CN108139493A - 有暗电流校正能力的半导体x射线检测器 - Google Patents

Abstract

本文公开使用X射线检测器测量X射线的强度分布的方法，该方法包括：确定X射线检测器上至少三个位点处的暗电流的值，其中这三个位点不在一条直线上；使用暗电流的值确定X射线的吸收率的空间变化；测量X射线的表观强度分布；通过从表观强度分布去除吸收率的空间变化的贡献来确定强度分布。

Description

有暗电流校正能力的半导体X射线检测器

【技术领域】

本公开涉及X射线检测器，特别涉及有暗电流校正能力的半导体X射线检测器。

【背景技术】

X射线检测器可以是用于测量X射线的通量，空间分布，光谱或其他性质的设备。

X射线检测器可用于许多应用。一个重要应用是成像。X射线成像是放射摄影技术并且可以用于揭示组成不均匀和不透明物体(例如人体)的内部结构。

早期用于成像的X射线检测器包括照相底片和照相胶片。照相底片可以是具有感光乳剂涂层的玻璃底片。尽管照相底片被照相胶片取代，由于它们所提供的优越品质和它们的极端稳定性而仍可在特殊情形中使用它们。照相胶片可以是具有感光乳剂涂层的塑胶胶片(例如，带或片)。

在20世纪80年代，出现了光激励萤光板(PSP板)。PSP板可包含在它的晶格中具有色心的萤光材料。在将PSP板暴露于X射线时，X射线激发的电子被困在色心中直到它们受到在板表面上扫描的激光光束的激励。在激光扫描板时，捕获的激发电子发出光，其被光电倍增管收集。收集的光转换成数字图像。与照相底片和照相胶片相比，PSP可以被重复使用。

另一种X射线检测器是X射线图像增强器。X射线图像增强器的部件通常在真空中密封。与照相底片、照相胶片和PSP板相比，X射线图像增强器可产生即时图像，即不需要曝光后处理来产生图像。X射线首先撞击输入萤光体(例如，碘化铯)并且被转换成可见光。可见光然后撞击光电阴极(例如，包含铯和锑复合物的薄金属层)并且促使电子发射。发射电子数量与入射X射线的强度成比例。发射电子通过电子光学器件投射到输出萤光体上并且促使该输出萤光体产生可见光图像。

闪烁体的操作与X射线图像增强器有些类似之处在于闪烁体(例如，碘化钠)吸收X射线并且发射可见光，其然后可以被对可见光合适的图像感测器检测到。在闪烁体中，可见光在各个方向上传播和散射并且从而降低空间解析度。使闪烁体厚度减少有助于提高空间解析度但也减少X射线吸收。闪烁体必须在吸收效率与解析度之间达成妥协。

半导体X射线检测器通过将X射线直接转换成电信号而在很大程度上克服该问题。半导体X射线检测器可包括半导体层，其在感兴趣波长吸收X射线。当在半导体层中吸收X射线光子时，产生多个载流子(例如，电子和空穴)并且这些载流子在电场的作用下被扫向半导体层上的电触点。当前可用半导体X射线检测器(例如，Medipix)中需要的繁琐的热管理可能使得具有大面积和大量像素的检测器难以生产或不可能生产。

【发明内容】

本文公开了一种使用X射线检测器测量X射线的强度分布的方法，该方法包括：确定X射线检测器上至少三个位点处的暗电流的值，其中这三个位点不在一条直线上；使用暗电流的值确定X射线的吸收率的空间变化；测量X射线的表观强度分布；通过从表观强度分布去除吸收率的空间变化的贡献来确定强度分布。

