CN108336486B - 可调试辐射单元及天线 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种可调试辐射单元及天线，可调试辐射单元包括：振子主体，包括底座、多对馈电巴伦及多个偶极子，多对馈电巴伦环绕底座的中心轴线对称设置，每对馈电巴伦均连接一个偶极子，每个偶极子均包括振子臂，振子臂具有辐射面；多个绝缘介质层，每个绝缘介质层可拆卸地分别连接于一个振子臂并至少部分覆盖辐射面；多个耦合加载件，每个耦合加载件可拆卸地分别连接于一个绝缘介质层并至少部分覆盖绝缘介质层远离辐射面一侧，与振子臂耦合成辐射臂。上述可调试辐射单元，可选择安装于振子主体上的耦合加载件与阵子臂共同充当该可调试辐射单元的辐射臂，也可起到调节电路作用，且可根据不同需要自由拆装不同形状的耦合加载件以达到不同的效果。

Description

可调试辐射单元及天线

技术领域

本发明涉及移动通信天线领域，特别是涉及一种可调试辐射单元及天线。

背景技术

随着天线技术发展，小型化和多频化成为天线一个重要发展趋势。高低频嵌套方案是实现多频天线的一个重要方法。高低频嵌套方案中，由于高低频之间的相互影响，天线隔离度指标实现难度大。目前所公知的多极化天线隔离度调节方法，典型特征为在辐射单元四周以及辐射单元之间增加去耦合加载部件，这些去耦合加载部件的位置都在辐射单元周围或者辐射单元之间，去耦部件与相应的辐射单元之间感应产生的第一电流(即辐射单元在相应的去耦部件上产生的感应电流)，能最大效率地抵消天线阵列的相邻辐射单元之间相互感应产生的第二电流。

而在高低频嵌套方案中，目前所公知的隔离度调试方法，低频去耦合调试件在优化低频隔离度同时，对高频的隔离度影响大，易造成高频隔离恶化；而高频的去耦合和调试件对低频的隔离度也有影响，造成低频隔离度恶化。由于上述现象存在，造成调完低频调高频，调完高频调低频，反复调试现象，而且使用的去耦合调试种类繁杂，数量大，造成调试耗时多，调试一致性差，且大量去耦合调试件的使用，加剧边界条件的不对称性，造成天线方向图恶化。

发明内容

基于此，有必要针对天线的辐射单元的隔离度调整效果较差的问题，提供一种隔离度调整效果较好的可调试辐射单元及天线。

一种可调试辐射单元，所述可调试辐射单元包括：

振子主体，包括底座、多对馈电巴伦及多个偶极子，多对所述馈电巴伦环绕所述底座的中心轴线对称设置，每对所述馈电巴伦均连接一个所述偶极子，每个所述偶极子均包括振子臂，所述振子臂具有辐射面；

多个绝缘介质层，每个所述绝缘介质层可拆卸地分别连接于一个所述振子臂并至少部分覆盖所述辐射面；以及

多个耦合加载件，每个所述耦合加载件可拆卸地分别连接于所述一个所述绝缘介质层并至少部分覆盖所述绝缘介质层远离所述辐射面一侧，与所述振子臂耦合成辐射臂。

上述可调试辐射单元，可选择安装于振子主体上的耦合加载件与阵子臂共同充当该可调试辐射单元的辐射臂，也可起到调节电路作用，且可根据不同需要自由拆装不同形状的耦合加载件以达到不同的效果，从而无需单独设置其它调试件，显著降低调试件对电路的影响及对方向图的恶化作用。

在其中一个实施例中，多对所述馈电巴伦自所述底座边缘以凸出所述底座所在平面的方式向外延伸，每对所述馈电巴伦远离所述底座一端设有一个所述偶极子。

在其中一个实施例中，每个所述偶极子包括一对振子臂，每个所述振子臂分别自其中一个所述馈电巴伦向远离所述底座的中心轴线方向延伸。

在其中一个实施例中，所述耦合加载件包括第一耦合加载部及自第一耦合加载部的一侧弯折设置的第二耦合加载部，所述第一耦合加载部至少部分覆盖于所述绝缘介质层，每个所述第二耦合加载部位于所述绝缘介质层背向所述底座的中心轴线的一侧，多个所述第二耦合加载部沿周向环绕所述振子主体的外周。

