CN108110148B - 顶发射微显示器件彩色过滤层及其制备方法 - Google Patents

顶发射微显示器件彩色过滤层及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108110148B
CN108110148B CN201711335981.5A CN201711335981A CN108110148B CN 108110148 B CN108110148 B CN 108110148B CN 201711335981 A CN201711335981 A CN 201711335981A CN 108110148 B CN108110148 B CN 108110148B
Authority
CN
China
Prior art keywords
negative photoresist
regions
region
photoresist
color filter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711335981.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108110148A (zh
Inventor
晋芳铭
李文连
任清江
王仕伟
赵铮涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd filed Critical Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd
Priority to CN201711335981.5A priority Critical patent/CN108110148B/zh
Publication of CN108110148A publication Critical patent/CN108110148A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108110148B publication Critical patent/CN108110148B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

本发明公开一种顶发射微显示器件彩色过滤层，包括矩形基板，所述矩形基板的端面被其两条对角线划分为四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；所述S1区域上涂覆有第一负性光刻胶、所述S2区域上涂覆有第二负性光刻胶、所述S3区域上涂覆有第三负性光刻胶。本发明还公开一种顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法。本发明具有像素面积小，可有效提高显示器分辨率的优点。

Description

顶发射微显示器件彩色过滤层及其制备方法
技术领域
本发明涉及OLED显示领域，尤其涉及顶发射微显示器件彩色过滤层及其制备方法。
背景技术
有机电致发光显示（Organic Light Emitting Display，OLED）由于其自发光、宽视角和响应速度快等优点而被誉为继阴极射线管和液晶显示之后的第三代显示技术。
在众多OLED显示器产品中，微型显示器近年来开始发展，可应用于头戴式视频播放器、头戴式家庭影院、头戴式虚拟现实模拟器、头戴式游戏机、飞行员头盔系统、单兵作战系统、头戴医用诊断系统等。
OLED 微显示器的性能优于目前常见的硅基液晶（Lcos）微显示器，其主要优势有：响应速度极快（<1us），低温特性优秀（工作温度范围－40℃～＋85℃），功耗低，机械性能好，抗震性强，适用于军用和高端应用场合。
常规的有机顶部发光微显示器的彩色过滤层结构和普通显示器一样，都是靠彩色过滤层过滤白光以实现彩色显示。到目前为止，用于较高像素密度的OLED器件的彩色过滤层大多以带有过滤有机团的彩色光胶为原材料，在密封层之上使用光刻技术制造而成。
如图1所示，根据现有的光刻技术以及常用的彩色光胶，假定其加工出来的过滤层最小边长为L/2，则拼接后的彩色过滤层面积为4L²，使得单个像素点的面积较大，而由于分辨率显示面积/单个像素点面积，因此造成显示器分辨率较低，无法满足制作更高分辨率显示器的要求。
发明内容
本发明针对现有技术的不足，提供一种像素面积小，可有效提高显示器分辨率的顶发射微显示器件彩色过滤层及其制备方法。
本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、将第一负性光刻胶涂覆在矩形基板的端面上；
步骤二、将步骤一的矩形基板的端面沿其两条对角线划分为四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；
步骤三、将步骤二的基板中的S1区域进行曝光处理，其他三个区域处于避光环境中；
步骤四、将完成步骤三作业后得到的第一片源进行显影，使S1区域光刻胶存留，且除去其他三个区域的光刻胶，从而完成彩色过滤层中S1区域的制作；
步骤五、将第二负性光刻胶涂覆在所述步骤四中的第一片源的端面上；
步骤六、将步骤五的第一片源的端面沿其两条对角线划分为与步骤二中的四个区域一一对应的四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；
