CN108347084A - 一种可修改电压的充电电池保护芯片及其应用电路 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种可修改电压的充电电池保护芯片及其应用电路，所述芯片包括芯片本体和设置在芯片本体内部的电路，电路包括基准单元、复位单元、振荡单元、存储单元、过温保护单元、逻辑运算单元、驱动控制单元、端口检测单元、第一分压单元、第二分压单元、过充电压检测比较器、过放电压检测比较器、过放电流检测比较器、短路电流检测比较器和过充电流检测比较器。本发明通过在芯片内部集成基准模块和存储模块，可在封装后对芯片内部的充电过压，充电过流，放电过压，放电过流，过热，短路等检测电压点进行修改，不仅避免了由于充电电池电压性能的改变而导致需要重新购买芯片的要求，而且完全避免了封装应力对芯片内部电压基准值的影响。

Description

一种可修改电压的充电电池保护芯片及其应用电路

技术领域

本发明涉及电池保护芯片领域，特别涉及一种可修改电压的充电电池保护芯片及其应用电路。

背景技术

现在的充电电池都需要保护芯片，对电池的充电过压，充电过流，放电过压，放电过流，过热，短路等进行保护，确保电池的安全和高效工作。

现有的充电电池保护芯片对充电过压，充电过流，放电过压，放电过流，过热，短路都采用芯片内部固定电压检测，电压检测点固定无法修改，而现在市场上充电电池种类繁多，各种电池对充电过压，充电过流，放电过压，放电过流，过热，短路的电压检测点都不相同，需要为每一种电池单独开发各自的充电电池保护芯片。比如镍氢充电电池的充满电电压为1.4V左右，镍镉电池的充满电电压为1.5V左右，锂离子电池充满电电压为4.2V左右，磷酸铁锂电池充满电电压为3.6V左右，均需要为其单独设计一款充电电池保护芯片。

因而现有技术还有待改进和提高。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足之处，本发明的目的在于提供一种可修改电压的充电电池保护芯片及其应用电路，可在PCB板上修改芯片内部各电压检测点的电压值，避免了由于充电电池电压性能的改变而导致需要重新购买芯片的要求。

为了达到上述目的，本发明采取了以下技术方案：

一种可修改电压的充电电池保护芯片，包括：

芯片本体；

设置在芯片本体内部的电路，其进一步包括：基准单元、复位单元、振荡单元、存储单元、过温保护单元、逻辑运算单元、驱动控制单元、端口检测单元、第一分压单元、第二分压单元、过充电压检测比较器、过放电压检测比较器、过放电流检测比较器、短路电流检测比较器和过充电流检测比较器；

其中，所述基准单元连接所述存储单元、过充电压检测比较器的反相输入端、过放电压检测比较器的反相输入端、过放电流检测比较器的反相输入端、短路电流检测比较器的反相输入端和过充电流检测比较器的反相输入端，所述第一分压单元连接所述过充电压检测比较器的反相输入端，所述第二分压单元连接所述过放电压检测比较器的同相输入端，所述逻辑运算单元分别连接所述复位单元、振荡单元、存储单元、过温保护单元、驱动控制单元、端口检测单元、过充电压检测比较器的输出端、过放电压检测比较器的输出端、过放电流检测比较器的输出端、短路电流检测比较器的输出端和过充电流检测比较器的输出端。

所述的可修改电压的充电电池保护芯片中，所述芯片本体上设置有若干与芯片本体内部的电路相连的引脚，所述引脚包括电源引脚、接地引脚、放电控制引脚、充电控制引脚和电流检测引脚，所述第一分压单元分别与电源引脚和接地引脚相连，所述第二分压单元分别与电源引脚和接地引脚相连，所述驱动控制单元分别与放电控制引脚和充电控制引脚相连，所述端口检测单元分别与放电控制引脚和充电控制引脚相连，所述过放电流检测比较器的同相输入端、短路电流检测比较器的同相输入端、过充电流检测比较器的同相输入端和端口检测单元连接电流检测引脚。