在其中一个实施例中，所述第一耦合加载部与所述第二耦合加载部之间的夹角大致呈90°。

在其中一个实施例中，所述第二耦合加载部的长度与所述第一耦合加载部的长度相同；

或，所述第二耦合加载部的长度大于所述第一耦合加载部的长度，所述第二耦合加载部长度方向上的两端突伸出所述第一耦合加载部；

或,所述第二耦合加载部的长度小于所述第一耦合加载部的长度，所述第二耦合加载部两端沿长度方向收缩。

在其中一个实施例中，所述耦合加载件还包括第三耦合加载部，所述第三耦合加载部自第二耦合加载部远离所述第一耦合加载部一侧沿所述第二耦合加载部的宽度方向延伸并逐渐远离所述第一耦合加载部。

在其中一个实施例中，所述第三耦合加载部在所述第二耦合加载部的长度方向上的尺寸小于所述第二耦合加载部的长度。

一种天线，包括上述的可调试辐射单元，所述天线还包括反射板，所述反射板上间隔排列有多个所述可调试辐射单元。

在其中一个实施例中，所述天线还包括高频辐射单元，所述高频辐射单元与所述可调试辐射单元间隔设置和/或设于所述可调试辐射单元内以被所述馈电巴伦围合。

附图说明

图1为一实施方式的可调试辐射单元的结构示意图；

图2为图1所示的可调试辐射单元的耦合加载件的示意图；

图3为一实施方式的可调试辐射单元的耦合加载件的示意图；

图4为另一实施方式的可调试辐射单元的耦合加载件的示意图；

图5为又一实施方式的可调试辐射单元的耦合加载件的示意图；

图6为第一实施例的天线的结构示意图；

图7为第二实施例的天线的结构示意图；

图8为第三实施例的天线的结构示意图；

图9为第四实施例的天线的结构示意图；

图10为第五实施例的天线的结构示意图；

图11为第六实施例的天线的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1所示，本较佳实施方式的一种可调试辐射单元10，该可调试辐射单元10包括振子主体12、绝缘介质层14及耦合加载件16。

其中，振子主体12包括底座122、多对馈电巴伦124及多个偶极子126，多对馈电巴伦124环绕底座122的中心轴线对称设置，每对馈电巴伦124均连接一个偶极子126，每个偶极子126均包括振子臂1262，振子臂1262具有辐射面。每个绝缘介质层14可拆卸地分别连接于一个振子臂1262并至少部分覆盖辐射面。每个耦合加载件16可拆卸地分别连接于一个绝缘介质层14并至少部分覆盖绝缘介质层14远离辐射面一侧，以与对应振子臂1262耦合成辐射臂。

上述可调试辐射单元10，可选择安装于振子主体12上的耦合加载件16与阵子臂1262共同充当该可调试辐射单元10的辐射臂，也可起到调节电路作用，且可根据不同需要自由拆装不同形状的耦合加载件16以达到不同的效果，从而无需单独设置其它调试件，显著降低调试件对电路的影响及对方向图的恶化作用。

请继续参阅图1，多对馈电巴伦124自底座122边缘以凸出底座122所在平面的方式呈辐射状向外延伸，辐射臂通过巴伦124进行馈电，从而产生向空中辐射的波束以发射或接收通信信号。每对馈电巴伦124远离底座122一侧设有一个偶极子126，每个偶极子126包括一对振子臂1262，每个振子臂1262分别自其中一个馈电巴伦124向远离底座122的中心轴线的方向延伸，且振子臂1262的延伸方向与底座122大致平行以便于安装耦合加载件16，从而与耦合加载件16共同形成辐射臂。

