CN108079443A - 一种用于中子俘获治疗的射束整形体 - Google Patents
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Abstract
本发明属于中子俘获治疗领域，公开了一种用于中子俘获治疗的射束整形体，包括：射束通道部、射束整形部和射束屏蔽部；其中，所述射束通道部包括射束入口、靶材和射束出口，所述射束整形部包括射束缓速体和反射体，所述射束屏蔽部包括辐射屏蔽体和出口屏蔽体。本发明在射束出口处设置有出口屏蔽体，使得在对中子束质量影响尽量小的影响下，最大限度的减少治疗时无用的或有害的射线从射束出口射出，减小治疗时非治疗射线对患者造成的伤害，同时，将反射体内表面设置为抛物线曲面，可以对中子束的方向进行控制，使其尽量沿着治疗所需的方向从射束出口平行射出，可以增加射束出口处的治疗射束强度，提高治疗效果和安全性。
Description
技术领域
本发明涉及中子俘获治疗领域，特别是涉及一种用于中子俘获治疗的射束整形体。
背景技术
中子俘获治疗结合了化学治疗与放射治疗的特点，将化学治疗中的标靶治疗概念便被用于放射治疗中，作为一种有效的治疗癌症的手段近年来的应用逐渐增加。其中以硼中子俘获治疗最为常见，其借由含硼药物在肿瘤细胞的特异性集聚，配合精准的中子射束调整，提供比传统放射线更好的癌症治疗选择。由于硼中子俘获治疗的理想中子源为keV能量等级的超热中子，供应硼中子俘获治疗的中子可以由核反应堆或加速器供应。为产生足够大的中子通量，通常选用较高能量的质子来引发核反应。可以选择核反应堆或加速器带电粒子与靶材的核反应，核反应产生的射束皆为混合辐射场，即射束包含了低能至高能的中子、光子；对于深部肿瘤的硼中子俘获治疗，除了超热中子外，其余的辐射线含量越多，造成正常组织非选择性剂量沉积的比例越大，因此这些会造成不必要剂量的辐射应尽量降低。
中子束整形体是硼中子俘获治疗中的中子束产生部件，通常与加速器连接应用于硼中子俘获治疗，现有的中子束整形体存在不同方面的风险：一方面，中子束出口敞开，存在有害射线从中子束出口泄露的风险，同时在核反应过程中产生的有害的化学物质可能会从出口溢出，在治疗时，患者有可能接触到中子束出口处出来的有害射线及有害化学物质，对正在治疗的患者造成伤害；另一方面，反射体仅仅将中子导回到轴线，但是对中子射线的方向没有调整和控制，造成中子射线方向过于发散，造成从出口射出的中子束方向性不好。
因此，有必要设计一种安全的、可靠的中子束整形体结构应用于硼中子俘获治疗中。
发明内容
为此，本发明的一个目的在于提出一种用于中子俘获治疗的射束整形体，具有照射强度大、密闭性好等特点，能有效提高中子俘获治疗的治疗效果和安全性能。
根据本发明实施例的用于中子俘获治疗的射束整形体，包括：射束通道部、射束整形部和射束屏蔽部；其中，所述射束通道部包括射束入口、靶材和射束出口，所述射束整形部包括射束缓速体和反射体，所述射束屏蔽部包括辐射屏蔽体和出口屏蔽体。具体的，所述靶材与所述射束入口连接，所述射束缓速体与所述靶材连接，所述反射体包围在所述射束缓速体与所述靶材外围，所述反射体内表面形成腔体，所述射束缓速体在所述反射体腔体中靠近靶材的一端，在远离所述射束缓速体的一端，所述反射体腔体成开口设置形成所述射束出口，所述出口屏蔽体设置在所述射束出口处，并与所述射束出口密闭连接，所述辐射屏蔽体包围在除所述射束出口之外的所述射束整形体外周。
根据本发明的一个示例，所述射束入口、靶材、反射体和射束出口在同一轴线上，以确保中子束沿着轴线方向射出。
