CN107991536B - 一种频域介电响应测试的温度校正方法及设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种频域介电响应测试的温度校正方法及设备。在频域介电谱FDS测试之前，测量电介质的温度。将高频信号施加到电介质上，得到电介质在高频信号下的介质损耗参数。根据FDS测试之前测量得到的电介质的温度，以及电介质在高频信号下的介质损耗参数，确定在高频信号下介质损耗参数与温度的对应关系。在对FDS测试时，将高频信号与待测频率信号合成，然后施加到电介质上，得到合成信号在各频点的介质损耗参数。根据合成信号各频点的介质损耗参数，以及根据高频信号下介质损耗参数与温度的对应关系，确定同一温度下待测频率信号的各频点的介质损耗参数。本发明实施例实现了精确的频域介电响应测试，能够应用于绝缘诊断领域。

Description

一种频域介电响应测试的温度校正方法及设备
技术领域
本发明涉及信号测量技术领域，特别涉及介电响应测试技术领域。
背景技术
在电力设备绝缘诊断领域，介电谱分析技术作为一种无损检测技术，在不破坏绝缘材料的前提下能够获得绝缘劣化或绝缘受潮的信息。
时域介电谱测试法包括去极化电流法(Polarization Depolarization Current，PDC)和回复电压法(Recovery Voltage Method，RVM)。频域介电谱测试(Frequency DomainSpectroscopy，FDS)是一种基于介电响应的测试技术，该方法具有无损测量、抗干扰能力强、获取绝缘信息丰富的优点。
现有的采用FDS评估油纸绝缘含水量和老化程度的方法，通常将单次测试时间的温度视为不变。而对于多次温度不同的FDS测量，则通过温度平移公式对FDS曲线进行平移校正。
在实际频域介电响应测试过程中，FDS需要测量1mHz(毫赫兹)甚至是0.1mHz的低频信号。对于频域介电响应，一般要求电介质响应信号的频率范围从0.001Hz到10kHz，并且低频下测量的时间过长，单个测试周期最高长达五个小时。因此，在实际FDS测试现场环境中，要确保整个测试周期内温度不变显然不太可能。然而，目前FDS测试现场的变压器内部温度，较难测量。温度测量单元只能测量变压器外壳温度，而无法准确测量主绝缘内部的温度变化。
现有的在一次FDS测试中，将主绝缘内部温度视为固定不变，将直接导致介电普曲线测试误差，进而影响绝缘劣化评估的精度。
发明内容
本发明提供了一种频域介电响应测试的温度校正方法及设备，解决了一次FDS测试中由于温度变化而带来的绝缘劣化评估精度低的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种频域介电响应测试的温度校正方法。在频域介电谱FDS测试之前，测量电介质的温度。将高频信号施加到所述电介质上，得到所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数。根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度，以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数，确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系。在对所述FDS测试时，将所述高频信号与待测频率信号合成，将合成后的信号施加到所述电介质上，得到所述合成信号在各频点的介质损耗参数。根据所述合成信号各频点的介质损耗参数，以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系，确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数。
在一个示例中，将所述在频域介电谱FDS测试之前，测量的介质损耗参数的温度，作为所述高频信号下所述电介质的初始温度。
在一个示例中，所述根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度，以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数，确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系，具体为：将所述高频信号的介质损耗参数以及所述电介质的温度，通过阿伦纽斯方程算法得到，多个温度下所述高频信号的介质损耗参数，从而得到所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系。
在一个示例中，所述根据所述合成信号各频点的介质损耗参数，以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系，确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数，具体为：所述根据所述合成信号各频点的介质损耗参数以及所述高频信号下电介质的介质损耗参数与电介质温度的关系，确定所述待测频率信号各频点的介质损耗参数，以及该待测频率信号各频点的介质损耗参数与温度的对应关系；根据该待测频率信号各频点的介质损耗参数，以及该待测频率信号各频点的介质损耗参数与温度的对应关系，确定同一温度下该待测频率信号的各频点的介质损耗参数。
在一个示例中，在将该高频信号与该待测试频率信号合成之后，对该合成后的信号进行放大。
在一个示例中，在所述将合成后的信号施加到所述电介质上之后，测量所述电介质的响应电流信号，以及测量所述电介质的激励电压信号，根据所述响应电流信号以及所述激励电压信号，得到所述合成信号在相应频点的介质损耗参数。
