CN108294771A - 一种正电子发射计算机断层显像探测器装置 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种正电子发射计算机断层显像探测器装置，该装置包括了硅半导体探测阵列，该硅半导体探测阵列包括多个硅半导体探测单元。其中，该多个硅半导体探测单元的各个阴极均与电源相连；该多个硅半导体探测单元的各个阳极或各个阴极均分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接。其中，时间检测电路的个数多于一个且少于或等于该第一信号输出端的个数，这样，通过减少连接同一个时间检测电路的硅半导体探测单元的数量，以减弱采集脉冲信号的硅半导体探测单元的电容效应，从而降低脉冲信号中高频部分的衰减程度，提高伽马光子接收时间的检测准确度。
Description
技术领域
本申请涉及核探测器领域，尤其涉及一种正电子发射计算机断层显像探测器装置。
背景技术
本部分旨在为权利要求书中陈述的本发明的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
正电子发射计算机断层显像(Positron Emission Computed Tomography，简称PET)是目前最先进的医疗诊断设备之一，其原理是把能够在人体内释放正电子的同位素标记药物注人人体内，如碳、氟、氧和氮的1种或2种同位素，这些药物在参与人体的生理代谢过程中发生湮灭效应，生成两个能量相同、彼此运动方向相反的两个伽马(γ)光子。
随着人体不同部位吸收标记化合物能力的不同，以及同位素在人体内各部位的浓聚程度不同，湮灭反应产生光子的强度也不同。通过采用环绕人体的核探测器，可以检测出光子被探测器接收的时间、位置和能量，基于上述信息能够生成关于人体脏器的重建图像，从而根据重建图像了解人体的健康状况。常用的核探测器包括由多个闪烁晶体组成的晶体阵列(Crystal array)和光电探测器。其中，晶体阵列用于接收病患体内释放出的光子(例如γ光子)并将其转换成可见光，光电探测器用于将可见光转换成脉冲信号。
目前新式的光电探测器包括硅半导体探测器，比如硅光电倍增器(SiliconPhotomultipliers，简称SiPMs)。由于硅光电倍增器高增益、体积小、对磁场不敏感、时间特性优秀等优良特性，被广泛的认为是传统光电探测器——光电倍增管PMT的替代产品。硅半导体探测器通常包括多个硅半导体探测单元。以硅光电倍增器为例，参见图1，该图为硅光电倍增器的示意图。硅光电倍增器包括由多个SiPM传感器组成的SiPM传感器阵列(SiPMsensor array)，这些SiPM传感器和闪烁晶体耦合为了实现对光子接收时间的检测，目前常用的方式是对硅半导体探测单元采用共用阴极的方式采集脉冲信号，由于这种方式采集的脉冲信号其中的高频部分被严重衰减，而检测时间所需要的恰恰就是脉冲信号的高频部分，所以会导致光子接收时间检测不准确。
发明内容
为了解决上述问题，本申请提供了一种正电子发射计算机断层显像探测器装置，该装置可以降低脉冲信号中高频部分的衰减程度，从而提高光子接收时间的检测准确度。
第一方面，本申请提供了一种正电子发射计算机断层显像探测器装置，该装置包括硅半导体探测阵列，所述硅半导体探测阵列包括多个硅半导体探测单元；
所述多个硅半导体探测单元的各个阴极均与电源相连；所述多个硅半导体探测单元的各个阳极均分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接，所述时间检测电路用于检测光子的接收时间，所述时间检测电路的个数多于一个且少于或等于所述第一信号输出端的个数。
可选的，所述多个硅半导体探测单元的阳极接地。
可选的，所述时间检测电路包括第一比较电路和时间检测子电路，所述第一比较电路与所述时间检测子电路连接；
所述第一比较电路，用于将所述第一信号输出端输出信号的电压与第一门限电压进行比较，得到第一比较结果；
所述时间检测子电路，用于根据所述第一比较结果检测所述光子的接收时间。
可选的，所述第一信号输出端还与一一对应的晶体位置识别电路连接，所述晶体位置识别电路用于识别被光子击中的闪烁晶体的位置，所述闪烁晶体与所述多个硅半导体探测单元中的一个硅半导体探测单元耦合。
可选的，所述晶体位置识别电路包括第二比较电路和晶体位置识别子电路，所述第二比较电路和所述晶体位置识别子电路连接；
所述第二比较电路，用于将所述第一信号输出端输出信号的电压与第二门限电压进行比较，得到第二比较结果；
所述晶体位置识别子电路，用于根据所述第二比较结果识别被光子击中的闪烁晶体的位置。
可选的，所述第一信号输出端还与第一能量获取电路连接，所述第一能量获取电路用于获取所述第一信号输出端输出的信号的能量，所述第一能量获取电路的个数小于或等于所述第一信号输出端的个数。
可选的，所述装置还包括合并电路，所述第一信号输出端均与所述合并电路连接，所述合并电路与所述第一能量获取电路连接；
所述合并电路，用于合并所述第一信号输出端输出的信号，得到合并后信号；
所述第一能量获取电路，具体用于获取所述合并后信号的能量。
可选的，当所述多个硅半导体探测单元的各个阳极均分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接时，所述多个硅半导体探测单元的各个阴极共同作为一个第二信号输出端与第二能量获取电路连接；
所述第二能量获取电路，用于获取所述第二信号输出端输出的信号的能量。
第二方面，本申请提供了一种正电子发射计算机断层显像探测器装置，该装置包括硅半导体探测阵列，所述硅半导体探测阵列包括多个硅半导体探测单元；
所述多个硅半导体探测单元的各个阴极均与电源相连；所述多个硅半导体探测单元的各个阴极均分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接，所述时间检测电路用于检测光子的接收时间，所述时间检测电路的个数多于一个且少于或等于所述第一信号输出端的个数，所述多个硅半导体探测单元的阳极接地。
可选的，所述时间检测电路包括第一比较电路和时间检测子电路，所述第一比较电路与所述时间检测子电路连接；
所述第一比较电路，用于将所述第一信号输出端输出信号的电压与第一门限电压进行比较，得到第一比较结果；
所述时间检测子电路，用于根据所述第一比较结果检测所述光子的接收时间。
可选的，所述第一信号输出端还与一一对应的晶体位置识别电路连接，所述晶体位置识别电路用于识别被光子击中的闪烁晶体的位置，所述闪烁晶体与所述多个硅半导体探测单元中的一个硅半导体探测单元耦合。
可选的，所述晶体位置识别电路包括第二比较电路和晶体位置识别子电路，所述第二比较电路和所述晶体位置识别子电路连接；
所述第二比较电路，用于将所述第一信号输出端输出信号的电压与第二门限电压进行比较，得到第二比较结果；
所述晶体位置识别子电路，用于根据所述第二比较结果识别被光子击中的闪烁晶体的位置。
可选的，所述第一信号输出端还与第一能量获取电路连接，所述第一能量获取电路用于获取所述第一信号输出端输出的信号的能量，所述第一能量获取电路的个数小于或等于所述第一信号输出端的个数。
可选的，所述装置还包括合并电路，所述第一信号输出端均与所述合并电路连接，所述合并电路与所述第一能量获取电路连接；
所述合并电路，用于合并所述第一信号输出端输出的信号，得到合并后信号；
所述第一能量获取电路，具体用于获取所述合并后信号的能量。
可选的，所述当所述多个硅半导体探测单元的各个阴极均分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接时，所述多个硅半导体探测单元的各个阳极共同作为一个第三信号输出端与第三能量获取电路连接；
所述第三能量获取电路，用于获取所述第三信号输出端输出的信号的能量。
可选的，所述第一能量获取电路包括放大子电路、采样子电路、第一能量获取子电路；所述合并电路与所述放大子电路连接，所述放大子电路与所述采样子电路连接，所述采样子电路与所述第一能量获取子电路连接；
所述放大子电路，用于放大所述合并电路输出端输出的合并后信号，得到放大后的合并后信号；
所述采样子电路，用于采集所述放大子电路输出端输出的放大后的合并后信号，得到采集信号；
所述第一能量获取子电路，用于获取所述采样子电路输出端输出的采样信号的能量。
