CN107957445A - 一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法 - Google Patents

一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107957445A
CN107957445A CN201711254746.5A CN201711254746A CN107957445A CN 107957445 A CN107957445 A CN 107957445A CN 201711254746 A CN201711254746 A CN 201711254746A CN 107957445 A CN107957445 A CN 107957445A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mmol
bromocryptine
molecular imprinting
template molecule
electrochemical sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201711254746.5A
Other languages
English (en)
Inventor
韦贻春
余会成
李�浩
谭学才
雷福厚
陈其锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangxi University for Nationalities
Original Assignee
Guangxi University for Nationalities
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangxi University for Nationalities filed Critical Guangxi University for Nationalities
Priority to CN201711254746.5A priority Critical patent/CN107957445A/zh
Publication of CN107957445A publication Critical patent/CN107957445A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/416Systems
    • G01N27/48Systems using polarography, i.e. measuring changes in current under a slowly-varying voltage
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/26Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
    • G01N27/28Electrolytic cell components
    • G01N27/30Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells
    • G01N27/308Electrodes, e.g. test electrodes; Half-cells at least partially made of carbon

Abstract

本发明公开了一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法,以溴麦角隐亭为模板分子、冬凌草甲素为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、纳米粘土为掺杂剂,以N‑反式阿魏酰酪胺作为交联剂,据此制备了高灵敏度的纳米粘土掺杂的溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器,该分析方法简单实用,克服了以往分析方法复杂、设备昂贵、灵敏度低的缺点。

Description

一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法
技术领域
本发明涉及分子印迹电化学传感器,尤其是一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法。
背景技术
溴麦角隐亭(Bromocriptine)又名溴隐亭,系多肽类麦角生物碱、选择性地的激动多巴胺受体,一般剂量时激动D2受体发挥抗震颤麻痹作用,抗震颤麻痹,临床主要用于左旋多巴疗效不好或不能耐受患者,症状波动者,用于各种原因引起的偶催乳激素过高引起的闭经或乳溢、抑制生理性泌乳,治疗肢端肥大症、女性不育症,也可用于舞蹈病。服用此药不良反应的发生率高达60%以上,早期可见恶心、呕吐、眩晕、直立性低血压甚至昏厥,还可出现鼻充血、心律失常、心绞痛加重、嗜睡、幻觉妄想、躁狂、抑郁等。但长期或过量使用此类药物会造成皮肤网状青斑,腹膜纤维化,胸膜增厚和积液,另外还有因肝、肾功能损害。
测定溴麦角隐亭的方法有气相-质谱法、高效液相色谱梯度洗脱法等。然而这些方法由于需要昂贵的仪器设备,存在成本高、耗时长、灵敏度不高等缺点。因此,研究一种高灵度的、简便的溴麦角隐亭测定方法具有非常重要的意义。
分子印迹技术是以待测目标分子为模板分子,将具有结构上互补的功能性单体通过共价或非共价键与模板分子结合形成单体模板分子复合物,再加入交联剂使之与单体进行聚合反应形成模板分子聚合物,反应完成后通过物理或化学方法去除模板分子,得到分子印迹聚合物,在聚合物中形成与原印迹分子空间结构互补并且具有多重识别位点的空穴。目前的方法由于选取的功能单体与模板分子不能恰当地匹配,并且交联的刚性也较差,因此灵敏度不高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种设备简单、制作简易的一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:以溴麦角隐亭为模板分子、冬凌草甲素为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、纳米粘土为掺杂剂,以N-反式阿魏酰酪胺为交联剂制备。
上述一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法,以溴麦角隐亭为模板分子、冬凌草甲素为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、以N-反式阿魏酰酪胺为交联剂、纳米粘土为掺杂剂,在直径2 mm玻碳电极表面上形成一种杂化纳米粘土溴麦角隐亭分子印迹聚合物薄膜,然后采用洗脱剂摩尔比1:1的乙酸和丙醇混合溶剂将模板分子洗脱,即得。
上述一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法,包括以下步骤:
<1>向10.0 mL溶剂乙醇中,依次加入0.2 mmol~1.5 mmol模板分子溴麦角隐亭、 2.0mmol~ 8.0 mmol 功能单体冬凌草甲素、5.0 mmol交联剂N-反式阿魏酰酪胺、 0.13 mmol引发剂偶氮二异丁腈及0.0100 g~0.0600 g的纳米粘土,每加入一种化学试剂超声波溶解8分钟;
<2>取步骤<1>的混合物8 μL涂于干净光滑的直径为2 mm的玻碳电极表面上,放置6小时后,将修饰后的电极置于80 ℃的真空干燥箱内热聚合 1.5小时,然后采用洗脱剂摩尔比为1:1的乙酸和丙醇混合溶剂将模板分子洗脱,即得。
研究发现,以溴麦角隐亭为模板分子、冬凌草甲素为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、纳米粘土为掺杂剂,以N-反式阿魏酰酪胺为交联剂制备的溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器,可用于测定溴麦角隐亭的含量。应用本发明建立测定溴麦角隐亭的电化学分析方法,具有很优秀的灵敏度;溴麦角隐亭的浓度在1.2×10-8 ~ 1.8×10-4 mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数为R = 0.9998),检出限(S/N = 3)为3.2×10-9 mol/L,因此,纳米粘土掺杂的溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器具有较高的灵敏度,超过目前的检测方法;并且设备简单、制作简易。
附图说明
图1是实施例1中一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法的工作曲线图。
具体实施方式
实施例1
一、玻碳电极的处理
将玻碳电极在抛光布上依次用1.0 μm、0.3 μm和0.05 μm的氧化铝粉抛光,然后放入体积比为1:1的硝酸中超声8 min,再放入无水乙醇中超声8 min,最后用纯水超声清洗干净。
二、溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备
<1>向10.0 mL溶剂乙醇中,依次加入0.45 mmol模板分子溴麦角隐亭、5.0 mmol功能单体冬凌草甲素、5.0 mmol交联剂N-反式阿魏酰酪胺、 0.13 mmol引发剂偶氮二异丁腈及0.0400 g的纳米粘土,每加入一种化学试剂超声波溶解8分钟;
<2>取步骤<1>的混合物8 μL涂于干净光滑的直径为2 mm的玻碳电极表面上,放置6小时后,将修饰后的电极置于80 ℃的真空干燥箱内热聚合 1.5小时,然后采用洗脱剂摩尔比1:1乙酸和丙醇混合溶剂将模板分子洗脱,通过磁力搅拌洗脱模板分子,直至洗脱液中检测不到模板分子,再用超纯水洗去印迹电极表面的溶剂,然后将印迹电极保存于超纯水中待用。
三、工作曲线的绘制及检出限的测定
用差分脉冲伏安法进行纳米粘土掺杂的溴麦角隐亭分子印迹电极响应特性的实验,测定线性范围及检出限。将纳米粘土掺杂的溴麦角隐亭分子印迹电极分别在不同浓度的溴麦角隐亭溶液中培育6分钟(底液为5.0 mmol/L K3[Fe(CN)6]-0.5 mol/L pH = 7.5的磷酸盐缓冲溶液溶液),然后进行差分脉冲伏安法测量。溴麦角隐亭溶液浓度在1.2×10-8 ~ 1.8×10-4 mol/L范围内呈现良好的线性关系;线性方程为Ip(μA) = -0.1096 с (μmol/L) +23.33,线性相关系数为R = 0.9998,检出限(S/N = 3)为3.2×10-9 mol/L。
因此,该纳米粘土掺杂溴麦角隐亭的分子印迹电极具有极高的灵敏度。