第二方面，本发明实施例提供了一种频域介电响应测试的温度校正设备。该设备包括温度获取单元、高频信号介质损耗参数获取单元、高频信号介质损耗参数与温度关系确定单元、合成信号介质损耗参数获取单元、温度校正单元。温度获取单元用于在频域介电谱FDS测试之前，测量电介质的温度。高频信号介质损耗参数获取单元用于将高频信号施加到所述电介质上，得到所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数。高频信号介质损耗参数与温度关系确定单元用于根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度，以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数，确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系。合成信号介质损耗参数获取单元用于在对所述FDS测试时，将所述高频信号与待测频率信号合成，将合成后的信号施加到所述电介质上，得到所述合成信号在各频点的介质损耗参数。温度校正单元用于根据所述合成信号各频点的介质损耗参数，以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系，确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数。
在一个示例中，所述高频信号介质损耗参数与温度关系确定单元，具体用于：将所述高频信号的介质损耗参数以及所述电介质的温度，通过阿伦纽斯方程算法得到，多个温度下所述高频信号的介质损耗参数，从而得到所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系。
第三方面，本发明实施例提供了一种频域介电响应测试方法。在频域介电谱FDS测试之前，测量电介质的温度。将高频信号施加到所述电介质上，得到所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数。根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度，以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数，确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系。在对所述FDS测试时，将所述高频信号与待测频率信号合成，将合成后的信号施加到所述电介质上，得到所述合成信号在各频点的介质损耗参数。根据所述合成信号各频点的介质损耗参数，以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系，确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数。将所述同一温度下的所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数与FDS测试数据库中的介电谱进行比较分析，得到所述电介质的主绝缘体的损耗参数。
第四方面，本发明实施例提供了一种频域介电响应测试设备。该设备包括温度获取单元、高频信号介质损耗参数获取单元、高频信号介质损耗参数与温度关系确定单元、合成信号介质损耗参数获取单元、温度校正单元、损耗确定单元。温度获取单元用于在频域介电谱FDS测试之前，测量电介质的温度。高频信号介质损耗参数获取单元用于将高频信号施加到所述电介质上，得到所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数。高频信号介质损耗参数与温度关系确定单元用于根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度，以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数，确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系。合成信号介质损耗参数获取单元用于在对所述FDS测试时，将所述高频信号与待测频率信号合成，将合成后的信号施加到所述电介质上，得到所述合成信号在各频点的介质损耗参数。温度校正单元用于根据所述合成信号各频点的介质损耗参数，以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系，确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数。损耗确定单元用于将所述同一温度下的所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数与FDS测试数据库中的介电谱进行比较分析，得到所述电介质的主绝缘体的损耗参数。
本发明通过将高频信号与一个待测频率信号合成，通过高频信号的介质损耗参数与温度的变化关系得到该测频率信号的介质损耗参数与温度变化关系，进而得到同一温度下待测频率信号的介电谱，从而完成了频域介电响应的测试。本发明实施例实现了对超低频率的介电响应的精确测试，测量信号的响应信号的带宽大，且输出的介电谱波形失真小。此外，本发明实施例可采用价格低廉的单元模块实现频域介电响应的测试。
附图说明
图1为通过本发明实施例的一种频域介电响应测试的温度校正设备框图；
图2为本发明实施例提供的一种频域介电响应测试方法流程图；
