CN108007896B - 一种电力硅橡胶复合绝缘件的缺陷检测方法 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 title claims abstract description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 27
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 19
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 15
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 6
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 6
- 238000009659 non-destructive testing Methods 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 3
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 claims description 3
- 238000005290 field theory Methods 0.000 claims description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000009421 internal insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000009863 impact test Methods 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3581—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation
- G01N21/3586—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using far infrared light; using Terahertz radiation by Terahertz time domain spectroscopy [THz-TDS]
Abstract
本发明为一种电力硅橡胶复合绝缘件的缺陷检测方法,主要包括:利用太赫兹实验系统产生的频率范围为0.02~2THz的脉冲波,对含内部缺陷的硅橡胶复合绝缘件样品进行试验研究,通过分析接收信号的时域幅值、时延以及其与参考曲线的欧式距离,确定样品内部缺陷的位置和尺寸;通过分析接收信号频谱在特定频率处的幅度和相位,确定样品内部缺陷各部分的物质组分,进而识别内部缺陷的类型;通过获得典型内部缺陷的太赫兹反射特征时域波形图谱,得出硅橡胶复合绝缘件内部缺陷位置和形状尺寸与太赫兹波时域特征量的对应关系。本发明提供的太赫兹技术在电力系统中各类复合绝缘件内部隐蔽性缺陷的远场无损快速检测方法,为输变电设备迈入全面复合化奠定了基础。
Description
技术领域
本发明属于电力检测技术领域,特别涉及一种电力硅橡胶复合绝缘件的缺陷检测方法。
背景技术
在大力发展全球能源互联网输电的背景下,复合绝缘已成为特高压交直流设备、输电线路的主流选择,在各电压等级,全复合化变电站、全复合横担线路的工程设计和应用也将在电网中占据越来越重要的比重。在输变电工程推广使用复合绝缘材料设备前,应确保各类复合绝缘产品到货后进行抽样试验,并进行严格质量考核。但现状是,复合绝缘件内部隐蔽缺陷检测能力严重缺失,不利于此类产品大面积入网前的质量管控和运维管理。
由于制造工艺的原因,很多复合绝缘产品(如:复合套管、复合支柱绝缘子、复合横担等)内部存在着多种界面,如伞裙和护套、护套与芯棒(绝缘筒)、芯棒(绝缘筒)与端头金属附件以及芯棒(绝缘筒)的玻璃纤维和浸渍树脂之间的界面。如果在运行中,有一个界面出现缝隙,会在绝缘件中形成薄弱环节,特别是当水分或潮气进入缝隙中,绝缘件的绝缘性能会急剧下降,引起放电和击穿故障。
但是由于复合绝缘件的特殊性质,传统的X射线、超声波均因为衰减或散射等原因无法对其内部的微小气隙、裂纹等缺陷进行精确检测,导致很多带有缺陷的设备部件投运后短时间内即发生了击穿、断裂等故障。以复合绝缘子为例,多年来复合绝缘子的耐陡波冲击性能是衡量绝缘子内部性能优劣的重要标志之一。现有悬式复合绝缘子的陡波冲击试验是按照1992年版IEC61109标准的规定,主要针对新入网绝缘子分段施加陡度1000~1500kV/us的冲击电压,该陡度远低于瓷、玻璃绝缘子4000~5000kV/us的陡波试验水平,而复合绝缘子与瓷、玻璃绝缘子所承受的雷电冲击波并无本质差异。华北电科院等研究机构曾对复合绝缘子陡波参数值水平过低提出质疑,认为其仅对严重缺陷有效果,不易检测出绝缘子内部比较微小的缺陷。从江苏省对复合绝缘子陡波试验的情况来看,极少在现行陡度标准下检验出不合格产品。适当提高陡波试验陡度加强对运行一定年限的绝缘子内部绝缘性能无疑具有更严格的考核能力,但有研究也表明过高的陡度也有可能造成正常绝缘子内绝缘的损坏。另一方面,国内外针对变电站空心复合套管、复合横担的内部缺陷在出厂或到货现场,尚未提出行之有效的内部缺陷检测手段,无法检验是否存在运输、安装过程中的隐蔽损伤。因此,可考虑采用新型的无损检测手段检测绝缘子的生产质量和运行情况,尽早发现故障隐患,避免因绝缘子发生故障威胁到电网安全。