Claims (1)

1. 一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法,其特征在于以0.02 mmol/mL~0.15 mmol/mL的溴麦角隐亭为模板分子、0.20 mmol/mL~0.80 mmol/mL的冬凌草甲素为功能单体、0.013 mmol/mL的偶氮二异丁腈为引发剂、以0.50 mmol/mL的N-反式阿魏酰酪胺为交联剂、0.0010 g/mL~0.0060 g/mL的纳米粘土为掺杂剂,在玻碳电极表面上形成一种杂化纳米粘土溴麦角隐亭分子印迹聚合物薄膜,然后采用洗脱剂乙酸和丙醇混合溶剂洗脱模板分子即得;
具体按以下操作进行:
<1>向10.0 mL溶剂乙醇中,依次加入0.2 mmol~1.5 mmol模板分子溴麦角隐亭、 2.0mmol~ 8.0 mmol 功能单体冬凌草甲素、5.0 mmol交联剂N-反式阿魏酰酪胺、 0.13 mmol引发剂偶氮二异丁腈及0.0100 g~0.0600 g的纳米粘土,每加入一种化学试剂超声波溶解8分钟;
<2>取步骤<1>的混合物8 μL涂于干净光滑的直径为2 mm的玻碳电极表面上,放置6小时后,将修饰后的电极置于80 ℃的真空干燥箱内热聚合 1.5小时,然后采用洗脱剂摩尔比为1:1的乙酸和丙醇混合溶剂将模板分子洗脱,即得。
CN201711254746.5A 2017-12-02 2017-12-02 一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法 Withdrawn CN107957445A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711254746.5A CN107957445A (zh) 2017-12-02 2017-12-02 一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711254746.5A CN107957445A (zh) 2017-12-02 2017-12-02 一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107957445A true CN107957445A (zh) 2018-04-24