图3为本发明实施例提供的一种频域介电响应测试设备框图。
具体实施方式
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种频域介电响应测试的温度校正设备框图。
该频域介电响应测试的温度校正设备包括温度测量单元110、信号合成单元120、高压放大器130、电流测量电路140、信号处理单元150。
温度测量单元110用于在一次FDS测试之前，测量该电介质的主绝缘的温度，并将该温度作为起始温度被送到信号处理单元150中。在一个示例中，温度测量单元110为温度传感器，例如，该温度测量单元110是型号为DS18B20的温度传感器。
在一个示例中，该频域介电响应测试的温度校正设备还包括待测频率信号源(图1未示出)和高频信号源(图1未示出)。
该待测频率信号源用于产生待测频率信号，且该待测频率信号从高频到低频变化。例如，该待测频率信号的频率从1kHZ到1mHZ变化。
该高频信号源用于产生高频率的小信号。例如，该高频率的小信号的频率是5kHZ或者10kHZ等。
信号合成单元120用于将该待测频率信号与该高频率的小信号合成一路信号，得到合成信号。
在一个示例中，信号合成单元120包括信号加法运算放大器(图1未示出)。例如，该信号加法运算放大器是型号为OP07的运算放大器。
高压放大器130用于接收来自信号合成单元120的合成信号，并对该合成信号进行放大，然后将该放大后的合成信号施加到电介质上。
在一个示例中，高压放大器130包括高压运算放大器(图1未示出)、负反馈电路(图1未示出)、分压电路(图1未示出)。例如，高压放大器130是型号为OPA454的放大器。其中，高压放大器130中的分压电路还用于测量并得到激励电压信号。
电流测量电路140用于测量该电介质的介电响应电流。
在一个示例中，电流测量单元140包括低偏置电流运算放大器(图1未示出)和反馈电阻(图1未示出)。例如，电流测量单元140的放大器是型号为OPA128的放大器。
信号处理单元150接收来自电流测量单元140的介电响应电流信号以及接收来自分压电路的激励电压信号，根据该介电响应电流信号和该激励电压信号，得到该电介质的介质损耗参数。
具体地，在一次FDS测试之前，温度传感器110测量电介质的温度。然后将高频的小信号通过频域介电响应测试设备，得到相应介质损耗参数。然后，根据该介质损耗参数以及该温度传感器110测量的温度，通过阿伦纽斯方程得到其它多个温度下，该高频的小信号施加到该电介质上的介质损耗参数。在一次FDS测试时，将该高频的小信号与待测频率信号进行合成，然后将该合成信号通过该频域介电响应测试设备，得到相应该合成信号在各频点的介质损耗参数。由于，在电介质的温度发生变化时，介质损耗参数也随之变化。因此，将该合成信号通过该频域介电响应测试设备，还能够得到该合成信号作用下该电介质的介质损耗参数与电介质温度的关系。可见，电介质的介质损耗参数，可以标识电介质的温度。然后再将该待测频率信号各频点的介质损耗参数从该合成信号各频点的介质损耗参数中分离开，得到该待测频率信号各频点的介质损耗参数，以及该待测频率信号的介质损耗参数与该电介质温度的关系。根据该待测频率信号各频点的介质损耗参数以及该介质损耗参数与温度的关系，通过阿伦纽斯方程得到同一固定温度下该待测频率信号的各频点的介质损耗参数，从而实现了频域介电响应测试的温度归一。最后，将该同一温度下的该待测频率信号的各频点的介质损耗参数与FDS测试数据库中的介电谱进行比较分析，得到该电介质的主绝缘体的损耗参数，从而得到该主绝缘体的绝缘劣化程度。
下面将通过图2继续详细阐述如何对频域介电响应测试进行温度校正以及如果在温度校正后确定电介质的主绝缘体的绝缘劣化程度。
图2是本发明实施例提供的一种频域介电响应测试的温度校正方法。
步骤201，在进行一次FDS测试之前，先通过温度传感器测量电介质的温度，如测量得到该电介质的温度为20℃。
步骤202，将高频率的信号，例如，5kHZ频率的信号，通过高压放大器进行放大。
步骤203，将该放大后的高频率信号，施加到电介质上。
步骤204，通过电流测量电路得到该电介质的响应电流信号，通过分压电路得到激励电压信号。然后将该响应电流信号的相位、幅值，以及将该激励电压信号的相位、幅值，通过傅里叶变换得到在该高频如5kHZ以及该温度如20℃下，该电介质的介质损耗参数。
步骤205，将该高频信号，如5kZH信号，以及该温度如20℃下该电介质的介质损耗参数，通过阿伦纽斯方程进行运算处理，得到多个温度下如10℃到30℃温度下，该电介质的相应的多个介质损耗参数。
在一个示例中，该多个温度中的任意一个温度如10℃与该温度传感器测量得到的温度如20℃的差值的绝对值，小于阈值。也就是说，在一定温度范围内，测量相应温度下电介质的介质损耗参数。
步骤206，将该高频如5kZH信号与待测频率信号进行合成，将该合成信号进行放大处理，然后将该放大后的合成信号施加到该电介质上。
步骤207，测量该电介质在该合成信号作用下的响应电流信号，测量该电介质在该合成信号作用下的激励电压信号。然后将该响应电流信号的相位、幅值，以及将该激励电压信号的相位、幅值，通过傅里叶变换得到该电介质在该合成信号作用下的介质损耗参数。其中，该合成信号的介质损耗参数随着温度的变化而变化。
步骤208，根据该合成信号各频点的介质损耗参数，以及根据该高频信号下电介质的介质损耗参数与该电介质温度的对应关系，得到该待测频率信号各频点的介质损耗参数与该电介质温度的对应关系，以及得到该待测频率信号各频点的介质损耗参数。
