CN108335979A - 同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法 - Google Patents
同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108335979A CN108335979A CN201810136626.3A CN201810136626A CN108335979A CN 108335979 A CN108335979 A CN 108335979A CN 201810136626 A CN201810136626 A CN 201810136626A CN 108335979 A CN108335979 A CN 108335979A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ionization
- particle
- sample
- displacement
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 50
- 238000010187 selection method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 61
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 20
- 231100000987 absorbed dose Toxicity 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000000342 Monte Carlo simulation Methods 0.000 claims description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 9
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000205 computational method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 8
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000011160 research Methods 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 208000019155 Radiation injury Diseases 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 102100031920 Dihydrolipoyllysine-residue succinyltransferase component of 2-oxoglutarate dehydrogenase complex, mitochondrial Human genes 0.000 description 1
- 101000992065 Homo sapiens Dihydrolipoyllysine-residue succinyltransferase component of 2-oxoglutarate dehydrogenase complex, mitochondrial Proteins 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001773 deep-level transient spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
本发明提供了同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域。本发明的辐照粒子能量选择方法其应用对象包括各类航天器用关键材料和器件，基于Monte Carlo计算方法，在特定材料状态条件下，计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和射程。根据电离和位移吸收剂量的比例关系，即可确定入射粒子的能量，保证其同时产生稳定的电离和位移缺陷。
Description
技术领域
本发明涉及电离/位移协同效应，属于空间环境效应、核科学与应用技术领域，尤其涉及同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法。
背景技术
随着人类航天事业的发展，不同类型材料和器件在空间环境中的使用频率日益增多，空间环境对于航天器用关键材料和器件的影响也日益突出。人类70年的航天探索实践表明，空间环境对航天器是苛刻的、不可忽视的，有着极其重要的影响，是诱发航天器异常和故障的重要原因。其中，以空间带电粒子辐射环境对航天器用关键材料和器件的影响最为突出。这些不同类型的空间带电粒子同时作用于航天器用关键材料和器件，导致空间综合环境效应，尤其是电离/位移协同效应。
电离/位移协同效应包括两方面含义：一是同种粒子本身同时产生电离和位移效应时，彼此发生交互作用。二是两种不同种类的粒子分别产生电离和位移效应时彼此发生交互作用。无论哪种形式诱导的协同效应，其微观机理涉及电离缺陷和位移缺陷交互作用的方式。电离缺陷和位移缺陷主要通过两种方式进行交互作用：间接和直接作用方式。并且，常常是这两种方式同时作用的结果。为了深入研究电离缺陷和位移缺陷交互作用机制，有必要分别针对间接作用过程和直接作用过程开展研究工作。
基于一种粒子辐照同时产生电离和位移缺陷，开展电离/位移协同效应研究，操作方便，便于控制，节约时间及成本。然而，不同能量的粒子电离和位移损伤能力不同。有些粒子主要导致电离损伤、有些粒子主要导致位移损伤，有些粒子既能产生电离损伤同时可以产生位移损伤。如何选择合适的能量开展电离/位移协同效应、电离缺陷和位移缺陷缺陷演化研究是目前研究的热点及难点问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决无法有效的选择合适的能量开展电离/位移协同效应的问题，本发明提供一种基于Monte Carlo(蒙特卡罗方法)方法以有效选择合适的能量开展电离/位移协同效应的同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法。
本发明提供了一种同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法，提供一入射粒子库，所述入射粒子库中存储多种入射粒子；所述辐照粒子能量选择方法包括下述步骤：
S1.识别待测样品的类型，所述待测样品至少包括一层材料层，分析所述待测样品的组分，以获取每层材料层厚度，预设所述待测样品表面最大入射阈值距离；