可见，本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器装置，该装置包括了硅半导体探测阵列，该硅半导体探测阵列包括多个硅半导体探测单元。其中，该多个硅半导体探测单元的各个阴极均与电源相连；该多个硅半导体探测单元的各个阳极均分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接。其中，时间检测电路的个数多于一个且少于或等于该第一信号输出端的个数，这样，通过减少连接同一个时间检测电路的硅半导体探测单元的数量，以减弱采集脉冲信号的硅半导体探测单元的电容效应，从而降低脉冲信号中高频部分的衰减程度，提高光子接收时间的检测准确度。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请提供的一种硅光电倍增器的示意图；
图2为本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器实施例一中以1×n的硅半导体探测阵列为例的示意图；
图3为本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器实施例一中时间检测电路的硬件示意图；
图4为本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器实施例一中第一信号输出端与时间检测电路的连接示意图；
图5为本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器实施例二中晶体位置识别电路的硬件示意图；
图6为本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器实施例三中以1×n的硅半导体探测阵列为例的示意图；
图7为本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器实施例四中以1×n的硅半导体探测阵列为例的示意图；
图8为本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器实施例四中第一能量获取电路的硬件示意图；
图9为本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器实施例五中以1×n的硅半导体探测阵列为例的示意图；
图10为本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器实施例六中以1×n的硅半导体探测阵列为例的示意图；
图11为本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器实施例八中以1×n的硅半导体探测阵列为例的示意图；
图12为本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器实施例九中以1×n的硅半导体探测阵列为例的示意图；
图13为本申请提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器实施例十中以1×n的硅半导体探测阵列为例的示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
介绍具体实施方式之前，首先介绍一下获取伽马光子的接收时间的意义。
由于同位素标记药物通常是人工放射性核素，当把同位素标记药物注入到人体内后，人工放射性核素在衰变过程中会产生正电子。这些正电子在人体内移动大约lmm后将会与人体内的负电子结合发生湮灭辐射，正负电子湮灭时产生两个能量相同(511keV)方向相反的伽马(γ)光子。
由于两个伽马光子在体内的路径不同，到达两个核探测器的时间也有一定差别，如果在规定的时间窗内(一般为3～4.5ns)，核探测器检测到两个互成180度(可以在上下0.25度范围内)的伽马光子时，即为一个符合事件。只有符合事件才能进行后续的图像重建。由此可见，获取伽马光子到达核探测器的时间，也就是核探测器接收伽马光子的时间是判断符合事件的重要要素。
另一方面，基于飞行时间(Time-of-Flight，以下简称TOF)的PET图像重建成为PET技术发展的一个重要方向，和传统PET相比，TOF PET能够显著提高图像信噪比，减少采集时间以及降低药物剂量，在临床上具有重大优势。而TOF PET对系统性能的提升程度，也是和探测器时间测量精度是直接相关的。
为了实现对伽马光子接收时间的检测，目前的方式是在利用硅半导体探测器对伽马光子的捕获时间进行检测的过程中，对硅半导体探测单元采用共用阴极的方式采集脉冲信号。在这种方式中，所有硅半导体探测单元进行并联，且硅半导体探测单元的阴极连接，由于并联的硅半导体探测单元越多，其电容效应越强，进而会导致通过共用硅半导体探测单元的阴极采集脉冲信号时，脉冲信号中的高频部分被严重衰减，而检测时间所需要的恰恰就是脉冲信号的高频部分，因此，这种传统方式会导致伽马光子接收时间检测不准确。
为解决上述问题，本申请提供了一种正电子发射计算机断层显像探测器装置，该装置可以包括硅半导体探测阵列，比如可以是由多个SiPM传感器组成的SiPM传感器阵列(SiPM sensor array)，通过调整用于采集脉冲信号的硅半导体探测单元的数量，例如每一个硅半导体探测单元均可以独立采集脉冲信号，以减弱其电容效应，从而降低脉冲信号中高频部分的衰减程度，提高伽马光子接收时间的检测准确度。
接下来，将结合附图来详细说明本申请实施例提供的正电子发射计算机断层显像探测器装置。
装置实施例一：
本实施例提供的正电子发射计算机断层显像探测器装置可以包括：硅半导体探测阵列，该硅半导体探测阵列可以包括多个硅半导体探测单元。其中，该多个硅半导体探测单元的各个阴极均可以与电源相连；该多个硅半导体探测单元的各个阳极均可以分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接，该时间检测电路可以用于检测光子的接收时间，且该时间检测电路的个数多于一个且少于或等于所述第一信号输出端的个数。
需要说明的是，硅半导体探测阵列可以与闪烁晶体阵列耦合，例如硅半导体探测阵列可以通过光学粘合剂与闪烁晶体阵列耦合。其中，该闪烁晶体阵列中的闪烁晶体的数量可以与该硅半导体探测阵列中的硅半导体探测单元的数量相同，即闪烁晶体的数量和硅半导体探测单元的数量之比为1:1。可以理解的是，闪烁晶体阵列中的闪烁晶体和硅半导体探测阵列中的硅半导体探测单元是一一对应耦合的。并且，闪烁晶体阵列中的闪烁晶体的种类可以包括以下至少一种：硅酸钇镥闪烁晶体(LYSO)、硅酸镥闪烁晶体(LSO)、镥精细硅酸盐(LFS)、溴化镧(LuBr3)、钆铝镓基石榴石(GAGG)、锗酸铋(BGO)。
下面以1×n的硅半导体探测阵列为例介绍该正电子发射计算机断层显像探测器装置的工作原理。
参见图2，在该图中，该硅半导体探测阵列可以包括n个硅半导体探测单元，其中，n为大于或等于2的整数。其中，硅半导体探测单元可以包括多个工作在盖革模式的雪崩二极管(Avalanche diode，APD)。
硅半导体探测单元S11与电源连接的一端为阴极，硅半导体探测单元S11接地的一端为阳极，且该阳极可以作为一个第一信号输出端，该第一信号输出端可以与对应的时间检测电路连接，且该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端可以引出电信号，并将该电信号引出至该硅半导体探测单元S11对应的时间检测电路。具体地，在一种实现方式中，硅半导体探测单元S11的阳极(即第一信号输出端)可以接地，例如，结点a表示第一信号输出端，该硅半导体探测单元S11对应的时间检测电路可以与结点a连接，并且该结点a可以经由一个电阻接地，这样，该结点a便可以将电压信号引出至与其对应的时间检测电路。在一种实现方式中，硅半导体探测单元S11的阳极(即第一信号输出端)可以不接地，而是直接与其对应的时间检测电路连接，例如，该结点a也可以不接地，直接与时间检测电路连接，这样，结点a便可以将电流信号引出至该时间检测电路。其他硅半导体探测单元与电源、对应的接地极之间的连接方式与硅半导体探测单元S11的连接方式相同。
需要说明的是，在该图中，时间检测电路可以有m个，即从时间检测电路101至10m，其中，m为正整数，且1＜m≤n。当1＜m＜n时，一个时间检测电路可以对应1至n-1个硅半导体探测单元的第一信号输出端，即一个时间检测电路可以对应一个或多个硅半导体探测单元的第一信号输出端，比如，时间检测电路101可以只与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端连接，也可以与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端和硅半导体探测单元S12的第一信号输出端同时连接；当m＝n时，一个时间检测电路可以分别对应一个硅半导体探测单元的第一信号输出端，即时间检测电路与硅半导体探测单元的第一信号输出端之间具有一一对应的关系，比如，时间检测电路101只可以与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端连接。
