CN107986228B - 用于制造微机械构件的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，其中，微机械构件包括衬底装置和罩装置，其中，在准备步骤中，使衬底装置和/或罩装置结构化，其中，在第一子步骤中，设定第一压力和/或第一化学组分，并且将衬底装置和罩装置这样相互连接，使得形成相对于微机械构件的周围环境封闭的第一空穴，其中，在第一空穴中存在第一压力和/或包含第一化学组分，其中，在第二子步骤中，设定第二压力和/或第二化学组分，并且衬底装置和罩装置这样相互连接，使得形成相对于微机械构件的周围环境并且相对于第一空穴封闭的第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二压力和/或包含第二化学组分。

Description

用于制造微机械构件的方法

技术领域

本发明涉及一种用于制造微机械构件的方法。

背景技术

这种方法是普遍已知的。如果期望在微机械构件的空穴中有确定的内压，或者在空穴中应包含具有确定的化学组分的气体混合物，则通常在封装微机械构件时或者在衬底晶片与罩晶片之间的键合过程中设定内压或化学组分。在封装时例如将罩与衬底连接，由此罩与衬底共同包围空穴。通过设定在封装时在周围环境中存在的气体混合物的大气或压力和/或化学组分，可以因此设定在空穴中的确定的内压和/或确定的化学组分。

微机械构件、例如惯性传感器优选通过晶片键合过程气密地封闭，以便保护传感器免受环境影响(灰尘、湿气、气体)或者有针对性地包含确定的气体或真空。用于在晶片平面上将微机械惯性传感器气密地封闭的方法的示例为：共晶键合、玻璃熔结键合和热压缩键合。迄今为止，在晶片平面上设定限定的压力(例如1毫巴的真空、几百毫巴的平均压力或直至2000毫巴的过压)或确定的气体(例如氮气或氖气)。通常在转速传感器中设定低的内压(高质量系统)并且在加速度传感器中设定高的内压(高的阻尼)，这在晶片键合过程期间通过排出气体或者通过有针对性地供给气体来实现。

发明内容

本发明的任务是，以相对于现有技术简单、节省资源并且成本有利的方式提供用于制造具有第一空穴和第二空穴的微机械构件的方法，其中，在第一空穴可设定第一压力并且在第二空穴中可设定第二压力。

所述任务通过以下方式解决：

--在第二子步骤中，

--设定第二压力和/或第二化学组分，并且

--衬底装置和罩装置这样相互连接，使得形成相对于微机械构件的周围环境并且相对于第一空穴尤其气密封闭的第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二压力和/或包含第二化学组分。

通过衬底装置和罩装置在第一子步骤和第二子步骤中相互连接，其中，在第一子步骤中形成第一空穴并且在第二子步骤中形成第二空穴，能够有利地实现：在分级的键合过程中可以首先在第一空穴中设定第一压力，然后在同一键合过程内可以在第二空穴中设定第二压力。

通过第一子步骤与第二子步骤在分级过程中的结合，能够以有利的方式取消两个完整的键合过程并且因此相对于现有技术显著减少过程时间。此外，尤其基于准备步骤与第一子步骤和第二子步骤的结合，能够有利地实现较小的芯片尺寸(“Footprint”)并且因此能够减少每个微机械构件的材料成本以及提高每个晶片的微机械构件的数量，由此可以成本有利地制造微机械构件或者说包括微机械构件的芯片。

通过本发明尤其能够有利地实现，在由加速度传感器和转速传感器组成的芯片中在晶片平面上设定两个压力值。在这里，尤其通过使用有针对性地设定的轮廓并且通过结合晶片键合方法机制，能够在一个过程内在芯片中在晶片平面上设定不同内压。

因此，以相对于现有技术简单、节省资源并且成本有利的方式提供用于制造具有第一空穴和第二空穴的微机械构件的方法，其中，在第一空穴中可设定第一压力并且在第二空穴中可设定第二压力。