所述的可修改电压的充电电池保护芯片中，所述基准单元包括第一MOS管、电压比较器和若干个电阻调节子单元，若干个所述电阻调节子单元依次串联形成第一串联组，所述第一MOS管的栅极连接电压比较器的输出端，所述第一MOS管的源极连接VCC供电端，所述第一MOS管的漏极连接第一串联组的一端，所述第一串联组的另一端接地，所述电压比较器的反相输入端输入基准电压，其中两个电阻调节子单元的连接处连接所述电压比较器的同相输入端，其余任意两个相邻的两个电阻调节子单元的连接处分别输出一基准电压至各检测比较器，所述第一MOS管与第一串联组的连接处输出一基准电压至其中一个检测比较器。

所述的可修改电压的充电电池保护芯片中，所述电阻调节子单元包括若干个采样电阻和与采样电阻数量相同的第二MOS管，若干个采样电阻依次串联形成第二串联组，各个电阻调节子单元的第二串联组依次串联形成第三串联组，第三串联组的一端连接第一MOS管的漏极，第三串联组的另一端接地，所述第二MOS管的源极和漏极之间均并联有一采样电阻，各个第二MOS管的栅极均连接存储单元。

所述的可修改电压的充电电池保护芯片中，所述第一分压单元包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端连接电源引脚，所述第一电阻的另一端连接第二电阻的一端和过充电压检测比较器的同相输入端，所述第二电阻的另一端连接接地引脚。

所述的可修改电压的充电电池保护芯片中，所述第二分压单元包括第三电阻和第四电阻，所述第三电阻的一端连接电源引脚，所述第三电阻的另一端连接第四电阻的一端和过放电压检测比较器的同相输入端，所述第四电阻的另一端连接接地引脚。

所述的可修改电压的充电电池保护芯片中，所述可修改电压的充电电池保护芯片采用SOT23-5封装。

一种如上所述的可修改电压的充电电池保护芯片的应用电路，包括第五电阻、第六电阻、第一电容、充电MOS管、放电MOS管和可修改电压的充电电池保护芯片，所述第五电阻的一端连接电池的正极和正充放电端口，所述第五电阻的另一端连接第一电容的一端和可修改电压的充电电池保护芯片的电源引脚，所述第一电容的另一端连接电池的负极、可修改电压的充电电池保护芯片的接地引脚和放电MOS管的源极，所述可修改电压的充电电池保护芯片的放电控制引脚连接放电MOS管的栅极，所述放电MOS管的漏极连接充电MOS管的漏极，所述充电MOS管的栅极连接可修改电压的充电电池保护芯片的充电控制引脚，所述充电MOS管的源极连接负充放电端口和第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端连接可修改电压的充电电池保护芯片的电流检测引脚。

所述的可修改电压的充电电池保护芯片的应用电路，其特征在于，所述充电MOS管和放电MOS管均为NMOS管。

相较于现有技术，本发明提供的可修改电压的充电电池保护芯片及其应用电路中，所述芯片包括芯片本体以及设置在芯片本体内部的电路，内部电路进一步包括：基准单元、复位单元、振荡单元、存储单元、过温保护单元、逻辑运算单元、驱动控制单元、端口检测单元、第一分压单元、第二分压单元、过充电压检测比较器、过放电压检测比较器、过放电流检测比较器、短路电流检测比较器和过充电流检测比较器。本发明通过在芯片内部集成基准模块和存储模块，可在封装后对芯片内部的充电过压，充电过流，放电过压，放电过流，过热，短路等检测电压点进行修改，不仅避免了由于充电电池电压性能的改变而导致需要重新购买芯片的要求，而且完全避免了封装应力对芯片内部电压基准值的影响。