根据实施例，确定暗电流的值是在X射线检测器的三个像素处。

根据实施例，吸收率的空间变化与位点成线性关系。

根据实施例，吸收率的空间变化由X射线检测器的X射线吸收层的厚度变化引起。

本文公开X射线检测器，其包括X射线吸收层、配置成检测X射线吸收层吸收的X射线光子的电子层、通信模组，其中该通信模组配置成与电脑通信。

根据实施例，通信模组配置成经由通用串行总线(USB)与电脑通信。

根据实施例，通信模组配置成与电脑无线通讯。

根据实施例，X射线检测器进一步包括电池，其配置成对电子层和通信模组供电。

根据实施例，X射线检测器进一步包括高压电路，其配置成向X射线吸收层提供电压。

【附图说明】

图1A示意示出根据实施例的检测器的横截面图。

图1B示意示出根据实施例的检测器的详细横截面图。

图1C示意示出根据实施例的检测器的备选详细横截面图。

图2示意示出根据实施例设备可具有像素阵列。

图3A示意示出根据实施例的电子层。

图3B示意示出根据实施例的电子层。

图4A-4E示意示出根据实施例制作检测器的流程。

图5A示意示出根据实施例的检测器的电子器件的功能框图。

图5B示意示出根据实施例的检测器的电子器件的功能框图。

图5C示意示出根据实施例的检测器的电子器件的功能框图。

图6A和图6B中示意示出X射线吸收层的厚度可以不完全均匀。

图7A示意示出像素中的三个可用于测量这些像素处的暗电流。

图7B示意示出三个特殊暗电流测量电路可设置在检测器中来测量这些位点处的暗电流。

图8示出使用X射线检测器(例如本文公开的检测器)测量X射线的强度分布的方法的流程图。

图9示意示出根据实施例适合于医学成像，例如胸部X射线放射摄影、腹部X射线放射摄影等的系统，其包括本文描述的半导体X射线检测器。

图10示意示出根据实施例适合于牙齿X射线放射摄影的系统，其包括本文描述的半导体X射线检测器。

图11示意示出根据实施例的货物扫描或非侵入式检查(NII)系统，其包括本文描述的半导体X射线检测器。

图12示意示出根据实施例的另一个货物扫描或非侵入式检查(NII)系统，其包括本文描述的半导体X射线检测器。

图13示意示出根据实施例的全身扫描器系统，其包括本文描述的半导体X射线检测器。

图14示意示出根据实施例的X射线电脑断层摄影(X射线CT)系统，其包括本文描述的半导体X射线检测器。

图15示意示出根据实施例的电子显微镜，其包括本文描述的半导体X射线检测器。

【具体实施方式】

图1A示意示出根据实施例的检测器100的横截面图。该检测器100可包括X射线吸收层110和电子层120(例如，ASIC)，用于处理或分析入射X射线在X射线吸收层110中产生的电信号。在实施例中，检测器100不包括闪烁体。X射线吸收层110可包括半导体材料，例如硅、锗、砷化镓、碲化镉、碲锌镉或其组合。半导体对于感兴趣的X射线能量可具有高的质量衰减系数。

如在图1B中的检测器100的详细横截面图中示出的，根据实施例，X射线吸收层110可包括由第一掺杂区111、第二掺杂区113的一个或多个离散区114形成的一个或多个二极管(例如，p-i-n或p-n)。第二掺杂区113可通过可选的本征区112而与第一掺杂区111分离。离散部分114通过第一掺杂区111或本征区112而彼此分离。第一掺杂区111和第二掺杂区113具有相反类型的掺杂(例如，区111是p型并且区113是n型，或区111是n型并且区113是p型)。在图1B中的示例中，第二掺杂区113中的每个离散区114与第一掺杂区111和可选的本征区112一起形成二极管。即，在图1B中的示例中，X射线吸收层110具有多个二极管，其具有第一掺杂区111作为共用电极。第一掺杂区111还可具有离散部分。

