CN102565836B - 用于pet应用中的单独闪烁体读出的高密度比例模式apd阵列 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 5
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 6
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 10
- 238000002600 positron emission tomography Methods 0.000 description 9
- 238000012879 PET imaging Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 5
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000036541 health Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 3
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012217 radiopharmaceutical Substances 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 238000013170 computed tomography imaging Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 description 1
- 238000002224 dissection Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 210000002216 heart Anatomy 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 210000004072 lung Anatomy 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002503 metabolic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035790 physiological processes and functions Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003530 single readout Methods 0.000 description 1
- 230000026676 system process Effects 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/161—Applications in the field of nuclear medicine, e.g. in vivo counting
- G01T1/164—Scintigraphy
- G01T1/1641—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras
- G01T1/1642—Static instruments for imaging the distribution of radioactivity in one or two dimensions using one or several scintillating elements; Radio-isotope cameras using a scintillation crystal and position sensing photodetector arrays, e.g. ANGER cameras
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- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
- A61B6/03—Computed tomography [CT]
- A61B6/037—Emission tomography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
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Abstract
本发明涉及用于PET应用中的单独闪烁体读出的高密度比例模式APD阵列。本发明是包括改进的光电传感器的光电检测器，该改进的光电传感器由用于读出单个闪烁体的小型（亚毫米）高密度雪崩光电二极管单元的阵列配置。每个光电传感器包括以雪崩光电二极管单元的（n×n）阵列（其中n>1）布置的耦合到单个闪烁晶体的多个雪崩光电二极管单元。作为光电传感器的总体（n×n）阵列面积与闪烁体的面的面积相同且每个雪崩光电二极管单元具有不大于一平方毫米的表面积。光电传感器还被配置成有利于读取阵列中的每个雪崩光电二极管单元的输出。通过独立地读出每个小型雪崩光电二极管单元，噪声和电容被最小化并从而提供了能量和定时的更精确确定。
Description
技术领域
本发明涉及医疗成像系统；更具体地，本发明涉及用于在使用正电子发射断层成像（PET）的成像系统中利用的检测器中的闪烁晶体读出的高密度、高度集成的APD光电传感器（雪崩光电二极管）阵列。
背景技术
核医学是独特的医疗专业，其中，使用辐射来获取示出身体的器官、骨骼或组织的功能和解剖的图像。放射性药剂通过注射或摄食而被引入到身体中，并且被吸引到所关注的特定器官、骨骼或组织。这样的放射性药剂产生伽马光子发射，该伽马光子发射从身体发出并且被闪烁晶体捕获，光子与该闪烁晶体相互作用以产生光的闪烁或“事件”。由光电检测器（诸如光电倍增管）的阵列检测事件，并且计算且存储它们的空间定位或位置。以此方式，从对身体中的放射性同位素的分布的检测来产生处于研究中的器官或组织的图像。
一种特定的核医学成像技术称为正电子发射断层成像或PET。PET用于产生用于诊断特定器官、肿瘤或其它代谢活性部位的生化机能或生理机能的图像。对正电子发射放射性核素的组织浓度的测量基于由正电子湮没产生的两个伽马光子的重合检测。当正电子被电子湮没时，同时产生两个511keV的伽马光子，并且这两个511keV的伽马光子在大致相反的方向上行进。由湮没事件产生的伽马光子可以由一对相反布置的辐射检测器来检测，该辐射检测器能够响应于伽马光子与闪烁晶体的相互作用而产生信号。湮没事件通常由在两个相反布置的检测器中的两个511keV的伽马光子的检测之间的时间重合来识别，即，伽马光子发射实质上同时由每个检测器来检测。当两个相反布置的伽马光子中的每一个都撞击相反布置的检测器从而产生时间重合事件时，它们还识别响应线或LOR，湮没事件伴随其而发生。
在美国专利No.6,858,847中描述了PET方法和设备的示例，该专利的全部内容通过引用而合并于此。在被分类成平行投射之后，由重合事件定义的LOR用于对患者内的正电子发射放射性核素的三维分布进行重构。PET在获得揭示生物过程（例如，诸如心脏、大脑、肺等的身体器官的机能）以及身体组织和结构（诸如循环系统）的图像方面特别有用。
为了使得患者最小地暴露于辐射，PET成像系统中所利用的检测器必须能够检测入射光量子或致电离粒子的低电平。在这样的成像装置中，通常有利的是，采用具有内部增益的辐射检测装置；雪崩光电二极管（APD）通常用在这样的装置中以提供期望的检测灵敏度。APD是在击穿区域附近被偏置的半导体器件，以使得由于入射光子的吸收而生成的电荷在APD本身中由于级联效果而被放大，这是由于电荷被施加于器件的p-n结上的高偏置电势加速而产生的。在这样的成像装置中，期望APD展示出低噪声和高增益。诸如医疗成像器（例如，使用伽马辐射）的某些装置还要求高质量低噪声APD的相对大阵列（例如，大约5cm.sup.2或者更大）。
利用APD阵列的PET成像系统中的一种检测器配置是以一对一耦合配置来配置的，其中一个APD耦合到一个闪烁晶体。为了收集来自闪烁体的最大光量，APD必须具有与其所耦合的闪烁体晶体相同的表面积。这会导致大表面积的APD，这增大了APD噪声和电容。APD的噪声和电容与其表面积成正例。随着APD的噪声和电容增大，其精确地确定事件的适当能量和定时的能力下降。这导致差的PET检测器性能并且是APD通常没有用作PET成像系统中的检测器中的光电传感器的主要原因。存在对光电传感器阵列配置的需要，所述光电传感器阵列配置可以利用由在阵列中使用APD而产生的高增益，而且同时减小了由于用在光电传感器中时增大了APD的大小而导致的噪声和电容。
利用耦合到单个闪烁体的高密度光电传感器读出的概念的一种检测器是SiPM（硅光电倍增器）。SiPM使用盖革（Geiger）模式APD的非常密集的阵列，这些盖革模式APD通常电阻性地并联连接以提供单个读出通道。这种类型的检测器的显著缺点是SiPMAPD单元中的每个由于它们工作在盖革模式而是非线性的。在每个单元中利用SiPM盖革模式APD的检测器以二进制模式工作。因此，SiPMAPD单元的相应输出仅可以是零或一。这是基本问题，因为每个SiPMAPD单元仅能够对一个光子进行计数，并且无法指示已接收到多于一个光子。例如，如果两个光子在大致相同的时间到达同一SiPMAPD单元，则无法知道SiPMAPD单元接收到两个光子。为了增加SiPM的线性度，必须增大SiPM单元密度。然而，增加SiPM的单元密度引起装置的填充因数减小。对于大部分SiPM装置，在线性度与填充因数之间存在折衷。存在对克服了这种限制的APD阵列的配置的需要，其中，APD单元的阵列以比例模式工作并且是线性的。