发明内容
本发明提供一种太赫兹技术在电力系统中各类复合绝缘件内部隐蔽性缺陷的远场无损快速检测方法,为输变电设备迈入全面复合化奠定了基础。
本发明具体为一种电力硅橡胶复合绝缘件的缺陷检测方法,所述缺陷检测方法具体包括如下步骤:
步骤(1):基于电磁场理论对复合绝缘件进行数学建模和仿真分析,分析太赫兹技术用于复合绝缘件内部缺陷远场无损检测的可行性;
步骤(2):利用太赫兹实验系统产生的频率范围为0.02~2THz的脉冲波,对含内部缺陷的硅橡胶复合绝缘件样品进行试验研究,通过分析接收信号的时域幅值、时延以及接收信号与参考曲线的欧式距离,确定样品内部缺陷的位置和尺寸;
步骤(3):通过分析接收信号频谱在特定频率处的幅度和相位,确定样品内部缺陷各部分的物质组分,进而识别内部缺陷的类型;
步骤(4):建立基于太赫兹技术的复合绝缘子内部隐蔽性缺陷远场无损检测方法的物理模型和特征量数据库;
步骤(5):通过获得典型内部缺陷的太赫兹反射特征时域波形图谱,得出硅橡胶复合绝缘件内部缺陷位置和形状尺寸与太赫兹波时域特征量的对应关系。
所述缺陷包括气隙缺陷和导通性缺陷。
所述太赫兹实验系统包括超快钛宝石飞秒激光器、分束镜、过渡平面镜、光栅色散预补偿器、延迟扫描控制单元、光导天线THz发射器、电力高分子复合材料样品、光导天线THz接收器、二维机械扫描平移台和计算机控制及数据采集系统,所述光栅色散预补偿器通过光纤与所述延迟扫描控制单元连接,所述延迟扫描控制单元还通过光纤分别与所述光导天线THz发射器和所述光导天线THz接收器连接,所述计算机控制及数据采集系统通过数据与信号控制线分别与所述延迟扫描控制单元和所述二维机械扫描平移台实现双向通信;所述太赫兹实验系统用于确定时域THz波幅值、时延、接收信号与参考曲线的欧式距离与待测对象位置和尺寸的对应关系,确定THz波频谱在特定频率处的幅度、相位与待测对象组成的对应关系。
所述太赫兹实验系统的工作流程为:飞秒激光经过两级分束镜和过渡平面镜入射至光栅色散预补偿器进行正群速度色散预补偿;经过色散预补偿的飞秒激光耦合进入保偏单模光纤,并经由光纤传输到延迟扫描控制单元;飞秒激光在延迟扫描控制单元内部被分束为泵浦光和探测光;泵浦光由光纤传输至光导天线THz发射器,激发低温生长的GaAs光导天线后辐射出时域持续时间为5ps、频谱范围为0.02~2THz、平均功率为100nW的脉冲THz辐射;探测光经过延迟扫描控制单元中的延迟线由光纤传输至光导天线THz接收器,激发GaAs光导天线实现对THz辐射的瞬时电场强度测量;调节延迟装置改变两束光的时间延迟,扫描得到THz脉冲的时域波形;通过测量与电力硅橡胶复合绝缘件样品作用前后的THz信号提取出电力硅橡胶复合绝缘件样品的THz光谱信息;通过二维机械扫描平移台对样品进行二维栅格式扫描实现THz光谱检测;测量电力硅橡胶复合绝缘件样品各点的反射太赫兹脉冲波形,经过傅立叶变换得到对应的频谱。
附图说明
图1为本发明中的太赫兹实验系统的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明一种电力硅橡胶复合绝缘件的缺陷检测方法的具体实施方式做详细阐述。
本发明的缺陷检测方法具体包括如下步骤:
步骤(1):基于电磁场理论对复合绝缘件进行数学建模和仿真分析,分析太赫兹技术用于复合绝缘件内部缺陷远场无损检测的可行性;
步骤(2):利用太赫兹实验系统产生的频率范围为0.02~2THz的脉冲波,对含内部缺陷的硅橡胶复合绝缘件样品进行试验研究,通过分析接收信号的时域幅值、时延以及接收信号与参考曲线的欧式距离,确定样品内部缺陷的位置和尺寸;
步骤(3):通过分析接收信号频谱在特定频率处的幅度和相位,确定样品内部缺陷各部分的物质组分,进而识别内部缺陷的类型;
步骤(4):建立基于太赫兹技术的复合绝缘子内部隐蔽性缺陷远场无损检测方法的物理模型和特征量数据库;
步骤(5):通过获得典型内部缺陷的太赫兹反射特征时域波形图谱,得出硅橡胶复合绝缘件内部缺陷位置和形状尺寸与太赫兹波时域特征量的对应关系。
所述缺陷包括气隙缺陷和导通性缺陷。
如图1所示,所述太赫兹实验系统包括超快钛宝石飞秒激光器、分束镜、过渡平面镜、光栅色散预补偿器、延迟扫描控制单元、光导天线THz发射器、电力高分子复合材料样品、光导天线THz接收器、二维机械扫描平移台和计算机控制及数据采集系统,所述光栅色散预补偿器通过光纤与所述延迟扫描控制单元连接,所述延迟扫描控制单元还通过光纤分别与所述光导天线THz发射器和所述光导天线THz接收器连接,所述计算机控制及数据采集系统通过数据与信号控制线分别与所述延迟扫描控制单元和所述二维机械扫描平移台实现双向通信;所述太赫兹实验系统用于确定时域THz波幅值、时延、接收信号与参考曲线的欧式距离与待测对象位置和尺寸的对应关系,确定THz波频谱在特定频率处的幅度、相位与待测对象组成的对应关系。
