CN107925827B - 电容式转换器及音响传感器 - Google Patents
电容式转换器及音响传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107925827B CN107925827B CN201780002686.XA CN201780002686A CN107925827B CN 107925827 B CN107925827 B CN 107925827B CN 201780002686 A CN201780002686 A CN 201780002686A CN 107925827 B CN107925827 B CN 107925827B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode film
- hole
- back plate
- convex portion
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 142
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000012669 compression test Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/005—Electrostatic transducers using semiconductor materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0018—Structures acting upon the moving or flexible element for transforming energy into mechanical movement or vice versa, i.e. actuators, sensors, generators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
- H04R1/20—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
- H04R1/22—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired frequency characteristic only
- H04R1/222—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired frequency characteristic only for microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/04—Microphones
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R7/00—Diaphragms for electromechanical transducers; Cones
- H04R7/16—Mounting or tensioning of diaphragms or cones
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0257—Microphones or microspeakers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0264—Pressure sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R2201/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones covered by H04R1/00 but not provided for in any of its subgroups
- H04R2201/003—Mems transducers or their use
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Otolaryngology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
本发明提供一种在对音响传感器作用过大的压力的情况下,即使振动电极膜向任意方向发生变形,也能够抑制振动电极膜的过度变形,避免振动电极膜的破损的技术。本发明的电容式转换器具备:背板(37),其以与基板的开口相对的方式配设;振动电极膜(35),其在与背板(37)之间经由空隙而与背板(37)相对地配设,还具备:压力释放孔(35b),其为设于振动电极膜(35)的贯通孔;凸部(37b),其利用与背板(37)相同的部件与背板(37)一体设置,在振动电极膜(35)变形前的状态下侵入压力释放孔(35b);压力释放流路,其为通过压力释放孔(35b)与凸部(37b)的间隙而形成的空气的流路,凸部(37b)具有将其前端侧和背板(37)上的凸部(37b)的相反侧连通的凸部孔(37c)。