在X射线光子撞击包括二极管的X射线吸收层110时，X射线光子可被吸收并且通过许多机制产生一个或多个载流子。一个X射线光子可产生10至100000个载流子。载流子可在电场下向二极管中的一个的电极漂移。该场可以是外部电场。电触点119B可包括离散部分，每个离散部分与离散区114电接触。在实施例中，载流子可在多个方向上漂移使得单个X射线光子产生的载流子大致未被两个不同离散区114共用(“大致未被共用”在这里意指这些载流子中不到2％、不到0.5％的、不到0.1％或不到0.01％流向与余下载流子不同的离散区114中的一个)。在这些离散区114中的一个的足迹周围入射的X射线光子产生的载流子大致未与这些离散区114中的另一个共用。与离散区114关联的像素150可以是围绕离散区114的区域，其中由其中入射的X射线光子产生的大致全部载流子(超过98％、超过99.5％、超过99.9％或超过99.99％)流向离散区114，即，这些载流子中不到2％、不到1％、不到0.1％或不到0.01％流到像素外。

如在图1C中的检测器100的备选详细横截面图中示出的，根据实施例，X射线吸收层110可包括具有半导体材料，例如硅、锗、砷化镓、碲化镉、碲锌镉或其组合的电阻器，但不包括二极管。半导体对于感兴趣的X射线能量可具有高的质量衰减系数。

在X射线光子撞击包括电阻器但不包括二极管的X射线吸收层110时，它可被吸收并且通过许多机制产生一个或多个载流子。一个X射线光子可产生10至100000个载流子。载流子可在电场下向电触点119A和119B漂移。该场可以是外部电场。电触点119B包括离散部分。在实施例中，载流子可在多个方向上漂移使得单个X射线光子产生的载流子大致未被电触点119B的两个不同离散部分共用(“大致未被共用”在这里意指这些载流子中不到2％、不到0.5％、不到0.1％或不到0.01％流向与余下载流子不同的离散部分中的一个)。在电触点119B的这些离散部分中的一个的足迹周围入射的X射线光子产生的载流子大致未与电触点119B的这些离散部分中的另一个共用。与电触点119B的离散部分关联的像素150可以是围绕离散部分的区域，由其中入射的X射线光子产生的大致全部载流子(超过98％、超过99.5％、超过99.9％或超过99.99％)流向电触点119B的离散部分。即，这些载流子中不到2％、不到0.5％、不到0.1％或不到0.01％流到与电触点119B的一个离散部分关联的像素外。

电子层120可包括电子系统121，其适合于处理或解释入射到X射线吸收层110上的X射线光子产生的信号。电子系统121可包括例如滤波网路、放大器、积分器和比较器等类比电路或例如微处理器等数字电路和内存。电子系统121可包括像素共用的部件或专用于单个像素的部件。例如，电子系统121可包括专用于每个像素的放大器和在所有像素之间共用的微处理器。电子系统121可通过通孔131电连接到像素。通孔之间的空间可用填充材料130填充，其可使电子层120到X射线吸收层110的连接的机械稳定性增加。在不使用通孔的情况下，使电子系统121连接到像素的其他接合技术是可能的。

图2示意示出检测器100可具有像素150的阵列。阵列可以是矩形阵列、蜂窝状阵列、六边形阵列或任何其他适合的阵列。每个像素150可配置成检测其上入射的X射线光子、测量X射线光子的能量或两者兼而有之。例如，每个像素150可配置成在一段时间内对其上入射的、能量落在多个仓中的X射线光子的数目计数。所有像素150可配置成在相同时段内对其上入射的、能量在多个仓内的X射线光子的数目计数。每个像素150可具有它自己的模数转换器(ADC)，其配置成将代表入射X射线光子的能量的类比信号数字化为数字信号。ADC可具有10位或更高的解析度。每个像素150可配置成测量它的暗电流，例如在每个X射线光子入射在其上之前或与之并发。每个像素150可配置成从其上入射的X射线光子的能量减去暗电流的贡献。像素150可配置成平行作业。例如，在一个像素150测量入射X射线光子时，另一个像素150可等待X射线光子到达。像素150可以但并非必须独立可定址。

