CN108110017A - 复合像素单元及其制备方法、像素阵列及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了复合像素单元及其制备方法、像素阵列及其应用。该复合像素单元包括：第一子像素层，该第一子像素层被配置为适于接收彩色光信号；第二子像素层，该第二子像素层垂直设置在第一子像素层之下，并且该第二子像素层被配置为适于接收不可见光信号。本发明所提出的复合像素单元，能够同时获得场景的深度信息和色度信息，且垂直设置的彩色光电信号收集区和不可见光电信号收集区，收集的这两种光电信号无需复杂算法矫正，且复合像素单元相对场景的位置发生改变时也不会影响信息收集的效果。
Description
技术领域
本发明涉及彩色光和不可见光的传感器领域，具体的，本发明涉及复合像素单元及其制备方法、像素阵列及其应用。更具体的，本发明涉及复合像素单元及其制备方法、像素阵列、光学装置、电子设备和车辆。
背景技术
TOF(Time of Flight，飞行时间)传感器的原理是传感器发出经调制的近红外光，遇物体反射给传感器，传感器再通过计算光线发射和反射时间差或相位差，来换算出被拍摄景物的距离，以产生深度信息。TOF传感器的感测能力，可应用于障碍物探测于防撞系统、汽车自动驾驶、手势识别及接近检测等，并且TOF在计算机、家用电器、消费电子和工业自动化以及服务机器人等领域具有巨大的研究潜力。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
本发明是基于发明人的下列发现而完成的：
本发明人在研究过程中发现，TOF传感器能感知深度信息，但对色度信息采集有所缺失，通常的做法是采用RGB相机和TOF相机相结合的方式来实现，并通过算法的矫正使场景中深度信息和色度信息相匹配。这种共同使用的结合方式，需比较复杂的算法匹配，而且相机匹配好后再进行相对位置的改变也会影响效果等。
本发明的发明人意外地发现，将彩色像素和不可见光像素进行垂直分布的设计，可以实现RGB相机和TOF相机的配合使用，并不需要复杂的算法，且垂直分布的设计能有效改善位置变换的影响。其中，彩色像素负责感应色度信息，不可见光像素负责感应红外信息。
有鉴于此，本发明的一个目的在于提出一种彩色像素和不可见光像素垂直分布的、无需复杂算法矫正的、或者能同时获得场景的深度信息和色度信息的复合像素单元。
在本发明的第一方面，本发明提出了一种复合像素单元。
根据本发明的实施例，所述复合像素单元包括：第一子像素层，所述第一子像素层被配置为适于接收彩色光信号；第二子像素层，所述第二子像素层垂直设置在所述第一子像素层之下，并且所述第二子像素层被配置为适于接收不可见光信号。
发明人意外地发现，采用本发明实施例的复合像素单元，能够同时获得场景的深度信息和色度信息，且垂直设置的彩色光电信号收集区和不可见光电信号收集区，收集的这两种光电信号无需复杂算法矫正，且复合像素单元相对场景的位置发生改变时也不会影响信息收集的效果。
在本发明的第二方面，本发明提出了一种像素阵列。
根据本发明的实施例，所述像素阵列包括多个上述的复合像素单元。
发明人意外地发现，采用本发明实施例的像素阵列，能够同时获得三维场景的深度信息和色度信息，并且收集的这两种光电信号无需复杂算法矫正，该像素阵列的设计、制造和使用简单且高效，还可进行移动中的光电信号收集。本领域技术人员能够理解的是，前面针对复合像素单元所描述的特征和优点，仍适用于该像素阵列，在此不再赘述。
在本发明的第三方面，本发明提出了一种光学设备。
根据本发明的实施例，所述光学设备包括上述的像素阵列。
发明人意外地发现，采用本发明实施例的光学设备，能够同时获得三维场景的深度信息和色度信息，并且两种光电信号无需复杂算法矫正即可直接输出，该光学设备的信息处理时间更短。本领域技术人员能够理解的是，前面针对复合像素单元和像素阵列所描述的特征和优点，仍适用于该光学设备，在此不再赘述。
在本发明的第四方面，本发明提出了一种制备上述的复合像素单元的方法。
根据本发明的实施例，所述方法包括：(1)提供第一子像素段，所述第一子像素段包括由上至下层叠设置的第一光电信号收集层和第三绝缘层，所述第三绝缘层中设置有第一电极；(2)在所述第一子像素段的下表面形成第二子像素层；(3)在所述第一子像素段的上表面依次形成滤光层和聚光层。