根据本发明的一个示例，所述靶材为金属靶材。进一步的，所述金属靶材为锂金属靶材或铍金属靶材。理想的靶材应用备高中子产率、产生的中子能量分布接近超热中子能区、无太多强穿透辐射产生、安全便宜易于操作且耐高温等特性，但是本领域技术人员熟知的，靶材的材料也可以由其他除了上述谈论到的金属材料之外的金属材料制成。
质子束从所述射束入口射入后，打在所述靶材上并发生核反应产生中子，包含了低能至高能的中子，中子按照不同能区进行划分，其中，超热中子能区在0.5eV到40keV之间，热中子的能区小于0.5eV，快中子能区大于40keV，在中子俘获治疗中，有效的治疗射束为在0.5eV到40keV之间的超热中子，而且在核反应过程中还可能会产生部分γ光子和部分有害化学物质。
从所述靶材打出的中子束经过所述射束缓速体，所述射束缓速体可以将中子束速至超热中子能区，即所述射束缓速体的作用主要是将高速运行的中子束降为治疗过程中的有效治疗射束。
根据本发明的一个示例，所述射束缓速体的材料包括LiF、LiCO3、Al2O3、AlF3、CaF2、MgF2中的至少一种。进一步的，所述射束缓速体的材料经粉末烧结设备通过粉末烧结工艺由粉末或粉末压坯变成块。但是本领域技术人员熟知的，所述射束缓速体还可以由其他具有快中子截面大、超热中子作用截面小的材料制成。
根据本发明的一个示例，所述反射体由的具有中子反射能力强的材料制成。进一步的，所述反射体的材料为Pb、Ni或其组合。
根据本发明的一个示例，所述反射体为具有一定厚度的立体块，以防止中子束穿透反射体而溢出。进一步的，所述反射体为矩形立体块，以便于加工和安装。
根据本发明的一个示例，所述反射体的内表面为具有弧度的曲面，以对中子射束的方向进行有效的控制，尽量减小中子射束的散射角度。
根据本发明的一个示例，所述反射体包括第一反射体内表面，所述第一反射体内表面为抛物线形曲面。进一步的，所述靶材设置在抛物线形曲面的焦点处，以将各个方向散射的中子束反射为沿平行于轴线方向运动的中子束。进一步的，所述第一反射体内表面靠近靶材一端包围有所述射束缓速体。
由抛物线的特性可知，从焦点处发出的光线照射到抛物线的任意一点，经过抛物线反射后，光线的传播方向均变成平行于轴线的方向。在中子俘获治疗中，平行于轴线方向射出的中子束有更好的治疗效果和安全性能，在照射治疗时，射束出口的大小与治疗区大小相对应，如图1所示，现有技术中，中子束方向没有沿着轴线方向平行射出，部分射线会照射到非治疗区，不仅减少了治疗区的中子束强度，降低了治疗区的辐射剂量，而且会对非治疗区造成不必要的伤害；如图2所示，本发明中，中子束沿着轴线方向平行射出，中子束只照射在治疗区，更多的中子束会照射到治疗区，提高治疗区的辐射剂量，降低非治疗区的正常组织的剂量，提高治疗效果和安全性。
本发明中将反射体内表面设置为抛物线形曲面，并将靶材设置在抛物线形曲面的焦点处，当从靶材射出的中子束沿着轴线方向射出时，直接从射束出口处射出，当从靶材射出的中子束偏离轴线方向射出时，经过抛物线形曲面的反射体内表面反射调整为与轴线平行的方向，从而可以从射束出口处沿轴线方向水平射出，能够有效的减小中子束的散射角，提高中子束的平行度。这样一方面可使从射束出口射出的中子束更多的照射到治疗区，提高治疗区的辐射剂量，提高治疗效果；另一方面，由于更多的中子束照射到治疗区，非治疗区的辐射剂量相应降低，正常组织受到的辐射剂量相应减小，提高治疗的安全性；再一方面由于中子束经过抛物线形曲面的反射后变成沿着轴线方向运动后，则在反射体腔体内有更多的中子有机会从射束出口射出，而不是在反射体腔体内杂乱无章的反射，从而提高从射束出口射出的中子束的束流强度，进而提高治疗区的辐射剂量，提高治疗效果。