图3A示意示出根据实施例的电子层120。电子层120包括衬底122，其具有第一表面124和第二表面128。如本文使用的“表面”不一定被暴露，而可以全部或部分被掩埋。电子层120包括第一表面124上的一个或多个电触点125。该一个或多个电触点125可配置成电连接到X射线吸收层110的一个或多个电触点119B。电子系统121可在衬底122中或衬底122上。电子层120包括一个或多个通孔126，其从第一表面124延伸到第二表面128。电子层120包括第二表面128上的再分布层(RDL)123。RDL 123可包括一个或多个传输线127。电子系统121通过通孔126电连接到电触点125和传输线127。

衬底122可以是被切薄的衬底。例如，衬底可具有750微米或更少、200微米或更少、100微米或更少、50微米或更少、20微米或更少、或5微米或更少的厚度。衬底122可以是硅衬底或其他适合的半导体或绝缘体衬底。衬底122可通过将较厚衬底研磨到期望厚度而产生。

一个或多个电触点125可以是金属或掺杂半导体的层。例如，电触点125可以是金、铜、铂、钯、掺杂硅等。

通孔126经过衬底122并且使第一表面124上的电部件(例如，电触点125)电连接到第二表面128上的电部件(比如，RDL)。通孔126有时称为“硅直通孔”，但它们可在除硅以外的材料的衬底中制造。

RDL123可包括一个或多个传输线127。这些传输线127使衬底122中的电部件(例如，通孔126)在衬底122上的其他位点电连接到接合垫。传输线127可与衬底122电隔离，但在某些通孔126和某些接合垫处除外。传输线127可以是对于感兴趣的X射线能量具有小的X射线衰减的材料(例如铝)。RDL123可将电连接再分布到更多便利位点。

图3A进一步示意示出在电触点119B和电触点125处X射线吸收层110与电子层120之间的接合。该接合可以是适合的技术，例如直接接合或倒装接合。

直接接合是没有任何额外中间层(例如，焊料凸点)的晶圆接合工艺。接合工艺基于两个表面之间的化学接合。直接接合可在升高的温度下进行但不一定如此。

倒装接合使用沉积到接触垫(例如X射线吸收层110的电触点119B，或电触点125)上的焊料凸点199。X射线吸收层110或电子层120翻转并且X射线吸收层110的电触点119B与电触点125对齐。焊料凸点199可熔融以将电触点119B和电触点125焊接在一起。焊料凸点199之间的任何空隙空间可用绝缘材料填充。

图3B示意示出根据实施例的电子层120。图3B中示出的电子层与图3A中示出的电子层120在下列方面不同。电子系统121在衬底122中掩埋。电子层120包括一个或多个通孔126A，其从第一表面124延伸到第二表面128。通孔126A使电触点125电连接到第二表面128上的RDL 123中的传输线127。电子层120进一步包括一个或多个通孔126B，其从第二表面128延伸到电子系统121。通孔126B使传输线127电连接到电子系统121。X射线吸收层110和电子层120也可通过例如直接接合或倒装接合等适合的技术接合在一起(例如，在电触点119B和电触点125处)。

X射线吸收层110可包括多个离散晶片。每个晶片可独立或共同接合到电子层120。包括多个离散晶片的X射线吸收层110可有助于适应X射线吸收层110与电子层120的材料的热膨胀系数之间的差异。

图4A-4E示意示出根据实施例制作检测器100的流程。图4A-4B示意示出多个晶片189附连到衬底900的表面910。X射线吸收层110将由晶片189制造。衬底900可以是对于感兴趣的X射线能量具有低质量衰减系数(例如，<千平方米/kg)的的材料。这样的材料的示例可包括硅、二氧化硅、铝、铬、钛等。衬底900不必是单个材料。在一个示例中，衬底900可包括硅体并且表面910可以是金属层。在另一个示例中，衬底900是硅晶圆并且表面910是重掺杂硅。衬底900可具有足够的强度，以在后续制造工艺期间对晶片189提供机械支承。表面910可以是例如重掺杂硅、铝、铬、钛等导电材料。表面910可配置成电连接到或充当X射线吸收层110的电触点119A。晶片189可逐个、一起、逐列、逐行或逐组附连到衬底900。备选地，晶片189可由附连到衬底900的晶圆制成。