发明人意外地发现，采用本发明实施例的制备方法，能够制造出具有彩色像素和不可见光像素垂直分布的复合像素单元，并且该方法简单且高效，还可进一步组装出由复合像素单元组成的像素阵列。本领域技术人员能够理解的是，前面针对复合像素单元所描述的特征和优点，仍适用于该复合像素单元的制备方法，在此不再赘述。
在本发明的第五方面，本发明提出了一种电子设备。根据本发明的实施例，所述电子设备包括上述的光学装置。
发明人意外地发现，采用本发明实施例的电子设备，能够同时获得三维场景的深度信息和色度信息，并且两种光电信号无需复杂算法矫正即可直接输出显示，该电子设备的信息处理的时间相对现有的3D照片技术而言更短，并且该电子设备可移动地显示信息。本领域技术人员能够理解的是，前面针对复合像素单元、像素阵列和光学装置所描述的特征和优点，仍适用于该电子设备，在此不再赘述。
在本发明的第六方面，本发明提出了一种车辆。根据本发明的实施例，所述车辆含有上述的电子设备。
发明人意外地发现，采用本发明实施例的车辆，能够同时获得车辆附近的三维场景的深度信息和色度信息，并且可实时反映出三维图像。本领域技术人员能够理解的是，前面针对复合像素单元、像素阵列、光学装置和电子设备所描述的特征和优点，仍适用于该车辆，在此不再赘述。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是根据本发明一个实施例的复合像素单元的结构示意图；
图2是根据本发明另一个实施例的第一子像素层的结构示意图；
图3是根据本发明另一个实施例的第二子像素层的两种结构示意图；
图4是根据本发明另一个实施例的TOF技术原理的示意图；
图5是根据本发明另一个实施例的复合像素单元的结构示意图；
图6是根据本发明另一个实施例的光线在复合像素单元中的传播和吸收的示意图；
图7是根据本发明另一个实施例的第一子像素段的结构示意图；
图8是根据本发明另一个实施例的第二子像素段的两种结构示意图；
图9是根据本发明另一个实施例的第一、第二子像素段结合后的结构示意图；以及
图10是根据本发明另一个实施例的制备获得的复合像素单元的结构示意图。
附图标记：
100 第一子像素层
110 聚光层
120 滤光层
130 第一光电信号收集层
140 第一绝缘层
150 第一电极
1310 第一基体
1320 RGB光电传感器
200 第二子像素层
210 第二光电信号收集层
220 第二电极
230 第二绝缘层
2110 第二基体
2120 红外光电传感器
300 第一子像素段
310 RGB光电传感器
320 第三绝缘层
330 第一电极
400 第二子像素段
410 红外光电传感器
420 第四绝缘层
430 第二电极
500 复合像素单元
510 滤光层
520 第一绝缘层
530 聚光层
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，本技术领域人员会理解，下面实施例旨在用于解释本发明，而不应视为对本发明的限制。除非特别说明，在下面实施例中没有明确描述具体技术或条件的，本领域技术人员可以按照本领域内的常用的技术或条件或按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可通过市购到的常规产品。
在本发明的一个方面，本发明提出了一种复合像素单元。参照下面图1～6，对本发明的复合像素单元进行详细的描述。根据本发明的实施例，参照图1，复合像素单元包括第一子像素层100和第二子像素层200，且第一子像素层100垂直设置在第二子像素层200之上。
本发明的发明人意外地发现，将彩色像素和不可见光像素进行垂直分布的设计，可以实现RGB相机和TOF相机的配合使用，并不需要复杂的算法，且垂直分布的设计能有效改善位置变换的影响。其中，彩色像素负责感应色度信息，不可见光像素负责感应红外信息。