工业中的一些开发者已研究了对于CT成像使SiPM在比例模式中工作在击穿电压以下，以克服装置的固有非线性。然而，所提出的检测器仍然使用总计SiPM单元的公共读出。存在对一种有利于包括APD阵列的单元的单独单元读出的系统的需要。
发明内容
与本发明的实施例相一致，本发明包括改进的光电检测器，该光电检测器包括改进的光电传感器，该光电传感器被配置为用于读出单个闪烁体的小型（亚毫米）高密度雪崩光电二极管单元的阵列。每个光电传感器包括以（n×n）阵列（其中n>1）布置的、耦合到单个闪烁晶体的多个雪崩光电二极管单元。光电传感器的总体（n×n）阵列面积与闪烁体的面（face）的面积基本上相同，并且每个雪崩光电二极管单元具有不大于一平方毫米的表面积。光电传感器阵列还配置有有利于分开读取阵列中的每个雪崩光电二极管单元的输出的电路。
应理解，本发明的以上概述和以下详细描述二者仅是示例性的和说明性的，并且不应该认为限制如所描述的和要求保护的本发明的范围。此外，除了这里阐述特征和/或变型的之外还可以提供特征和/或变型。
附图说明
并入本公开并且构成本公开的一部分的附图图示了本发明的各个实施例和方面。在附图中：
图1a是在本发明的一个实施例中、耦合到单个闪烁体晶体的亚毫米2×2APD阵列的侧视图；
图1b是在本发明的一个实施例中、耦合到单个闪烁体晶体的亚毫米2×2APD阵列的顶视图；
图2a是在本发明的一个实施例中、配置有独立偏置电路的亚毫米10×10APD阵列的侧视图；
图2b是本发明的、配置有公共偏置电路的亚毫米10×10APD阵列的侧视图；
图3是在本发明的一个实施例中、图2b所图示的APD阵列的偏置电路和信号输出连接的实施例的示意示例；
图4a是在本发明的一个实施例中、连接到前端APD-ASIC的亚毫米APD阵列的封装配置的侧视图；
图4b是在图示更小的ASIC管芯的本发明的第二实施例中、连接到前端APD-ASIC的亚毫米APD阵列的封装配置的侧视图；
图5是从偏置电路到APDASIC的能量和定时输出的单个APD读出电路的示意框图的实施例；以及
图6是可以用于确定每个PET事件的能量、位置和定时的本发明的APDASIC内的后端电路或系统处理电子器件的实施例的图示。
具体实施方式
与实施例相一致，本发明是被配置用于PET成像系统中使用的改进的光电检测器，其中，改进的光电检测器应包括至少一个闪烁体晶体和耦合到至少一个闪烁体晶体的APD光电传感器阵列。APD光电传感器阵列的大小被确定为使得其表面积基本上等于闪烁体晶体的面的表面积。APD光电传感器阵列包括以包括支持电路的单元的n×n阵列布置的多个雪崩光电二极管。每个APD单元具有用于定位于其上的雪崩光电二极管的单独输出端，以使得可以独立地读取每个雪崩光电二极管。每个APD单元被定义为亚毫米，这是因为每个APD单元的表面积为<1.0mm×<1.0mm。在一个实施例中，每个APD单元的表面积应该为0.05mm-1.0mm×0.05mm-1.0mm。通过独立地读取来自每个小型亚毫米APD单元的输出，噪声和电容被最小化，并且从而提供了能量和定时的更精确确定。
以下详细描述参照附图。在任何可能的地方，在附图和以下描述中使用相同的参考标记来提及相同的或相似的部分。尽管此处描述了本发明的若干个实施例和特征，但是在不背离本发明的精神和范围的情况下，修改、适配和其它实现方式是可能的。更确切地，提供这些实施例以使得本公开将是完整的并且将完全把本发明传达给本领域技术人员。例如，可以对图中所图示的部件进行替换、增加或修改，并且可以通过对所公开的方法进行替换、重排序或者增加步骤来修改此处所描述的方法。因此，以下详细描述不限制本发明。相反，本发明的适当范围由所附权利要求来限定。
本发明包括使用高密度、高度集成的APD（雪崩光电二极管）阵列，以读出在PET成像应用中使用的光电检测器内的一个或多个闪烁晶体。在图1A和1B中示出的本发明的一个实施例图示了块检测器100，其利用高密度、高度集成的APD阵列120来以读取闪烁晶体的阵列102内的每个闪烁晶体112、114、116、118。