图4C示意示出晶片189被变薄。衬底900可具有足够强度，以在变薄期间对晶片189提供机械支承。使晶片189变薄的一个方式是研磨。晶片189可变薄到200微米厚或更少、100微米厚或更少、或50微米厚或更少。较小厚度使载流子被晶片189中的缺陷(例如，砷化镓中的EL2缺陷)捕获的机会减少，并且从而使电子系统121的电荷收集效率(CCE)增加。

图4D示意示出在晶片189中制作各种结构(例如，具有离散区114的二极管，电触点119B等)。

图4E示意示出电子层120附连到晶片189来使检测器100完备。电子层120的衬底122可在第一表面124上具有多个电子触点125，如在图3A和图3B中示出的。多个电触点125可与电触点119B电接触。

图4E示出晶片189可使用适合的接合方法(例如在图3A和图3B中示出的倒装接合或直接接合)接合到衬底122。晶片189中的每个电极电连接到至少一个电触点125。在晶片189接合到衬底122后，两个相邻晶片189之间的间隙可以是100微米或更少。晶片189可在接合到衬底122后设置为阵列。晶片189相对于衬底122的较小尺寸可有助于适应晶片189与衬底122的热膨胀系数差异。晶片189的热膨胀系数与衬底122的热膨胀系数之间的比率可以是二或以上。晶片189中的X射线吸收层可以是200微米厚或更少、100微米厚或更少、或50微米或更少。X射线吸收层的较小厚度使载流子被X射线吸收层中的缺陷捕获的机会减少，并且从而使电子系统121的电荷收集效率(CCE)增加。晶片189中的X射线吸收层可以是与铬掺杂的材料，尤其当材料是砷化镓时。GaAs中的铬掺杂可使砷化镓中EL2缺陷的浓度减少，并且允许有较高厚度的X射线吸收层(从而更高的吸收效率)并且未向缺陷失去太多载流子。相反，小的砷化镓厚度允许省略铬掺杂。衬底122可具有通孔或在图3A或图3B中示出的RDL。

衬底900不必从晶片189去除，甚至在电子层120接合后也如此。

图5A示意示出根据实施例的检测器100的电子器件的功能框图。检测器100的电子器件可包括高压电路130和电子层120中的电路以及通信模组190。数据和控制信号可在电子层120与通信模组190之间传送。通信模组190可配置成通过例如通用串行总线(USB)等协定与电脑2000通信。电脑可控制检测器100并且对其供电。

图5B示意示出根据实施例的检测器100的电子器件的功能框图。检测器100的电子器件可包括电子层120中的电路和通信模组190。数据和控制信号可在电子层120与通信模组190之间传送。通信模组190可配置成通过接口模块1500与电脑2000通信。接口模块1500可包括由电脑供电的高压电路130和接口模块1500中的可选电池接口。模组可通过例如通用串行总线(USB)等协议与电脑2000通信。接口模块1500可与电脑无线通讯。电脑可通过接口模块1500来控制检测器100或对其供电。接口模块1500可由电池或由其他类型的电力供应供电。

图5C示意示出根据实施例的检测器100的电子器件的功能框图。检测器100的电子器件可包括高压电路130、电子层120中的电路、电池140和通信模组190。数据和控制信号可在电子层120与通信模组190之间传送。电池140可对电子层120、高压电路130和通信模组190提供电力。通信模组190可配置成与电脑2000无线通讯。

图6A和图6B中示意示出X射线吸收层110的厚度可以不完全均匀。不均匀性可以是变薄的结果。厚度的不均匀性导致X射线光子的吸收率的不均匀性。厚度可随位置线性变化。即，X射线吸收层110的上和下表面都是平面但彼此不平行。因此，X射线吸收层110的每个位点处的厚度可以从不在一条直线上的三个位点处的厚度确定。位点处的厚度与该位点处的暗电流成比例。