根据本发明的一个示例，所述反射体包括第一反射体内表面和第二反射体内表面，所述第二反射体内表面与所述第一反射体内表面相连接，所述第一反射体内表面为抛物线形曲面，所述第二反射体内表面沿着远离靶材的方向横截面逐渐减小。进一步的，所述第二反射体内表面的出口位置设置在所述第一反射体内表面抛物线形曲面的焦点处，所述第二反射体内表面包围所述射束缓速体。
所述第二反射体内表面作用是将散射的中子导回到轴线，所述第一反射体内表面作用是将散射中子束反射为与轴线平行的中子束，减小中子束的散射角并增加射束出口处中子束的强度。
根据本发明的一个示例，所述射束屏蔽部包围整个所述射束整形体外周，其中，所述出口屏蔽体设置在射束出口处，以确保治疗区的射线辐射安全，所述辐射屏蔽体包围在除所述射束出口之外的所述射束整形体外周，以确保非治疗区的射线辐射安全，从而使得射束屏蔽部可以屏蔽掉整个射束整形体的有害射线和无用射线的辐射，从而有效保障整个射束整形体在治疗过程中的使用安全。
根据本发明的一个示例，所述辐射屏蔽体包括γ光子屏蔽层和中子屏蔽层。用于吸收从反射体溢出的中子以及大部分γ光子避免射线污染，防止溢出的有害射线污染治疗室。
根据本发明的一个示例，所述γ光子屏蔽层由Pb制成，所述中子屏蔽层由PE制成。
在本发明的射束整形体中，所述出口屏蔽体的基体成分需要严格控制，以确保治疗用的热中子束能顺利通过。所述出口屏蔽体的基体厚度也需要经过严格的选择程序进行确定，以确保治疗用的热中子束能顺利通过，所述出口屏蔽体的基体厚度过厚会使热中子束无法通过，所述出口屏蔽体的基体厚度过薄会使有害射线也一起通过。
根据本发明的一个示例，所述出口屏蔽体包括γ光子吸收层和热中子吸收层。所述γ光子吸收层用于吸收γ光子，其目的是在不影响出口中子通量的情况下，减小γ光子通量，以避免γ光子从所述射束出口射出对患者造成伤害；所述热中子吸收层用于吸收热中子以避免治疗时与正常组织造成过多剂量，以防止对治疗无用的热中子及γ光子从所述射束出口射出对患者造成伤害。
进一步的，所述γ光子吸收层由与γ光子作用截面大的材料制成；所述热中子吸收层由与热中子作用截面大的材料制成。根据本发明的一个示例，所述γ光子吸收层由Bi制成，所述热中子吸收层由6Li或10B制成。
根据本发明的一个示例，所述γ光子吸收层与所述热中子吸收层临接设置。
根据本发明的一个示例，所述出口屏蔽体设置在所射束出口与所述射束缓速体之间的某一位置。
根据本发明的一个示例，所述γ光子吸收层与所述热中子吸收层可以不临接设置。
根据本发明的一个示例，所述γ光子吸收层设置在出口处，所述热中子吸收层设置在所述射束出口与所述射束缓速体之间的某一位置。
根据本发明的一个示例，所述热中子吸收层设置在出口处，所述γ光子吸收层设置在所述射束出口与所述射束缓速体之间的某一位置。
根据本发明的一个示例，所述热中子吸收层与所述γ光子吸收层均设置在所述射束出口与所述射束缓速体之间的某一位置。
在使用过程中，质子束从所述射束入口射入，打在所述靶材上并发生核反应产生中子，形成中子束并沿着轴线方向水平射出，所述中子束经过所述射束缓速体减速至超热中子能区，再经过所述反射体腔体和所述出口屏蔽体从所述射束出口射出到达治疗区，用于给患者照射治疗。所述反射体一方面可以防止中子射束溢出，一方面可以将散射中子束反射为与轴线平行的方向，减小中子束的散射角并增加出口处中子束的强度；所述出口屏蔽体用于过滤中子束中的有害射线和过多的剂量，以避免治疗时浅层皮肤受到与治疗无关的有害射线的伤害，进一步的，所述出口屏蔽体与所述射束出口密封连接，可以防止有害的化学物质从所述射束出口溢出以免对患者造成伤害，所述辐射屏蔽体用于屏蔽渗漏的射线，以减少非照射区的正常组织的剂量。换句话说，所述射束屏蔽部可以使得所述射束整形体只有在所述射束出口处有治疗射束射出，其余地方均无射束射出，所述出口屏蔽体的作用是减少治疗区不起治疗作用的射线如热中子束，γ光子等的辐射剂量，但是治疗所需的超热中子束不受影响；所述辐射屏蔽体的作用是防止任何形式的射线辐射到非治疗区。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