接下来，以时间检测电路101为例来介绍时间检测电路的工作原理。
在本实施例中，时间检测电路101可以与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端连接。当该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体被伽马光子击中，该闪烁晶体可以将高能伽马光子转换成可见光信号，该硅半导体探测单元S11可以将该闪烁晶体产生的可见光信号转换为电信号。其中，硅半导体探测单元S11可以由多个工作在盖革模式下的雪崩二极管(APD)组成，当雪崩二极管受到可见光激发导通时，该电信号可以从雪崩二极管的阴极流向阳极。由于结点a经由一电阻接地，因此，该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端可以将该电信号传送至该时间检测电路101，该时间检测电路101获取到该电信号后，可以根据该电信号检测伽马光子的接收时间。其中，闪烁晶体可以与硅半导体探测阵列中的一个硅半导体探测单元耦合，比如，该闪烁晶体可以只与硅半导体探测单元S11耦合，也可以只与硅半导体探测单元S12耦合，当然，还可以只与其它硅半导体探测单元耦合。
由于在实际应用中，在该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体没有被伽马光子击中的情况下，由于某些类型闪烁晶体自身的辐射和硅半导体探测单元的暗计数，该硅半导体探测单元S11也会有微弱的电信号产生，因此，时间检测电路101也可能接收到电信号。为了能够得到伽马光子击中闪烁晶体的时间，在一种可能的实施方式中，如图3所示，该时间检测电路101可以包括第一比较电路201和时间检测子电路202，其中，该时间检测子电路202可以包括时间数字转换器(Time to Digital Convert，TDC)。该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端可以与该时间检测电路101的第一比较电路201连接，该第一比较电路201可以与该时间检测子电路202连接。本实施例可以通过第一比较电路201将该第一信号输出端所输出信号的电压与该第一比较电路201对应的第一门限电压进行比较，得到第一比较结果，并可以将该第一比较结果发送给该时间检测子电路202；时间检测子电路202得到该比较结果后，可以根据该第一比较结果对该伽马光子击中闪烁晶体的时间进行检测，比如可以通过TDC根据该第一比较结果对该被伽马光子击中的闪烁晶体的时间进行检测。
需要说明的是，该第一比较电路201可以是模拟比较电路，也可以是数字比较电路。其中，本申请实施例不对该第一比较电路201在硬件上的实现进行限定，例如，在一种可能的实现方式中，可以采用处理器进行比较计算；在另外一种可能的实现方式中，还可以采用比较器进行比较，即该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端输出信号可以作为该比较器的输入，若该第一信号输出端输出信号的电压大于或等于该比较器对应的门限电压，则该比较器输出端输出信号可以由低电平信号跳变成高电平信号，若该第一信号输出端输出信号的电压小于该比较器对应的门限电压，则该比较器输出端输出信号可以保持为低电平信号或者不输出任何电平翻转信号。当输出高电平信号时，TDC可以根据检测到的该高电平信号跳变时间对伽马光子接收时间进行检测。
其他时间检测电路的工作原理与该时间检测电路101的工作原理相同。
在一种可能的实现方式中，如图4所示，硅半导体探测单元S11的第一信号输出端与对应的时间检测电路101之间还可以经由一个放大器100连接，该放大器100可以用于放大该第一信号输出端输出的信号，然后将放大后的信号输入至该时间检测电路101中。其他硅半导体探测单元与放大器之间的连接方式与硅半导体探测单元S11的连接方式相同。
在一种可能的实现方式中，时间检测电路还可以包括采样电路，所述采样电路可以用于按照一定频率对第一信号输出端输出的信号或放大后信号进行采样，得到采样信号。所述采样信号可以被输入至TDC，以使TDC根据采样信号对伽马光子接收时间进行检测。可选的，该采样电路可以与采样频率控制电路连接，该采样频率控制电路可以用于控制该采样电路对第一信号输出端输出的信号或放大后信号进行采样的频率。
另外，可选的，电源可以经由一个电容接地，该电容可以用于对电源输出的信号进行滤波。
可见，本申请实施例提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器装置，该装置可以包括硅半导体探测阵列，该硅半导体探测阵列可以包括多个硅半导体探测单元。其中，该多个硅半导体探测单元的各个阴极均可以与电源相连；该多个硅半导体探测单元的各个阳极均可以分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接。其中，时间检测电路的个数多于一个且少于或等于该第一信号输出端的个数，这样，可以通过减少连接同一个时间检测电路的硅半导体探测单元的数量，以减弱采集脉冲信号的硅半导体探测单元的电容效应，从而降低脉冲信号中高频部分的衰减程度，提高光子接收时间的检测准确度。
在PET数据获取过程中，需要获取两个伽马光子达到PET探测器的时间差满足一定的条件，同时，也需要获取探测器接收到伽马光子的能量信息和位置信息，用于排除散射事件和确定响应线(LOR)。下面就介绍如何识别对被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
装置实施例二：
本实施例提供了一种正电子发射计算机断层显像探测器装置，基于装置实施例一，多个硅半导体探测单元的各个第一信号输出端还可以与一一对应的晶体位置识别电路连接，该晶体位置识别电路可以用于识别被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
接下来，继续以装置实施例一中的硅半导体探测单元S11为例，来介绍晶体位置识别电路的工作原理。
硅半导体探测单元S11的第一信号输出端还可以与其一一对应的晶体位置识别电路连接。当该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体被伽马光子击中，该闪烁晶体可以将高能伽马光子转换成可见光信号，该硅半导体探测单元S11会将该闪烁晶体产生的可见光信号转换为电信号，并且该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端还可以将该电信号传送至与该硅半导体探测单元S11对应的晶体位置识别电路，该晶体位置识别电路可以根据该电信号识别该被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
由于在实际应用中，在该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体没有被伽马光子击中的情况下，由于某些类型闪烁晶体自身辐射和硅半导体探测单元暗计数，该硅半导体探测单元S11也会有微弱的电信号产生，因此，该硅半导体探测单元S11对应的晶体位置识别电路也会接收到该电信号。为了能够得到被光子击中的闪烁晶体的位置，在一种可能的实施方式中，如图5所示，该晶体位置识别电路可以包括第二比较电路401和晶体位置识别子电路402。该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端可以与该晶体位置识别电路的第二比较电路401连接，该第二比较电路401可以与该晶体位置识别子电路402连接。本实施例中，第二比较电路401可以将该第一信号输出端输出信号的电压与该第二比较电路401对应的第二门限电压进行比较，得到第二比较结果，并将该第二比较结果发送给该晶体位置识别子电路402；该晶体位置识别子电路402得到该第二比较结果后，可以根据该第二比较结果识别被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