具体的，第一子像素层100被配置为适于接收彩色光信号，在本发明的一些实施例中，参照图2，其内部结构可以为：第一子像素层100从上至下依次包括聚光层110、滤光层120、第一光电信号收集层130和第一绝缘层140。其中，第一电极150设置在第一绝缘层140中，且第一电极150与第一光电信号收集层130是电连接；第一光电信号收集层130进一步包括第一基底1310和RGB光电传感器1320，并且，RGB光电传感器1320设置在第一基底1310的内部。需要说明的是，RGB光电传感器1320设置在第一基底1310的内部，是指RGB光电传感器1320的上下左右前后均被第一基底1310所包覆。根据本发明的一些示例，RGB光电传感器1320和滤光层120之间的第一基体厚度H为2～3微米。
具体的，第二子像素层200被配置为适于接收不可见光信号，其内部结构可参考图3a。第二子像素层200包括：第二光电信号收集层210和第二电极220。其中，第二光电信号收集层210设置在第一绝缘层140的下表面，而第二电极220与第二光电信号收集层210是电连接；第二光电信号收集层210包括：第二基体2110和红外光电传感器2120，并且，红外光电传感器2120设置在第二基体2110的内部。需要说明的是，红外光电传感器2120设置在第二基体2110的内部，是指红外光电传感器2120的上下左右前后均被第二基体2110所包覆。
本领域技术人员可以理解的是，第一基体和第二基体的具体材料不受特殊的限制，包括但不限于硅基板，本领域任何已知的适于制作像素单元的材料均可，且可以根据实际的需要选择适合的具体基体材料。根据本发明的一些示例，第一基体和第二基体的材料选择了硅基板。本领域技术人员还可以理解的是，RGB光电传感器和红外光电传感器的具体种类不受特殊的限制，本领域任何已知的适合的光电传感器均可，且可以根据实际的需要选择适合的RGB光电传感器和红外光电传感器。
进一步地，第二电极220的设计位置可以有两种，分别可以如图3.a和图3.b所示。一种第二子像素层200的内部结构，参考图3.a，第二电极220设置在第一绝缘层140中，如此设计能将两个子像素层的电极整合在同一绝缘层内，利于电信号的传输和线路设计的整体性，同时绝缘层的厚度增大也能增加复合像素单元的韧性。另一种第二子像素层200的内部结构，参考图3.b，第二子像素层200进一步包括第二绝缘层230，第二绝缘层230设置在第二光电信号收集层210的下表面，并且第二电极220设置在第二绝缘层230中。如此设计，能够减小第一绝缘层140的厚度，有利于第二光电信号收集层210对红外光的收集。
其中，红外光电传感器2120采用了TOF传感器的原理，如图4所示。主动发射调制过的光源到目标面上，然后收集反射回来的对应光。根据发射和反射光之间的相位差，并通过运算转换得到景深。一般，主动发光源为红外信号，对人眼来说是不可见光。而红外光电传感器2120能够接受特别频段的反射光，并把光子转换成电流或电压信号，距离信息就存在反射光分量中，即保存在红外光电传感器2120所转换的电流或者电压信号之中。
具体的，根据本发明的一个具体示例，参照图5，复合像素单元的内部结构为：第一电极150和第二电极220均设置在第一绝缘层140中。根据本发明的一些具体的示例，RGB光电传感器的高度可以为1.5微米，红外光电传感器的高度可以为8微米，且RGB光电传感器1320和滤光层120之间的第一基体厚度为2～3微米。本发明的发明人意外地发现，RGB光电传感器的高度为1.5微米时，彩度信息的光电子信号的收集效果最佳；若RGB光电传感器的厚度小于1.5微米，则彩度信息的光电子信号转换成的电流或者电压信号不明显；反之则有可能影响下层的红外光电传感器对红外光信号的收集。本发明的发明人还意外地发现，红外光电传感器的厚度为8微米时，深度信息的光电子信号的收集效果最佳；若小于8微米，则深度信息的光电子信号转换成的电流或者电压信号不明显；反之则深度信息的信号也无明显增强，而会增加制造的成本。本发明的发明人还意外地发现，RGB光电传感器和滤光层之间的厚度为2～3微米时，彩度信息的光电子信号的收集效果最好。