与利用晶体到光电传感器的一对一配置的PET成像系统中的典型检测器、或者其中光电传感器的数目小于配置中的晶体的数目的块检测器不同，本发明中实施的检测器利用其中光电传感器APD的数目总是大于晶体的数目的配置。在图1A和1B所图示的示例实施例中，对于每个闪烁晶体存在二十五个光电传感器。在所图示的实施例中，闪烁晶体的2×2阵列102耦合到光电传感器单元的10×10阵列120，其中每个单元包括APD。如所图示的那样，每个闪烁晶体112、114、116、118耦合到APD光电传感器单元的5×5阵列，该APD光电传感器单元的5×5阵列被定位用于分别读出每个闪烁晶体112、114、116、118。如图1B所图示的那样，晶体1112耦合到APD光电传感器122a-122y的第一阵列；晶体2114耦合APD光电传感器124a-124y的第二阵列；晶体3116耦合到APD光电传感器126a-126y的第三阵列；并且晶体4118耦合到APD光电传感器128a-128y的第四阵列。如图1B所图示的那样，将闪烁晶体1112、闪烁晶体2114、闪烁晶体3116和闪烁晶体4118组合成阵列示出使用本发明生成的类型的光电检测器100可以是较大阵列检测器的子集。
通过到高度集成ASIC136的球栅阵列（BGA）连接独立地读出读取来自闪烁晶体112、114、116和118的块的光的APD阵列120中的每个APD，以提供精确的能量和定时信息。图1A图示出了将APD单元122a-122e连接到ASIC136的BGA132a-132e以及将APD单元124a-124e连接到ASIC136的BGA134a-134e。（存在将其余APD单元连接到ASIC136的类似BGA，但是图1A中未示出）。
并入包括本发明的块检测器100中的APD光电传感器阵列120是亚毫米APD的单片或装配的阵列。图2A和2B中图示出了图1A和1B所图示的APD光电传感器阵列120的实施例的顶视图。在所图示的实施例中，示出了APD光电传感器的10×10阵列或者APD光电传感器的5×5阵列。应理解，图1B、2A和2B所图示的APD光电传感器的具体阵列仅是为了说明目的并且不旨在限制本发明的范围。APD光电传感器的阵列的尺度可以是根据本发明装配的任意n×n阵列配置。一般地，可以根据闪烁体晶体的大小和检测器的总体期望大小来确定APD光电传感器阵列的尺度。在一个实施例中，预期APD光电传感器的阵列320、420中的每个APD光电传感器单元应该每侧为大约1.0毫米（mm）或者更小（每个单元具有<1.0mm×<1.0mm的面积），并且每个APD光电传感器单元独立地工作。在一些实施例中，APD光电传感器的阵列320、420中的每个APD光电传感器单元可以具有<0.05-1.0mm×<0.05-1.0mm的面积。如图2A和图2B所示的实施例所图示出的那样，APD光电传感器的阵列302、402中的每个APD光电传感器单元连接到公共偏置电路，以有利于高压偏置和信号读出。公共偏置提供了更容易的集成和更高的填充因数。尽管图中未示出，但是在另一实施例中预期，APD光电传感器的阵列320中的每个APD光电传感器单元可以具有独立的偏置电路。
在图2A和2B所图示的两个实施例之中，图2B所图示的实施例是优选的，这是由于图2A所图示的实施例制造更加困难且成本更高。图2A所图示的设计的问题是高压线312和低压线314太接近。配置在标准印刷电路板材料上的这样紧密接近的电线（诸如线312和314）无法适当地起作用。由于高压线312和低压线316之间存在很大差别，因此将在高压线和低压线之间产生电弧，除非APD光电传感器的阵列所包括的基本材料是诸如陶瓷或特氟纶之类的材料。因此，使用诸如FR4的便宜基本材料来产生APD光电传感器的阵列是不可行的，这是由于基本材料的物理性质不能支持紧密接近的不同电压的电压线。然而，当使用诸如特氟纶或陶瓷之类的基本材料来制造诸如图2A所图示的设计时，可以克服由于芯片上两条紧密接近的电压线而产生的问题。尽管预期可以根据图2A中所阐述的设计来制造本发明的实施例，但是当使用诸如陶瓷和特氟纶之类的基本材料时，制造这样的设计大大添加了工艺的花费。
图2B所图示的备选实施例允许通过经过增加高压线442、446、450、454、458、462与低压线444、448、452、456、460之间的距离消除电弧产生问题，来使用诸如FR4的便宜下层基本材料。如图2B所图示的那样，这通过使得阵列内的APD光电传感器单元中的两个相邻的APD的阳极和阴极共享高压线和低压线来实现。如所示出的，APD单元424e通过连接404连接到高压线442。APD单元424e和424j二者通过连接406和408都连接到低压线444，并且APD单元424j和424o二者通过连接410和412都连接到高压线446。应理解，在本发明中，APD的阳极或阴极是否是连接到高压还是低压的APD单元是无关的。重点在于APD的阳极与阴极之间具有电压差。在一个实施例中，阳极可以连接到地，而阴极连接到正高压。在备选实施例中，阴极可以连接到地，而阳极连接到负高压。