需要说明的是，该第二比较电路401可以是模拟比较电路，也可以是数字比较电路。其中，本申请实施例不对该第二比较电路401在硬件上的实现进行限定，例如，在一种可能的实现方式中，可以采用处理器进行比较计算。在另外一种可能的实现方式中，还可以采用比较器进行比较，即该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端输出信号作为该比较器的输入，若该第一信号输出端输出的电压大于或等于该比较器对应的门限电压，则该比较器输出端输出信号可以由低电平信号跳变成高电平信号，若所该第一信号输出端输出信号的电压小于该比较器对应的门限电压，则该比较器输出端输出信号可以保持为低电平信号或者不输出任何电平翻转信号；相应地，晶体位置识别子电路402可以读取该比较器(即第二比较电路401)输出的比较结果，若该比较结果为高电平信号，则可以将与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端对应的闪烁晶体识别为被伽马光子击中的闪烁晶体，这样，便可以识别出被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
在本申请实施例的一种实现方式中，第二比较电路401与第一比较电路201可以为同一个比较电路，并且，该比较电路的两条支路可以分别与时间检测电路和晶体位置识别电路连接。这样，该比较电路在获取到第一信号输出端输出的信号后，可以将该信号的电压与该比较电路对应的门限电压进行比较，得到一比较结果，并可以将该比较结果同时向时间检测电路和晶体位置识别电路发送。时间检测电路得到该比较结果后，可以根据该比较结果对被光子击中的闪烁晶体的时间进行检测，而晶体位置识别电路得到该比较结果后，可以根据该比较结果识别被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
其他硅半导体探测单元与其对应的晶体位置识别电路之间的连接方式与硅半导体探测单元S11的连接方式相同。并且，其他晶体位置识别电路的工作原理与该硅半导体探测单元S11对应的晶体位置识别电路的工作原理相同。
可见，本申请实施例中，正电子发射计算机断层显像探测器装置还可以包括与硅半导体探测单元一一对应的晶体位置识别电路，这样，不仅可以准确地检测到伽马光子接收时间，还可以得到被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
在实际应用中，为了快速对符合事件进行判定，除了获取伽马光子的接收时间差和接收的闪烁晶体的位置，还需要判断伽马光子的能量是否满足一定的条件。如前文所述，在理想情况下，每个伽马光子的能量为511keV，由于伽马光子在人体内运动或击中闪烁晶体的过程中可能会发生散射现象，或者被伽马光子击中的闪烁晶体也会接收到另一个伽马光子散射的能量，这些事件需要通过能量窗筛选进行排除。所以通常情况下会预设一个能量范围(例如400keV-600keV)，若被伽马光子击中的闪烁晶体产生的信号的能量在该预设的能量范围内，则可以认为该事件为一个有效事件，若超出该预设的能量范围，则可以认为该事件为一个无效事件。令只有有效事件才能参与符合事件的判定，可以加速对符合事件的判定效率。由此可见，信号的能量也是判断符合事件的重要要素。
下面介绍如何获取信号的能量。
装置实施例三：
为了能够获取该硅半导体探测单元的第一信号输出端输出的信号的能量，本实施例提供了一种正电子发射计算机断层显像探测器装置，基于装置实施例一，多个硅半导体探测单元的各个第一信号输出端还可以与第一能量获取电路连接，该第一能量获取电路可以用于获取该第一信号输出端输出的信号的能量，该第一能量获取电路的个数小于或等于所述第一信号输出端的个数。
接下来，继续以装置实施例一中的1×n的硅半导体探测阵列为例，来介绍第一能量获取电路的工作原理。
参见图6，在该图中，第一能量获取电路可以有p个，包括第一能量获取电路501至50p，其中，p为正整数，且1≤p≤n。当1≤p＜n时，一个第一能量获取电路可以对应1至p-1个硅半导体探测单元的第一信号输出端，即一个第一能量获取电路可以对应一个或多个硅半导体探测单元的第一信号输出端，比如，第一能量获取电路501可以只与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端连接，也可以与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端和硅半导体探测单元S12的第一信号输出端同时连接；当p＝n时，一个第一能量获取电路可以分别对应一个硅半导体探测单元的第一信号输出端，即第一能量获取电路与硅半导体探测单元的第一信号输出端之间具有一一对应的关系，比如，第一能量获取电路501只可以与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端连接。
接下来，以第一能量获取电路501为例来介绍第一能量获取电路的工作原理。
在本实施例中，第一能量获取电路501可以与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端连接。当该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体被伽马光子击中，该闪烁晶体可以将伽马光子能量转换成可见光信号，该硅半导体探测单元S11可以将该闪烁晶体产生的可见光信号转换为电信号，因此，该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端可以将该电信号传送至该第一能量获取电路501，这样，该第一能量获取电路501便可以获取该电信号的能量。其他第一能量获取电路的工作原理与该第一能量获取电路501的工作原理相同。
在一种实现方式中，第一能量获取电路还可以与时间检测电路或晶体位置识别电路连接。当时间检测电路输出端或晶体位置识别电路输出端输出信号时，第一能量获取电路便可以获取能量。
可见，本申请实施例中，正电子发射计算机断层显像探测器还可以包括第一能量获取电路，由于多个硅半导体探测单元的各个第一信号输出端还可以与第一能量获取电路连接。这样，不仅可以准确地检测到光子接收时间，还可以获取第一信号输出端输出的信号的能量。
装置实施例四：
为了能够获取该硅半导体探测单元的第一信号输出端输出的信号的能量，本实施例提供了一种正电子发射计算机断层显像探测器装置，基于装置实施例三，该装置还可以包括合并电路，多个硅半导体探测单元的各个第一信号输出端均与该合并电路连接，该合并电路可以与第一能量获取电路连接；该合并电路，可以用于合并该多个硅半导体探测单元的各个第一信号输出端输出的信号，得到合并后信号；该第一能量获取电路，具体可以用于获取该合并后信号的能量。
接下来，继续以装置实施例三中的第一能量获取电路501与硅半导体探测单元S11、S12、…、S1n为例，来介绍合并电路的工作原理。
参见图7，在该图中，第一能量获取电路只有一个，即第一能量获取电路501。硅半导体探测单元S11、S12、…、S1n的各个第一信号输出端均可以与合并电路601连接，该合并电路601可以与第一能量获取电路501连接。其中，该合并电路601可以包括以下一种或多种硬件：与门、加法器。当然，可以理解的是，该合并电路也可以采用模拟电路的形式实现。
一般情况下，在某一个时刻，一个晶体阵列中只可以有一个闪烁晶体被伽马光子击中，因此，在所有硅半导体探测阵列的多个硅半导体探测单元中，只有一个硅半导体探测单元能够输出信号。假设该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体被伽马光子击中，该闪烁晶体可以将伽马光子能量转换成可见光信号，该硅半导体探测单元S11可以将该闪烁晶体产生的可见光信号转换为电信号，并且该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端可以将该电信号传送至该合并电路601。在实际应用中，在硅半导体探测单元对应的闪烁晶体没有被伽马光子击中的情况下，由于某些类型晶体自身辐射和硅半导体探测单元暗计数，该硅半导体探测单元也会有微弱的电信号产生，其他硅半导体探测单元也可以将各自的第一信号输出端输出的电信号传送至该合并电路601。该合并电路601可以通过合并各个第一信号输出端输出的电信号，得到合并后信号，并可以将该合并后信号传送至第一能量获取电路501。该第一能量获取电路501在获取到该合并后信号后，便可以获取该合并后信号的能量。
进一步地，在本实施例的一种可能的实施方式中，如图8所示，该第一能量获取电路501还可以包括放大子电路701、采样子电路702、第一能量获取子电路703，其中，该第一能量获取子电路703可以包括模拟数字转换器(Analog to Digital Convert，ADC)。其中，该放大子电路701可以与该采样子电路702连接，该采样子电路702可以与第一能量获取子电路703连接。本实施例中，放大子电路701在获取到合并后信号之后，可以对该合并后信号进行放大，得到放大后的合并后信号，并可以将该放大后的合并后信号传送给该采样子电路702；该采样子电路702获取到该放大后的合并后信号，可以对该放大后的合并后信号进行采样，得到采样信号，并可以将该采样信号传送给该第一能量获取子电路703；该第一能量获取子电路703获取到该采样信号后，可以获取该采样信号的能量，比如可以利用ADC获取该采样信号的能量。需要说明的是，该放大电路可以是硬件放大电路，比如可以是放大器。