另外，根据本发明的一些实施例，所述滤光层可以为红色、绿色或蓝色的滤色镜。本发明一个具体示例，参照图6，滤光层为绿色的滤色镜。当带有可见光信号和红外信号的光线照射到复合像素单元时，光线透过聚光层110并经过绿色滤镜，绿色的滤色镜能过滤掉其他颜色的可见光，所以可见光信号传播到RGB光电传感器处只剩下绿色光信号，并转化成电子信号而被读出；而红外光信号具有一定的穿透能力，能够直接穿透第一子像素层100而传播至红外光电传感器2120，并被其收集而转化成电子信号而被读出。需要说明的是，针对图6的绿色像素电信号收集的结构与原理解释，同样适用于滤光层为红色或蓝色的滤色镜，只是经红色滤光层过滤后读出的是红色光信号，而经蓝色滤光层过滤后读出的是蓝色光信号。
因此，带有可见光信号和红外光信号的光线，经过第一子像素层100和第二子像素层200的分别针对不同波长光的选择性透过和吸收转化的能力，能够先后在同一位置读出色度信息和深度信息。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种复合像素单元，利用该彩色像素和不可见光像素垂直分布的复合像素单元，能够同时获得场景的深度信息和色度信息，收集的这两种光电信号无需复杂算法矫正，且复合像素单元相对场景的位置发生时改变也不会影响信息收集的效果。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种像素阵列。根据本发明的实施例，该像素阵列包括多个上述的复合像素单元。
本发明的发明人意外地发现，采用彩色像素和不可见光像素垂直分布的复合像素单元能够组装出像素阵列，该像素阵列能够在同一瞬间接收到二维平面上的RBG光信号和红外光信号。由于像素阵列的像素单元中，接收彩度信息的第一子像素层和深度信息的第二子像素层是垂直分布的，所以单独的彩色光信号和红外光信号无需复杂的校正算法，两者可直接匹配使用。而且，通过设计像素阵列中每个复合像素单元所采用的RBG滤色镜的排布顺序，可使获得的二维平面的彩色光信号更加真实和饱满。
本领域技术人员可以理解的是，本发明的像素阵列中每个复合像素单元所采用的RBG滤色镜的具体排布顺序，不受特殊的限制，本领域任何已知的排布方法均可，例如红色、蓝色和绿色循环排布等，本领域技术人员可根据实际的需要进行选择。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种像素阵列，利用由前面所述的复合像素单元组成的像素阵列，能够同时获得三维场景的深度信息和色度信息，并且收集的这两种光电信号无需复杂算法矫正，该像素阵列的设计、制造和使用简单且高效，还可进行移动中的光电信号收集。本领域技术人员能够理解的是，前面针对复合像素单元所描述的特征和优点，仍适用于该像素阵列，在此不再赘述。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种光学设备。根据本发明的实施例，该光学设备包括上述的像素阵列。本领域技术人员可以理解，该光学设备还包括其他必要的部件，例如信号传输线、信号收集器或集成芯片等，在此不再进行过多赘述。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种光学设备，利用包括像素阵列的该光学设备，能够同时获得三维场景的深度信息和色度信息，并且两种光电信号无需复杂算法矫正即可直接输出，该光学设备的信息处理时间更短。本领域技术人员能够理解的是，前面针对复合像素单元和像素阵列所描述的特征和优点，仍适用于该光学设备，在此不再赘述。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种制备上述的复合像素单元的方法。参照下面图7～10，对本发明的制备方法进行详细的描述。根据本发明的实施例，该制备方法包括三个主要的步骤。
第一步，先需要提供第一子像素段300。本发明一些实施例中，参照图7，第一子像素段300的内部设置有RGB光电传感器310。需要说明的是，第一子像素段300的内部设置有RGB光电传感器310，是指RGB光电传感器的上下左右前后均被第一子像素段所包覆。并且第一子像素段300的上表面设置有第三绝缘层320，而第三绝缘层320中还包埋有第一电极330。其中，第一电极330与RGB光电传感器310是电连接。根据本发明的一些具体示例，RGB光电传感器的高度可以为1.5微米。
第二步，在第一子像素段300的下表面形成第二子像素层。需要说明的是，在第一子像素段300的下表面形成第二子像素层的具体方式不受特别限制。在本发明的一些实施例中，包括但不限于通过新加入金属层之间的金属键合或者绝缘层之间的熔融定型、胶接等方式将第二子像素层结合到第一子像素段的下表面上，在此不再赘述。具体而言，以新加入金属层之间的金属键合为例，在第一子像素段的下表面与第二子像素层的上表面分别新增加一层金属层，再通过金属层之间的金属键合作用，使第一子像素段与第二子像素层相互连接。
根据本发明的一些具体的实施例，第二子像素层可以以第二子像素段400的形式提供。在本发明的一些实施例中，第二子像素段400的结构可以有两种。具体的，参照图8.a，第二子像素段的第一种结构可以为：第二子像素段400的内部设置有红外光电传感器410，并且第二子像素段400的上表面设置有第四绝缘层420，而第四绝缘层420中还包埋有第二电极430。参照图8.b，第二子像素段的第二种结构可以为：第二子像素段400的内部设置有红外光电传感器410，第二子像素段400的下表面设置有第四绝缘层420，而第四绝缘层420中还包埋有第二电极430。并且在本发明的一些实施例中，参照图8.b，第二子像素段400的上表面可以预先经过研磨成平面，便于其后续与第一子像素段的垂直结合。
其中，第二电极430与红外光电传感器410是电连接。需要说明的是，第二子像素段400的内部设置有红外光电传感器410，同样是指红外光电传感器410的上下左右前后均被第二子像素段所包覆。根据本发明的一些示例，红外光电传感器的高度可以为8微米。
根据本发明的实施例，当第二子像素层的结构如图8.a所示时，可以直接将第三绝缘层和第四绝缘层结合在一起，获得的复合像素段，其结构请参考图9。其中，第三绝缘层和第四绝缘层共同构成第一绝缘层。当第二子像素层的结构如图8.b所示时，可以直接将第三绝缘层和第二子像素段结合在一起获得复合像素段。其中，第三绝缘层构成第一绝缘层，第四绝缘层构成第二绝缘层。
最后一步，在复合像素段的表面形成滤光层510和聚光层530，以便获得所述复合像素单元500。需要说明的是，滤光层510和聚光层530的形成方法不受特别的限制，本领域内任何已知的适合的形成方法均可，例如淀机，等等，本领域技术人员可根据实际需要进行选择。根据本发明的一些示例，在形成滤光层510和聚光层530之前，可以对第一子像素段400的上表面先进行研磨。根据本发明的一些示例，滤光层510可以是红色、蓝色或绿色的滤光镜，相应地，滤光层510是红色滤光镜则RGB光电传感器收集到的是红色光信号，以此类推蓝色或绿色的滤光镜。根据本发明的一些示例，针对图9所示的复合像素段，再进行磨平并垂直结合上滤光层510和聚光层530，得到的复合像素单元500，其结构请参考图10。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种复合像素单元的制备方法，利用该方法能够制造出具有彩色像素和不可见光像素垂直分布的复合像素单元，并且该方法简单且高效，还可进一步组装出由复合像素单元组成的像素阵列。本领域技术人员能够理解的是，前面针对复合像素单元所描述的特征和优点，仍适用于该复合像素单元的制备方法，在此不再赘述。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种电子设备。根据本发明的实施例，所述电子设备包括上述的光学装置。本领域技术人员可以理解，该电子设备还包括其他必要的部件，电池、外壳、屏幕、CPU、存储器或输入输出设备等，在此不再进行过多赘述。
另外，根据本发明的实施例，所述电子设备的具体种类不受特别限制，可以为任何需要获取图像的设备。在本发明的一些具体示例中，包括但不限于手机、相机、车载摄像头、汽车测距设备等。
综上所述，根据本发明的实施例，本发明提出了一种电子设备，利用该含有上述的光学装置的电子设备，能够同时获得三维场景的深度信息和色度信息，并且两种光电信号无需复杂算法矫正即可直接输出显示，该电子设备的信息处理的时间相对现有的3D照片技术而言更短，并且该电子设备可移动地显示信息。本领域技术人员能够理解的是，前面针对复合像素单元、像素阵列和光学装置所描述的特征和优点，仍适用于该电子设备，在此不再赘述。