步骤七、将步骤六的基板中的S2区域进行曝光处理，其他三个区域处于避光环境中；
步骤八、将完成步骤七作业后得到的第二片源进行显影，使S2区域光刻胶存留，且除去其他三个区域的光刻胶，从而完成彩色过滤层中S2区域的制作；
步骤九、将第三负性光刻胶涂覆在所述步骤八中的第二片源的端面上；
步骤十、将步骤九的第二片源的端面沿其两条对角线划分为与步骤二中的四个区域一一对应的四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；
步骤十一、将步骤十的基板中的S3区域进行曝光处理，其他三个区域处于避光环境中；
步骤十二、将完成步骤十一作业后得到的第三片源进行显影，使S3区域光刻胶存留，且除去其他三个区域的光刻胶，从而完成彩色过滤层中S3区域的制作。
优选地，所述第一负性光刻胶为红色负性光刻胶、所述第二负性光刻胶为绿色负性光刻胶、所述第三负性光刻胶为蓝色负性光刻胶。
优选地，所述第一负性光刻胶为红色负性光刻胶、所述第二负性光刻胶为蓝色负性光刻胶、所述第三负性光刻胶为绿色负性光刻胶。
优选地，所述第一负性光刻胶为蓝色负性光刻胶、所述第二负性光刻胶为绿色负性光刻胶、所述第三负性光刻胶为红色负性光刻胶。
优选地，所述第一负性光刻胶为绿色负性光刻胶、所述第二负性光刻胶为红色负性光刻胶、所述第三负性光刻胶为蓝色负性光刻胶。
优选地，所述S4区域为空白区域或者采用透明材料进行填充。
优选地，所述透明材料包括SiO2。
优选地，所述S1区域、S2区域、S3区域、S4区域的轮廓均为其底边的长度是高的长度两倍的等腰三角形。
本发明还公开一种使用上述顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法制备的顶发射微显示器件彩色过滤层，包括矩形基板，所述矩形基板的端面被其两条对角线划分为四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；所述S1区域上涂覆有第一负性光刻胶、所述S2区域上涂覆有第二负性光刻胶、所述S3区域上涂覆有第三负性光刻胶。
本发明的优点在于：本发明采用RGBW+CF的全彩化方式，即“RGBW”四子像素排列+CF 方式。与使用传统的RGB 三色（其中R表示红色、G表示绿色、B表示蓝色）+彩色滤光片相比，这种方式能够兼顾低功耗化和色彩表现性能。具体来说，该方式是把RGB 和W(白)这四种子像素作为1 个像素来显示彩色画面的。由于W部分没有滤光片，因此，显示全白画面时，其功耗低于传统方式。而且，显示特定颜色时只需使用W与RGB三色中的两色。其余一色可以不发光，有助于延长寿命，降低功耗。
附图说明
图 1 为现有彩色过滤层结构示意图。
图 2 为本发明的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
实施例1
如图2所示，本实施例公开一种顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、将第一负性光刻胶涂覆在矩形基板的端面上；
步骤二、将步骤一的矩形基板的端面沿其两条对角线划分为四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；
步骤三、将步骤二的基板中的S1区域进行曝光处理，其他三个区域处于避光环境中；
步骤四、将完成步骤三作业后得到的第一片源进行显影，使S1区域光刻胶存留，且除去其他三个区域的光刻胶，从而完成彩色过滤层中S1区域的制作；
步骤五、将第二负性光刻胶涂覆在所述步骤四中的第一片源的端面上；
步骤六、将步骤五的第一片源的端面沿其两条对角线划分为与步骤二中的四个区域一一对应的四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；
步骤七、将步骤六的基板中的S2区域进行曝光处理，其他三个区域处于避光环境中；
步骤八、将完成步骤七作业后得到的第二片源进行显影，使S2区域光刻胶存留，且除去其他三个区域的光刻胶，从而完成彩色过滤层中S2区域的制作；
步骤九、将第三负性光刻胶涂覆在所述步骤八中的第二片源的端面上；
步骤十、将步骤九的第二片源的端面沿其两条对角线划分为与步骤二中的四个区域一一对应的四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；
步骤十一、将步骤十的基板中的S3区域进行曝光处理，其他三个区域处于避光环境中；
步骤十二、将完成步骤十一作业后得到的第三片源进行显影，使S3区域光刻胶存留，且除去其他三个区域的光刻胶，从而完成彩色过滤层中S3区域的制作。
在有些实施例中，所述第一负性光刻胶为红色负性光刻胶、所述第二负性光刻胶为绿色负性光刻胶、所述第三负性光刻胶为蓝色负性光刻胶。
在有些实施例中，所述第一负性光刻胶为红色负性光刻胶、所述第二负性光刻胶为蓝色负性光刻胶、所述第三负性光刻胶为绿色负性光刻胶。
在有些实施例中，所述第一负性光刻胶为蓝色负性光刻胶、所述第二负性光刻胶为绿色负性光刻胶、所述第三负性光刻胶为红色负性光刻胶。
在有些实施例中，所述第一负性光刻胶为绿色负性光刻胶、所述第二负性光刻胶为红色负性光刻胶、所述第三负性光刻胶为蓝色负性光刻胶。
在有些实施例中，所述S4区域为空白区域或者采用透明材料进行填充。
在有些实施例中，所述透明材料包括SiO2。
本发明的矩形基板的材质可以为玻璃、塑料、硅片。