其他第一能量获取电路的工作原理与该第一能量获取电路501的工作原理相同。
装置实施例五：
本实施例提供了一种正电子发射计算机断层显像探测器，基于装置实施例一，该装置中多个硅半导体探测单元的各个阴极共同作为一个第二信号输出端与第二能量获取电路连接；该第二能量获取电路，可以用于获取该第二信号输出端输出的信号的能量。
接下来，继续以装置实施例一中的1×n的硅半导体探测阵列为例。
参见图9，在该图中，第二能量获取电路只有一个，即第二能量获取电路801。硅半导体探测单元S11、S12、…、S1n的各个阴极共同作为一个第二信号输出端，且该第二信号输出端与第二能量获取电路801连接。
一般情况下，在某一个时刻，一个晶体阵列中只可以有一个闪烁晶体被伽马光子击中，因此，在所有硅半导体探测阵列的多个硅半导体探测单元中，只有一个硅半导体探测单元的阴极能够输出信号。假设该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体被伽马光子击中，该闪烁晶体可以将伽马光子能量转换成可见光信号，该硅半导体探测单元S11可以通过该第二信号输出端将信号传送至该第二能量获取电路801。由于在实际应用中，在硅半导体探测单元对应的闪烁晶体没有被伽马光子击中的情况下，由于某些类型晶体自身辐射和硅半导体探测单元暗计数，该硅半导体探测单元也会有微弱的电信号产生，其他硅半导体探测单元也可以将各自的信号通过该第二信号输出端传送至该第二能量获取电路801。这样，该第二能量获取电路801便可以获取到该第二信号输出端输出的信号的能量。
需要说明的是，第二能量获取电路801与第一能量获取电路501相似，也可以包括放大子电路、采样子电路和能量获取子电路。具体地，可以参照第一能量获取电路501的放大子电路701、采样子电路702以及第一能量获取子电路703的相关介绍，在这里不再赘述。
上述装置实施例一至装置实施例五中的正电子发射计算机断层显像探测器装置均是以硅半导体探测单元的阳极作为第一信号输出端时的具体实现方式。在以下实施例中，将介绍以硅半导体探测单元的阴极作为第一信号输出端时的具体实现方式。
装置实施例六：
本实施例提供的正电子发射计算机断层显像探测器装置可以包括：硅半导体探测阵列，该硅半导体探测阵列可以包括多个硅半导体探测单元。其中，该多个硅半导体探测单元的各个阴极均可以与电源相连；该多个硅半导体探测单元的各个阴极均可以分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接，该时间检测电路可以用于检测伽马光子的接收时间，该时间检测电路的个数多于一个且少于或等于该第一信号输出端的个数，该多个硅半导体探测单元的阳极接地。
下面以1×n的硅半导体探测阵列为例介绍该正电子发射计算机断层显像探测器装置的工作原理。
参见图10，在该图中，该硅半导体探测阵列可以包括n个硅半导体探测单元，其中，n为大于或等于2的正整数。每个硅半导体探测单元可以包括多个工作在盖革模式的雪崩二极管(APD)。
硅半导体探测单元S11与电源连接的一端为阴极，且硅半导体探测单元S11的阴极与电源之间可以经由一个电阻连接，该阴极可以作为一个第一信号输出端，该第一信号输出端可以与对应的时间检测电路连接；硅半导体探测单元S11接地的一端为阳极，且硅半导体探测单元S11的阳极可以经由另一个电阻接地，例如，硅半导体探测单元S11至S1n各自阳极的公共连接点可以为结点b，并且该结点b可以经由该另一个电阻接地。其他硅半导体探测单元与电源、对应的接地极之间的连接方式与硅半导体探测单元S11的连接方式相同。
需要说明的是，在该图中，时间检测电路可以有m个，即从时间检测电路101至10m，其中，m为正整数，且1＜m≤n。当1＜m＜n时，一个时间检测电路可以对应1至n-1个硅半导体探测单元的第一信号输出端，即一个时间检测电路可以对应一个或多个硅半导体探测单元的第一信号输出端，比如，时间检测电路101可以只与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端连接，也可以与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端和硅半导体探测单元S12的第一信号输出端同时连接；当m＝n时，一个时间检测电路可以分别对应一个硅半导体探测单元的第一信号输出端，即时间检测电路与硅半导体探测单元的第一信号输出端之间具有一一对应的关系，比如，时间检测电路101只可以与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端连接。
接下来，以时间检测电路101为例来介绍时间检测电路的工作原理。
在本实施例中，时间检测电路101可以与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端连接。当该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体被伽马光子击中，该闪烁晶体可以将高能伽马光子转换成可见光信号，该硅半导体探测单元S11可以将该闪烁晶体产生的可见光信号转换为电信号，若硅半导体探测单元S11可以由多个工作在盖革模式下的雪崩二极管(APD)组成，当雪崩二极管受到可见光激发导通时，该电信号可以从雪崩二极管的阴极流向阳极。由于结点b经由一电阻接地，因此，该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端可以将该电信号传送至该时间检测电路101，该时间检测模101获取到该电信号后，可以根据该电信号检测伽马光子的接收时间。其中，闪烁晶体可以与硅半导体探测阵列中的一个硅半导体探测单元耦合，比如，该闪烁晶体可以只与硅半导体探测单元S11耦合，也可以只与硅半导体探测单元S12耦合，当然，还可以只与其它硅半导体探测单元耦合。
由于在实际应用中，在该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体没有被伽马光子击中的情况下，由于某些类型闪烁晶体自身的辐射和硅半导体探测单元的暗计数，该硅半导体探测单元S11也会有微弱的电信号产生，因此，时间检测电路101也可能接收到电信号。为了能够得到被伽马光子击中闪烁晶体的时间，在一种可能的实施方式中，如图3所示，该时间检测电路101可以包括第一比较电路201和时间检测子电路202，其中，该时间检测子电路202可以包括时间数字转换器(Time to Digital Convert，TDC)。该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端可以与该时间检测电路101的第一比较电路201连接，该第一比较电路201可以与该时间检测子电路202连接。本实施例可以通过第一比较电路201将该第一信号输出端所输出的电压与第一比较电路201对应的门限电压进行比较，得到比较结果，并可以将该比较结果发送给该时间检测子电路202；时间检测子电路202得到该比较结果后，可以根据该比较结果对该被伽马光子击中的闪烁晶体的时间进行检测，比如可以通过TDC根据该比较结果对该被伽马光子击中的闪烁晶体的时间进行检测。
需要说明的是，该第一比较电路201可以是模拟比较电路，也可以是数字比较电路。其中，本申请实施例不对该第一比较电路201在硬件上的实现进行限定，例如，在一种可能的实现方式中，可以采用处理器进行比较计算；在另外一种可能的实现方式中，还可以采用比较器进行比较，即该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端输出信号可以作为该比较器的输入，若该第一信号输出端输出信号的电压大于或等于该比较器对应的门限电压，则该比较器输出端输出信号由低电平信号跳变成高电平信号，若该第一信号输出端输出的电压小于该比较器对应的门限电压，则该比较器输出端输出信号可以保持为低电平信号或者不输出任何电平翻转信号。当输出高电平信号时，TDC可以根据检测到的该高电平信号跳变时间对伽马光子接收时间进行检测。
其他时间检测电路的工作原理与该时间检测电路101的工作原理相同。