具体地，振子主体12包括四对馈电巴伦124，每对馈电巴伦124中的两个馈电巴伦124对称设置，四对馈电巴伦124两两对称环绕底座122四周以围合成正方形口径。馈电巴伦124大致呈梯形，且馈电巴伦124的宽度自底座122向远离底座122方向逐渐增大，因此多个馈电巴伦124之间的距离也自底座122向远离底座122方向逐渐增大。振子臂1262也为四对，每对振子臂1262包括两个对称设置的振子臂1262，每个振子臂1262均与一个馈电巴伦124一一对应设置。振子臂1262为阶跃渐变结构，包括第一振子臂节及位于第一振子臂节一端的第二振子臂节，其中第一振子臂节为非渐变的均匀结构，第二振子臂节为自连接第一振子臂节一端的两侧向中间均匀变小的渐变结构。在每对振子臂1262中，两个第一振子臂节相邻，两个第二振子臂节相互远离。

绝缘介质层14呈形状与偶极子126的形状匹配的片状机构，绝缘介质层14的厚度和介电常数可根据需要调整。

如图2所示，耦合加载件16包括第一耦合加载部162及自第一耦合加载部162的一侧弯折设置的第二耦合加载部164，第一耦合加载部162与第二耦合加载部164之间的夹角大致呈90°，第一耦合加载部162至少部分覆盖于绝缘介质层14，每个第二耦合加载部164位于绝缘介质层14背向底座122的中心轴线的一侧，多个第二耦合加载部164沿周向环绕振子主体12的外周。可以理解，第一耦合加载部162与第二耦合加载部164之间的夹角可根据实际需要变化，不仅仅局限于90°。

在一实施例中，第一耦合加载部162的上端面覆盖绝缘介质层14，从而使第二耦合加载部164向远离底座122的上方延伸。在另一实施例中，第一耦合加载部162的下端面覆盖绝缘介质层14，从而使第二耦合加载部164向靠近底座122的下方延伸。

如图2所示，第二耦合加载部164的长度可与第一耦合加载部162的长度相同，也可如图3所示，第二耦合加载部164的长度大于第一耦合加载部162的长度。当第二耦合加载部164的长度大于第一耦合加载部162的长度时，第二耦合加载部164长度方向上的两端突伸出第一耦合加载部162。在其它实施例中，第二耦合加载部164的长度也可小于第一耦合加载部162的长度，第二耦合加载部162两端沿长度方向收缩。

如图4及图5所示，在一实施例中，进一步地，耦合加载件16还包括第三耦合加载部166，第三耦合加载部166自第二耦合加载部164远离第一耦合加载部162一侧沿第二耦合加载部164的宽度方向延伸并逐渐远离第一耦合加载部162，且第三耦合加载部166在第二耦合加载部164的长度方向上的长度(即第三耦合加载部166的宽度)小于第二耦合加载部164的长度。

如此，耦合加载件16既可作为耦合振子臂1262，也可作为去耦合加载部件，以改变可调试辐射单元10两个极化之间的能量耦合及与其它辐射单元之间的能量耦合，从而提升设有该可调试辐射单元10的整机隔离度。

上述可调试辐射单元10，不同形状的耦合加载件16可选择地安装在振子主体12上，既充当辐射单元振子臂1262也可起到调节件的作用，通过使用不同形式的耦合加载件16实现功能不同的辐射单元。

如图6所示，第一实施例的一种天线300，包括上述可调试辐射单元10。天线300还包括反射板310，反射板310上间隔排列有多个可调试辐射单元10。

具体地，五个可调试辐射单元10作为五个低频辐射单元依次等距离间隔排列在反射板310上，以组成单低频天线阵列。其中，五个可调试辐射单元10的耦合加载件16均包括长度相等的第一耦合加载部162与第二耦合加载部164，且第二耦合加载部164均向反射板310方向延伸。第三个可调试辐射单元10作为隔离敏感的辐射单元，该可调试辐射单元10上沿可调试辐射单元10间隔方向延伸的两个耦合加载件16还包括第三耦合加载部166，该第三耦合加载部166既与振子臂1262共同作为可调试辐射单元10的辐射臂，同时也作为天线300的去耦合加载部件，以改变该第三个可调试辐射单元10两个极化之间的能量耦合及相邻两个可调试辐射单元10之间的能量耦合，从而提升天线300整机隔离度，以代替常规去耦合加载部件提升天线300的隔离度。