Family

ID=61963325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711254746.5A Withdrawn CN107957445A (zh) 2017-12-02 2017-12-02 一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107957445A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105510415A (zh) * 2016-01-04 2016-04-20 广西民族大学 一种高灵敏度的官能化金纳米粒子掺杂的甲丙氨酯分子印迹电化学传感器的制备方法
CN105548298A (zh) * 2015-12-21 2016-05-04 广西民族大学 一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的地佐辛分子印迹电化学传感器的制备方法
CN105548310A (zh) * 2015-12-21 2016-05-04 广西民族大学 一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的帕非洛尔分子印迹电化学传感器的制备方法
CN105628777A (zh) * 2016-01-04 2016-06-01 广西民族大学 一种高灵敏度的官能化金纳米粒子掺杂的苯丙氨酯分子印迹电化学传感器的制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105548298A (zh) * 2015-12-21 2016-05-04 广西民族大学 一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的地佐辛分子印迹电化学传感器的制备方法
CN105548310A (zh) * 2015-12-21 2016-05-04 广西民族大学 一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的帕非洛尔分子印迹电化学传感器的制备方法
CN105510415A (zh) * 2016-01-04 2016-04-20 广西民族大学 一种高灵敏度的官能化金纳米粒子掺杂的甲丙氨酯分子印迹电化学传感器的制备方法
CN105628777A (zh) * 2016-01-04 2016-06-01 广西民族大学 一种高灵敏度的官能化金纳米粒子掺杂的苯丙氨酯分子印迹电化学传感器的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ZHANG, FU ET AL.: "Molecularly imprinted polymer doped with Hectorite for selective recognition of sinomenine hydrochloride", 《JOURNAL OF BIOMATERIALS SCIENCE. POLYMER EDITION》 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105628777B (zh) 一种高灵敏度的官能化金纳米粒子掺杂的苯丙氨酯分子印迹电化学传感器的制备方法
CN105510415B (zh) 一种高灵敏度的官能化金纳米粒子掺杂的甲丙氨酯分子印迹电化学传感器的制备方法
CN105548310B (zh) 一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的帕非洛尔分子印迹电化学传感器的制备方法
CN105548298B (zh) 一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的地佐辛分子印迹电化学传感器的制备方法
Javanbakht et al. Molecularly imprinted polymer based potentiometric sensor for the determination of hydroxyzine in tablets and biological fluids
CN103926286A (zh) 一种高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的酞氨西林分子印迹电化学传感器及其制备方法
CN103926289B (zh) 一种高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的小诺米星分子印迹电化学传感器及其制备方法
CN103926287A (zh) 一种高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的盐酸米诺环素分子印迹电化学传感器及其制备方法
CN102507697A (zh) 一种基于分子印迹聚合物膜的修饰电极、电化学系统及其应用
CN103926288A (zh) 一种高灵敏度的纳米氧化钴掺杂的异戊巴比妥分子印迹电化学传感器及其制备方法
CN105628762B (zh) 一种高灵敏度的官能化银纳米粒子掺杂的阿尼西坦分子印迹电化学传感器的制备方法
CN107957445A (zh) 一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法
CN108007987A (zh) 一种甲基多巴分子印迹电化学传感器的制备方法
CN107941883A (zh) 一种天麻素分子印迹电化学传感器的制备方法
CN106706730A (zh) 一种高灵敏度的托卡朋分子印迹电化学传感器的制备方法
CN107957444A (zh) 一种舒噻嗪分子印迹电化学传感器的制备方法
CN107976479A (zh) 一种扑痫酮分子印迹电化学传感器的制备方法
CN105548311B (zh) 一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的贝凡洛尔分子印迹电化学传感器的制备方法
CN107991498A (zh) 一种苯琥胺分子印迹电化学传感器的制备方法
CN107941878A (zh) 一种丙缬草酰胺分子印迹电化学传感器的制备方法
CN105628775B (zh) 一种高灵敏度的官能化银纳米粒子掺杂的开浦兰分子印迹电化学传感器的制备方法
CN107957438A (zh) 一种右佐匹克隆分子印迹电化学传感器的制备方法
CN107941877A (zh) 一种匹莫齐特分子印迹电化学传感器的制备方法
CN105353012B (zh) 一种高灵敏度的纳米氧化锆掺杂的依泮洛尔分子印迹电化学传感器的制备方法
CN107917946A (zh) 一种三氟拉嗪分子印迹电化学传感器的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20180424

WW01 Invention patent application withdrawn after publication