在一种可能的实现方式中，如图4所示，硅半导体探测单元S11的第一信号输出端与对应的时间检测电路101之间还可以经由一个放大器100连接，该放大器100可以用于放大该第一信号输出端输出的信号，然后可以将放大后的信号输入至该时间检测电路101中。其他硅半导体探测单元与放大器之间的连接方式与硅半导体探测单元S11的连接方式相同。
在一种可能的实现方式中，时间检测电路还可以包括采样电路，所述采样电路可以用于按照一定频率对第一信号输出端输出的信号或放大后信号进行采样，得到采样信号。所述采样信号可以被输入至TDC，以使TDC根据采样信号对伽马光子接收时间进行检测。可选的，该采样电路可以与采样频率控制电路连接，该采样频率控制电路可以用于控制该时间检测电路对第一信号输出端输出的信号或放大后信号进行采样的频率。
另外，可选的，电源可以经由一个电容接地，该电容可以用于对电源输出的信号进行滤波。
可见，本申请实施例提供的一种正电子发射计算机断层显像探测器，该装置可以包括硅半导体探测阵列，该硅半导体探测阵列可以包括多个硅半导体探测单元。其中，该多个硅半导体探测单元的各个阴极均可以与电源相连，并且，该多个硅半导体探测单元的各个阴极均可以分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接，该多个硅半导体探测单元的阳极接地。其中，时间检测电路的个数多于一个且少于或等于该第一信号输出端的个数，这样，可以通过减少连接同一个时间检测电路的硅半导体探测单元的数量，以减弱采集脉冲信号的硅半导体探测单元的电容效应，从而降低脉冲信号中高频部分被衰减程度，提高伽马光子接收时间的检测准确度。
装置实施例七：
本实施例提供了一种正电子发射计算机断层显像探测器，基于装置实施例六，多个硅半导体探测单元的各个第一信号输出端还可以与一一对应的晶体位置识别电路连接，该晶体位置识别电路可以用于识别被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
接下来，继续以装置实施例六中的硅半导体探测单元S11为例，来介绍晶体位置识别电路的工作原理。
硅半导体探测单元S11的第一信号输出端还可以与其一一对应的晶体位置识别电路连接。当该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体被伽马光子击中，该闪烁晶体可以将高能伽马光子转换成可见光信号，该硅半导体探测单元S11可以将该闪烁晶体产生的可见光信号转换为电信号，并且该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端还可以将该电信号传送至与该硅半导体探测单元S11对应的晶体位置识别电路，该晶体位置识别电路可以根据该电信号识别该被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
由于在实际应用中，在该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体没有被伽马光子击中的情况下，由于某些类型闪烁晶体自身辐射和硅半导体探测单元暗计数，该硅半导体探测单元S11也会有微弱的电信号产生，因此，该硅半导体探测单元S11对应的晶体位置识别电路也可以接收到该电信号。为了能够得到被伽马光子击中的闪烁晶体的位置，在一种可能的实施方式中，如图5所示，该晶体位置识别电路可以包括第二比较电路401和晶体位置识别子电路402。该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端可以与该晶体位置识别电路的第二比较电路401连接，该第二比较电路401可以与该晶体位置识别子电路402连接。本实施例中，第二比较电路401可以将该第一信号输出端输出信号的电压与该第二比较电路401对应的第二门限电压进行比较，得到第二比较结果，并将该第二比较结果发送给该晶体位置识别子电路402；该晶体位置识别子电路402得到该第二比较结果后，可以根据该第二比较结果识别被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
需要说明的是，该第二比较电路401可以是硬件比较电路，可以由软件实现。其中，本申请实施例不对该第二比较电路401在硬件上的实现进行限定，例如，在一种可能的实现方式中，可以采用处理器进行比较计算。在另外一种可能的实现方式中，还可以采用比较器进行比较，即该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端输出信号作为该比较器的输入，若该第一信号输出端输出的电压大于或等于该比较器对应的门限电压，则该比较器输出端输出信号由低电平信号跳变成高电平信号，若所该第一信号输出端输出信号的电压小于该比较器对应的门限电压，则该比较器输出端输出信号可以保持为低电平或者不输出任何翻转电平；相应地，晶体位置识别子电路402可以读取该比较器(即第二比较电路401)输出的比较结果，若该比较结果为高电平，则可以将与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端对应的闪烁晶体识别为被伽马光子击中的闪烁晶体，这样，便可以识别出被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
在本申请实施例的一种实现方式中，第二比较电路401与第一比较电路201可以为同一个比较电路，并且，该比较电路的两条支路可以分别与时间检测电路和晶体位置识别电路连接。这样，该比较电路在获取到第一信号输出端输出的信号后，可以将该信号的电压与该比较电路对应的门限电压进行比较，得到一比较结果，并可以将该比较结果同时向时间检测电路和晶体位置识别电路发送。时间检测电路得到该比较结果后，可以根据该比较结果对被伽马光子击中的闪烁晶体的时间进行检测，而晶体位置识别电路得到该比较结果后，可以根据该比较结果识别被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
其他硅半导体探测单元与其对应的晶体位置识别电路之间的连接方式与硅半导体探测单元S11的连接方式相同。并且，其他晶体位置识别电路的工作原理与该硅半导体探测单元S11对应的晶体位置识别电路的工作原理相同。
可见，本申请实施例中，正电子发射计算机断层显像探测器还可以包括与硅半导体探测单元一一对应的晶体位置识别电路，这样，不仅可以准确地检测到伽马光子接收时间，还可以得到被伽马光子击中的闪烁晶体的位置。
装置实施例八：
为了能够获取该硅半导体探测单元的第一信号输出端输出的信号的能量，本实施例提供了一种正电子发射计算机断层显像探测器，基于装置实施例六，多个硅半导体探测单元的各个第一信号输出端还可以与第一能量获取电路连接，该第一能量获取电路可以用于获取该第一信号输出端输出的信号的能量，该第一能量获取电路的个数小于或等于所述第一信号输出端的个数。
接下来，继续以装置实施例六中的1×n的硅半导体探测阵列为例，来介绍第一能量获取电路的工作原理。
参见图11，在该图中，第一能量获取电路可以有p个，包括第一能量获取电路501至50p，其中，p为正整数，且1≤p≤n。当1≤p＜n时，一个第一能量获取电路可以对应1至p-1个硅半导体探测单元的第一信号输出端，即一个第一能量获取电路可以对应一个或多个硅半导体探测单元的第一信号输出端，比如，第一能量获取电路501可以只与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端连接，也可以与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端和硅半导体探测单元S12的第一信号输出端同时连接；当p＝n时，一个第一能量获取电路可以分别对应一个硅半导体探测单元的第一信号输出端，即第一能量获取电路与硅半导体探测单元的第一信号输出端之间具有一一对应的关系，比如，第一能量获取电路501只可以与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端连接。
接下来，以第一能量获取电路501为例来介绍第一能量获取电路的工作原理。
在本实施例中，第一能量获取电路501可以与硅半导体探测单元S11的第一信号输出端连接。当该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体被伽马光子击中，该闪烁晶体可以将伽马光子能量转换成可见光信号，该硅半导体探测单元S11可以将该闪烁晶体产生的可见光信号转换为电信号，由于结点b经由一电阻接地，因此，该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端可以将该电信号传送至该第一能量获取电路501，这样，该第一能量获取电路501便可以获取该电信号的能量。其他第一能量获取电路的工作原理与该第一能量获取电路501的工作原理相同。