本发明的有益效果：
本发明所提供的用于中子俘获治疗的射束整形体，一方面，在射束出口处设置有出口屏蔽体，使得在对中子束质量影响尽量小的影响下，最大限度的减少治疗时无用的或有害的射线从射束出口射出，减小治疗时非治疗射线对患者造成的伤害，同时，出口屏蔽体与射束出口密封连接，可以防止治疗过程中整形体内由于核反应产生的有害的化学物质溢出射束整形体；另一方面，将反射体内表面设置为抛物线曲面，可以对中子束的方向进行控制，使其尽量沿着治疗所需的方向从射束出口平行射出，可以增加射束出口处的治疗射束强度，提高治疗效果和安全性，同时由于出口屏蔽体可能会减弱出口处中子束强度，将反射体内表面设置为抛物线曲面所提高的射束强度也可以此部分减弱的中子束进行弥补，使治疗用的中子射束能达到治疗所需的强度，确保治疗的正常进行。
附图说明
图1是现有技术中中子束照射方向示意图；
图2是本发明中中子束照射方向示意图；
图3是根据本发明实施例一中的用于中子俘获治疗的射束整形体的剖面示意图；
图4是根据本发明实施例一中的用于中子俘获治疗的射束整形体的射束出口端端面结构示意图；
图5是根据本发明实施例三中的用于中子俘获治疗的射束整形体的剖面示意图；
图6是根据本发明实施例四中的用于中子俘获治疗的射束整形体的剖面示意图；
图7是根据本发明实施例五中的用于中子俘获治疗的射束整形体的剖面示意图。
图中：射束通道部100，射束入口110，靶材120，射束出口130；射束整形部200，射束缓速体210，反射体220，第一反射体内表面221，第二反射体内表面222；射束屏蔽部300，辐射屏蔽体310，出口屏蔽体320，γ光子吸收层321，热中子吸收层322。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下面参考附图来详细描述根据本发明实施例的用于中子俘获治疗的射束整形体。
实施例一
如图3和图4所示，根据本发明实施例的用于中子俘获治疗的射束整形体，包括：射束通道部100、射束整形部200和射束屏蔽部300。
具体地说，所述射束通道部100包括射束入口110、靶材120和射束出口130。所述射束通道部100是射束运行的通道，经过加速的质子束从射束入口110进入到所述射束整形体中，打在靶材120并发生核反应产生中子并形成中子束从射束出口130射出，到达治疗区对患者进行照射治疗。
所述射束整形部200包括射束缓速体210和反射体220。所述射束整形部200对靶材120中产生的中子束进行调整以满足中子俘获治疗的要求。
所述射束缓速体210与所述靶材120连接，用于将自靶材120产生的中子束减速至满足中子俘获治疗要求的超热中子能区。所述射束缓速体210由具有快中子截面大、超热中子作用截面小的材料制成。在本实施例中，所述射束缓速体210由LiF制成，在其他的一些实施例中，所述射束缓速体210由LiCO3、Al2O3、AlF3、CaF2、MgF2中的至少一种制成。在本实施例中，所述射束缓速体210的材料经粉末烧结设备通过粉末烧结工艺由粉末或粉末压坯变成块。
所述反射体220包围在所述靶材120与所述射束缓速体210外周，用于对所述中子射束的方向进行有效的控制，尽量减小中子射束的散射角度。所述反射体220的内表面为具有弧度的曲面并形成一个腔体，所述射束缓速体210在所述反射体腔体中靠近靶材120的一端，在远离所述射束缓速体210的一端为开口设置，形成所述射束出口130。所述反射体220由具有中子反射能力强的材料制成。在本实施例中，所述反射体220由Pb制成。在其他的一些实施例中，所述反射体220由Ni或Pb与Ni的组合物制成。