S2.从所述入射粒子库选择一种入射粒子，采用蒙特卡罗方法计算采用所述入射粒子入射所述待测样品时的入射深度，及单位注入的所述入射粒子在每层所述材料层内的电离吸收剂量Idi和位移吸收剂量Ddi；
其中，i表示第i层材料层；
S3.判断所述入射深度是否大于或等于4倍的最大入射阈值距离，若是，执行步骤S5；若否，执行步骤S4；
S4.将所述入射粒子在所述入射粒子库移除，返回执行所述步骤S2；
S5.采用蒙特卡罗方法计算所述入射粒子入射所述待测样品时，单位路径上所损失的能量；
S6.判断损失的能量在每层所述材料层内的不均匀度是否均符合预设范围，若是，执行步骤S7；若否，返回执行步骤S4；
S7.根据单位注入的所述入射粒子在每层所述材料层内的电离吸收剂量Idi和位移吸收剂量Ddi，计算Yi＝log(Idi/Ddi)的值，Yi表示入射粒子在第i层材料层中的电离损伤能力值；
S8.判断每一材料层的Yi是否均符合预设条件，所述预设条件为：3≤Yi≤5，若是，则所述入射粒子能同时在所述待测样品产生电离缺陷和位移缺陷；若否，则返回所述步骤S4。
优选的，所述入射粒子库中包括的入射粒子类型为：电子、质子、重离子、中子、光子和介子。
优选的，所述待测样品的类型包括：功能型材料样品，和/或结构型材料样品，和/或器件型材料样品。
优选的，所述材料层包括：绝缘材料层；或
所述材料层包括：绝缘材料层和半导体材料层。
优选的，所述预设范围为小于等于10％。
上述技术特征可以各种适合的方式组合或由等效的技术特征来替代，只要能够达到本发明的目的。
本发明的有益效果在于，本发明的辐照粒子能量选择方法步骤简单，易于操作。本发明的技术途径能够大幅度降低试验的费用，对材料和器件空间环境效应地面模拟试验和研究具有重大的意义。在空间环境效应研究与抗辐照加固技术应用中，有着明显的优势和广泛的应用前景。
附图说明
图1为本发明所述的同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法的一种实施例的方法流程图；
图2为本发明的入射粒子在半导体材料中诱发的电子/空穴对、间隙原子/空位对、以及稳定电离和位移缺陷示意图；
图3为单位注量的1MeV电子和3MeV质子在NPN晶体管中的电离和位移吸收剂量曲线图；
图4为1MeV电子辐照电离缺陷(氧化物电荷和界面态)和位移缺陷(氧空位心)信号的曲线图；
图5为3MeV质子辐照电离缺陷(氧化物电荷)和位移缺陷(氧空位心和双空位心)信号的曲线图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
如图1所示，一种同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法，提供一入射粒子库，所述入射粒子库中存储多种入射粒子；所述辐照粒子能量选择方法包括下述步骤：
S1.识别待测样品的类型，所述待测样品至少包括一层材料层，分析所述待测样品的组分，以获取每层材料层厚度，预设所述待测样品表面最大入射阈值距离；
S2.从所述入射粒子库选择一种入射粒子，采用蒙特卡罗方法计算采用所述入射粒子入射所述待测样品时的入射深度，及单位注入的所述入射粒子在每层所述材料层内的电离吸收剂量Idi和位移吸收剂量Ddi；
其中，i表示第i层材料层；
S3.判断所述入射深度是否大于或等于4倍的最大入射阈值距离，以保证辐射损伤的均匀性，若是，执行步骤S5；若否，执行步骤S4；
S4.将所述入射粒子在所述入射粒子库移除，返回执行所述步骤S2；
S5.采用蒙特卡罗方法计算所述入射粒子入射所述待测样品时，单位路径上所损失的能量；
S6.判断损失的能量在每层所述材料层内的不均匀度是否均符合预设范围，所述预设范围为小于等于10％，以保证辐射损伤的均匀性，若是，执行步骤S7；若否，返回执行步骤S4；
S7.根据单位注入的所述入射粒子在每层所述材料层内的电离吸收剂量Idi和位移吸收剂量Ddi，计算Yi＝log(Idi/Ddi)的值，Yi表示入射粒子在第i层材料层中的电离损伤能力值；
S8.判断每一材料层的Yi是否均符合预设条件，所述预设条件为：3≤Yi≤5，若是，则所述入射粒子能同时在所述待测样品产生电离缺陷和位移缺陷；若否，则返回所述步骤S4。
进一步地，所述入射粒子库中包括的入射粒子类型为：电子、质子、重离子、中子、光子和介子。
所述待测样品的类型包括：功能型材料样品，和/或结构型材料样品，和/或器件型材料样品。
功能型材料样品包括绝缘材料层和半导体材料层；
结构型材料样品包括绝缘材料层；
器件型材料样品包括绝缘材料层和半导体材料层。
在本实施例中，不同类型的入射粒子(尤其是不同类型的带电粒子)，在材料和器件的输运过程中，会同时产生电离和位移损伤，分别会在瞬间导致大量的电子—空穴对和间隙原子—空位对。这些电子/空穴对和间隙原子/空位对，在室温条件下不稳定，大部分会发生复合。未发生复合的电子/空穴对和间隙原子/空位对会继续在材料与器件中运动。在此运动过程中，间隙原子、空位会与靶材原子或杂质形成稳定缺陷；电子、空穴也会被俘获，逐渐形成稳定的缺陷。不同材料对上述复合过程影响不同，导体材料主要会影响间隙原子/空位对的复合；半导体材料中间隙原子/空位对的复合除受半导体材料影响外，还会受到电子/空穴对的影响；绝缘体材料中的间隙原子/空位对和电子/空穴对的复合会发生交互作用。因此，为研究稳定的电离缺陷和位移缺陷，主要针对半导体材料和绝缘体材料。为此，需要选择合适能量的入射粒子，并通过Monte Carlo方法计算，保证其在材料内部可以同时产生电离缺陷和位移缺陷。入射粒子在半导体材料中产生稳定电离缺陷和位移缺陷的示意图，如图2所示。
航天器用关键材料和器件主要受到不同能量的质子、电子及重离子等空间综合辐射环境因素的影响。本发明基于Monte Carlo计算方法，分别计算不同能量和类型带电粒子的穿透深度，以及单位注量粒子所产生的电离和位移吸收剂量，通过综合运用射程与单位注量吸收剂量的关系，来实现一种粒子同时产生稳定的电离缺陷和位移缺陷的目的。
为了进一步说明上述方式的合适性，将待测样品选择为NPN晶体管(器件型材料样品)，其绝缘体材料和半导体材料距芯片表面最远的有效距离约为10μm，绝缘层和半导体厚度分别为900nm和9μm。选择1MeV电子和3MeV质子作为入射粒子，基于Monte Carlo方法计算，在NPN器件中的入射深度分别为2mm和100μm，在绝缘层和半导体层中的能量损失不均匀度小于1％。
图3展示了单位注量的1MeV电子和3MeV质子在NPN晶体管中的电离和位移吸收剂量。由图3中的计算结果可知，在绝缘层和半导体层内，1MeV电子和3MeV质子的Yi＝log(Idi/Ddi)分别为4.7和3.9，满足同时产生电离和位移缺陷的要求。为了验证该结论，图4和5分别给出了经1MeV电子和3MeV质子辐照后，稳定缺陷的测试结果。图4和图5中纵坐标DLTS均表示深能级瞬态谱仪信号的强度，由图可见，1MeV电子和3MeV质子均可在NPN晶体管内同时诱导电离缺陷和位移缺陷。