附图说明

图1为本发明提供的可修改电压的充电电池保护芯片的示意图。

图2为本发明提供的可修改电压的充电电池保护芯片的实施例的封装示意图。

图3为本发明提供的可修改电压的充电电池保护芯片中，所述基准单元的电路原理图。

图4为本发明提供的可修改电压的充电电池保护芯片中，所述电阻调节子单元的原理图。

图5为本发明提供的可修改电压的充电电池保护芯片的应用电路示意图。

图6为本发明提供的可修改电压的充电电池保护芯片在写存储器模式下的串行通信示意图。

具体实施方式

本发明提供一种可修改电压的充电电池保护芯片及其应用电路，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图1，其为本发明提供的可修改电压的充电电池保护芯片的示意图，包括芯片本体和设置在芯片本体内部的电路，所述电路进一步包括：基准单元10、复位单元11、振荡单元12、存储单元13、过温保护单元14、逻辑运算单元15、驱动控制单元16、端口检测单元17、第一分压单元18、第二分压单元19、过充电压检测比较器20、过放电压检测比较器21、过放电流检测比较器22、短路电流检测比较器23和过充电流检测比较器24；其中，所述基准单元10连接所述存储单元13、过充电压检测比较器20的反相输入端、过放电压检测比较器21的反相输入端、过放电流检测比较器22的反相输入端、短路电流检测比较器23的反相输入端和过充电流检测比较器24的反相输入端，所述第一分压单元18连接所述过充电压检测比较器20的反相输入端，所述第二分压单元19连接所述过放电压检测比较器21的同相输入端，所述逻辑运算单元15分别连接所述复位单元11、振荡单元12、存储单元13、过温保护单元14、驱动控制单元16、端口检测单元17、过充电压检测比较器20的输出端、过放电压检测比较器21的输出端、过放电流检测比较器22的输出端、短路电流检测比较器23的输出端和过充电流检测比较器24的输出端。

具体来说，所述基准单元10用于给过充电压检测比较器20、过放电压检测比较器21、过放电流检测比较器22、短路电流检测比较器23和过充电流检测比较器24提供参考电压，并根据不同的充电电池提供不同的参考电压至各比较器，例如针对镍氢充电电池，提供1.4V的参考电压至过冲电压检测比较器20，针对锂离子电池，提供4.2V的参考电压至过充电呀检测比较器20，从而达到根据不同的电池提供不同的电压检测点的目的，避免了由于充电电池电压性能的改变而导致需要重新购买芯片的要求；所述复位单元11用于在芯片上电瞬间为逻辑运算单元15提供复位信号；所述振荡单元12用于为逻辑运算单元15提供时钟信号；所述存储单元13用于存储各检测电压点的电压值并输出给基准单元10；所述过温保护单元14用于在温度过高时关闭逻辑运算单元15；所述逻辑运算单元15用于根据过充电压检测比较器20、过放电压检测比较器21、过放电流检测比较器22、短路电流检测比较器23和过充电流检测比较器24中的至少一个比较器的检测结果，控制驱动控制单元16关闭或打开充电MOS管或放电MOS管中的一个；所述端口检测单元17用于检测芯片检测端的电平；所述第一分压单元18和第二分压单元19用于计算出芯片内部的基准电压值；所述过充电压检测比较器20用于检测充电电池在充电时的电压是否过充；所述过放电压检测比较器21用于检测充电电池在放电时的电压是否过放；所述过放电流检测比较器22用于检测充电电池在放电时的电流是否过放；所述短路电流检测比较器23用于检测充电电池是否短路；所述过充电流检测比较器24用于检测充电电池在充电时的电流是否过充。

由于芯片在封装时会对芯片核心造成应力影响，而改变芯片内的基准电压，使得芯片每个批次的电压值有波动，不能够很好的满足充电电池的电压需求，而本发明提供的可修改电压的充电电池保护芯片是在封装后再修改电压值，所以完全避免了封装应力对芯片内部电压基准值的影响。

应当理解的是，上述各个单元即芯片本体内部电路的一部分，其也可以写成基准电路、复位电路等。所述可修改电压的充电电池保护芯片的内部集成了各个单元（即各个电路），使得可修改电压的充电电池保护芯片的功能大大增加，在具体应用时，可以根据需要引出不同的引脚，使可修改电压的充电电池保护芯片具有不同的功能。

请参阅图2，所述芯片本体上设置有若干与芯片本体内部的电路相连的引脚，所述引脚包括电源引脚VCC、接地引脚GND、放电控制引脚OD、充电控制引脚OC和电流检测引脚CS，所述第一分压单元18分别与电源引脚VCC和接地引脚GND相连，所述第二分压单元19分别与电源引脚VCC和接地引脚GND相连，所述驱动控制单元16分别与放电控制引脚OD和充电控制引脚OC相连，所述端口检测单元17分别与放电控制引脚OD和充电控制引脚OC相连，所述过放电流检测比较器22的同相输入端、短路电流检测比较器23的同相输入端、过充电流检测比较器24的同相输入端和端口检测单元17连接电流检测引脚CS。