所述射束屏蔽部300包括辐射屏蔽体310和出口屏蔽体320。所述射束屏蔽部300包围整个所述射束整形体外周，屏蔽掉渗漏和多余的射线，确保所述射束整形体在治疗过程中的射线辐射安全。
所述辐射屏蔽体310包围在除所述射束出口130之外的所述射束整形体外周，用于吸收从反射体220溢出的中子以及γ光子，避免射线污染，防止溢出的有害射线污染治疗室，以确保治疗室和非治疗区的射线辐射安全。进一步的，所述辐射屏蔽体310包括γ光子屏蔽层和中子屏蔽层。在本实施例中，所述γ光子屏蔽层由Pb制成，所述中子屏蔽层由PE制成。
所述出口屏蔽体320设置在所述射束出口130处，用于吸收从射束出口130处射出的热中子和γ光子，以确保治疗区的射线辐射安全。
如图4所示，从所述射束出口130端的端面看，所述射束出口130端的端面被所述射束屏蔽部300覆盖，其中，所述反射体220形成射束出口130，所述出口屏蔽体320设置在所述射束出口130内，所述辐射屏蔽体310设置在所述射束出口130外。
所述出口屏蔽体320包括γ光子吸收层321和热中子吸收层322。所述γ光子吸收层321用于吸收γ光子，以避免γ光子从所述射束出口130射出对患者造成伤害，所述热中子吸收层322用于吸收热中子以避免治疗时与正常组织造成过多剂量，防止对治疗无用的热中子及γ光子从射束出口130射出对患者造成伤害。所述γ光子吸收层321由与γ光子作用截面大的材料制成，所述热中子吸收层322由与热中子作用截面大的材料制成。在本实施例中，所述γ光子吸收层321由Bi制成，所述热中子吸收层322由6Li制成。
所述出口屏蔽体320与所述射束出口130密闭连接，使所述反射体的内表面形成密闭的反射体腔体，防止在核反应过程中产生的有害化学物质从所述射束出口130处溢出，以避免对正在治疗的患者造成伤害。
在本实施例中，所述γ光子吸收层321与所述热中子吸收层322临接设置。在其他一些实施例中，所述γ光子吸收层321与所述热中子吸收层322可以不临接设置。
在本实施例中，所述γ光子吸收层321与所述热中子吸收层322设置在射束出口130处。
实施例二
在实施例一的基础之上，在本实施例中，如图3所示，用于中子俘获治疗的射束整形体的反射体220包括第一反射体内表面221，所述第一反射体内表面221为抛物线形曲面，所述靶材120设置在所述第一反射体内表面221抛物线形曲面的焦点处。以将各个方向照射的中子束反射为与轴线方向平行的中子束。本实施例中将反射体内表面设置为抛物线形曲面，并将靶材120设置在抛物线形曲面的焦点处，当从靶材120射出的中子束沿着轴线方向射出时，直接从射束出口130处射出，当从靶材120射出的中子束偏离轴线方向射出时，经过抛物线形曲面的反射体内表面反射调整为与轴线平行的方向，从而可以从射束出口130处水平射出，能够有效的减小中子束的散射角，提高中子束的平行度。
实施例三
本实施例与实施例一的区别在于：
如图5所示，该用于中子俘获治疗的射束整形体中，γ光子吸收层321与热中子吸收层322是非临接设置的，其中，γ光子吸收层321设置在射束出口130，热中子吸收层322设置在紧邻射束缓速体210处。
实施例四
