CN108011502A - 一种防止降压调节电路工作状态信号非单调电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种防止降压调节电路工作状态信号非单调电路，包括控制芯片IC，所述的控制芯片IC分别与信号上升电压稳定电路1、自举电路2、信号下降电压稳定电路3连接。通过对输入电压的隔离，利用电容储能从根本上减小了信号随上拉电压波动的可能，而在下降过程中利用自举电路输出稳点电压，驱动拉下电路中的下拉元件，使得工作状态信号不受外界干扰，持续稳定输出低电平。

Description

一种防止降压调节电路工作状态信号非单调电路
技术领域
本发明涉及的是降压调节电路，尤其是用于防止降压调节电路工作状态信号非单调的电路。
背景技术
在现有技术中，公知的技术是现有的降压调节电路中，由于控制芯片的工作状态信号接口只能输出高或者低的阻抗。因此，通过一颗限流电阻直接接到一个高电压，以获得输出信号高电平和低电平的能力。该方法导致信号在上升过程中，会随着高电压的波动而波动，并且在下降过程中，由于控制芯片的工作电压不稳定，特别是在控制芯片的工作电压迅速降低时，控制芯片会很快停止工作，失去控制能力，而连接的高电压仍然持续，导致信号从低电平反弹至高电平，然后才能随着高电平的放电而下降，从而给信号稳定性和系统工作造成危害。
发明内容
本发明的目的就是针对现有技术所存在的不足，而提供一种防止降压调节电路工作状态信号非单调电路，该电路解决了工作状态信号上升和下降过程中的非单调问题，用于需要解决工作信号非单调问题的降压调节电路的电子设备。
本方案是通过如下技术措施来实现的：一种防止降压调节电路工作状态信号非单调电路，包括控制芯片，本方案的特点是：所述的控制芯片分别与信号上升电压稳定电路、自举电路、信号下降电压稳定电路连接。信号上升电压稳定电路包括电阻R1、二极管D1、电容C1，二极管D1的负极与控制芯片的PGOOD引脚连接，二极管D1的正极通过电阻R1与+12V电压连接，二极管D1的负极通过电容C1引脚接地。信号上升电压稳定电路，通过二极管D1防止上拉电压跌落对信号产生影响，并利用电容C1的储能特性对造成电压变化的能量进行吸收，进一步稳定信号状态，工作状态信号：一般简写为PGOOD，标志降压调节电路工作是否正常，高电平为正常，低电平为关闭或者异常。
自举电路包括二极管D2和电容C2，二极管D2的负极与电压控制芯片的Vout引脚连接，二极管D2的负极与电容C2连接。自举电路，通过二极管D2和电容C2利用输出电压Vout进行储能，输出稳定电压。
信号下降电压稳定电路包括N沟道MOS管Q1、P沟道MOS管Q2，N沟道MOS管Q1的源极与二极管D1的负极连接，N沟道MOS管Q1的漏极接地，N沟道MOS管Q1的栅极与P沟道MOS管Q2的漏极连接，P沟道MOS管Q2的源极通过电容C2与二极管D2的负极连接，P沟道MOS管Q2的栅极与比较器M1的6脚连接，比较器M1的4脚接地，比较器M1的7脚与+12V电压连接，比较器M1的3脚与控制芯片的Vout引脚连接，比较器M1的2脚通过电阻R3接地，比较器M1的2脚通过电阻R2与+12V电压连接。信号下降电压稳定电路，使用电阻R2与R3设定输出电压阈值点，利用比较器M1对输出电压及设定阈值进行比较，当输出电压高于阈值时，M1输出高电平，P沟道MOS管Q2处于截止状态，信号下降电压稳定电路不工作，当输出电压低于阈值时，M1输出低电平，使得P沟道MOS管Q2导通，自举电路驱动N沟道MOS管 Q1导通，稳定持续拉低工作状态信号。
本方案的有益效果可根据对上述方案的叙述得知，通过对输入电压的隔离，利用电容储能从根本上减小了信号随上拉电压波动的可能，而在下降过程中利用自举电路输出稳点电压，驱动拉下电路中的下拉元件，使得工作状态信号不受外界干扰，持续稳定输出低电平。由此可见，本发明与现有技术相比，具有突出的实质性特点和显著的进步，其实施的有益效果也是显而易见的。