图7A示意示出三个像素150A、150B和150C可用于测量这些像素处的暗电流。

图7B示意示出三个特殊暗电流测量电路151A、151B和151C可设置在检测器100中。暗电流测量电路151A、151B和151C可以测量它们位点处的暗电流。暗电流测量电路151A、151B和151C在面积上可比像素更大，以减少暗电流测量中的噪音。

备选地，所有像素150都可以测量它们的位点处的暗电流，并且测量的暗电流可用于确定厚度分布(即，作为位点的函数的厚度)。该方法并未假设厚度变化是线性的。

图8示出使用X射线检测器(例如本文公开的检测器100)测量X射线的强度分布的方法的流程图。在1210中，确定X射线检测器上至少三个位点处的暗电流的值。这三个位点不在一条直线上。例如，暗电流的值可在检测器100的三个像素处确定，如在图7A中示出的。在1220中，使用暗电流的值确定X射线的吸收率的空间变化。吸收率的空间变化可与位点成线性关系。吸收率的空间变化可由X射线检测器的X射线吸收层的厚度变化引起，如在图6A和6B中示出的。在1230中，测量X射线的表观强度分布。在1240中，通过从表观强度分布去除吸收率的空间变化的贡献来确定强度分布。

图9示意示出这样的系统，其包括本文描述的半导体X射线检测器100。该系统可用于医学成像，例如胸部X射线放射摄影，腹部X射线放射摄影等。系统包括X摄影源1201。从X射线源1201发射的X射线穿过物体1202(例如，例如胸部、肢体、腹部等人体部位)，由于物体1202的内部结构(例如，骨头、肌肉、脂肪和器官等)而衰减不同程度并且被投射到半导体X射线检测器100。半导体X射线检测器100通过检测X射线的强度分布来形成图像。

图10示意示出这样的系统，其包括本文描述的半导体X射线检测器100。该系统可用于医学成像，例如牙齿X射线放射摄影。系统包括X射线源1301。从X射线源1301发射的X射线穿过物体1302，其是哺乳动物(例如，人类)口腔的部分。物体1302可包括上颚骨、颚骨、牙齿、下颚或舌头。X射线由于物体1302的不同结构而衰减不同程度并且被投射到半导体X射线检测器100。半导体X射线检测器100通过检测X射线的强度分布来形成图像。牙齿比龋齿、感染和牙周膜吸收更多的X射线。牙科患者接收的X射线辐射的剂量通常是较小的(对于全口系列是近似0.150mSv)。

图11示意示出货物扫描或非侵入式检查(NII)系统，其包括本文描述的半导体X射线检测器100。该系统可用于在例如海运集装箱、车辆、轮船、行李等传输系统中检查和识别物品。系统包括X射线源1401。从X射线源1401发射的X射线可从物体1402(例如，海运集装箱、车辆、轮船等)背散射并且被投射到半导体X射线检测器100。物体1402的不同内部结构可有差异地背散射X射线。半导体X射线检测器100通过检测背散射X射线的强度分布和/或背散射X射线光子的能量来形成图像。

图12示意示出另一个货物扫描或非侵入式检查(NII)系统，其包括本文描述的半导体X射线检测器100。该系统可用于公交站和机场处的行李筛查。系统包括X射线源1501。从X射线源1501发射的X射线可穿过行李1502中，由于行李的内含物而有差异地衰减并且被投射到半导体X射线检测器100。半导体X射线检测器100通过检测透射的X射线的强度分布来形成图像。系统可揭示行李的内含物并且识别公共交通上禁用的鉴定物品，例如枪支、毒品、锋利武器、易燃物。