就本发明而言，概念“微机械构件”应如此理解：所述概念既包括微机械构件也包括微机电构件。

本发明优选设置用于具有两个空穴的微机械构件的制造。但是本发明例如也设置用于具有三个空穴或具有多于三个即四个、五个、六个或多于六个空穴的微机械构件。

本发明的有利构型和扩展方案可由说明书并且参照附图得出。

根据优选的扩展方案设置为，第一压力大于第二压力，其中，在第一空穴中布置有用于加速度测量的第一传感器单元并且在第二空穴中布置有用于转速测量的第二传感器单元。根据优选的扩展方案设置为，第一压力小于第二压力，其中，在第一空穴中布置有用于转速测量的第一传感器单元并且在第二空穴中布置有用于加速度测量的第二传感器单元。由此以有利的方式提供具有对于第一传感器单元和第二传感器单元优化的运行条件的、用于转速测量和加速度测量的机械牢固的微机械构件。

根据优选的扩展方案设置为，衬底装置包括第一衬底框架和第二衬底框架，其中，第一衬底框架和第二衬底框架这样构造，使得在第一子步骤之前第一衬底框架的垂直于衬底装置的衬底主延伸平面的延伸尺度大于第二衬底框架的垂直于衬底主延伸平面的延伸尺度。由此能够有利地实现，借助于构造第一衬底框架和第二衬底框架可以在第一子步骤中形成尤其气密封闭的第一空穴并且在第二子步骤中形成尤其气密封闭的第二空穴。

根据优选的扩展方案设置为，罩装置包括第一罩框架和第二罩框架，其中，第一罩框架和第二罩框架这样构造，使得在第一子步骤之前第一罩框架的垂直于罩装置的罩主延伸平面的延伸尺度大于第二罩框架的垂直于罩主延伸平面的延伸尺度。由此能够有利地实现，借助于构造第一罩框架和第二罩框架可以在第一子步骤中形成尤其气密封闭的第一空穴并且在第二子步骤中形成尤其气密封闭的第二空穴。

根据优选的扩展方案设置为，衬底装置包括第一衬底框架和第二衬底框架，其中，在第一子步骤之前使第二衬底框架这样结构化，使得在第一子步骤期间在第二空穴和周围环境之间形成进入开口。由此能够有利地实现，即使在第一衬底框架和第二衬底框架的垂直于衬底主延伸平面的延伸尺度相同的情况下，借助于第二衬底框架的结构化，也可以在第一子步骤中使第二空穴还未封闭、尤其还未气密地封闭，并且可以在第二子步骤中使第二空穴尤其气密地封闭。

根据优选的扩展方案设置为，罩装置包括第一罩框架和第二罩框架，其中，在第一子步骤之前使第二罩框架这样结构化，使得在第一子步骤期间在第二空穴和周围环境之间形成进入开口。由此能够有利地实现，即使在第一罩框架和第二罩框架垂直于罩主延伸平面的延伸尺度相同的情况下，借助于第二罩框架的结构化，可以在第一子步骤中使第二空穴还未封闭、尤其还未气密地封闭，并且可以在第二子步骤中使第二空穴尤其气密地封闭。

根据优选的扩展方案设置为，第一子步骤和第二子步骤在一个键合过程中实施。由此尤其能够有利地实现，可以取消两个完整的键合过程。

根据优选的扩展方案设置为，衬底装置和罩装置在第一子步骤中这样相互连接，使得第一衬底框架和/或第一罩框架包围尤其气密封闭的第一空穴，其中，衬底装置和罩装置在第二子步骤中这样相互连接，使得第二衬底框架和/或第二罩框架包围尤其气密封闭的第二空穴。由此能够有利地实现，借助于第一衬底框架和/或第一罩框架可以在第一空穴中设定第一压力并且借助于第二衬底框架和/或第二罩框架可以在第二空穴中设定第二压力。