也就是说，根据该高频信号下电介质的介质损耗参数，以及根据合成信号作用下的该电介质的介质损耗参数与该电介质温度的对应关系，将该待测频率信号各频点的介质损耗参数从该合成信号各频点的介质损耗参数中分离开，得到该待测频率信号的介质损耗参数与该电介质温度的关系，以及该待测频率信号各频点的介质损耗参数。即高频信号的介质损耗参数与温度的关系已经预先获得，根据高频信号的介质损耗参数与温度的关系，就能够获得待测频率信号的介质损耗参数与温度的关系。
步骤209，根据该待测频率信号各频点的介质损耗参数，以及根据高频信号下介质损耗参数与温度的对应关系，并通过阿伦纽斯方程确定同一温度下如初始温度20℃下，该待测频率信号的各频点的介质损耗参数。从而实现了对不同频点下FDS测试的温度的统一。
步骤210，将该同一温度下的该待测频率信号作用下的各频点的介质损耗参数，与FDS测试数据库中的介电谱进行比较分析，得到该电介质的主绝缘体的损耗参数。
图3是本发明实施例提供的一种频域介电响应测试设备框图。该频域介电响应测试设备300包括温度校正设备310以及损耗确定单元320。该温度校正设备310包括温度获取单元311、高频信号介质损耗参数获取单元312、高频信号介质损耗参数与温度关系确定单元313、合成信号介质损耗参数获取单元314、温度校正单元315、损耗确定单元316。
温度获取单元311用于在频域介电谱FDS测试之前，测量电介质的温度。例如，该温度获取单元311为温度传感器。
高频信号介质损耗参数获取单元312用于将高频信号施加到电介质上，得到该电介质在该高频信号下的介质损耗参数。
高频信号介质损耗参数与温度关系确定单元313用于根据该FDS测试之前测量得到的电介质的温度，以及该电介质在该高频信号下的介质损耗参数，确定在该高频信号下该电介质的介质损耗参数与该电介质的温度的对应关系。
合成信号介质损耗参数获取单元314用于在对该FDS测试时，将该高频信号与待测频率信号合成，将合成后的信号施加到该电介质上，得到该合成信号在各频点的介质损耗参数。
温度校正单元315用于根据该合成信号的各频点的介质损耗参数，以及根据该高频信号下该电介质的介质损耗参数与该电介质温度的对应关系，确定同一温度下该待测频率信号的各频点的介质损耗参数。
在一个示例中，高频信号介质损耗参数与温度关系确定单元313具体用于：将该高频信号的介质损耗参数以及该电介质的温度，通过阿伦纽斯方程算法得到，多个温度下该高频信号的介质损耗参数，从而得到该高频信号下该电介质的介质损耗参数与该电介质温度的对应关系。
在一个示例中，温度校正单元315具体用于：根据该合成信号各频点的介质损耗参数以及该高频信号下电介质的介质损耗参数与电介质温度的关系，确定该待测频率信号各频点的介质损耗参数。根据该待测频率信号各频点的介质损耗参数，确定同一温度下该待测频率信号的各频点的介质损耗参数。
图3中，损耗确定单元320用于将该同一温度下的所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数与FDS测试数据库中的介电谱进行比较分析，得到该电介质的主绝缘体的损耗参数。
专业人员应该还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种频域介电响应测试的温度校正方法，其特征在于，所述方法包括：
在频域介电谱FDS测试之前，测量电介质的温度；
将高频信号施加到所述电介质上，得到所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数；
根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度，以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数，确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系；
在对所述FDS测试时，将所述高频信号与待测频率信号合成，将合成后的信号施加到所述电介质上，得到所述合成信号在各频点的介质损耗参数；
根据所述合成信号各频点的介质损耗参数，以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系，确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数。
2.如权利要求1所述的一种频域介电响应测试的温度校正方法，其特征在于，将所述在频域介电谱FDS测试之前，所测量的介质损耗参数的温度，作为所述高频信号下所述电介质的初始温度。
3.如权利要求1所述的一种频域介电响应测试的温度校正方法，其特征在于，所述根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度，以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数，确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系，具体为：
将所述高频信号的介质损耗参数以及所述电介质的温度，通过阿伦纽斯方程算法得到，多个温度下所述高频信号的介质损耗参数，从而得到所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系。
4.如权利要求3所述的一种频域介电响应测试的温度校正方法，其特征在于，所述根据所述合成信号各频点的介质损耗参数，以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系，确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数，具体为：