本发明提供的辐照粒子能量选择方法，其应用对象包括各类航天器用关键材料和器件，基于Monte Carlo计算方法，在特定材料状态条件下，计算单位注量入射粒子的电离/位移吸收剂量和射程。根据电离和位移吸收剂量的比例关系，即可确定入射粒子的能量，保证其同时产生稳定的电离和位移缺陷。
虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明，但是应该理解的是，这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是，可以对示例性的实施例进行许多修改，并且可以设计出其他的布置，只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是，可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是，结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。
Claims (5)
1.一种同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法，提供一入射粒子库，所述入射粒子库中存储多种入射粒子；其特征在于：所述辐照粒子能量选择方法包括下述步骤：
S1.识别待测样品的类型，所述待测样品至少包括一层材料层，分析所述待测样品的组分，以获取每层材料层厚度，预设所述待测样品表面最大入射阈值距离；
S2.从所述入射粒子库选择一种入射粒子，采用蒙特卡罗方法计算采用所述入射粒子入射所述待测样品时的入射深度，及单位注入的所述入射粒子在每层所述材料层内的电离吸收剂量Idi和位移吸收剂量Ddi；
其中，i表示第i层材料层；
S3.判断所述入射深度是否大于或等于4倍的最大入射阈值距离，若是，执行步骤S5；若否，执行步骤S4；
S4.将所述入射粒子在所述入射粒子库移除，返回执行所述步骤S2；
S5.采用蒙特卡罗方法计算所述入射粒子入射所述待测样品时，单位路径上所损失的能量；
S6.判断损失的能量在每层所述材料层内的不均匀度是否均符合预设范围，若是，执行步骤S7；若否，返回执行步骤S4；
S7.根据单位注入的所述入射粒子在每层所述材料层内的电离吸收剂量Idi和位移吸收剂量Ddi，计算Yi＝log(Idi/Ddi)的值，Yi表示入射粒子在第i层材料层中的电离损伤能力值；
S8.判断每一材料层的Yi是否均符合预设条件，所述预设条件为：3≤Yi≤5，若是，则所述入射粒子能同时在所述待测样品产生电离缺陷和位移缺陷；若否，则返回所述步骤S4。
2.根据权利要求1所述的同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法，其特征在于，所述入射粒子库中包括的入射粒子类型为：电子、质子、重离子、中子、光子和介子。
3.根据权利要求1所述的同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法，其特征在于，所述待测样品的类型包括：功能型材料样品，和/或结构型材料样品，和/或器件型材料样品。
4.根据权利要求1所述的同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法，其特征在于，所述材料层包括：绝缘材料层；或
所述材料层包括：绝缘材料层和半导体材料层。
5.根据权利要求1所述的同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法，其特征在于，所述预设范围为小于等于10％。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810136626.3A CN108335979B (zh) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | 同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810136626.3A CN108335979B (zh) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | 同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108335979A true CN108335979A (zh) | 2018-07-27 |
| CN108335979B CN108335979B (zh) | 2020-06-30 |
Family
ID=62928716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810136626.3A Active CN108335979B (zh) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | 同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108335979B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111766496A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-10-13 | 哈尔滨工业大学 | 双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103091698A (zh) * | 2013-01-23 | 2013-05-08 | 哈尔滨工业大学 | 一种质子/电子综合辐照束流注量的检测方法 |
| CN103116176A (zh) * | 2013-01-23 | 2013-05-22 | 哈尔滨工业大学 | 电子元器件带电粒子辐照效应地面等效注量计算方法 |
-
2018
- 2018-02-09 CN CN201810136626.3A patent/CN108335979B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103091698A (zh) * | 2013-01-23 | 2013-05-08 | 哈尔滨工业大学 | 一种质子/电子综合辐照束流注量的检测方法 |
| CN103116176A (zh) * | 2013-01-23 | 2013-05-22 | 哈尔滨工业大学 | 电子元器件带电粒子辐照效应地面等效注量计算方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| XINGJI LI ET.AL.: "Ionization damage in NPN transistors caused by lower energy electrons", 《NUCLEAR INSTRUMENTS AND METHODS IN PHYSICS RESEARCH A》 * |