参照图3，该图呈现了APD光电传感器的阵列140的公共偏置电路和信号输出连接的示例的示意图的图示，该APD光电传感器的阵列140包括十个APD光电传感器单元142a-142j。该图示是图2B所图示的APD光电传感器阵列302的阵列的一部分的更详细示意图。如所图示出的那样，所图示出的APD光电传感器的阵列140包括APD光电传感器单元的5×2阵列140。如所图示出的那样，十个APD光电传感器单元142a-142j中的每个都包括相同的部件和电路并且以相同的方式连接到地和公共高压线。因此，在十个APD光电传感器单元142a-142j之中，将对单元142a进行解释以说明阵列140中的每个APD光电传感器单元的操作。APD光电传感器单元142a的输入端连接到高压线144，其中APD150a的阴极通过电阻器146a连接到高压线144。APD150a的阴极还连接到电容器148a和地158a。APD150a的阳极通过电阻器152a连接到地158a，并且通过经过电容器154a的凸块接合（bump-bond）连接156a而将APD单元142a的输出端连接到ASIC（未示出）。高压电容器148a用于对来自高压线的噪声去耦；常规低压电容器154a将APD信号AC耦合到随后的信号链。如果期望DC耦合的信号路径，则可以消除电容器154a。节点156aD11、子序列CFA、电容器156a以及地平面158a还形成用于信号高频分量的低阻抗电流回路，从而有利于事件定时检测。
图4A和4B是通过凸块接合连接168和178连接的、亚毫米APD光电传感器阵列160和170以及相应前端APD-ASIC166和176的封装配置的两个实施例的侧视图。如图4B所图示的那样，所示出的实施例还包括夹在APD光电传感器阵列170与前端APD-ASIC176之间的印刷电路板，从而允许APD-ASIC176的大小被相当大地减小。
当光进入光电传感器时，期望知道两条信息，即光电传感器何时接收到光子（定时）和所接收的信号多大（在时间上的给定时刻处接收的光子的数目或能量数量）。该配置有利于如下能力：确定接收光子的定时，以及通过有利于确定每个APD在时间上的时刻处所接收的能量数量的能力来确定所接收的光子的数目，从而使得实施例线性化。图5图示出了APD单元184和APDASIC180内用于确定PET成像应用中所需的定时和能量信息的电路。如所图示出的那样，使其输出端196连接到电荷灵敏前置放大器（CSP）202的亚毫米APD单元184被定位于APDASIC180上。CSP202有利于收集来自APD190的电荷。接下来，CSP202的输出信号被分离到通道，慢通道204和快通道206。CSP202输出的信号具有高频分量和低频分量。接收由CSP202输出的信号的快通道206对所接收的信号执行滤波或整形，以强调高频分量。快通道206的输出由触发器208以及恒比定时甄别器（CFD）或上升沿（LE）触发器210接收。接收CSP202输出的信号的慢通道204对所接收的信号执行滤波或整形，以强调低频分量。来自慢通道204的输出表示APD单元184接收的能量，并且与APD单元184接收的光子的数目成比例。
图6是APDASIC内的电路的图示，包括来自图5的180a-180d处的电路，其中亚毫米APD单元的各级中的每一个都连接到定位于APDASIC上的CSP并且连接到提供能量输出212a-212d和定时输出210a-210d的慢通道和快通道。每个能量输出212a-212d由能量多路调制器222和单元位置224部分（查找表）接收。每个定时输出由定时多路调制器226接收。定时多路调制器226的输出由定时数字转换器236接收。能量多路调制器222的输出由模拟到数字转换器232接收。单元位置的输出由查找表234接收，以执行事件精细定位。离开模拟到数字转换器232、查找表234和定时数字转换器的所有信号已被数字化，并且然后由处理器238来处理，处理器238是市场上商业可用的芯片。如图6所图示的那样，预期的是，除APD单元和处理器之外所示出的电路在APDASIC上。然而，应理解，预期的是，图6所图示的电路不需要通过APDASIC来实现，并且在各个实施例中可以在其它印刷电路板上来实现。
以上说明书、示例和数据提供了本发明的制造和使用的描述。由于可以在不背离本发明的精神和范围的情况下来实现本发明的许多实施例，因此本发明属于下文所附权利要求中。
Claims (20)
1.一种光电检测器，包括：至少一个闪烁体和与所述至少一个闪烁体接近定位的至少一个光电传感器，其中，所述至少一个光电传感器具有基本上等于所述至少一个闪烁体的面的表面积的表面积，其中，所述光电传感器包括以n×n阵列布置的多个雪崩光电二极管单元，其中n>1，并且其中，每个雪崩光电二极管单元具有不大于一平方毫米的表面积和用于定位于其上的雪崩光电二极管的单独输出端，其中，所述至少一个光电传感器被配置成有利于读取所述单元上的所述雪崩光电二极管的输出，以及其中在光电传感器内的同一列中的两个相邻的雪崩光电二极管共享第一公共电压线并且不共享第二公共电压线。
2.根据权利要求1所述的光电检测器，其中，每个雪崩光电二极管单元的尺度具有在0.05mm-1.0mm之间的范围内变化的四个侧。
3.根据权利要求1所述的光电检测器，其中，所述至少一个闪烁体包括闪烁体晶体的阵列，其中，所述阵列中的每个闪烁体晶体都具有与其接近定位的光电传感器。