如图6所示，在上述实施例一的基础之上，用于中子俘获治疗的射束整形体的反射体220包括第一反射体内表面221和第二反射体内表面222，所述第二反射体内表面222与所述第一反射体内表面221相连接，所述第一反射体内表面221为抛物线形曲面，所述第二反射体内表面222沿着远离靶材120的方向横截面逐渐减小。在本实施例中，所述第二反射体内表面222的中子出口位置设置在所述第一反射体内表面221抛物线形曲面的焦点处，所述第二反射体内表面222包围所述射束缓速体210。所述第二反射体内表面222作用是将散射的中子束导回到轴线，所述第一反射体内表面221作用是将散射中子束反射为与轴线平行的中子束，减小中子束的散射角并增加出口处中子射束的强度。
实施例五
本实施例与实施例四的区别在于：
如图7所示，该用于中子俘获治疗的射束整形体中，γ光子吸收层321与热中子吸收层322是非临接设置的，其中，γ光子吸收层321设置在射束出口130，热中子吸收层322设置在紧邻射束缓速体210处。
显然，本发明的上述实施例仅仅是为了清楚说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种用于中子俘获治疗的射束整形体，包括：射束通道部、射束整形部和射束屏蔽部，其特征在于，所述射束通道部包括射束入口、靶材和射束出口，所述射束整形部包括射束缓速体和反射体，所述射束屏蔽部包括辐射屏蔽体和出口屏蔽体；所述靶材与所述射束入口连接，所述射束缓速体与所述靶材连接，所述反射体包围在所述射束缓速体与所述靶材外围，所述反射体内表面形成腔体，所述射束缓速体在所述反射体腔体中靠近靶材的一端，在远离所述射束缓速体的一端，所述反射体腔体成开口设置形成所述射束出口，所述出口屏蔽体设置在所述射束出口处，并与所述射束出口密闭连接，所述辐射屏蔽体包围在除所述射束出口之外的所述射束整形体外周。
2.根据权利要求1所述的用于中子俘获治疗的射束整形体，其特征在于，所述靶材为金属靶材，所述金属靶材为锂金属靶材或铍金属靶材。
3.根据权利要求1所述的用于中子俘获治疗的射束整形体，其特征在于，所述射束缓速体的材料包括LiF、LiCO3、Al2O3、AlF3、CaF2、MgF2中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的用于中子俘获治疗的射束整形体，其特征在于，所述反射体的材料为Pb、Ni或其组合。
5.根据权利要求1所述的用于中子俘获治疗的射束整形体，其特征在于，所述反射体包括第一反射体内表面，所述第一反射体内表面为抛物线形曲面，所述靶材设置在抛物线形曲面的焦点处。
6.根据权利要求1所述的用于中子俘获治疗的射束整形体，其特征在于，所述反射体包括第一反射体内表面和第二反射体内表面，所述第二反射体内表面与所述第一反射体内表面相连接，所述第一反射体内表面为抛物线形曲面，所述第二反射体内表面沿着远离靶材的方向横截面逐渐减小，所述第二反射体内表面的中子出口位置设置在所述第一反射体内表面抛物线形曲面的焦点处，所述第二反射体内表面包围所述射束缓速体。
7.根据权利要求1所述的用于中子俘获治疗的射束整形体，其特征在于，所述辐射屏蔽体包括γ光子屏蔽层和中子屏蔽层。
8.根据权利要求1所述的用于中子俘获治疗的射束整形体，其特征在于，所述出口屏蔽体包括γ光子吸收层和热中子吸收层。
9.根据权利要求8所述的用于中子俘获治疗的射束整形体，其特征在于，所述γ光子吸收层与所述热中子吸收层临接设置或非临接设置。
10.根据权利要求9所述的用于中子俘获治疗的射束整形体，其特征在于，所述非临接设置中，所述γ光子吸收层设置在出口处，所述热中子吸收层设置在所射束出口与所述射束缓速体之间的某一位置，或者
所述热中子吸收层设置在出口处，所述γ光子吸收层设置在所述射束出口与所述射束缓速体之间的某一位置，或者
所述热中子吸收层与所述γ光子吸收层均设置在所述射束出口与所述射束缓速体之间的某一位置。
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