在有些实施例中，所述S1区域、S2区域、S3区域、S4区域的轮廓均为其底边的长度是高的长度两倍的等腰三角形。
本发明采用RGBW+CF的全彩化方式，即“RGBW”四子像素排列+CF 方式。与使用传统的RGB 三色（其中R表示红色、G表示绿色、B表示蓝色）+彩色滤光片相比，这种方式能够兼顾低功耗化和色彩表现性能。具体来说，该方式是把RGB 和W(白)这四种子像素作为一个像素来显示彩色画面的。由于W部分没有滤光片，因此，显示全白画面时，其功耗低于传统方式。而且，显示特定颜色时只需使用W与RGB三色中的两色。其余一色可以不发光，有助于延长寿命，降低功耗。
实施例2
本实施公开一种使用上述的顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法制备的顶发射微显示器件彩色过滤层，包括矩形基板，所述矩形基板的端面被其两条对角线划分为四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；所述S1区域上涂覆有第一负性光刻胶、所述S2区域上涂覆有第二负性光刻胶、所述S3区域上涂覆有第三负性光刻胶。
需要说明的是，在本文中，如若存在第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将第一负性光刻胶涂覆在矩形基板的端面上；
步骤二、将步骤一的矩形基板的端面沿其两条对角线划分为四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；
步骤三、将步骤二的基板中的S1区域进行曝光处理，其他三个区域处于避光环境中；
步骤四、将完成步骤三作业后得到的第一片源进行显影，使S1区域光刻胶存留，且除去其他三个区域的光刻胶，从而完成彩色过滤层中S1区域的制作；
步骤五、将第二负性光刻胶涂覆在所述步骤四中的第一片源的端面上；
步骤六、将步骤五的第一片源的端面沿其两条对角线划分为与步骤二中的四个区域一一对应的四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；
步骤七、将步骤六的基板中的S2区域进行曝光处理，其他三个区域处于避光环境中；
步骤八、将完成步骤七作业后得到的第二片源进行显影，使S2区域光刻胶存留，且除去其他三个区域的光刻胶，从而完成彩色过滤层中S2区域的制作；
步骤九、将第三负性光刻胶涂覆在所述步骤八中的第二片源的端面上；
步骤十、将步骤九的第二片源的端面沿其两条对角线划分为与步骤二中的四个区域一一对应的四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；
步骤十一、将步骤十的基板中的S3区域进行曝光处理，其他三个区域处于避光环境中；
步骤十二、将完成步骤十一作业后得到的第三片源进行显影，使S3区域光刻胶存留，且除去其他三个区域的光刻胶，从而完成彩色过滤层中S3区域的制作。
2.根据权利要求1所述的顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法，其特征在于，所述第一负性光刻胶为红色负性光刻胶、所述第二负性光刻胶为绿色负性光刻胶、所述第三负性光刻胶为蓝色负性光刻胶。
3.根据权利要求1所述的顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法，其特征在于，所述第一负性光刻胶为红色负性光刻胶、所述第二负性光刻胶为蓝色负性光刻胶、所述第三负性光刻胶为绿色负性光刻胶。
4.根据权利要求1所述的顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法，其特征在于，所述第一负性光刻胶为蓝色负性光刻胶、所述第二负性光刻胶为绿色负性光刻胶、所述第三负性光刻胶为红色负性光刻胶。
5.根据权利要求1所述的顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法，其特征在于，所述第一负性光刻胶为绿色负性光刻胶、所述第二负性光刻胶为红色负性光刻胶、所述第三负性光刻胶为蓝色负性光刻胶。
6.根据权利要求1-5任一项所述的顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法，其特征在于，所述S4区域为空白区域或者采用透明材料进行填充。
7.根据权利要求6所述的顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法，其特征在于，所述透明材料包括SiO2。
8.根据权利要求1-5任一项所述的顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法，其特征在于，所述S1区域、S2区域、S3区域、S4区域的轮廓均为其底边的长度是高的长度两倍的等腰三角形。
9.一种使用如权利要求1-8任一项所述的顶发射微显示器件彩色过滤层的制备方法制备的顶发射微显示器件彩色过滤层，其特征在于，包括矩形基板，所述矩形基板的端面被其两条对角线划分为四个区域，包括S1区域、S2区域、S3区域、S4区域；所述S1区域上涂覆有第一负性光刻胶、所述S2区域上涂覆有第二负性光刻胶、所述S3区域上涂覆有第三负性光刻胶。
10.根据权利要求9所述的顶发射微显示器件彩色过滤层，其特征在于，所述S4区域为空白区域或者采用透明材料进行填充。