4.根据权利要求1所述的光电检测器，其中，所述单元的阵列中的每个雪崩光电二极管都电连接到至少一个公共偏置电路。
5.根据权利要求1所述的光电检测器，其中，所述光电传感器内的每个雪崩光电二极管都电连接到独立偏置电路。
6.根据权利要求1所述的光电检测器，其中，所述光电传感器内的两个相邻的雪崩光电二极管被连接，以使得所述两个相邻的雪崩光电二极管的阳极共享所述第一公共电压线，并且所述两个相邻的雪崩光电二极管的阴极共享所述第二公共电压线。
7.根据权利要求6所述的光电检测器，其中，所述两个相邻的雪崩光电二极管中的第一雪崩光电二极管在第一行中，且所述两个相邻的雪崩光电二极管中的第二雪崩光电二极管在第二行中。
8.根据权利要求6所述的光电检测器，其中，所述两个相邻的雪崩光电二极管中的第一雪崩光电二极管在第一列中，且所述两个相邻的雪崩光电二极管中的第二雪崩光电二极管在第二列中。
9.根据权利要求1所述的光电检测器，包括以有利于读取来自所述阵列中的每个雪崩光电二极管的输出的方式来配置的专用集成电路。
10.根据权利要求9所述的光电检测器，其中，所述专用集成电路包括以有利于读取所述阵列中的每个雪崩光电二极管的输出的方式连接的多个感测电路，其中，每个感测电路响应于所接收的雪崩光电二极管单元输出信号来生成表示每个PET事件的能量、位置和定时的信号。
11.根据权利要求9所述的光电检测器，还包括印刷电路板，所述印刷电路板夹在所述专用集成电路与所述光电二极管阵列之间并且电连接到所述专用集成电路和所述光电二极管阵列，其中，所述印刷电路板以有利于将来自所述阵列中的每个雪崩光电二极管的输出传送到所述专用集成电路的方式来配置。
12.根据权利要求11所述的光电检测器，其中，所述印刷电路板的表面积的大小被确定为基本上等于所述光电传感器的面的表面积，并且所述专用集成电路的面的表面积基本上较小。
13.一种光电检测器，包括：至少一个闪烁体和与所述至少一个闪烁体接近定位的光电二极管阵列，其中，所述光电二极管阵列具有基本上等于所述闪烁体的面的表面积的表面积，其中，所述光电二极管阵列包括以阵列布置的多个雪崩光电二极管，其中，所述阵列中的每个雪崩光电二极管被定位于具有不大于一平方毫米的表面积的单元上，其中，所述阵列中的每个雪崩光电二极管具有单独的输出端以有利于分开读出每个雪崩光电二极管，以及其中在光电二极管阵列内的同一列中的两个相邻的雪崩光电二极管共享第一公共电压线并且不共享第二公共电压线。
14.根据权利要求13所述的光电检测器，其中，每个雪崩光电二极管的输出由多个感测电路中的一个接收，其中每个感测电路响应于所接收的信号来生成表示每个PET事件的能量、位置和定时的输出信号。
15.根据权利要求13所述的光电检测器，其中，所述光电传感器内的每个雪崩光电二极管都连接到共享的高压线。
16.根据权利要求13所述的光电检测器，其中，所述光电传感器内的两个相邻的雪崩光电二极管被连接，以使得所述两个相邻的雪崩光电二极管的阳极共享所述第一公共电压线，并且所述两个相邻的雪崩光电二极管的阴极共享所述第二公共电压线。
17.根据权利要求13所述的光电检测器，进一步包括被配置为有利于读取来自所述阵列中的每个雪崩光电二极管的输出的专用集成电路，其中，所述专用集成电路包括被连接以有利于读取所述阵列中的每个雪崩光电二极管的输出的多个感测电路，其中，每个感测电路响应于从雪崩光电二极管接收的输出信号来生成表示每个PET事件的能量、位置和定时的信号。
18.根据权利要求13所述的光电检测器，其中，每个单元的尺度具有在0.05mm-1.0mm之间的范围内变化的四个侧。
19.根据权利要求1所述的光电检测器，其中，所述至少一个闪烁体包括闪烁体晶体的阵列，其中，所述阵列中的每个闪烁体晶体都具有与其接近定位的光电传感器阵列。
20.一种光电传感器的多个光电检测器单元中的方法，其中，每个单元都包括雪崩光电二极管，并且其中每个光电检测器单元都具有不大于一平方毫米的表面积，其中所述方法包括：
读取来自每个雪崩光电二极管的输出信号；
对来自各雪崩光电二极管中的每一个的每个输出信号进行处理，以确定每个PET事件的能量、位置和定时，以及
其中在多个光电检测器单元内的同一列中的两个相邻的雪崩光电二极管共享第一公共电压线并且不共享第二公共电压线。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/943,164 US8247780B2 (en) | 2010-11-10 | 2010-11-10 | High density, proportional-mode, APD arrays for individual scintillator readout in PET applications |