根据优选的扩展方案设置为，在第一子步骤中衬底装置和罩装置借助于热压缩键合相互连接。根据优选的扩展方案设置为，在第一子步骤中衬底装置和罩装置借助于封接玻璃键合(Sealglasbonden)相互连接。根据优选的扩展方案设置为，在第一子步骤中衬底装置和罩装置借助于借助于共晶键合相互连接。根据优选的扩展方案设置为，在第二子步骤中衬底装置和罩装置借助于共晶键合相互连接。根据优选的扩展方案设置为，在第二子步骤中衬底装置和罩装置借助于封接玻璃键合相互连接。由此提供有利的可能性，以便在一个键合过程中产生不同的键合机制。

附图说明

图1以示意性示图示出根据本发明示例性实施方式的用于制造微机械构件的方法。

图2至图7以示意性示图示出在根据本发明示例性实施方式的方法期间的微机械构件。

具体实施方式

在不同附图中，相同部件总是设有相同的参考标记，因此一般也分别仅命名或提到一次。

在图1中以示意性示图示出根据本发明示例性实施方式的用于制造微机械构件1的方法。此外，在图2至图7中是在根据本发明示例性实施方式的方法期间的微机械构件的示意性示图。

根据本发明设置，微机械构件1包括衬底装置3和罩装置5。优选地，衬底装置3沿着衬底主延伸平面100延伸，并且罩装置5沿着罩主延伸平面101延伸。此外，衬底装置3优选包括衬底晶片30的至少一部分，罩装置5优选包括罩晶片50的至少一部分。优选地，衬底晶片30包括功能晶片。此外，衬底装置3优选包括第一衬底框架31和第二衬底框架32，并且罩装置5优选包括第一罩框架51和第二罩框架52。此外，第一衬底框架31包括布置在衬底晶片30上的结构化层的至少一部分，并且第二衬底框架32包括布置在衬底晶片30上的结构化层的至少另外一部分。此外，第一罩框架51包括布置在罩晶片50上的结构化层的至少一部分，并且第二罩框架52包括布置在罩晶片50上的结构化层的至少另外一部分。

优选地，第一衬底框架31包括铝。此外，第二衬底框架32优选包括铝。此外，第一罩框架51优选包括锗。此外，第二罩框架52优选包括锗。特别优选地，第一罩框架51包括锗和二氧化硅。此外，衬底晶片30优选包括硅晶片和/或罩晶片50优选包括另一硅晶片。

此外，根据本发明设置，

--在准备步骤200中，使衬底装置3和/或罩装置5结构化。在此优选设置，通过在衬底晶片30的一部分上和/或在罩晶片50的一部分上和/或在第一衬底框架31的和/或第二衬底框架32的和/或第一罩框架51的和/或第二罩框架52的还未结构化的层上的其他层的沉积和/或生长和结构化，衬底晶片30的所述部分和/或罩晶片50的所述部分和/或第一衬底框架31的和/或第二衬底框架32的和/或第一罩框架51的和/或第二罩框架52的相应层优选在准备步骤200期间结构化。此外优选设置，衬底装置3借助于表面微加工(surfacemicromachining)结构化。此外，罩装置5优选借助于体微加工(bulk micromachining)结构化。

优选地，在第一子步骤201之前、尤其在准备步骤200中，第一衬底框架31和第二衬底框架32这样构造，使得在第一子步骤201之前、特别优选也在第二子步骤202之前，第一衬底框架31的垂直于衬底装置3的衬底主延伸平面100的延伸尺度大于第二衬底框架32的垂直于衬底主延伸平面100的延伸尺度。此外，在第一子步骤201之前、尤其在准备步骤200中，第一罩框架51和第二罩框架52优选这样构造，使得在第一子步骤201之前、特别优选也在第二子步骤202之前，第一罩框架51的垂直于罩装置5的罩主延伸平面101的延伸尺度大于第二罩框架52的垂直于罩主延伸平面101的延伸尺度。

此外，在准备步骤200之后并且在第一子步骤201之前，衬底装置3和罩装置5优选这样相对彼此布置，使得衬底主延伸平面100和罩主延伸平面101彼此平行地布置。在此优选设置，衬底装置3和罩装置5这样相对彼此布置，使得第一衬底框架31和第二衬底框架32朝向罩装置5。此外，衬底装置3和罩装置5优选这样相对彼此布置，使得第一罩框架51和第二罩框架52朝向衬底装置3。

此外，根据本发明，

--在优选在准备步骤200之后实施的第一子步骤201中，

--设定第一压力和/或第一化学组分，并且

--衬底装置3和罩装置5这样相互连接，使得形成相对于微机械构件1的周围环境7尤其气密封闭的第一空穴11，其中，在第一空穴11中存在第一压力和/或包含第一化学组分。第一化学组分优选包括氮气。此外，第一化学组分优选包括体积含量为至少90％、特别优选为至少99％、尤其特别优选为至少99.9％的氮气。此外，第一化学组分优选包括氖气。此外，第一化学组分优选包括体积含量为至少90％、特别优选为至少99％、尤其特别优选为至少99.9％的氖气。

优选设置为，特别优选在设定第一压力和/或第一化学组分之前使衬底装置3和罩装置5彼此间隔开地布置。此外，衬底装置3和罩装置5优选这样相对彼此布置，使得第一衬底框架31到衬底主延伸平面100上的投影和第一罩框架51到衬底主延伸平面100上的投影重叠。此外，衬底装置3和罩装置5优选这样相对彼此布置，使得第二衬底框架32到衬底主延伸平面100上的投影和第二罩框架52到衬底主延伸平面100上的投影重叠。示例性示出的实施例的这样布置的衬底装置3和罩装置5在图3至图6中示出。

在衬底装置3和罩装置5已经例如如同在图3至图6中示出的那样布置之后，设定第一压力和/或第一化学组。优选地，在周围环境7中设定第一压力和/或第一化学组分并且因此所述第一压力和/或第一化学组分在空间上也存在于衬底装置3和罩装置5之间，尤其也存在于还未封闭的、尤其还未气密封闭的第一空穴11中和还未封闭的、尤其还未气密封闭的第二空穴12中。

根据本发明优选地，特别优选在设定第一压力和/或第一化学组分期间和/或之后，在运动步骤中减小在衬底主延伸平面100和罩主延伸平面101之间或者说在衬底装置3和罩装置5之间的间距。换言之，衬底装置3垂直于衬底主延伸平面100并且向着罩装置5的方向运动和/或罩装置5垂直于罩主延伸平面101并且向着衬底装置3的方向运动。

在图3、图4和图6中示例性示出的实施例中，优选首先使第一衬底框架31和第一罩框架51通过实施所述运动步骤的方式接触。优选地，在图7中示例性示出的实施例中，第一衬底框架31和第一罩框架51以及第二衬底框架32和第二罩框架52优选通过实施所述运动步骤的方式接触。

此外，在第一子步骤201之前、尤其在准备步骤200中，第二衬底框架32这样结构化或构造，使得在第一子步骤201期间在尤其还未气密封闭的第二空穴12和周围环境7之间形成一进入开口40。此外，在第一子步骤201之前、尤其在准备步骤200中，第二罩框架52这样结构化或构造，使得在第一子步骤201期间在尤其还未封闭、尤其还未气密封闭的第二空穴12和周围环境7之间形成一进入开口或者说另一进入开口。换言之，微机械构件1在第一子步骤201之后并且在第二子步骤202之前包括相对于周围环境7尤其气密封闭的第一空穴11和相对于周围环境7未封闭、尤其未气密封闭的第二空穴12。

此外，根据本发明设置，

--在优选在第一子步骤201之后实施的第二子步骤202中，

--设定第二压力和/或第二化学组分，并且

--衬底装置3和罩装置5这样相互连接，使得形成相对于微机械构件1的周围环境7和相对于第一空穴11尤其气密封闭的第二空穴12，其中，在第二空穴12中存在第二压力和/或包含第二化学组分。

优选地，在周围环境7中设定第二压力和/或第二化学组分并且因此所述第二压力和/或第二化学组分在空间上也存在于衬底装置3和罩装置5之间，尤其也存在于还未封闭的、尤其还未气密封闭的第二空穴12中。

根据本发明优选地，特别优选在设定第二压力和/或第二化学组分期间和/或之后，在另一运动步骤中进一步减小在衬底主延伸平面100和罩主延伸平面101之间的间距。换言之，衬底装置3垂直于衬底主延伸平面100并且向着罩装置5的方向运动，和/或罩装置5垂直于衬底主延伸平面100并且向着衬底装置3的方向运动。在此，衬底装置3和罩装置5优选这样运动，使得优选在任何时间点衬底主延伸平面100和罩主延伸平面101彼此平行地布置。优选地，在图3、图4、图6和图7中示例性示出的实施例中，第一衬底框架31和/或第一罩框架51优选借助于机械压力和/或温度塑性变形和/或转变为液态聚集态。优选地，在图7中示例性示出的实施例中，第一衬底框架31和/或第一罩框架51以及第二衬底框架32和/或第二罩框架52优选借助于机械压力和/或温度塑性变形和/或转变为液态聚集态。

在图3、图4和图6中示例性示出的实施例中，第二衬底框架32和第二罩框架52优选通过实施另一运动步骤的方式接触。

根据本发明优选设置，在所述另一运动步骤期间，第一空穴11相对于微机械构件1的周围环境7保持尤其气密地封闭。此外，第一空穴11的体积在第二子步骤202期间优选最多减小10％、特别优选最多减小1％、尤其特别优选最多减小0.1％。此外，在第二子步骤202之后的第一压力比在第二子步骤202之前的第一压力优选最多高10％、特别优选最多高1％、尤其特别优选最多高0.1％。此外，第一化学组分在第二子步骤202期间优选基本上保持恒定。

此外，衬底装置3和罩装置5在第一子步骤201中优选这样相互连接，使得第一衬底框架31和/或第一罩框架51包围尤其气密封闭的第一空穴11，其中，衬底装置3和罩装置5在第二子步骤202中这样相互连接，使得第二衬底框架32和/或第二罩框架52包围尤其气密封闭的第二空穴12。

根据本发明优选设置，在第一子步骤201中和在第二子步骤202中，衬底装置3和罩装置5通过键合相互连接。此外，在第一子步骤201中，衬底装置3和罩装置5优选借助于热压缩键合相互连接。此外，在第一子步骤201中，衬底装置3和罩装置5优选借助于封接玻璃键合相互连接。此外，在第一子步骤201中，衬底装置3和罩装置5优选借助于借助于共晶键合相互连接。此外，在第二子步骤202中，衬底装置3和罩装置5优选借助于共晶键合相互连接。此外，在第二子步骤202中，衬底装置3和罩装置5优选借助于封接玻璃键合相互连接。

此外，优选这样实施第二子步骤202，使得在第二子步骤202之后第一衬底框架31的垂直于衬底装置3的衬底主延伸平面100的延伸尺度基本上等于第二衬底框架32的垂直于衬底主延伸平面100的延伸尺度。此外，优选这样实施第二子步骤202，使得第一罩框架51的垂直于罩装置5的罩主延伸平面101的延伸尺度等于第二罩框架52的垂直于罩主延伸平面101的延伸尺度。此外，优选这样实施第二子步骤202，使得在第二子步骤202之后第一衬底框架31和第一罩框架51的垂直于衬底主延伸平面100的延伸尺度基本上等于第二衬底框架32和第二罩框架52的垂直于衬底主延伸平面100的延伸尺度。

优选地，在图3至图5中，衬底装置3和罩装置5在第一子步骤201中借助于热压缩并且在第二子步骤202中借助于共晶键合相互连接。

在图3中示出的实施例中，在第一子步骤201之前、优选在准备步骤200中，在锗251下面建立具有氧化物框架151、优选具有二氧化硅框架的键合框架轮廓。换言之，第一罩框架51包括氧化物框架151和锗框架251或者说锗键合框架251，其中，氧化物框架151优选包括二氧化硅。优选地，在准备步骤200中，氧化物框架151首先在罩晶片50的特别优选预结构化的部分上沉积或生长并且结构化，然后锗框架251在氧化物框架151上沉积。如在图3中示例性示出的那样，应包含第一压力或在第一子步骤201和第二子步骤202之后包括第一空穴11的芯片在罩侧优选在一个平行于衬底主延伸平面100的平面中被一个(或多个)由二氧化硅构成的细长框架151、151’围绕，其中，由二氧化硅构成的所述一个(或所述多个)细长的框架151、151’位于键合框架的锗或者说锗键合框架251下面并且导致键合框架或者说锗键合框架251的升高。这些芯片在键合过程的第一部分中或者说在第一子步骤201中在第一压力和低于共晶温度的温度的情况下通过热压缩键合来封闭。而应包含第二压力或者说包围第二空穴12的那些芯片的键合框架不具有键合框架中的升高，以至于所述键合框架在封闭第一芯片之后或者在第一子步骤201之后还敞开。所述键合框架在键合过程的第二部分或者说在第二子步骤202中在周围环境7中或键合腔中的压力变化之后才以第二压力封闭。第二封闭在共晶温度以上进行，使得所有芯片(起先封闭的芯片)共晶键合。特别优选地，由于通过在加速度传感器的锗框架251下面的氧化物框架151而升高的轮廓，首先通过优选在第一子步骤201中的热压缩键合来围住处于较高压力下的氮气，然后在键合过程继续进行时优选在第二子步骤202中在真空情况下使转速传感器共晶键合，其中，加速度传感器也共晶反应。

此外，在图4中示例性示出的实施例中，在第一子步骤201之前、优选在准备步骤200中建立具有铝增厚部的键合框架轮廓。优选地，在图4中示例性示出的实施例的原理基本上相应于在图3中示例性示出的实施例的原理，其中，在图4中示例性示出的实施例中，传感器侧的铝键合框架通过细长的框架升高地构造，该框架同样由铝组成并且位于键合框架或者说铝键合框架下面。换言之，优选在第一子步骤201之前，第一铝层在衬底晶片30上这样沉积并且结构化，使得在衬底晶片30上形成第一铝框架131，然后第二铝层在衬底晶片30上并且在结构化的第一铝层上或者说在第一铝框架131上这样沉积并且结构化，使得在衬底晶片30上并且在第一铝框架131上形成第二铝框架231。换言之，在图4中示例性示出的第一衬底框架31包括第一铝框架131和第二铝框架231。在键合腔中或者周围环境7中实施优选从第一压力至第二压力的压力变化之前，具有升高的键合框架的芯片或者说第一空穴11以第一压力封闭，并且具有未升高的键合框架的其余芯片以第二压力封闭，或者说第二空穴12以第二压力封闭。

此外，在图5中示例性示出的实施例中，在第一子步骤201之前、优选在准备步骤200中，在裂槽(Ritzgraben)中形成密封唇。在此优选设置，衬底装置3和/或罩装置5这样结构化，使得作为第一个被封闭的芯片或者说包括第一空穴11的芯片由位于裂槽54中的密封唇53围绕。换言之，衬底装置3和/或罩装置5优选这样结构化，使得衬底装置3和/或罩装置5包括密封唇53，其中，密封唇53优选布置在第一空穴11和第二空穴12之间。此外，裂槽54在传感器侧围绕键合框架以铝填充，在罩侧以二氧化硅结构填充。优选地，密封唇53包括二氧化硅或二氧化硅结构或裂槽氧化物。此外，衬底装置3优选这样结构化，使得衬底装置3包括在裂槽54中的结构55，其中，结构55包括铝或裂槽铝。在键合时或在第一子步骤201中，芯片或者说第一空穴11通过密封唇来封闭，其方式是，将密封唇53压入结构55中并且在第一空穴11包含第一压力。在压力变化之后或者说在设定第二压力和/或第二化学组分之后，其余芯片以第二压力封闭或者说第二空穴12以第二压力封闭，并且所有芯片或者说第一空穴11和第二空穴12优选在第二子步骤202中通过共晶键合尤其气密地并且密封地封闭。

在图6中示例性示出的实施例中，在第一子步骤201之前、优选在准备步骤200中，在铝键合框架中建立轮廓。换言之，优选在第一子步骤201之前，第一铝层在衬底晶片30上这样沉积并且结构化，使得在衬底晶片30上形成第一铝框架131，然后第二铝层在衬底晶片30上并且在结构化的第一铝层上或者说在第一铝框架131上这样沉积并且结构化，使得在衬底晶片30上并且在第一铝框架131上形成第二铝框架231。优选在第一子步骤201之前，在传感器侧上或者说在衬底晶片上施加铝框架，该铝框架优选在平行于衬底主延伸平面100延伸的平面中包围优选在衬底晶片30上和在第一空穴11中布置的微机械结构，并且与罩侧封接玻璃键合框架或者说第一罩框架51和第二罩框架52相对置，其中，第一罩框架51和第二罩框架52优选分别包括一个封接玻璃键合框架。在要作为第一个以第一压力封闭或者说包围第一空穴11的芯片中，优选包括铝框架的第一衬底框架31相对于第二衬底框架32升高。该变型方案在二级过程中进行封接玻璃键合。换言之，衬底装置3和罩装置5在第一子步骤201和第二子步骤202中通过封接玻璃键合相互连接。在这里，优选首先使包括封接玻璃的第一罩框架51和包括封接玻璃的第二罩框架52软化。然后优选在运动步骤结束时第一罩框架51碰到第一衬底框架31。在这里，芯片或者说第一空穴11包含第一压力。在压力变化之后或者说在设定第二压力和/或第二化学组分之后，在衬底装置3和罩装置5之间的压紧力增大，以至于没有升高的铝框架的其余芯片在第二压力中键合或者说第二空穴12相对于周围环境7并且相对于第一空穴11尤其气密地封闭。

此外，在图7中示例性示出的实施例中，在铝键合框架中或者说在第一衬底框架31和第二衬底框架32中实施具有或没有敞开区域的共晶键合。在这里，优选在第一子步骤201之前、特别优选在准备步骤200中，构造在平行于衬底主延伸平面100延伸的平面300中完全包围第一空穴11的第一衬底框架31。此外，优选在第一子步骤201之前、特别优选在准备步骤200中，构造在平行于衬底主延伸平面100延伸的平面300中仅部分地包围第二空穴12的第二衬底框架32。

在这里优选设置，应包含第一压力或包括第一空穴11的芯片具有按标准实施的键合框架。在键和过程的第二步骤中才要以第二压力封闭或包围第二空穴12的那些芯片在传感器侧的铝键合框架中设有缺口。换言之，第二衬底框架32包括缺口或者说空隙40、41、42、43。缺口或者说空隙40、41、42、43在键合时或在第一子步骤201中不立即封闭，使得在具有标准键合框架的芯片已经在第一压力中封闭之后或者说相对于微机械构件1的周围环境7已经形成尤其气密封闭的第一空穴11之后，但是在其余芯片的或者说第二衬底框架32的缺口或者说空隙40、41、42、43以流动的共晶体填充之前，在键和过程期间或者说在第二子步骤202中可以进行压力变化或设定第二压力和/或第二化学组分。因此，具有缺口的芯片包含第二压力或者说衬底装置3和罩装置5这样相互连接，使得形成相对于微机械构件1的周围环境7并且相对于第一空穴11尤其气密封闭的第二空穴12，其中，在第二空穴12存在第二压力和/或包含第二化学组分。

Claims (8)