图13示意示出全身扫描器系统，其包括本文描述的半导体X射线检测器100该全身扫描器系统可为了安全筛查目的来检测人体上的物体而不物理脱衣或进行物理接触。全身扫描器系统可能够检测非金属物体。全身扫描器系统包括X射线源1601。从X射线源1601发射的X射线可从被筛查的人1602和其上的物体背散射，并且被投射到半导体X射线检测器100。物体和人体可有差异地背散射X射线。半导体X射线检测器100通过检测背散射X射线的强度分布来形成图像。半导体X射线检测器100和X射线源1601可配置成在线性或旋转方向上扫描人。

图14示意示出X射线电脑断层摄影(X射线CT)系统。X射线CT系统使用电脑处理的X射线来产生被扫描物体的特定区域的断层摄影图像(虚拟“切片”)。断层摄影图像在各种医学学科中可用于诊断和治疗目的，或用于缺陷检测、失效分析、计量、元件分析和逆向工程。X射线CT系统包括本文描述的半导体X射线检测器100和X射线源1701。半导体X射线检测器100和X射线源1701可配置成沿一个或多个圆形或螺旋形路径同步旋转。

图15示意示出电子显微镜。该电子显微镜包括电子源1801(也叫作电子枪)，其配置成发射电子。电子源1801可具有各种发射机制，例如热离子、光电阴极、冷发射或等离子体源。发射的电子经过电子光学系统1803，其可配置成使电子成形、加速或聚焦。电子然后到达样本1802并且图像检测器可从其处形成图像。电子显微镜可包括本文描述的半导体X射线检测器100，用于进行能量色散X射线光谱分析(EDS)。EDS是用于样本的元素分析或化学表征的分析技术。当电子入射在样本上时，它们促使样本发射特征X射线入射。电子可激发样本中原子的内壳层中的电子，从壳层逐出电子，同时在电子所在的地方形成电子空穴。然后来自外部较高能量壳层的电子填充该空穴，并且较高能量壳层与较低能量壳层之间的能量差可采用X射线的形式释放。从样本发射的X射线的量和能量可以被半导体X射线检测器100测量。

这里描述的半导体X射线检测器100可具有其他应用，例如在X射线望远镜、X射线乳房摄影、工业X射线缺陷检测、X射线显微镜或显微放射摄影、X射线铸件检查、X射线无损检验、X射线焊缝检查、X射线数字减影血管摄影等中。可使用该半导体X射线检测器100来代替照相底片、照相胶片、PSP板、X射线图像增强器、闪烁体或另一个半导体X射线检测器。

由于本文已经公开了各种方面和实施例，其他方面和实施例对于本领域内技术人员将变得明显。本文公开的各种方面和实施例是为了说明目的而不意在为限制性的，其真正范围和精神由下列权利要求指示。

Claims (9)

1.一种使用X射线检测器测量X射线的强度分布的方法，所述方法包括：

确定所述X射线检测器上至少三个位点处的暗电流的值，其中所述三个位点不在一条直线上；

使用所述暗电流的值确定所述X射线的吸收率的空间变化；

测量所述X射线的表观强度分布；

通过从所述表观强度分布去除吸收率的空间变化的贡献来确定所述强度分布。

2.如权利要求1所述的方法，其中确定所述暗电流的值是在所述X射线检测器的三个像素处。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述吸收率的空间变化与位点成线性关系。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述吸收率的空间变化由所述X射线检测器的X射线吸收层的厚度变化引起。

5.一种X射线检测器，其包括X射线吸收层、配置成检测所述X射线吸收层吸收的X射线光子的电子层、通信模组，其中所述的通信模组配置成与电脑通信。

6.如权利要求5所述的X射线检测器，其中所述的通信模组配置成经由通用串行总线(USB)与电脑通信。

7.如权利要求5所述的X射线检测器，其中所述的通信模组配置成与电脑无线通讯。

8.如权利要求5所述的X射线检测器，其进一步包括电池，所述电池配置成对所述电子层和所述通信模组供电。

9.如权利要求5所述的X射线检测器，其进一步包括高电压电路，所述高电压电路配置成向所述X射线吸收层提供电压。