具体来说，本发明提供的可修改电压的充电电池保护芯片分两种模式，一种为写存储器模式，一种为正常工作模式。两种工作模式的切换必须在芯片进行上电复位时切换，保证在工作中芯片不会由于外部干扰二在两种模式中切换。在正常工作模式下，芯片的OC端口作充电控制引脚，芯片的OD端口作放电控制引脚，芯片的CS端口作电流检测引脚；在写存储器模式下，芯片的OC端口为外部通信的串行数据输入/出端，芯片的OD端口为读写存储单元检测端，芯片的CS端口为外部串行通信时钟端。在芯片上电复位的第一预设时间内，芯片的端口检测单元17检测OD端口是否有高电平输入，当检测到OD端口为高电平时，芯片进入写存储器模式，同时设定OC端口和CS端口分别为外部通信的串行数据输入/出端和时钟端，如图6所示，串行数据包含起始位、指令位和数据位，其中起始位和指令位为外部传输给芯片并控制芯片进行数据独处或将数据写入存储单元的，用户可对存储单元13中存储的电压值进行修改；当检测到OD端口不是高电平时，芯片进入正常工作模式，在复位完成后的第二预设时间内，芯片内部首先将存储单元13中存储的数据读出并传输给基准单元10，基准单元10并改变各比较器所需的电压值，进一步达到在电池充放电过程中根据各比较器的检测结果，关闭或打开充电MOS管或放电MOS管中的一个。

请一并参阅图1、图2和图3，所述基准单元10包括第一MOS管M1、电压比较器A1和若干个电阻调节子单元101，若干个所述电阻调节子单元101依次串联形成第一串联组，所述第一MOS管M1的栅极连接电压比较器A1的输出端，所述第一MOS管M1的源极连接VCC供电端，所述第一MOS管M1的漏极连接第一串联组的一端，所述第一串联组的另一端接地，所述电压比较器A1的反相输入端输入基准电压，其中两个电阻调节子单元101的连接处连接所述电压比较器A1的同相输入端，其余任意两个相邻的两个电阻调节子单元101的连接处分别输出一基准电压至各检测比较器，所述第一MOS管M1与第一串联组的连接处输出一基准电压至其中一个检测比较器。

请一并参阅图1至图4，所述电阻调节子单元101包括若干个采样电阻R11和与采样电阻R11数量相同的第二MOS管M2，若干个采样电阻R11依次串联形成第二串联组，各个电阻调节子单元101的第二串联组依次串联形成第三串联组，第三串联组的一端连接第一MOS管M1的漏极，第三串联组的另一端接地，所述第二MOS管M2的源极和漏极之间均并联有一采样电阻R11，各个第二MOS管M2的栅极均连接存储单元13。

具体来说，以图3为例，其中设置了六个电阻调节子单元101，图3中V13点的电压值与芯片内部的基准电压值相同，V11点、V12点、V14点、V15点、V16点的电压值根据芯片内部所需电压值进行分压。在芯片内部的基准电压值是已知的情况下，只需调整各个电阻调节子单元101的电阻值就可以得到所需的V11点、V12点、V14点、V15点、V16点的电压值，即得到过放电压检测比较器21、过放电流检测比较器22、短路电流检测比较器23和过充电流检测比较器24的参考电压值。另外，各个电阻调节子单元101的电阻值可以进行调整，从存储器中读取的数据分别控制各个第二MOS管，以此来短接或使用各个采样电阻，从而达到调节电阻调节子单元101的电阻值的目的，进一步能够改变过放电压检测比较器21、过放电流检测比较器22、短路电流检测比较器23和过充电流检测比较器24的参考电压值，达到根据不同的电池提供不同的电压检测点的目的。

请继续参阅图1，所述第一分压单元18包括第一电阻R1和第二电阻R2，所述第一电阻R1的一端连接电源引脚VCC，所述第一电阻R1的另一端连接第二电阻R2的一端和过充电压检测比较器20的同相输入端，所述第二电阻R2的另一端连接接地引脚GND。

请继续参阅图1，所述第二分压单元19包括第三电阻R3和第四电阻R4，所述第三电阻R3的一端连接电源引脚VCC，所述第三电阻R3的另一端连接第四电阻R4的一端和过放电压检测比较器21的同相输入端，所述第四电阻R4的另一端连接接地引脚GND。