1.用于制造微机械构件的方法(1)，其中，所述微机械构件(1)包括衬底装置(3)和罩装置(5)，其中，

--在准备步骤(200)中，使所述衬底装置(3)和/或所述罩装置(5)结构化，其中，

--在第一子步骤(201)中，

--设定第一压力和/或第一化学组分，并且

--将所述衬底装置(3)和所述罩装置(5)这样相互连接，使得形成相对于所述微机械构件(1)的周围环境(7)封闭的第一空穴(11)，其中，在所述第一空穴(11)中存在所述第一压力和/或包含所述第一化学组分，其中，

--在第二子步骤(202)中，

--设定第二压力和/或第二化学组分，并且

--所述衬底装置(3)和所述罩装置(5)这样相互连接，使得形成相对于所述微机械构件(1)的所述周围环境(7)并且相对于所述第一空穴(11)封闭的第二空穴(12)，其中，在所述第二空穴(12)中存在所述第二压力和/或包含所述第二化学组分，其中，

所述衬底装置(3)包括第一衬底框架(31)和第二衬底框架(32)，其中，所述第一衬底框架(31)和所述第二衬底框架(32)这样构造，使得在所述第一子步骤(201)之前，所述第一衬底框架(31)的垂直于所述衬底装置(3)的衬底主延伸平面(100)的延伸尺度大于所述第二衬底框架(32)的垂直于所述衬底主延伸平面(100)的延伸尺度，和/或

所述罩装置(5)包括第一罩框架(51)和第二罩框架(52)，其中，所述第一罩框架(51)和所述第二罩框架(52)这样构造，使得在所述第一子步骤(201)之前，所述第一罩框架(51)的垂直于所述罩装置(5)的罩主延伸平面(101)的延伸尺度大于所述第二罩框架(52)的垂直于所述罩主延伸平面(101)的延伸尺度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一子步骤(201)和所述第二子步骤(202)在一个键合过程中实施。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述第一子步骤(201)中，所述衬底装置(3)和所述罩装置(5)借助于热压缩键合和/或封接玻璃键合和/或共晶键合相互连接。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述第二子步骤(202)中，所述衬底装置(3)和所述罩装置(5)借助于共晶键合和/或封接玻璃键合相互连接。

5.用于制造微机械构件的方法(1)，其中，所述微机械构件(1)包括衬底装置(3)和罩装置(5)，其中，

--在准备步骤(200)中，使所述衬底装置(3)和/或所述罩装置(5)结构化，其中，

--在第一子步骤(201)中，

--设定第一压力和/或第一化学组分，并且

--将所述衬底装置(3)和所述罩装置(5)这样相互连接，使得形成相对于所述微机械构件(1)的周围环境(7)封闭的第一空穴(11)，其中，在所述第一空穴(11)中存在所述第一压力和/或包含所述第一化学组分，其中，

--在第二子步骤(202)中，

--设定第二压力和/或第二化学组分，并且

--所述衬底装置(3)和所述罩装置(5)这样相互连接，使得形成相对于所述微机械构件(1)的所述周围环境(7)并且相对于所述第一空穴(11)封闭的第二空穴(12)，其中，在所述第二空穴(12)中存在所述第二压力和/或包含所述第二化学组分，其中，

所述衬底装置(3)包括第一衬底框架(31)和第二衬底框架(32)，其中，在所述第一子步骤(201)之前，使所述第二衬底框架(32)这样结构化，使得在所述第一子步骤(201)期间在所述第二空穴(12)和所述周围环境(7)之间形成进入开口，和/或

所述罩装置(5)包括第一罩框架(51)和第二罩框架(52)，其中，在所述第一子步骤(201)之前，使所述第二罩框架(52)这样结构化，使得在所述第一子步骤(201)期间在所述第二空穴(12)和所述周围环境(7)之间形成进入开口。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一子步骤(201)和所述第二子步骤(202)在一个键合过程中实施。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，在所述第一子步骤(201)中，所述衬底装置(3)和所述罩装置(5)借助于热压缩键合和/或封接玻璃键合和/或共晶键合相互连接。

8.根据权利要求5或6所述的方法，其中，在所述第二子步骤(202)中，所述衬底装置(3)和所述罩装置(5)借助于共晶键合和/或封接玻璃键合相互连接。

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