CN108334287A - 一种提高闪存每单位写入的资料量的方法及装置 - Google Patents

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李庭育
黄中柱
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Abstract

本发明公开了一种提高闪存每单位写入的资料量的方法，包括：将资料从第一个数据缓冲区取出，并利用压缩软件压缩后存入第二个数据缓冲区；将压缩后的资料从第二个数据缓冲区取出，交由主控芯片写入闪存内。还公开了提高闪存每单位写入的资料量的装置，包括：将资料从第一个数据缓冲区取出的第一读取模块；将第一读取模块取出的资料进行压缩并存入第二数据缓冲区的压缩模块；将第二数据缓冲区中的资料取出的第二读取模块；对第二读取模块取出的资料进行错误检查和纠正技术运算的保护模块；将错误检查和纠正技术运算以后的资料写入闪存中的主控芯片。本发明有效节省闪存空间。

Description

一种提高闪存每单位写入的资料量的方法及装置
技术领域
本发明涉及闪存的存储技术领域。
背景技术
闪存为非消失性的存储器装置，由块组成，每个块又分成多个页，每个页会有多个列组合而成。原先在闪存内储存生产资讯的方式，是明文加上错误检查和纠正技术保护后再写入页，因为一个页的存储空间大多为16k Byte，此做法遇到需要储存大量的生产资讯时，会遇到使用闪存许多页空间的情况，甚至是需要跨越多块的空间，除了浪费空间，也增加遇到块产生不稳定因素的机率。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种提高闪存每单位写入的资料量的方法，有效节省闪存空间。
本发明的目的之二在于提供一种提高闪存每单位写入的资料量的装置，有效节省闪存空间。
实现上述目的的技术方案是：
本发明之一的提高闪存每单位写入的资料量的方法，包括：
将资料从第一个数据缓冲区取出，并利用压缩软件压缩后存入第二个数据缓冲区；
将压缩后的资料从第二个数据缓冲区取出，交由主控芯片写入闪存内。
优选的，将压缩后的资料从第二个数据缓冲区取出后，先进行错误检查和纠正技术运算保护，再交由主控芯片写入闪存内。
本发明之二的提高闪存每单位写入的资料量的装置，包括：
将资料从第一个数据缓冲区取出的第一读取模块；
将第一读取模块取出的资料进行压缩并存入第二数据缓冲区的压缩模块；
将第二数据缓冲区中的资料取出的第二读取模块；
对第二读取模块取出的资料进行错误检查和纠正技术运算的保护模块；以及
将错误检查和纠正技术运算以后的资料写入闪存中的主控芯片。
本发明的有益效果是：本发明通过压缩软件压缩资料，再通过主控芯片存入闪存，能有效节省闪存的空间，存放更多的资料，当遇到较大生产资讯可以不用使用到太多的闪存存放位置，提高稳定性。
附图说明
图1是本发明的提高闪存每单位写入的资料量的方法的流程图；
图2是本发明的提高闪存每单位写入的资料量的装置的结构图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
请参阅图1，本发明之一的提高闪存每单位写入的资料量的方法，包括下列步骤：
步骤S1，将资料从第一个数据缓冲区取出。
步骤S2，将资料利用压缩软件压缩后存入第二个数据缓冲区。压缩软件将资料压缩成7Z格式。
步骤S3，将压缩后的资料从第二个数据缓冲区取出。
步骤S4，对取出的资料进行错误检查和纠正技术运算保护。
步骤S5，利用主控芯片将错误检查和纠正技术运算保护后的资料写入闪存内。
资料经过压缩处理后，依据压缩的资料的不同，所得到的压缩比最高可达将近50%左右。
请参阅图2，本发明之二的提高闪存每单位写入的资料量的装置，包括第一读取模块1、压缩模块2、第二读取模块3、保护模块4和主控芯片5。
第一读取模块1将资料从第一个数据缓冲区取出，发送给压缩模块2压缩以后存入第二数据缓冲区。第二读取模块3将第二数据缓冲区中的资料取出，并发送给保护模块4进行错误检查和纠正技术运算。错误检查和纠正技术运算以后的资料由主控芯片5写入闪存中。
以上实施例仅供说明本发明之用，而非对本发明的限制，有关技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以作出各种变换或变型，因此所有等同的技术方案也应该属于本发明的范畴，应由各权利要求所限定。

Claims (3)

1.一种提高闪存每单位写入的资料量的方法，其特征在于，包括：
将资料从第一个数据缓冲区取出，并利用压缩软件压缩后存入第二个数据缓冲区；
将压缩后的资料从第二个数据缓冲区取出，交由主控芯片写入闪存内。
2.根据权利要求1所述的提高闪存每单位写入的资料量的方法，其特征在于，将压缩后的资料从第二个数据缓冲区取出后，先进行错误检查和纠正技术运算保护，再交由主控芯片写入闪存内。
3.一种提高闪存每单位写入的资料量的装置，其特征在于，包括：
将资料从第一个数据缓冲区取出的第一读取模块；
将第一读取模块取出的资料进行压缩并存入第二数据缓冲区的压缩模块；
将第二数据缓冲区中的资料取出的第二读取模块；
对第二读取模块取出的资料进行错误检查和纠正技术运算的保护模块；以及
将错误检查和纠正技术运算以后的资料写入闪存中的主控芯片。
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