CN201711335981.5A 2017-12-14 2017-12-14 顶发射微显示器件彩色过滤层及其制备方法 Active CN108110148B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711335981.5A CN108110148B (zh) 2017-12-14 2017-12-14 顶发射微显示器件彩色过滤层及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711335981.5A CN108110148B (zh) 2017-12-14 2017-12-14 顶发射微显示器件彩色过滤层及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108110148A CN108110148A (zh) 2018-06-01
CN108110148B true CN108110148B (zh) 2020-06-09

Family

ID=62215877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711335981.5A Active CN108110148B (zh) 2017-12-14 2017-12-14 顶发射微显示器件彩色过滤层及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108110148B (zh)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102654594B (zh) * 2012-03-16 2015-02-25 京东方科技集团股份有限公司 一种半透半反式彩色滤光片及其制作方法
CN203165952U (zh) * 2013-04-15 2013-08-28 云南北方奥雷德光电科技股份有限公司 有机顶部发光显示器的彩色过滤层
CN105116685B (zh) * 2015-09-24 2019-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN108110148A (zh) 2018-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10062737B2 (en) OLED pixel arrangement structure and display device
CN106206605B (zh) 一种led微显示阵列倒装芯片及制作方法
US11387425B2 (en) Display panel, display apparatus, and methods for making the same
CN108847135B (zh) 一种可拉伸的柔性显示面板及其制备方法
US20220320183A1 (en) Oled display substrate, method of manufacturing the same and oled display apparatus
TWI581478B (zh) 具有光學諧振層的oled器件及其製備方法
CN106449657A (zh) Oled显示面板、显示装置、阵列基板及其制作方法
WO2019010981A1 (zh) 显示面板及其制备方法
US10580991B2 (en) Flexible display screen, method of producing the same, and display apparatus
WO2022193691A1 (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
TW202139158A (zh) 顯示面板及顯示裝置
CN110400827A (zh) 一种像素排布结构及制作方法、显示面板、显示装置
TW201629945A (zh) 顯示幕及其驅動方法
US20210294007A1 (en) Color film substrate, manufacturing method of the same, display panel and display device
CN110634926B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
WO2024045987A1 (zh) 显示基板、显示装置及显示基板的制备方法
CN108110148B (zh) 顶发射微显示器件彩色过滤层及其制备方法
JP2022541962A (ja) 表示パネル及びその製造方法
CN109473464A (zh) 一种显示面板及其制备方法
CN206134728U (zh) 一种led微显示阵列倒装芯片
CN115036351A (zh) 一种提升亮度的硅基oled微显示屏及其制作方法
CN104538431B (zh) 一种oled器件及其制备方法、显示器
CN112331695B (zh) 像素排列结构及显示面板
CN103165824B (zh) 有机电激发光显示装置及其制造方法
TWI758604B (zh) 顯示面板及顯示面板製作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant