CN108075003A - 自旋光伏器件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种自旋光伏器件及其制作方法，所述器件包括依次设置的衬底、铁磁底电极、有机光伏材料层和铁磁顶电极，铁磁底、顶电极具有不同的矫顽力。制作方法包括提供衬底；在衬底上依次形成铁磁底电极、有机光伏材料层和铁磁顶电极。本发明将有机光伏材料层作为自旋阀器件的中间层，使其在低磁场、室温下表现出一种可开关的光伏效应，采用低温低速沉积技术，防止沉积铁磁顶电极过程中有机层内金属丝的形成。

Description

自旋光伏器件及其制作方法
技术领域
本发明涉及半导体光电子技术领域，尤其涉及一种自旋光伏器件及其制作方法。
背景技术
在量子力学中，自旋是粒子所具有的内禀角动量引起的，虽然有时会与古典力学中的自转相类比，但实际上本质是迥异的。古典意义中的自转，是物体对于其质心的旋转，比如地球每日的自转是顺着一个通过地心的极轴所作的转动。
自旋器件的多功能性是自旋电子学发展的一个重要方向。为了发挥出自旋电子学的真正潜力，需要将自旋与其他功能器件相结合，利用自旋调控附加功能，同时通过这种调控充分发挥自旋的作用。
目前，自旋-有机发光二极管器件、自旋-存储器件、自旋-光响应器件已经得到深入的研究，但还没有自旋器件光伏效应的研究。
发明内容
本发明的目的在于提供一种自旋光伏器件及其制作方法，将有机光伏材料层作为自旋阀器件的中间层，使其在低磁场、室温下表现出一种可开关的光伏效应。
第一方面，本发明提供了一种自旋光伏器件，包括依次设置的衬底、铁磁底电极、有机光伏材料层和铁磁顶电极，所述铁磁底电极和所述铁磁顶电极具有不同的矫顽力。
优选的，所述铁磁底电极和所述铁磁顶电极均为钴、镍、镍铁合金、四氧化三铁和镧锶锰氧中的一种。
优选的，所述有机光伏材料层的材质为聚对苯乙烯撑、聚3-己基噻吩、富勒烯、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯和酞菁铜中的一种或多种的共混物。
优选的，在所述有机光伏材料层和所述铁磁顶电极层之间或所述铁磁底电极和所述有机光伏材料层之间还包括界面修饰层。
优选的，所述界面修饰层的材质为半氧化金属。
第二方面，本发明还提供一种制作所述的自旋光伏器件的制作方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上依次形成铁磁底电极、有机光伏材料层和铁磁顶电极。
优选的，在所述形成铁磁底电极、形成有机光伏材料层和形成铁磁顶电极时，还包括：
用液氮冷却所述衬底。
优选的，所述有机光伏材料层通过真空热蒸镀或溶液旋涂沉积在所述铁磁底电极上：其中采用真空热蒸镀法的沉积速度为0.1-5埃/秒，沉积厚度为10-100纳米，采用溶液旋涂法的旋涂速率为1000-3000转/分，沉积厚度为10-100纳米。
优选的，所述铁磁顶电极沉积在所述有机光伏材料层上，沉积厚度为10-50纳米，在沉积厚度为0-2纳米的过程中，沉积速度为0.1-5埃/秒，在沉积厚度大于2纳米的过程中，沉积速度大于1埃/秒，所述铁磁底电极沉积在所述衬底上，沉积速度为0.3-1.5埃/秒。
优选的，在形成有机光伏材料层和形成铁磁顶电极之间，还包括：
在所述有机光伏材料层上形成界面修饰层，所述界面修饰层沉积在所述有机光伏材料层上，沉积厚度为1-3纳米；
或，
在形成铁磁底电极和形成有机光伏材料层之间，还包括：
在所述铁磁底电极上形成界面修饰层，所述界面修饰层沉积在所述铁磁底电极上，沉积厚度为1-3纳米。
本发明的有益效果为：本发明通过将有机光伏材料层作为自旋阀器件的中间层，赋予传统自旋阀器件光伏的功能性，基于这一特性的自旋光伏器件可以在低磁场、室温下表现出一种可开关的光伏效应。具体为：在光照下可以产生一个自旋相关的电流，改变光辐照强度可对其进行调控。且在某一特定光强度下，输出电流的方向随外加磁场方向的改变(但绝对值不变)而改变，因此可应用于磁电流转换器。另外，相对磁电流ΔI/|Iout|的大小对某特定光强极其敏感，因此可应用于传感器。在恒定光照强度下，可通过改变外加偏压调控本发明自旋光伏器件的磁电流ΔI大小。调整外加偏压数值使其与开路电压完全相反时(即Vapp＝-Voc)，可获得纯自旋相关光电流。通过联合调节光照强度和外加偏压的大小可实现纯自旋光伏电流的调控。
附图说明
图1为本发明一实施例提供的一种自旋光伏器件的结构示意图；
图2为本发明另一实施例提供的一种自旋光伏器件的结构示意图；
图3A为本发明自旋光伏器件在温度为80K下，外加偏压为0时，黑暗、光照条件下电流对磁场的测量曲线图；
图3B为本发明自旋光伏器件在室温和温度为80K下，磁场作用下的输出电流响应图；
图4A为本发明自旋光伏器件在偏压为10mV，温度为80K下，不同光强下电流对磁场的测量曲线图；
图4B为本发明自旋光伏器件在4.67mW/cm2的特殊光强下，输出电流的曲线图；
图4C为本发明自旋光伏器件输出电流Iout对辐照光强度的变化曲线、相对磁电流响应对辐照光强度的变化曲线图；
图5A为本发明自旋光伏器件在恒定光强为7.5mW/cm2，温度为80K，不同偏压下的电流对磁场的测量曲线图；
图5B为本发明自旋光伏器件的磁电流ΔI随外加光辐射和外加偏压的变化曲线图；
图5C为本发明自旋光伏器件纯自旋光电流的电-光调制，调节光照强度和外加偏压使得Voc＝-Vapp时，磁电流ΔI随外加偏压的变化图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他的实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明一实施例提供的一种自旋光伏器件的结构示意图。
第一方面，如图1所示，本发明提供了一种自旋光伏器件，包括依次设置的衬底1、铁磁底电极2、有机光伏材料层3和铁磁顶电极4，所述铁磁底电极2和所述铁磁顶电极4具有不同的矫顽力。
在一种具体实施例中，所述衬底1可以为硅片。
作为一种优选实施例，所述铁磁底电极2和所述铁磁顶电极4均为钴、镍、镍铁合金、四氧化三铁和镧锶锰氧中的一种。
作为一种优选实施例，所述有机光伏材料层3的材质为聚对苯乙烯撑、聚3-己基噻吩、富勒烯、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯和酞菁铜中的一种或多种的共混物。
作为一种优选实施例，在所述有机光伏材料层3和所述铁磁顶电极4层之间或所述铁磁底电极和所述有机光伏材料层之间还包括界面修饰层5(其中图2所示为界面修饰层5在所述有机光伏材料层3和所述铁磁顶电极4层之间的示意图)。可以理解的是，界面修饰层5可帮助电荷顺利进入所述有机光伏材料层3。
作为一种优选实施例，所述界面修饰层5的材质为半氧化金属。
作为一种优选实施例，所述半氧化金属为铝的半氧化物，铝的半氧化物价格低廉，容易制备，可有效优化自旋注入，可重复性好。
可以理解的是，本发明通过将有机光伏材料层3作为自旋阀器件(自旋阀包括衬底1和依次设置在衬底1上的铁磁底电极2和铁磁顶电极4)的中间层，赋予传统自旋阀器件光伏的功能性，基于这一特性的自旋光伏器件可以在低磁场、室温下表现出一种可开关的光伏效应。具体为：
本发明自旋光伏器件，在光照下可以产生一个自旋相关的电流，改变光辐照强度可对其进行调控。且在某一特定光强度下，输出电流的方向随外加磁场方向的改变(但绝对值不变)而改变，因此可应用于磁电流转换器。另外，相对磁电流ΔI/|Iout|的大小对某特定光强极其敏感，因此可应用于传感器。在恒定光照强度下，可通过改变外加偏压调控本发明自旋光伏器件的磁电流ΔI大小。调整外加偏压数值使其与开路电压完全相反时(即Vapp＝-Voc)，可获得纯自旋相关光电流。通过联合调节光照强度和外加偏压的大小可实现纯自旋光伏电流的调控。
上述自旋光伏器件具有很好的可信性和可重复性，根据上述可知，其可以分别通过光照和外部磁场控制输出电流Iout的大小，输出电流Iout最小到零。输出电流Iout和磁电流ΔI可以很容易通过变化的辐照光强度或者外加偏压来控制，具体为：
可通过光照控制输出电流Iout，如图3A所示，黑暗条件下输出电流Iout为0，光照条件下输出电流Iout不为0。如图3B所示，还可通过外部磁场控制输出电流Iout，两铁磁电极(铁磁底电极和铁磁顶电极)磁化方向平行时输出电流Iout(磁化方向平行时输出电流用IP表示)为0，反平行时输出电流Iout(磁化方向反平行时输出电流用IAP表示)不为0，图3B中RT为室温。
如图4A所示，可采用辐照光强度控制本发明自旋光伏器件输出电流Iout。恒定偏压下，在改变光照强度时，输出电流Iout可以很自然的通过光伏效应转换被调整为负值或正值，但磁电流ΔI并不发生改变(如图4C)。其中，Lightlntensity为光强度。
如图4B所示，在特殊光强(如Light＝4.67mW/cm2)下，通过改变铁磁底电极2和铁磁顶电极4的磁化方向，所述磁化方向指平行或反平行取向，可以很容易转变自旋光伏器件中磁电流ΔI的方向(即IAP＝-IP)，因此本发明的自旋光伏器件可用作磁电流转换器。
另外，如图4C所示，在特定的光强度下相对磁电流ΔI/|Iout|可获得一个趋近于无限大的数值，相对磁电流对光强度变化响应敏感，因此，本发明自旋光伏器件可以用作复杂的传感器。
如图5A所示，通过外加偏压可控制本发明自旋光伏器件的输出电流Iout，恒定光照强度下，I-B曲线中的输出电流Iout的量级和符号都随外加偏压而改变，且磁电流ΔI随外加偏压的增大而增大(如图5B)。
如图5C所示，将外加偏压(Vapp)调整至与开路电压(Voc)完全相反时(Voc＝-Vapp)，可调制出大小可调的纯自旋光伏电流。
第二方面，本发明还提供一种制作所述的自旋光伏器件的制作方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上依次形成铁磁底电极、有机光伏材料层和铁磁顶电极。
作为一种优选实施例，在所述形成铁磁底电极、形成有机光伏材料层和形成铁磁顶电极时，还包括：
用液氮冷却所述衬底。
作为一种优选实施例，所述有机光伏材料层通过真空热蒸镀或溶液旋涂沉积在所述铁磁底电极上：其中采用真空热蒸镀法的沉积速度为0.1-5埃/秒，沉积厚度为10-100纳米，采用溶液旋涂法的旋涂速率为1000-3000转/分，沉积厚度为10-100纳米。
作为一种优选实施例，所述有机光伏材料层的沉积速度为0.1埃/秒，沉积厚度为30纳米。
作为一种优选实施例，所述铁磁顶电极沉积在所述有机光伏材料层上，沉积厚度为10-50纳米，在沉积厚度为0-2纳米的过程中，沉积速度为0.1-5埃/秒，在沉积厚度大于2纳米的过程中，沉积速度大于1埃/秒，所述铁磁底电极沉积速度沉积(如通过蒸镀方式)在所述衬底上，沉积速度为0.3-1.5埃/秒。
作为一种优选实施例，在形成有机光伏材料层和形成铁磁顶电极之间，还包括：
在所述有机光伏材料层上形成界面修饰层。所述界面修饰层沉积在所述有机光伏材料层上，沉积厚度为1-3纳米；
或，
在形成铁磁底电极和形成有机光伏材料层之间，还包括：
在所述铁磁底电极上形成界面修饰层，所述界面修饰层沉积在所述铁磁底电极上，沉积厚度为1-3纳米。
如，可通过氧等离子体处理的方式将金属部分氧化成半氧化金属，以形成界面修饰层。
本发明所提供的自旋光伏器件的制作方法制作的自旋光伏器件，通过将有机光伏材料层作为自旋阀器件(自旋阀包括衬底和依次设置在衬底上的铁磁底电极和铁磁顶电极)的中间层，赋予传统自旋阀器件光伏的功能性，基于这一特性的自旋光伏器件可以在低磁场、室温下表现出一种可开关的光伏效应。具体为：在光照下可以产生一个自旋相关的电流，改变光辐照强度可对其进行调控。且在某一特定光强度下，输出电流的方向随外加磁场方向的改变(但绝对值不变)而改变，因此可应用于磁电流转换器。另外，相对磁电流ΔI/|Iout|的大小对某特定光强极其敏感，因此可应用于传感器。在恒定光照强度下，可通过改变外加偏压调控本发明自旋光伏器件的磁电流ΔI大小。调整外加偏压数值使其与开路电压完全相反时(即Vapp＝-Voc)，可获得纯自旋相关光电流。通过联合调节光照强度和外加偏压的大小可实现纯自旋光伏电流的调控，具体详见上述一种自旋光伏器件部分的详细介绍。
而且，与常温沉积技术相比，本发明通过采用低温、低速沉积技术明显减少或防止了沉积铁磁顶电极过程中有机光伏材料层内金属丝的形成，增强了器件制备的可信性和可重复性，使本发明制备的器件得以实现预期的功能性。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但是，本发明的保护范围不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替代，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因
此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种自旋光伏器件，其特征在于，包括依次设置的衬底、铁磁底电极、有机光伏材料层和铁磁顶电极，所述铁磁底电极和所述铁磁顶电极具有不同的矫顽力。
2.如权利要求1所述的自旋光伏器件，其特征在于，所述铁磁底电极和所述铁磁顶电极均为钴、镍、镍铁合金、四氧化三铁和镧锶锰氧中的一种。
3.如权利要求1所述的自旋光伏器件，其特征在于，所述有机光伏材料层的材质为聚对苯乙烯撑、聚3-己基噻吩、富勒烯、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯和酞菁铜中的一种或多种的共混物。
4.如权利要求1所述的自旋光伏器件，其特征在于，在所述有机光伏材料层和所述铁磁顶电极层之间或所述铁磁底电极和所述有机光伏材料层之间还包括界面修饰层。
5.如权利要求4所述的自旋光伏器件，其特征在于，所述界面修饰层的材质为半氧化金属。
6.一种制作如权利要求1-5中任一项所述的自旋光伏器件的制作方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上依次形成铁磁底电极、有机光伏材料层和铁磁顶电极。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述形成铁磁底电极、形成有机光伏材料层和形成铁磁顶电极时，还包括：
用液氮冷却所述衬底。
8.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述有机光伏材料层通过真空热蒸镀或溶液旋涂沉积在所述铁磁底电极上：其中采用真空热蒸镀法的沉积速度为0.1-5埃/秒，沉积厚度为10-100纳米，采用溶液旋涂法的旋涂速率为1000-3000转/分，沉积厚度为10-100纳米。