| US12/943164 | 2010-11-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102565836A CN102565836A (zh) | 2012-07-11 |
| CN102565836B true CN102565836B (zh) | 2016-02-03 |
Family
ID=46018713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110354516.2A Active CN102565836B (zh) | 2010-11-10 | 2011-11-10 | 用于pet应用中的单独闪烁体读出的高密度比例模式apd阵列 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8247780B2 (zh) |
| CN (1) | CN102565836B (zh) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6214031B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2017-10-18 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 放射線検出器のための信号データ処理方法、信号データ処理装置、および放射線検出システム |
| US9798839B2 (en) | 2013-11-11 | 2017-10-24 | General Electric Company | System and methods of generating a computer model of a component |
| US9869781B2 (en) * | 2013-11-22 | 2018-01-16 | General Electric Company | Active pulse shaping of solid state photomultiplier signals |
| CN106019355B (zh) * | 2016-07-07 | 2018-08-28 | 清华大学 | 辐射粒子探测器读出电路及辐射粒子信号计数的方法 |
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| TW202029708A (zh) | 2019-01-16 | 2020-08-01 | 美商萊特美特股份有限公司 | 光學差分低噪聲接收器及相關方法 |
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| EP4062561A4 (en) | 2019-11-22 | 2024-01-10 | Lightmatter, Inc. | LINEAR PHOTOMIC PROCESSORS AND ASSOCIATED METHODS |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7535011B2 (en) | 2006-02-14 | 2009-05-19 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Quantitative radiation detection using Geiger mode avalanche photodiode binary detector cell arrays |
| SE531025C2 (sv) | 2007-04-02 | 2008-11-25 | Bo Cederwall | System och metod för fotondetektion och för mätning av fotonflöden |
-
2010
- 2010-11-10 US US12/943,164 patent/US8247780B2/en active Active
-
2011
- 2011-11-10 CN CN201110354516.2A patent/CN102565836B/zh active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8247780B2 (en) | 2012-08-21 |
| US20120112083A1 (en) | 2012-05-10 |
| CN102565836A (zh) | 2012-07-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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