所述太赫兹实验系统的工作流程为:飞秒激光经过两级分束镜和过渡平面镜入射至光栅色散预补偿器进行正群速度色散预补偿;经过色散预补偿的飞秒激光耦合进入保偏单模光纤,并经由光纤传输到延迟扫描控制单元;飞秒激光在延迟扫描控制单元内部被分束为泵浦光和探测光;泵浦光由光纤传输至光导天线THz发射器,激发低温生长的GaAs光导天线后辐射出时域持续时间为5ps、频谱范围为0.02~2THz、平均功率为100nW的脉冲THz辐射;探测光经过延迟扫描控制单元中的延迟线由光纤传输至光导天线THz接收器,激发GaAs光导天线实现对THz辐射的瞬时电场强度测量;调节延迟装置改变两束光的时间延迟,扫描得到THz脉冲的时域波形;通过测量与电力硅橡胶复合绝缘件样品作用前后的THz信号提取出电力硅橡胶复合绝缘件样品的THz光谱信息;通过二维机械扫描平移台对样品进行二维栅格式扫描实现THz光谱检测;测量电力硅橡胶复合绝缘件样品各点的反射太赫兹脉冲波形,经过傅立叶变换得到对应的频谱。
最后应该说明的是,结合上述实施例仅说明本发明的技术方案而非对其限制。所属领域的普通技术人员应当理解到,本领域技术人员可以对本发明的具体实施方式进行修改或者等同替换,但这些修改或变更均在申请待批的权利要求保护范围之中。
Claims (2)
1.一种电力硅橡胶复合绝缘件的缺陷检测方法,其特征在于,所述缺陷检测方法具体包括如下步骤:
步骤(1):基于电磁场理论对复合绝缘件进行数学建模和仿真分析,分析太赫兹技术用于复合绝缘件内部缺陷远场无损检测的可行性;
步骤(2):利用太赫兹实验系统产生的频率范围为0.02~2THz的脉冲波,对含内部缺陷的硅橡胶复合绝缘件样品进行试验研究,通过分析接收信号的时域幅值、时延以及接收信号与参考曲线的欧式距离,确定样品内部缺陷的位置和尺寸;
步骤(3):通过分析接收信号频谱在特定频率处的幅度和相位,确定样品内部缺陷各部分的物质组分,进而识别内部缺陷的类型;
步骤(4):建立基于太赫兹技术的复合绝缘子内部隐蔽性缺陷远场无损检测方法的物理模型和特征量数据库;
步骤(5):通过获得典型内部缺陷的太赫兹反射特征时域波形图谱,得出硅橡胶复合绝缘件内部缺陷位置和形状尺寸与太赫兹波时域特征量的对应关系;
所述太赫兹实验系统包括超快钛宝石飞秒激光器、分束镜、过渡平面镜、光栅色散预补偿器、延迟扫描控制单元、光导天线THz发射器、电力高分子复合材料样品、光导天线THz接收器、二维机械扫描平移台和计算机控制及数据采集系统,所述光栅色散预补偿器通过光纤与所述延迟扫描控制单元连接,所述延迟扫描控制单元还通过光纤分别与所述光导天线THz发射器和所述光导天线THz接收器连接,所述计算机控制及数据采集系统通过数据与信号控制线分别与所述延迟扫描控制单元和所述二维机械扫描平移台实现双向通信;所述太赫兹实验系统用于确定时域THz波幅值、时延、接收信号与参考曲线的欧式距离与待测对象位置和尺寸的对应关系,确定THz波频谱在特定频率处的幅度、相位与待测对象组成的对应关系;
所述太赫兹实验系统的工作流程为:飞秒激光经过两级分束镜和过渡平面镜入射至光栅色散预补偿器进行正群速度色散预补偿;经过色散预补偿的飞秒激光耦合进入保偏单模光纤,并经由光纤传输到延迟扫描控制单元;飞秒激光在延迟扫描控制单元内部被分束为泵浦光和探测光;泵浦光由光纤传输至光导天线THz发射器,激发低温生长的GaAs光导天线后辐射出时域持续时间为5ps、频谱范围为0.02~2THz、平均功率为100nW的脉冲THz辐射;探测光经过延迟扫描控制单元中的延迟线由光纤传输至光导天线THz接收器,激发GaAs光导天线实现对THz辐射的瞬时电场强度测量;调节延迟装置改变两束光的时间延迟,扫描得到THz脉冲的时域波形;通过测量与电力硅橡胶复合绝缘件样品作用前后的THz信号提取出电力硅橡胶复合绝缘件样品的THz光谱信息;通过二维机械扫描平移台对样品进行二维栅格式扫描实现THz光谱检测;测量电力硅橡胶复合绝缘件样品各点的反射太赫兹脉冲波形,经过傅立叶变换得到对应的频谱。
2.根据权利要求1所述的一种电力硅橡胶复合绝缘件的缺陷检测方法,其特征在于,所述缺陷包括气隙缺陷和导通性缺陷。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710964966.0A CN108007896B (zh) | 2017-10-17 | 2017-10-17 | 一种电力硅橡胶复合绝缘件的缺陷检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710964966.0A CN108007896B (zh) | 2017-10-17 | 2017-10-17 | 一种电力硅橡胶复合绝缘件的缺陷检测方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108007896A CN108007896A (zh) | 2018-05-08 |