如图7所示，第二实施例的一种天线400，与第一实施例相似，五个可调试辐射单元10作为五个低频辐射单元依次等距离间隔排列在反射板410上，以组成单低频天线阵列。

与第一实施例的不同之处在于，在本第二实施例中，五个可调试辐射单元10的耦合加载件16均包括长度相等的第一耦合加载部162与第二耦合加载部164。其中，第一、第三及第五个可调试辐射单元10的耦合加载件16的第二耦合加载部164向反射板410方向延伸(即向下延伸)，第二及第四个可调试辐射单元10的耦合加载件16的第二耦合加载部164向远离反射板410方向延伸(即向上延伸)。如此，不同形状的耦合加载件16交替使用，从而有效改善相邻两个的可调试辐射单元10之间的能量耦合，提升了天线400的隔离度。

如图8所示，第三实施例的一种天线500，包括设于反射板510及位于反射板510上的可调试辐射单元10与高频辐射单元20，高频辐射单元20与可调试辐射单元10间隔设置和/或设于可调试辐射单元10内以被馈电巴伦124围合。

具体地，天线500包括三个间隔设置的作为低频辐射单元的可调试辐射单元10与五个高频辐射单元20。其中两个高频辐射单元20位于相邻两个可调试辐射单元10之间，另外三个高频辐射单元20被可调试辐射单元10的馈电巴伦124围合而位于可调试辐射单元10内部，从而形成高低频嵌套结构。

其中，三个可调试辐射单元10的耦合加载件16均包括长度相等的第一耦合加载部162与第二耦合加载部164，且第二耦合加载部164向底座122方向延伸。第二个可调试辐射单元10的其中两个沿可调试辐射单元10间隔方向延伸的耦合加载件16具有第三耦合加载部166。如此，第三耦合加载部166既可与振子臂1262共同作为第二个可调试辐射单元10的辐射臂，也作为天线500的去耦合加载部件，可改变可调试辐射单元10两个极化之间的能量耦合以及相邻可调试辐射单元10与高频辐射单元之间的能量耦合，从而提升天线500整机隔离度，而无需加载去耦合加载部件，最大限度减少低频去耦合加载部件对高频隔离度恶化的作用，保证高频初始状态具有良好的隔离度。

如图9所示，第四实施例的一种天线600，与第三实施例相似，包括反射板610及位于反射板610上的可调试辐射单元10及高频辐射单元20，高频辐射单元20与可调试辐射单元10间隔设置和/或设于可调试辐射单元10内以被馈电巴伦124围合。

具体地，天线600包括三个间隔设置的作为低频辐射单元的可调试辐射单元10与五个高频辐射单元20。其中两个高频辐射单元20位于相邻两个可调试辐射单元10之间，另外三个高频辐射单元20被可调试辐射单元10的馈电巴伦124围合而位于可调试辐射单元10内部，从而形成高低频嵌套结构。

与第三实施例不同之处在于，三个可调试辐射单元10的耦合加载件16均包括第一耦合加载部162与第二耦合加载部164，且第二耦合加载部164向靠近反射板610方向延伸。在第一与第三个可调试辐射单元10中，第一耦合加载部162与第二耦合加载部164的长度相等，第二个可调试辐射单元10中，第二耦合加载部164的长度大于第一耦合加载部162。此时，长度较大的第二耦合加载部164既与振子臂1262共同作为可调试辐射单元10的辐射臂，同时也作为天线的去耦合加载部件。该耦合加载件16等效加大了可调试辐射单元10的尺寸，有效的减少了作为低频辐射的单元的可调试辐射单元10与高频辐射单元20之间的能量耦合，提升了高低频之间的异频隔离度。同时，通过可调试辐射单元10的辐射臂加长，也改善了嵌套于可调试辐射单元10内的高频辐射单元20与位于可调试单元外的高频辐射单元20之间的能量耦合，最终提升了高频天线的隔离度，减少了高频去耦合加载部件的使用，减少了高频调试件对低频隔离度的影响。