所述根据所述合成信号各频点的介质损耗参数以及所述高频信号下电介质的介质损耗参数与电介质温度的关系，确定所述待测频率信号各频点的介质损耗参数，以及所述待测频率信号各频点的介质损耗参数与温度的对应关系；
根据所述待测频率信号各频点的介质损耗参数，以及所述待测频率信号各频点的介质损耗参数与温度的对应关系，确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数。
5.如权利要求1所述的一种频域介电响应测试的温度校正方法，其特征在于，在将所述高频信号与所述待测试频率信号合成之后，包括：
对所述合成后的信号进行放大。
6.如权利要求1所述的一种频域介电响应测试的温度校正方法，其特征在于，在所述将合成后的信号施加到所述电介质上之后，包括：
测量所述电介质的响应电流信号，以及测量所述电介质的激励电压信号，根据所述响应电流信号以及所述激励电压信号，得到所述合成信号在相应频点的介质损耗参数。
7.一种频域介电响应测试方法，其特征在于，所述方法包括：
在频域介电谱FDS测试之前，测量电介质的温度；
将高频信号施加到所述电介质上，得到所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数；
根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度，以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数，确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系；
在对所述FDS测试时，将所述高频信号与待测频率信号合成，将合成后的信号施加到所述电介质上，得到所述合成信号在各频点的介质损耗参数；
根据所述合成信号各频点的介质损耗参数，以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系，确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数；
将所述同一温度下的所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数与FDS测试数据库中的介电谱进行比较分析，得到所述电介质的主绝缘体的损耗参数。
8.一种用于频域介电响应测试的温度校正设备，其特征在于，所述设备包括：
温度获取单元，用于在频域介电谱FDS测试之前，测量电介质的温度；
高频信号介质损耗参数获取单元，用于将高频信号施加到所述电介质上，得到所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数；
高频信号介质损耗参数与温度关系确定单元，用于根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度，以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数，确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系；
合成信号介质损耗参数获取单元，用于在对所述FDS测试时，将所述高频信号与待测频率信号合成，将合成后的信号施加到所述电介质上，得到所述合成信号在各频点的介质损耗参数；
温度校正单元，用于根据所述合成信号各频点的介质损耗参数，以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系，确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数。
9.如权利要求8所述的一种用于频域介电响应测试的温度校正设备，其特征在于，所述高频信号介质损耗参数与温度关系确定单元，具体用于：
将所述高频信号的介质损耗参数以及所述电介质的温度，通过阿伦纽斯方程算法得到，多个温度下所述高频信号的介质损耗参数，从而得到所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系。
10.一种频域介电响应测试设备，其特征在于，所述设备包括：
温度获取单元，用于在频域介电谱FDS测试之前，测量电介质的温度；
高频信号介质损耗参数获取单元，用于将高频信号施加到所述电介质上，得到所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数；
高频信号介质损耗参数与温度关系确定单元，用于根据所述FDS测试之前测量得到的电介质的温度，以及所述电介质在所述高频信号下的介质损耗参数，确定在所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质的温度的对应关系；
合成信号介质损耗参数获取单元，用于在对所述FDS测试时，将所述高频信号与待测频率信号合成，将合成后的信号施加到所述电介质上，得到所述合成信号在各频点的介质损耗参数；
温度校正单元，用于根据所述合成信号各频点的介质损耗参数，以及根据所述高频信号下所述电介质的介质损耗参数与所述电介质温度的对应关系，确定同一温度下所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数；
损耗确定单元，用于将所述同一温度下的所述待测频率信号的各频点的介质损耗参数与FDS测试数据库中的介电谱进行比较分析，得到所述电介质的主绝缘体的损耗参数。
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