CN108007896B true CN108007896B (zh) | 2020-07-28 |
Family
ID=62050942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710964966.0A Active CN108007896B (zh) | 2017-10-17 | 2017-10-17 | 一种电力硅橡胶复合绝缘件的缺陷检测方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN108007896B (zh) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108760675A (zh) * | 2018-06-05 | 2018-11-06 | 厦门大学 | 一种太赫兹异常光谱识别方法及系统 |
CN108801970A (zh) * | 2018-06-11 | 2018-11-13 | 清华大学深圳研究生院 | 支柱绝缘子界面缺陷及界面状态的检测方法 |
CN109211974B (zh) * | 2018-08-07 | 2021-06-08 | 哈尔滨商业大学 | 热障涂层脱粘缺陷脉冲飞秒激光红外热波检测装置及方法 |
CN109187419B (zh) * | 2018-08-28 | 2021-04-06 | 清华大学深圳研究生院 | 支柱绝缘子孔泡检测方法及装置、终端、存储介质 |
CN109557043B (zh) * | 2018-12-03 | 2020-03-27 | 昆山普尚电子科技有限公司 | 一种使用太赫兹电磁波检测物体的电磁特性的系统及方法 |
CN109883337A (zh) * | 2019-01-25 | 2019-06-14 | 北京航天计量测试技术研究所 | 基于太赫兹光谱技术的热障涂层厚度测量系统和测量方法 |
CN110108664A (zh) * | 2019-04-16 | 2019-08-09 | 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 | 一种复合材料横担缺陷的无损检测方法 |
CN111122585B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-10-21 | 长春理工大学 | 基于fdtd的材料微观缺陷太赫兹无损检测仿真方法 |
CN113624713A (zh) * | 2021-08-16 | 2021-11-09 | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种用于支柱绝缘子表面污秽成分的检测方法及装置 |
CN113759221A (zh) * | 2021-08-27 | 2021-12-07 | 江苏省电力试验研究院有限公司 | 一种用于绝缘子监测的太赫兹传感器芯片及绝缘子监测方法 |
CN113566711B (zh) * | 2021-09-23 | 2021-12-07 | 四川国芯通智能科技有限公司 | 一种补焊位置的确定方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6238058B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2017-11-29 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 | テラヘルツ分光システム |
CN104568819B (zh) * | 2015-01-15 | 2017-02-22 | 南开大学 | 一种全光纤透反射一体式太赫兹时域光谱系统 |
CN104833650B (zh) * | 2015-05-29 | 2018-08-21 | 南开大学 | 单光导天线的脉冲太赫兹时域光谱系统及探测方法 |
CN105824995B (zh) * | 2016-03-10 | 2019-01-25 | 无锡飞谱电子信息技术有限公司 | 一种基于物理版图的三维电磁场模型生成方法 |
CN107144546B (zh) * | 2017-06-05 | 2021-10-01 | 吉林大学 | 基于反射时域波形加窗的太赫兹成像方法 |
-
2017
- 2017-10-17 CN CN201710964966.0A patent/CN108007896B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108007896A (zh) | 2018-05-08 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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