在一种实现方式中，第一能量获取电路还可以与时间检测电路或晶体位置识别电路连接。当时间检测电路输出端或晶体位置识别电路输出端输出信号时，第一能量获取电路便可以获取能量。
可见，本申请实施例中，正电子发射计算机断层显像探测器还可以包括第一能量获取电路，由于多个硅半导体探测单元的各个第一信号输出端还可以与第一能量获取电路连接。这样，不仅可以准确地检测到伽马光子接收时间，还可以获取第一信号输出端输出的信号的能量。
装置实施例九：
为了能够获取该硅半导体探测单元的第一信号输出端输出的信号的能量，本实施例提供了一种正电子发射计算机断层显像探测器，基于装置实施例八，该装置还可以包括合并电路，多个硅半导体探测单元的各个第一信号输出端均可以与该合并电路连接，该合并电路可以与第一能量获取电路连接；该合并电路，可以用于合并该多个硅半导体探测单元的各个第一信号输出端输出的信号，得到合并后信号；该第一能量获取电路，具体可以用于获取该合并后信号的能量。
接下来，继续以装置实施例八中的第一能量获取电路501与硅半导体探测单元S11、S12、…、S1n为例，来介绍合并电路的工作原理。
参见图12，在该图中，第一能量获取电路只有一个，即第一能量获取电路501。硅半导体探测单元S11、S12、…、S1n的各个第一信号输出端均可以与合并电路601连接，该合并电路601可以与第一能量获取电路501连接。其中，该合并电路可以包括以下一种或多种硬件：与门、加法器。当然，可以理解的是，该合并电路也可以采用模拟电路的形式实现。
一般情况下，在某一个时刻，一个晶体阵列中只可以有一个闪烁晶体被伽马光子击中，因此，在所有硅半导体探测阵列的多个硅半导体探测单元中，只有一个硅半导体探测单元能够输出信号。假设该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体被伽马光子击中，该闪烁晶体可以将伽马光子能量转换成可见光信号，该硅半导体探测单元S11可以将该闪烁晶体产生的可见光信号转换为电信号，并且该硅半导体探测单元S11的第一信号输出端可以将该信号传送至该合并电路601。在实际应用中，在硅半导体探测单元对应的闪烁晶体没有被伽马光子击中的情况下，由于某些类型晶体自身辐射和硅半导体探测单元暗计数，该硅半导体探测单元也会有微弱的电信号产生，其他硅半导体探测单元也可以将各自的第一信号输出端输出的信号传送至该合并电路601。该合并电路601可以通过合并各个第一信号输出端输出的信号，得到合并后信号，并可以将该合并后信号传送至第一能量获取电路501。该第一能量获取电路501在获取到该合并后信号后，便可以获取该合并后信号的能量。
进一步地，在本实施例的一种可能的实施方式中，如图8所示，该第一能量获取电路501还可以包括放大子电路701、采样子电路702、第一能量获取子电路703，其中，该第一能量获取子电路703可以包括模拟数字转换器(Analog to Digital Convert，ADC)。其中，该放大子电路701可以与该采样子电路702连接，该采样子电路702可以与第一能量获取子电路703连接。本实施例中，放大子电路701在获取到合并后信号之后，可以对该合并后信号进行放大，得到放大后的合并后信号，并可以将该放大后的合并后信号传送给该采样子电路702；该采样子电路702获取到该放大后的合并后信号，可以对该放大后的合并后信号进行采样，得到采样信号，并可以将该采样信号传送给该第一能量获取子电路703；该第一能量获取子电路703获取到该采样信号后，可以获取该采样信号的能量，比如可以利用ADC获取该采样信号的能量。需要说明的是，该放大电路可以是硬件放大电路，比如可以是放大器。
其他第一能量获取电路的工作原理与该第一能量获取电路501的工作原理相同。
装置实施例十：
本实施例提供了一种正电子发射计算机断层显像探测器，基于装置实施例六，该装置中多个硅半导体探测单元的各个阳极共同作为一个第三信号输出端与第三能量获取电路连接；该第三能量获取电路，可以用于获取该第三信号输出端输出的信号的能量。
接下来，继续以装置实施例六中的1×n的硅半导体探测阵列为例。
参见图13，在该图中，第三能量获取电路只有一个，即第三能量获取电路901。硅半导体探测单元S11、S12、…、S1n的各个阳极共同作为一个第三信号输出端，且该第三信号输出端与第三能量获取电路901连接。
一般情况下，在某一个时刻，一个晶体阵列中只可以有一个闪烁晶体被伽马光子击中，因此，在所有硅半导体探测阵列的多个硅半导体探测单元中，只有一个硅半导体探测单元的阴极能够输出信号。假设该硅半导体探测单元S11对应的闪烁晶体被伽马光子击中，该闪烁晶体可以将伽马光子能量转换成可见光信号，该硅半导体探测单元S11可以通过该第三信号输出端将信号传送至该第三能量获取电路901。由于在实际应用中，在硅半导体探测单元对应的闪烁晶体没有被伽马光子击中的情况下，由于某些类型晶体自身辐射和硅半导体探测单元暗计数，该硅半导体探测单元也会有微弱的电信号产生，其他硅半导体探测单元也可以将各自的信号通过该第三信号输出端传送至该第三能量获取电路901。这样，该第三能量获取电路901便可以获取到该第三信号输出端输出的信号的能量。
需要说明的是，第三能量获取电路901与第一能量获取电路501相似，也可以包括放大子电路、采样子电路和能量获取子电路。具体地，可以参照第一能量获取电路501的放大子电路701、采样子电路702以及第一能量获取子电路703的相关介绍，在这里不再赘述。
当介绍本申请的各种实施例的元件时，冠词“一”、“一个”、“这个”和“所述”都意图表示有一个或多个元件。词语“包括”、“包含”和“具有”都是包括性的并意味着除了列出的元件之外，还可以有其它元件。
需要说明的是，本领域普通技术人员可以理解实现上述方法实施例中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的程序可存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，可包括如上述各方法实施例的流程。其中，所述存储介质可为磁碟、光盘、只读存储记忆体(Read-Only Memory,ROM)或随机存储记忆体(RandomAccess Memory,RAM)等。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于装置实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元及单元可以是或者也可以不是物理上分开的。另外，还可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元和单元来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (14)
1.一种正电子发射计算机断层显像探测器装置，其特征在于，包括硅半导体探测阵列，所述硅半导体探测阵列包括多个硅半导体探测单元；
所述多个硅半导体探测单元的各个阴极均与电源相连；所述多个硅半导体探测单元的各个阳极均分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接，所述时间检测电路用于检测光子的接收时间，所述时间检测电路的个数多于一个且少于或等于所述第一信号输出端的个数。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个硅半导体探测单元的阳极接地。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述时间检测电路包括第一比较电路和时间检测子电路，所述第一比较电路与所述时间检测子电路连接；
所述第一比较电路，用于将所述第一信号输出端输出信号的电压与第一门限电压进行比较，得到第一比较结果；
所述时间检测子电路，用于根据所述第一比较结果检测所述光子的接收时间。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一信号输出端还与一一对应的晶体位置识别电路连接，所述晶体位置识别电路用于识别被光子击中的闪烁晶体的位置，所述闪烁晶体与所述多个硅半导体探测单元中的一个硅半导体探测单元耦合。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一信号输出端还与第一能量获取电路连接，所述第一能量获取电路用于获取所述第一信号输出端输出的信号的能量，所述第一能量获取电路的个数小于或等于所述第一信号输出端的个数。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述装置还包括合并电路，所述第一信号输出端均与所述合并电路连接，所述合并电路与所述第一能量获取电路连接；