如图10所示，第五实施例的一种天线700，与第三实施例相似，包括反射板710及位于反射板710上的可调试辐射单元10及高频辐射单元20，高频辐射单元20与可调试辐射单元10间隔设置和/或设于可调试辐射单元10内以被馈电巴伦124围合。

具体地，天线包括三个间隔设置的作为低频辐射单元的可调试辐射单元10与五个高频辐射单元20。其中两个高频辐射单元20位于相邻两个可调试辐射单元10之间，另外三个高频辐射单元20被可调试辐射单元10的馈电巴伦124围合而位于可调试辐射单元10内部，从而形成高低频嵌套结构。

与第三实施例的不同之处在于，三个可调试辐射单元10的耦合加载件16均包括第一耦合加载部162与第二耦合加载部164，且第二耦合加载部164向靠近反射板710方向延伸。第一个与第三个可调试辐射单元10的耦合加载件16的第一耦合加载部162与第二耦合加载部164的长度相等。第二个可调试辐射单元10的耦合加载件16的第二耦合加载部164的长度大于第一耦合加载部162的长度，且沿可调试辐射单元10间隔方向延伸的耦合加载件16还包括第三耦合加载部166。

如此，第二耦合加载部164与第三耦合加载部166既作为可调试辐射单元10的耦合振子臂1262，同时也作为天线700的去耦合加载部件。第二耦合加载部164与第三耦合加载部166等效加大了作为低频辐射单元的可调试辐射单元10的尺寸，有效的减小了可调试辐射单元10与高频辐射单元20之间的能量耦合，提升了高低频之间的异频隔离度。同时通过可调试辐射单元10的耦合振子臂1262加长，也改善了嵌套于可调试辐射单元10内的高频辐射单元与位于可调试辐射单元10外的高频辐射单元20之间的能量耦合。同时，第三耦合加载部166可改变第二个可调试辐射单元10两个极化之间的能量耦合，减少了高频、低频去耦合加载部件的使用，减少了高频调试件对低频隔离度影响以及和相邻可调试辐射单元10之间能量耦合，最终提升了天线低频隔离度。此外，同时减少了高频、低频去耦合加载部件的使用，减少了高频调试件对低频隔离度的影响以及低频去耦合加载部件对高频隔离度的影响，同时去耦合加载部件的大量减少，也减少了去耦合加载部件对方向图的恶化作用。

如图11所示，第六实施例的一种天线800，与第三实施例相似，包括反射板810及位于反射板810上的可调试辐射单元10及高频辐射单元20，高频辐射单元20与可调试辐射单元10间隔设置和/或设于可调试辐射单元10内以被馈电巴伦124围合。

具体地，天线800包括三个间隔设置的作为低频辐射单元的可调试辐射单元10与五个高频辐射单元20。其中两个高频辐射单元20位于相邻两个可调试辐射单元10之间，另外三个高频辐射单元20被可调试辐射单元10的馈电巴伦124围合而位于可调试辐射单元10内部，从而形成高低频嵌套结构。

与第三实施例的不同之处在于，三个可调试辐射单元10的耦合加载件16均包括第一耦合加载部162与第二耦合加载部164，且第二耦合加载部164向反射板方向延伸(即向下延伸)。其中，第一个可调辐射单元的耦合加载件16的第一耦合加载部162与第二耦合加载部164的长度相等；位于高频隔离度敏感位置的第二个可调试辐射单元10的耦合加载件16的第二耦合加载部164的长度大于第一耦合加载部162的长度，以提升高频隔离度。位于低频隔离度敏感位置的第三个可调试辐射单元10的耦合加载件16的第一耦合加载部162与第二耦合加载部164的长度相等，沿可调试辐射单元10间隔方向延伸的耦合加载件16还包括第三耦合加载部166，从而提升低频隔离度。

可以理解，在天线实际调测中，可根据实际调试需求，也选择其它不同的耦合加载件16组合，提升天线的隔离度，而不限于上述实施例中的设置组合。

上述天线，由于可通过设置不同的耦合加载件16，以提高天线的隔离度，具有较好的调试一致性，调试效率较高。在高低频嵌套方案中，减少了调试件的使用，显著降低了高频去耦合调试件对低频电路以及低频去耦合调试件对高频电路的影响，并减小了去耦合加载部件对天线方向图的影响。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种可调试辐射单元，其特征在于，所述可调试辐射单元包括：