| XINGJI LI ET.AL.: "Reaearch on the Combined Effects of Ionization and Displacement Defects in NPN Transistors Based on Deep Level Transient Spectroscopy", 《IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE》 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111766496A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-10-13 | 哈尔滨工业大学 | 双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法 |
| CN111766496B (zh) * | 2020-07-28 | 2022-11-25 | 哈尔滨工业大学 | 双极晶体管位移损伤敏感部位的检测方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108335979B (zh) | 2020-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Weidinger et al. | A self-consistent and time-dependent hybrid blazar emission model-Properties and application | |
| Podgorny et al. | Spectrum of solar flare protons | |
| Hoppe et al. | Runaway electron generation during tokamak start-up | |
| CN108346565B (zh) | 一种基于电离辐照诱导位移缺陷退火的方法 | |
| CN108335979A (zh) | 同时产生电离和位移缺陷的辐照粒子能量选择方法 | |
| Wang et al. | Z 0 boson associated b-jet production in high-energy nuclear collisions | |
| Shao | Initial state radiation effects in inclusive J/ψ production at B factories | |
| Chen et al. | Beam-assisted extraction of charged particles from a decaying plasma | |
| Perrey | Jets at low Q 2 at HERA and radiation damage studies for silicon sensors for the XFEL | |
| Zhang et al. | Effects of hadronic mean-field potentials on Hanbury-Brown–Twiss correlations in relativistic heavy-ion collisions | |
| CN108363864B (zh) | 一种研究电离缺陷和位移缺陷直接交互作用的试验方法 | |
| CN108345747B (zh) | 一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法 | |
| Dyndal et al. | Four-lepton production from photon-induced reactions in $ pp $ collisions at the LHC | |
| Mukhamedshin et al. | Do LHC data contradict superhigh-energy cosmic-ray coplanarity of most energetic particles? | |
| Infantino et al. | Preliminary design of CERN Future Circular Collider tunnel: first evaluation of the radiation environment in critical areas for electronics | |
| Nakamura | Photo-and electro-excitation of bound neutrons and protons | |
| Biryukov | Simulation of beam steering phenomena in bent crystals | |
| Chen et al. | The secondary electron collection effect of biased printed circuit board traces in box IEMPs | |
| CMS Collaboration et al. | Exotic Physics at the LHC with CASTOR in CMS | |
| Pan et al. | Impact of neutron-induced displacement damage on the single event latchup sensitivity of bulk CMOS SRAM | |
| Rohrmoser | Effects of in-medium $ k_T $ broadening on di-jet observables | |
| Bussey | Prompt photons at HERA | |
| Dmitrieva et al. | On the Detection of Multinucleon Events in Nucleus—Nucleus Collisions with Forward Calorimeters (ZDC) | |
| Yang et al. | Studies of Beam Loss Monitors at the China Spallation Neutron Source | |
| Purmohammad | Angular deviation of secondary charge particles in 1014-1016 eV extensive air showers: Constrains on application of hodoscopes |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |