一面143延伸且两个安装支脚可从主体133的第二面145延伸，其中从第一面143延伸的所述两个安装支脚围绕假想中央轴线Q彼此圆周地间隔开180度，从第二面145延伸的所述两个安装支脚围绕假想中央轴线Q彼此圆周地间隔开180度，且从第一面143延伸的所述两个安装支脚围绕假想中央轴线Q相对于从第二面145延伸的所述两个安装支脚偏置90度。在另一实例中，四个安装支脚可从所述主体的第一面143延伸且四个安装支脚可从主体133的第二面145延伸，其中从第一面143延伸的所述四个安装支脚围绕假想中央轴线Q彼此圆周地间隔开90度，从第二面145延伸的所述两个安装支脚围绕假想中央轴线Q彼此圆周地间隔开90度，且从第一面143延伸的所述四个安装支脚围绕假想中央轴线Q相对于从第二面145延伸的所述四个安装支脚偏置45度。
在各种替代实施例中，可利用具有除圆形之外的形状的主体133来实作绝缘体132。举例来说，绝缘体132的主体133可为卵形、矩形、星形、Z形、H形、不规则形状等。可利用与安装支脚142a、142b、142c及安装支脚144a、144b、144c相似的多个安装支脚来实作绝缘体132的这种替代实施例，其中从主体133的第一面143延伸的第一多个安装支脚用于连接至接地电极110且从主体133的第二面145延伸的第二多个安装支脚用于连接至抑制电极108，其中从主体133的第二面145延伸的所述安装支脚在与主体133的中央轴线(例如，图2a及图2b中所示的中央轴线Q)正交的方向上相对于从主体133的第一面143延伸的所述安装支脚偏置，从而沿绝缘体132的表面生成非线性路径，其中接地电极110与抑制电极108之间的放电路径距离是沿这种非线性路径测量。
参照图2a，抑制电极108可具有从其正面162朝接地电极110延伸的环状的、沿径向间隔开的一对外侧粒子遮罩件160a、160b。参照图2b，接地电极110可具有从其背面166朝抑制电极108延伸的环状的、沿径向间隔开的一对内侧粒子遮罩件164a、164b。如在图3中所示的获取电极组件的侧面横截面中所最好地示出，外侧粒子遮罩件160a、160b与内侧粒子遮罩件164a、164b可以沿径向重叠的排列进行安置，其中外侧粒子遮罩件160a在内侧粒子遮罩件164a的外侧沿径向安置且外侧粒子遮罩件160b在内侧粒子遮罩件164b的内侧沿径向安置。如此排列的外侧粒子遮罩件160a与内侧粒子遮罩件164a可限定曲径168，以用于缓和粒子从外部环境170至绝缘体132的迁移。相似地，外侧粒子遮罩件160b与内侧粒子遮罩件164b可限定曲径172，以用于缓和粒子从离子束104至绝缘体132的迁移。外侧粒子遮罩件160a、160b与内侧粒子遮罩件164a、164b因此可合作以减轻粒子在绝缘体132上的堆积，其中这种堆积原本可增加绝缘体132的导电性并以所期望的方式使绝缘体132将抑制电极108与接地电极110电绝缘的能力得到折中。
有鉴于上述说明，相对于在离子束植入机中通常采用的其他获取电极组件及绝缘体，所属领域中的普通技术人员将知由获取电极组件140及特别是绝缘体132提供的众多优点。举例来说，由所公开的绝缘体132赋予的第一优点是，可在不存在例如采用多种耦合的复杂安装臂配置等额外的结构或元件(即，除绝缘体132之外的结构或元件)的条件下，抑制电极108与接地电极110之间的所期望的放电路径距离及所期望的焦距得到维持，所述额外的结构或元件用于连接抑制电极108与接地电极110和/或使抑制电极108与接地电极110绝缘。由所公开的绝缘体132赋予的另一优点是，由于抑制电极108与接地电极110在不存在任何其他中间结构或元件的条件下通过绝缘体132而彼此直接耦合，因此抑制电极108与接地电极110之间的偏心得到避免，所述偏心原本可能在植入机100的运行期间由这种中间结构或元件的不均匀的热膨胀和/或收缩而造成。由所公开的绝缘体132赋予的又一优点是其相对于其他获取电极绝缘体而言成本及复杂性降低，所述其他获取电极绝缘体具有涉及用于实现所期望的放电路径距离、所期望的焦距及充足的电绝缘的多种安装臂和/或众多附接点的复杂结构。
本发明的范围不受本文所阐述的特定实施例的限制。实际上，通过上述说明及附图，除本文所阐述的那些实施例及润饰之外，本发明的其他各种实施例及对本发明的润饰对所属领域中的普通技术人员而言将显而易见。因此，这些其他实施例及润饰旨在落于本发明的范围内。此外，尽管在本文中出于特定目的在特定环境中的特定实作方式的上下文中阐述了本发明，但所属领域中的普通技术人员将认识到其适用性并非仅限于此且可出于任何数目的目的在任何数目的环境中有益地实作本发明。因此，应考虑到本文中所阐述的本发明的全部范围及精神来解释以上提出的权利要求。
Claims (15)
1.一种低轮廓获取电极组件，包括：
绝缘体；
接地电极，紧固至所述绝缘体的第一侧；以及
抑制电极，紧固至所述绝缘体的与所述第一侧相对的第二侧，
其中所述接地电极与所述抑制电极之间的放电路径距离大于所述接地电极与所述抑制电极之间的焦距。
2.根据权利要求1所述的低轮廓获取电极组件，其中所述绝缘体包括：
主体；
从所述主体的第一面延伸并紧固至所述接地电极的安装支脚；以及
从所述主体的第二面延伸并紧固至所述抑制电极的安装支脚，
其中从所述主体的所述第二面延伸的所述安装支脚在与所述主体的轴线正交的方向上相对于从所述主体的所述第一面延伸的所述安装支脚偏置。
3.根据权利要求2所述的低轮廓获取电极组件，其中从所述主体的所述第一面延伸的所述安装支脚包括从所述主体的所述第一面延伸的多个间隔开的安装支脚，从所述主体的所述第二面延伸的所述安装支脚包括从所述主体的所述第二面延伸的多个间隔开的安装支脚，其中从所述主体的所述第二面延伸的所述多个间隔开的安装支脚围绕所述主体的所述轴线相对于从所述主体的所述第一面延伸的所述多个间隔开的安装支脚偏置。
4.根据权利要求3所述的低轮廓获取电极组件，其中所述主体是圆形的。
5.根据权利要求4所述的低轮廓获取电极组件，其中从所述主体的所述第一面延伸的所述多个安装支脚包括围绕所述主体的所述轴线彼此间隔开120度的三个安装支脚，从所述主体的所述第二面延伸的所述多个安装支脚包括围绕所述主体的所述轴线彼此间隔开120度的三个安装支脚，且其中从所述主体的所述第二面延伸的所述多个安装支脚围绕所述主体的所述轴线相对于从所述主体的所述第一面延伸的所述多个安装支脚偏置60度。
6.根据权利要求1所述的低轮廓获取电极组件，其中所述接地电极及所述抑制电极被直接紧固至所述绝缘体。
7.根据权利要求1所述的低轮廓获取电极组件，还包括：
第一外侧粒子遮罩件，在所述绝缘体的外侧沿径向从所述接地电极延伸；
第二外侧粒子遮罩件，在所述绝缘体的外侧沿径向从所述抑制电极延伸；
第一内侧粒子遮罩件，在所述绝缘体的内侧沿径向从所述接地电极延伸；以及
第二内侧粒子遮罩件，在所述绝缘体的内侧沿径向从所述抑制电极延伸，
所述第一外侧粒子遮罩件沿径向与所述第二外侧粒子遮罩件重叠，且所述第一内侧粒子遮罩件沿径向与所述第二内侧粒子遮罩件重叠。
8.一种离子植入机，包括：
源腔室；
离子源，安置于所述源腔室内且用以产生离子束；以及
低轮廓获取电极组件，与所述离子源邻近地安置于所述源腔室内且用以获取所述离子束并对所述离子束进行聚焦，所述低轮廓获取电极组件包括：
绝缘体；
接地电极，紧固至所述绝缘体的第一侧；以及
抑制电极，紧固至所述绝缘体的与所述第一侧相对的第二侧，
其中所述接地电极与所述抑制电极之间的放电路径距离大于所述接地电极与所述抑制电极之间的焦距。
9.根据权利要求8所述的离子植入机，其中所述绝缘体包括：
主体；
从所述主体的第一面延伸并紧固至所述接地电极的安装支脚；以及
从所述主体的第二面延伸并紧固至所述抑制电极的安装支脚，
其中从所述主体的所述第二面延伸的所述安装支脚在与所述主体的轴线正交的方向上相对于从所述主体的所述第一面延伸的所述安装支脚偏置。
10.根据权利要求9所述的离子植入机，其中从所述主体的所述第一面延伸的所述安装支脚包括从所述主体的所述第一面延伸的多个间隔开的安装支脚，从所述主体的所述第二面延伸的所述安装支脚包括从所述主体的所述第二面延伸的多个间隔开的安装支脚，其中从所述主体的所述第二面延伸的所述多个间隔开的安装支脚围绕所述主体的所述轴线相对于从所述主体的所述第一面延伸的所述多个间隔开的安装支脚偏置。
11.根据权利要求10所述的离子植入机，其中所述主体是圆形的。
12.根据权利要求11所述的离子植入机，其中从所述主体的所述第一面延伸的所述多个安装支脚包括围绕所述主体的所述轴线彼此间隔开120度的三个安装支脚，从所述主体的所述第二面延伸的所述多个安装支脚包括围绕所述主体的所述轴线彼此间隔开120度的三个安装支脚，且其中从所述主体的所述第二面延伸的所述多个安装支脚围绕所述主体的所述轴线相对于从所述主体的所述第一面延伸的所述多个安装支脚偏置60度。
13.根据权利要求8所述的离子植入机，其中所述接地电极及所述抑制电极被直接紧固至所述绝缘体。
14.根据权利要求11所述的离子植入机，还包括：
第一外侧粒子遮罩件，在所述绝缘体的外侧沿径向从所述接地电极延伸；
第二外侧粒子遮罩件，在所述绝缘体的外侧沿径向从所述抑制电极延伸；
第一内侧粒子遮罩件，在所述绝缘体的内侧沿径向从所述接地电极延伸；以及
第二内侧粒子遮罩件，在所述绝缘体的内侧沿径向从所述抑制电极延伸，
所述第一外侧粒子遮罩件沿径向与所述第二外侧粒子遮罩件重叠，且所述第一内侧粒子遮罩件沿径向与所述第二内侧粒子遮罩件重叠。
15.根据权利要求11所述的离子植入机，其中所述接地电极与所述抑制电极中的一者耦合至操纵器，所述操纵器用于选择性地调整所述获取电极组件的位置。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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