附图说明
图1为本发明具体实施方式的结构示意图。
图中，1为信号上升电压稳定电路，2为自举电路，3为信号下降电压稳定电路。
具体实施方式
为能清楚说明本方案的技术特点，下面通过一个具体实施方式，并结合其附图，对本方案进行阐述。
通过附图可以看出，本方案的防止降压调节电路工作状态信号非单调电路，包括控制芯片IC，所述的控制芯片IC分别与信号上升电压稳定电路1、自举电路2、信号下降电压稳定电路3连接。信号上升电压稳定电路包括电阻R1、二极管D1、电容C1，二极管D1的负极与控制芯片IC的PGOOD引脚连接，二极管D1的正极通过电阻R1与+12V电压连接，二极管D1的负极通过电容C1引脚接地。自举电路包括二极管D2和电容C2，二极管D2的负极与电压控制芯片的Vout引脚连接，二极管D2的负极与电容C2连接。信号下降电压稳定电路包括N沟道MOS管Q1、P沟道MOS管Q2，N沟道MOS管Q1的源极与二极管D1的负极连接，N沟道MOS管Q1的漏极接地，N沟道MOS管Q1的栅极与P沟道MOS管Q2的漏极连接，P沟道MOS管Q2的源极通过电容C2与二极管D2的负极连接，P沟道MOS管Q2的栅极与比较器M1的6脚连接，比较器M1的4脚接地，比较器M1的7脚与+12V电压连接，比较器M1的3脚与控制芯片IC的Vout引脚连接，比较器M1的2脚通过电阻R3接地，比较器M1的2脚通过电阻R2与+12V电压连接。
工作时，信号上升电压稳定电路的电阻R1进行限制电流作用，D1防止上拉电压跌落对信号产生影响，并利用C1的储能特性稳定信号。自举电路利用D2的单项导通特性防止输出电压的跌落对自举电路产生影响，并利用C2的储能特性使自举电路输出稳定的电压。信号下降电压稳定电路电阻R2与R3设定输出电压阈值点，利用比较器M1对输出电压及设定阈值进行比较，当输出电压高于阈值时，M1输出高电平，P-mosfet Q2处于截止状态，信号下降电压稳定电路不工作，当输出电压低于阈值时，M1输出低电平，使得P-mosfet Q2导通，自举电路驱动N-Mosfet Q1导通，稳定持续拉低工作状态信号。
本发明并不仅限于上述具体实施方式，本领域普通技术人员在本发明的实质范围内做出的变化、改型、添加或替换，也应属于本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种防止降压调节电路工作状态信号非单调电路，包括控制芯片，其特征是：所述的控制芯片分别与信号上升电压稳定电路、自举电路、信号下降电压稳定电路连接。
2.根据权利要求1所述的防止降压调节电路工作状态信号非单调电路，其特征是：所述的信号上升电压稳定电路包括电阻R1、二极管D1、电容C1，二极管D1的负极与控制芯片的PGOOD引脚连接，二极管D1的正极通过电阻R1与+12V电压连接，二极管D1的负极通过电容C1引脚接地。
3.根据权利要求2所述的防止降压调节电路工作状态信号非单调电路，其特征是：所述的自举电路包括二极管D2和电容C2，二极管D2的负极与电压控制芯片的Vout引脚连接，二极管D2的负极与电容C2连接。
4.根据权利要求3所述的防止降压调节电路工作状态信号非单调电路，其特征是：所述的信号下降电压稳定电路包括N沟道MOS管Q1、P沟道MOS管Q2，N沟道MOS管Q1的源极与二极管D1的负极连接，N沟道MOS管Q1的漏极接地，N沟道MOS管Q1的栅极与P沟道MOS管Q2的漏极连接，P沟道MOS管Q2的源极通过电容C2与二极管D2的负极连接，P沟道MOS管Q2的栅极与比较器M1的6脚连接，比较器M1的4脚接地，比较器M1的7脚与+12V电压连接，比较器M1的3脚与控制芯片的Vout引脚连接，比较器M1的2脚通过电阻R3接地，比较器M1的2脚通过电阻R2与+12V电压连接。
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