所述合并电路，用于合并所述第一信号输出端输出的信号，得到合并后信号；
所述第一能量获取电路，具体用于获取所述合并后信号的能量。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，当所述多个硅半导体探测单元的各个阳极均分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接时，所述多个硅半导体探测单元的各个阴极共同作为一个第二信号输出端与第二能量获取电路连接；
所述第二能量获取电路，用于获取所述第二信号输出端输出的信号的能量。
8.一种正电子发射计算机断层显像探测器装置，其特征在于，包括硅半导体探测阵列，所述硅半导体探测阵列包括多个硅半导体探测单元；
所述多个硅半导体探测单元的各个阴极均与电源相连；所述多个硅半导体探测单元的各个阴极均分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接，所述时间检测电路用于检测光子的接收时间，所述时间检测电路的个数多于一个且少于或等于所述第一信号输出端的个数，所述多个硅半导体探测单元的阳极接地。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述时间检测电路包括第一比较电路和时间检测子电路，所述第一比较电路与所述时间检测子电路连接；
所述第一比较电路，用于将所述第一信号输出端输出信号的电压与第一门限电压进行比较，得到第一比较结果；
所述时间检测子电路，用于根据所述第一比较结果检测所述光子的接收时间。
10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第一信号输出端还与一一对应的晶体位置识别电路连接，所述晶体位置识别电路用于识别被光子击中的闪烁晶体的位置，所述闪烁晶体与所述多个硅半导体探测单元中的一个硅半导体探测单元耦合。
11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述晶体位置识别电路包括第二比较电路和晶体位置识别子电路，所述第二比较电路和所述晶体位置识别子电路连接；
所述第二比较电路，用于将所述第一信号输出端输出信号的电压与第二门限电压进行比较，得到第二比较结果；
所述晶体位置识别子电路，用于根据所述第二比较结果识别被光子击中的闪烁晶体的位置。
12.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述第一信号输出端还与第一能量获取电路连接，所述第一能量获取电路用于获取所述第一信号输出端输出的信号的能量，所述第一能量获取电路的个数小于或等于所述第一信号输出端的个数。
13.根据权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置还包括合并电路，所述第一信号输出端均与所述合并电路连接，所述合并电路与所述第一能量获取电路连接；
所述合并电路，用于合并所述第一信号输出端输出的信号，得到合并后信号；
所述第一能量获取电路，具体用于获取所述合并后信号的能量。
14.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述当所述多个硅半导体探测单元的各个阴极均分别作为一个第一信号输出端与对应的时间检测电路连接时，所述多个硅半导体探测单元的各个阳极共同作为一个第三信号输出端与第三能量获取电路连接；
所述第三能量获取电路，用于获取所述第三信号输出端输出的信号的能量。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110389141A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-10-29 | 东软医疗系统股份有限公司 | 位置读出设备、方法及装置 |
| CN111694043A (zh) * | 2020-07-20 | 2020-09-22 | 中派科技（深圳）有限责任公司 | 光子测量装置及光子测量设备 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020036269A1 (en) * | 2000-07-30 | 2002-03-28 | Imarad Imaging Systems Ltd. | Gamma-ray detector for coincidence detection |
| CN1928591A (zh) * | 2005-09-09 | 2007-03-14 | 株式会社日立制作所 | 放射线检测模块、印刷电路板和放射线成像装置 |
| CN102859391A (zh) * | 2011-04-21 | 2013-01-02 | 株式会社东芝 | 电子设备以及输出方法 |
| CN104054326A (zh) * | 2012-03-29 | 2014-09-17 | 株式会社岛津制作所 | 半导体光电倍增元件 |
| US20170242136A1 (en) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Sensl Technologies Ltd. | Semiconductor photomultiplier with baseline restoration for a fast terminal signal output |
| CN107320121A (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-07 | 上海联影医疗科技有限公司 | 正电子发射断层成像光子探测装置 |
-
2018
- 2018-01-02 CN CN201810002909.9A patent/CN108294771B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020036269A1 (en) * | 2000-07-30 | 2002-03-28 | Imarad Imaging Systems Ltd. | Gamma-ray detector for coincidence detection |
| CN1928591A (zh) * | 2005-09-09 | 2007-03-14 | 株式会社日立制作所 | 放射线检测模块、印刷电路板和放射线成像装置 |
| CN102859391A (zh) * | 2011-04-21 | 2013-01-02 | 株式会社东芝 | 电子设备以及输出方法 |
| CN104054326A (zh) * | 2012-03-29 | 2014-09-17 | 株式会社岛津制作所 | 半导体光电倍增元件 |
| US20170242136A1 (en) * | 2016-02-19 | 2017-08-24 | Sensl Technologies Ltd. | Semiconductor photomultiplier with baseline restoration for a fast terminal signal output |
| CN107320121A (zh) * | 2016-04-29 | 2017-11-07 | 上海联影医疗科技有限公司 | 正电子发射断层成像光子探测装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110389141A (zh) * | 2019-07-19 | 2019-10-29 | 东软医疗系统股份有限公司 | 位置读出设备、方法及装置 |
| CN110389141B (zh) * | 2019-07-19 | 2022-04-05 | 东软医疗系统股份有限公司 | 位置读出设备、方法及装置 |
| CN111694043A (zh) * | 2020-07-20 | 2020-09-22 | 中派科技（深圳）有限责任公司 | 光子测量装置及光子测量设备 |
| CN111694043B (zh) * | 2020-07-20 | 2023-09-12 | 中派科技（深圳）有限责任公司 | 光子测量装置及光子测量设备 |
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