在本发明的另一个方面，本发明提出了一种车辆。根据本发明的实施例，所述车辆含有上述的电子设备。本领域技术人员可以理解，该车辆还包括其他必要的部件，例如发动机、底盘、车身和电气设备等，在此不再进行过多赘述。
发明人意外地发现，采用本发明实施例的车辆，能够同时获得车辆附近的三维场景的深度信息和色度信息，并且可实时反映出三维图像。本领域技术人员能够理解的是，前面针对复合像素单元、像素阵列、光学装置和电子设备所描述的特征和优点，仍适用于该车辆，在此不再赘述。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (15)
1.一种复合像素单元，其特征在于，包括：
第一子像素层，所述第一子像素层被配置为适于接收彩色光信号；
第二子像素层，所述第二子像素层垂直设置在所述第一子像素层之下，并且所述第二子像素层被配置为适于接收不可见光信号。
2.根据权利要求1所述的复合像素单元，其特征在于，所述第一子像素层包括：
聚光层；
滤光层，所述滤光层设置在所述聚光层的下表面；
第一光电信号收集层，所述第一光电信号收集层设置在所述滤光层的下表面；
第一绝缘层，所述绝缘层设置在所述第一光电信号收集层的下表面；以及
第一电极，所述电极设置在所述绝缘层中，并且与所述第一光电信号收集层电连接。
3.根据权利要求2所述的复合像素单元，其特征在于，所述第二子像素层包括：
第二光电信号收集层，所述第二光电信号收集层设置在所述第一绝缘层的下表面；
第二电极，所述第二电极与所述第二光电信号收集层电连接。
4.根据权利要求3所述的复合像素单元，其特征在于，所述第二电极设置在所述第一绝缘层中。
5.根据权利要求3所述的复合像素单元，其特征在于，所述第二子像素层进一步包括：
第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第二光电信号收集层的下表面，并且所述第二电极设置在所述第二绝缘层中。
6.根据权利要求2所述的复合像素单元，其特征在于，所述第一光电信号收集层包括：
第一基体，所述第一基体的材料为硅基板；
RGB光电传感器，所述RGB光电传感器设置在所述第一基体的内部。
7.根据权利要求3所述的复合像素单元，其特征在于，所述第二光电信号收集层包括：
第二基体，所述第二基体的材料为硅基板；
红外光电传感器，所述红外光电传感器设置在所述第二基体的内部。
8.根据权利要求6所述的复合像素单元，其特征在于，所述滤光层和所述RGB光电传感器之间的第一基体的厚度为2～3微米。
9.一种像素阵列，其特征在于，包括多个权利要求1～8任一项所述的复合像素单元。
10.一种光学装置，其特征在于，包括权利要求9所述的像素阵列。
11.一种制备权利要求1～8任一项所述的复合像素单元的方法，其特征在于，包括：
(1)提供第一子像素段，所述第一子像素段包括由上至下层叠设置的第一光电信号收集层和第三绝缘层，所述第三绝缘层中设置有第一电极；
(2)在所述第一子像素段的下表面形成第二子像素层；
(3)在所述第一子像素段的上表面依次形成滤光层和聚光层。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述第二子像素层包括由上至下层叠设置的第四绝缘层和第二光电信号收集层，所述第四绝缘层中设置有第二电极，且所述第三绝缘层和所述第四绝缘层共同构成所述第一绝缘层。
13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，步骤(2)中，所述第二子像素层包括由上至下层叠设置的第二光电信号收集层、第二电极和第四绝缘层，所述第四绝缘层中设置有第二电极，且所述第三绝缘层构成所述第一绝缘层，所述第四绝缘层构成所述第二绝缘层。
14.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求10所述的光学装置。
15.一种车辆，其特征在于，所述车辆包括权利要求14所述的电子设备。
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