9.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述铁磁顶电极沉积在所述有机光伏材料层上，沉积厚度为10-50纳米，在沉积厚度为0-2纳米的过程中，沉积速度为0.1-0.5埃/秒，在沉积厚度大于2纳米的过程中，沉积速度大于1埃/秒，所述铁磁底电极沉积在所述衬底上，沉积速度为0.3-1.5埃/秒。
10.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，在形成有机光伏材料层和形成铁磁顶电极之间，还包括：
在所述有机光伏材料层上形成界面修饰层，所述界面修饰层沉积在所述有机光伏材料层上，沉积厚度为1-3纳米；
或，
在形成铁磁底电极和形成有机光伏材料层之间，还包括：
在所述铁磁底电极上形成界面修饰层，所述界面修饰层沉积在所述铁磁底电极上，沉积厚度为1-3纳米。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109581262A (zh) * 2018-08-30 2019-04-05 李涛 一种ccy-2型测磁仪测量精度检测装置及其使用方法
CN109768155A (zh) * 2018-12-25 2019-05-17 西安交通大学 一种实现可见光调控界面磁性的自旋电子器件及制备方法
CN111092150A (zh) * 2018-10-23 2020-05-01 中国科学院化学研究所 一种基于水溶层的复合磁性电极、其转移方法和在有机自旋阀中的应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101710528A (zh) * 2009-12-15 2010-05-19 山东大学 纳米复合物有机自旋阀
CN102280589A (zh) * 2011-09-08 2011-12-14 深圳市创益科技发展有限公司 一种有机太阳能电池及其制备方法
CN102299264A (zh) * 2010-06-23 2011-12-28 海洋王照明科技股份有限公司 有机太阳能电池的制备方法及其制备的有机太阳能电池
CN104733183A (zh) * 2013-12-19 2015-06-24 清华大学 钙钛矿型太阳能电池及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101710528A (zh) * 2009-12-15 2010-05-19 山东大学 纳米复合物有机自旋阀
CN102299264A (zh) * 2010-06-23 2011-12-28 海洋王照明科技股份有限公司 有机太阳能电池的制备方法及其制备的有机太阳能电池
CN102280589A (zh) * 2011-09-08 2011-12-14 深圳市创益科技发展有限公司 一种有机太阳能电池及其制备方法
CN104733183A (zh) * 2013-12-19 2015-06-24 清华大学 钙钛矿型太阳能电池及其制备方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ENDRES, B ET AL.: "Demonstration of the spin solar cell and spin photodiode effect", 《NATURE COMMUNICATIONS》 *
MK ET AL.: "Recombination pathways in polymer:fullerene photovoltaics observed through spin polarization measurements", 《APPLIED PHYSICS LETTERS》 *
TANG, CW: "2-LAYER ORGANIC PHOTOVOLTAIC CELL", 《APPLIED PHYSICS LETTERS》 *
WANG, JP: "Control of exciton spin statistics through spin", 《NATURE COMMUNICATIONS》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109581262A (zh) * 2018-08-30 2019-04-05 李涛 一种ccy-2型测磁仪测量精度检测装置及其使用方法
CN111092150A (zh) * 2018-10-23 2020-05-01 中国科学院化学研究所 一种基于水溶层的复合磁性电极、其转移方法和在有机自旋阀中的应用
CN109768155A (zh) * 2018-12-25 2019-05-17 西安交通大学 一种实现可见光调控界面磁性的自旋电子器件及制备方法

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