振子主体，包括底座、多对馈电巴伦及多个偶极子，多对所述馈电巴伦环绕所述底座的中心轴线对称设置，每对所述馈电巴伦均连接一个所述偶极子，每个所述偶极子均包括延伸方向与所述底座大致平行的振子臂，所述振子臂具有辐射面；

多个绝缘介质层，每个所述绝缘介质层可拆卸地分别连接于一个所述振子臂并至少部分覆盖所述辐射面；以及

多个耦合加载件，每个所述耦合加载件可拆卸地分别连接于所述一个所述绝缘介质层并至少部分覆盖所述绝缘介质层远离所述辐射面一侧，与所述振子臂耦合成辐射臂；

其中，所述耦合加载件均包括第一耦合加载部、第二耦合加载部以及第三耦合加载部，所述第二耦合加载部自所述第一耦合加载部的一侧弯折设置，所述第一耦合加载部至少部分覆盖于所述绝缘介质层，所述第三耦合加载部自所述第二耦合加载部远离所述第一耦合加载部一侧沿所述第二耦合加载部的宽度方向延伸并逐渐远离所述第一耦合加载部；或者

一部分所述耦合加载件均包括第一耦合加载部及第二耦合加载部，所述第二耦合加载部自所述第一耦合加载部的一侧弯折设置，所述第一耦合加载部至少部分覆盖于所述绝缘介质层；另一部分所述耦合加载件均包括所述第一耦合加载部、所述第二耦合加载部以及第三耦合加载部，所述第二耦合加载部自所述第一耦合加载部的一侧弯折设置，所述第一耦合加载部至少部分覆盖于所述绝缘介质层，所述第三耦合加载部自所述第二耦合加载部远离所述第一耦合加载部一侧沿所述第二耦合加载部的宽度方向延伸并逐渐远离所述第一耦合加载部。

2.根据权利要求1所述的可调试辐射单元，其特征在于，多对所述馈电巴伦自所述底座边缘以凸出所述底座所在平面的方式向外延伸，每对所述馈电巴伦远离所述底座一端设有一个所述偶极子。

3.根据权利要求2所述的可调试辐射单元，其特征在于，每个所述偶极子包括一对振子臂，每个所述振子臂分别自其中一个所述馈电巴伦向远离所述底座的中心轴线方向延伸。

4.根据权利要求1所述的可调试辐射单元，其特征在于，每个所述第二耦合加载部位于所述绝缘介质层背向所述底座的中心轴线的一侧，多个所述第二耦合加载部沿周向环绕所述振子主体的外周。

5.根据权利要求1所述的可调试辐射单元，其特征在于，所述第一耦合加载部与所述第二耦合加载部之间的夹角大致呈90°。

6.根据权利要求1所述的可调试辐射单元，其特征在于，所述第二耦合加载部的长度与所述第一耦合加载部的长度相同；

或，所述第二耦合加载部的长度大于所述第一耦合加载部的长度，所述第二耦合加载部长度方向上的两端突伸出所述第一耦合加载部；

或,所述第二耦合加载部的长度小于所述第一耦合加载部的长度，所述第二耦合加载部两端沿长度方向收缩。

7.根据权利要求1所述的可调试辐射单元，其特征在于，所述第三耦合加载部在所述第二耦合加载部的长度方向上的尺寸小于所述第二耦合加载部的长度。

8.根据权利要求1所述的可调试辐射单元，其特征在于，所述绝缘介质层呈形状与所述偶极子的形状匹配的片状。

9.一种天线，其特征在于，包括如权利要求1～8任意一项所述的可调试辐射单元，所述天线还包括反射板，所述反射板上间隔排列有多个所述可调试辐射单元。

10.根据权利要求9所述的天线，其特征在于，所述天线还包括高频辐射单元，所述高频辐射单元与所述可调试辐射单元间隔设置和/或设于所述可调试辐射单元内以被所述馈电巴伦围合。