具体来说，为了能够读取到芯片初始内部基准电压值，需用到过充电压检测比较器20和过放电压检测比较器21，通过改变电源引脚VCC端的电压能够使过充电压检测比较器20和过放电压检测比较器21的输出信号改变并使用OC端口将信号传输给外部，通过计算芯片内部已知电阻比值R1/R2和R3/R4，可以计算出过放电压检测点的初始电压值Vvcc*R1/R2和过充电压检测点的初始电压值Vvcc*R3/R4。由于芯片内部的过放检测电压点和过充检测电压点都是芯片内部基准电压按照固定的比例得来，所以可以推算出芯片内部的基准电压点，从而可根据芯片内部的基准电压和充电电池的所需的电压修改充电电池的个电压检测点的电压值。

进一步来说，本发明的可修改电压的充电电池保护芯片采用SOT23-5封装。

请继续参阅图5，本发明还相应的提供一种如上所述的可修改电压的充电电池保护芯片的应用电路，包括第五电阻R5、第六电阻R6、第一电容C1、充电MOS管M3、放电MOS管M4和可修改电压的充电电池保护芯片U1，所述第五电阻R5的一端连接电池B1的正极和正充放电端口P+，所述第五电阻R5的另一端连接第一电容C1的一端和可修改电压的充电电池保护芯片U1的电源引脚，所述第一电容C1的另一端连接电池B1的负极、可修改电压的充电电池保护芯片U1的接地引脚GND和放电MOS管M4的源极，所述可修改电压的充电电池保护芯片U1的放电控制引脚OD连接放电MOS管M4的栅极，所述放电MOS管M4的漏极连接充电MOS管M3的漏极，所述充电MOS管M3的栅极连接可修改电压的充电电池保护芯片U1的充电控制引脚OC，所述充电MOS管M3的源极连接负充放电端口P-和第六电阻R6的一端，所述第六电阻R6的另一端连接可修改电压的充电电池保护芯片U1的电流检测引脚CS。

其中，所述充电MOS管M3和放电MOS管M4均为NMOS管。

具体来说，在芯片U1上电复位后的第一预设时间内，芯片U1没有检测到OD端口为高电平，芯片U1进入正常工作模式。在复位完成后的第二预设时间内，芯片U1内部首先将存储器中的数据读出，并改变各比较器所需的电压值。在第二预设时间完成后，芯片U1开始正常工作。OD端控制电池放电MOS管M4，OC端控制电池充电MOS管M3，CS端为电流检测端。

在充电状态下，当芯片U1的VCC端的电压高于过充检测电压时，OC端口将关闭充电MOS管M3；当芯片U1的CS端口检测到充电电流连续超过充电电流检测点一段时间时，也将通过OC端口关闭充电MOS管M3。

在放电状态下，当芯片U1的VCC端的电压低于过放检测电压时，芯片U1的OD端关闭放电MOS管M4；当芯片U1的CS端检测到放电电流连续超过放电电流检测点一段时间时，将通过OD端口关闭放电MOS管M4；当放电电流大于短路电流检测点时，立即关闭放电MOS管M4以保护电池。

综上所述，本发明提供的可修改电压的充电电池保护芯片及其应用电路中，所述芯片包括芯片本体以及设置在芯片本体内部的电路，内部电路进一步包括：基准单元、复位单元、振荡单元、存储单元、过温保护单元、逻辑运算单元、驱动控制单元、端口检测单元、第一分压单元、第二分压单元、过充电压检测比较器、过放电压检测比较器、过放电流检测比较器、短路电流检测比较器和过充电流检测比较器。本发明通过在芯片内部集成基准模块和存储模块，可在封装后对芯片内部的充电过压，充电过流，放电过压，放电过流，过热，短路等检测电压点进行修改，不仅避免了由于充电电池电压性能的改变而导致需要重新购买芯片的要求，而且完全避免了封装应力对芯片内部电压基准值的影响。

可以理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，而所有这些改变或替换都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种可修改电压的充电电池保护芯片，其特征在于，包括：

芯片本体；

设置在芯片本体内部的电路，其进一步包括：基准单元、复位单元、振荡单元、存储单元、过温保护单元、逻辑运算单元、驱动控制单元、端口检测单元、第一分压单元、第二分压单元、过充电压检测比较器、过放电压检测比较器、过放电流检测比较器、短路电流检测比较器和过充电流检测比较器；

其中，所述基准单元连接所述存储单元、过充电压检测比较器的反相输入端、过放电压检测比较器的反相输入端、过放电流检测比较器的反相输入端、短路电流检测比较器的反相输入端和过充电流检测比较器的反相输入端，所述第一分压单元连接所述过充电压检测比较器的反相输入端，所述第二分压单元连接所述过放电压检测比较器的同相输入端，所述逻辑运算单元分别连接所述复位单元、振荡单元、存储单元、过温保护单元、驱动控制单元、端口检测单元、过充电压检测比较器的输出端、过放电压检测比较器的输出端、过放电流检测比较器的输出端、短路电流检测比较器的输出端和过充电流检测比较器的输出端。

2.根据权利要求1所述的可修改电压的充电电池保护芯片，其特征在于，所述芯片本体上设置有若干与芯片本体内部的电路相连的引脚，所述引脚包括电源引脚、接地引脚、放电控制引脚、充电控制引脚和电流检测引脚，所述第一分压单元分别与电源引脚和接地引脚相连，所述第二分压单元分别与电源引脚和接地引脚相连，所述驱动控制单元分别与放电控制引脚和充电控制引脚相连，所述端口检测单元分别与放电控制引脚和充电控制引脚相连，所述过放电流检测比较器的同相输入端、短路电流检测比较器的同相输入端、过充电流检测比较器的同相输入端和端口检测单元连接电流检测引脚。

3.根据权利要求2所述的可修改电压的充电电池保护芯片，其特征在于，所述基准单元包括第一MOS管、电压比较器和若干个电阻调节子单元，若干个所述电阻调节子单元依次串联形成第一串联组，所述第一MOS管的栅极连接电压比较器的输出端，所述第一MOS管的源极连接VCC供电端，所述第一MOS管的漏极连接第一串联组的一端，所述第一串联组的另一端接地，所述电压比较器的反相输入端输入基准电压，其中两个电阻调节子单元的连接处连接所述电压比较器的同相输入端，其余任意两个相邻的两个电阻调节子单元的连接处分别输出一基准电压至各检测比较器，所述第一MOS管与第一串联组的连接处输出一基准电压至其中一个检测比较器。

4.根据权利要求3所述的可修改电压的充电电池保护芯片，其特征在于，所述电阻调节子单元包括若干个采样电阻和与采样电阻数量相同的第二MOS管，若干个采样电阻依次串联形成第二串联组，各个电阻调节子单元的第二串联组依次串联形成第三串联组，第三串联组的一端连接第一MOS管的漏极，第三串联组的另一端接地，所述第二MOS管的源极和漏极之间均并联有一采样电阻，各个第二MOS管的栅极均连接存储单元。

5.根据权利要求2所述的可修改电压的充电电池保护芯片，其特征在于，所述第一分压单元包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的一端连接电源引脚，所述第一电阻的另一端连接第二电阻的一端和过充电压检测比较器的同相输入端，所述第二电阻的另一端连接接地引脚。

6.根据权利要求2所述的可修改电压的充电电池保护芯片，其特征在于，所述第二分压单元包括第三电阻和第四电阻，所述第三电阻的一端连接电源引脚，所述第三电阻的另一端连接第四电阻的一端和过放电压检测比较器的同相输入端，所述第四电阻的另一端连接接地引脚。

7.根据权利要求2-6任意一项所述的可修改电压的充电电池保护芯片，其特征在于，所述可修改电压的充电电池保护芯片采用SOT23-5封装。

8.一种如权利要求2所述的可修改电压的充电电池保护芯片的应用电路，其特征在于，包括第五电阻、第六电阻、第一电容、充电MOS管、放电MOS管和可修改电压的充电电池保护芯片，所述第五电阻的一端连接电池的正极和正充放电端口，所述第五电阻的另一端连接第一电容的一端和可修改电压的充电电池保护芯片的电源引脚，所述第一电容的另一端连接电池的负极、可修改电压的充电电池保护芯片的接地引脚和放电MOS管的源极，所述可修改电压的充电电池保护芯片的放电控制引脚连接放电MOS管的栅极，所述放电MOS管的漏极连接充电MOS管的漏极，所述充电MOS管的栅极连接可修改电压的充电电池保护芯片的充电控制引脚，所述充电MOS管的源极连接负充放电端口和第六电阻的一端，所述第六电阻的另一端连接可修改电压的充电电池保护芯片的电流检测引脚。

9.根据权利要求8所述的可修改电压的充电电池保护芯片的应用电路，其特征在于，所述充电MOS管和放电MOS管均为NMOS管。