Description
技术领域
本申请涉及一种电容式转换器及具有该电容式转换器的音响传感器。更具体地,本发明涉及一种由电容器构造构成的电容式转换器及音响传感器,所述电容器由使用MEMS技术形成的振动电极膜和背板构成。
背景技术
目前,作为小型麦克风,有时使用利用了称为ECM(Electret CondenserMicrophone)的音响传感器的麦克风。但是,ECM不耐热,而且,在数字化应对或小型化方面,利用了使用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技术制造的电容式转换器的麦克风(以下,均称为MEMS麦克风)更为优异,因此,近年来,正在采用MEMS麦克风(例如,参照专利文献1)。
在上述的电容式转换器中,有时使用MEMS技术实现将受到压力而振动的振动电极膜经由空隙与固定有电极膜的背板相对配置的方式。这种电容式转换器的方式能够通过如下工序实现,例如,在硅基板上形成振动电极膜及覆盖振动电极膜的牺牲层后,在牺牲层上形成背板,之后除去牺牲层。MEMS技术由于这样地应用半导体制造技术,故而能够得到极小的电容式转换器。
另一方面,使用MEMS技术制作的电容式转换器由薄膜化的振动电极膜或背板构成,因此,在作用过大压力的情况等下,振动电极膜大幅变形,可能会发生破损。这种不良情况除了在例如在电容式转换器内施加大声压的情况下产生以外,还可在安装工序中吹气的情况或该电容式转换器落下的情况下产生。
对此,考虑如下措施,即,在振动电极膜上设置释放压力的孔,在作用过大的压力时,从该孔释放压力,但在该措施中,有时导致特别是低音区域中的灵敏度降低等、作为电容式转换器的频率特性的恶化。
另外,具有振动电极膜和将该振动电极膜用狭缝划分而分离的作为一区域的柱塞部(プラグ部),柱塞部相对于背板或基板由支承构造支承成与振动电极膜的其它部分高度相同的MEMS转换器的发明是众所周知的。在该发明中,振动电极膜响应膜两侧的压力差而进行位移,与柱塞部之间的流动路径扩大,由此,释放过大的压力(例如,参照专利文献2)。
另外,在将音响振动转换为振动电极膜和背板上的固定电极膜之间的电容的变化而进行检测的音响传感器中,也有如下技术,即,在振动电极膜变形前,与背板一体设置的凸部成为侵入设置于振动电极膜的压力释放孔的状态,在振动电极膜受到过大的压力而向背板的相反侧变形时,通过解除凸部向压力释放孔的侵入,增大空气流路的流路面积,由此释放施加于振动电极膜的压力。
但是,在上述的振动电极膜受到过大压力而向背板的相反侧变形时,通过解除凸部向压力释放孔的侵入,增大空气流路的流路面积的技术中,与背板一体设置的凸部的形状多成为圆柱状或随着离开背板而直径变小的圆锥状。
因此,在音响传感器中从振动电极膜侧作用压力的情况下,振动电极膜向背板侧移动,故而空气流路的流路面积一定或变小,有时难以释放压力。
专利文献1:日本特开2011-250170号公报
专利文献2:美国专利第8737171号说明书
发明内容
本发明是鉴于上述状况而发明的,其目的在于提供一种在过大的压力作用于音响传感器的情况下,即使振动电极膜向任意方向变形,也能够抑制振动电极膜的过量变形,避免振动电极膜的破损的技术。
为了解决上述课题,本发明第一方面的电容式转换器具备:基板,其在表面具有开口;背板,其以与所述基板的开口相对的方式配设;振动电极膜,其在与所述背板之间经由空隙而与该背板相对地配设,所述电容式转换器将所述振动电极膜的变形转换成该振动电极膜与所述背板之间的电容的变化,所述电容式转换器还具备:压力释放孔,其为设于所述振动电极膜的贯通孔;凸状部分,其利用与所述背板相同的部件与该背板一体设置,在所述振动电极膜变形前的状态下,侵入所述压力释放孔;压力释放流路,其为通过所述压力释放孔与所述凸状部分的间隙形成的空气的流路,所述凸状部分具有将该凸状部分的前端侧和所述背板上的该凸状部分的相反侧连通的贯通孔。
据此,在电容式转换器的内部,在从振动电极膜侧或背板侧的任一侧作用了压力的情况下,通过使与该压力相关的空气的一部分在设于凸状部分的贯通孔通过,能够不影响振动电极膜的变形而排出至背板及振动电极膜的相反侧。由此,能够提高电容式转换器对压力的耐性。
另外,由于能够降低作为电容式转换器的频率特性中特别是低频区域的灵敏度,故而能够更容易地实现耐风噪声等噪声的电容式转换器。另外,即使在被吸进电容式转换器的空气中混入有异物的情况下,也能够降低该异物与振动电极膜或凸部、压力释放孔附近接触的概率,能够提高对异物的耐性。
另外,在本发明中,也可以是,在所述凸状部分侵入到所述压力释放孔的状态下,从与所述振动电极膜垂直的方向观察,所述贯通孔包含于所述压力释放孔。
据此,从与振动电极膜垂直的方向观察,能够将通过贯通孔的空气的出入限定在压力释放孔的内部,因此,能够抑制在设于凸状部分的贯通孔通过的空气对与振动电极膜接触的空气的动作带来影响。其结果,能够尽量降低在设于凸状部分的贯通孔通过的空气对作为电容式转换器的灵敏度或频率特性的影响。
另外,在本发明中,所述贯通孔的截面形状也可以为圆形。由此,能够缓和凸状部分上的贯通孔周边的应力集中,能够相对提高凸状部分的强度。
另外,在本发明中,所述贯通孔的截面的宽度也可以为1μm以上且50μm以下。如果贯通孔的截面的宽度(在贯通孔的截面为圆形的情况下为直径)在该范围内,则在一般尺寸的MEMS电容式转换器中,能够得到实用上充分的灵敏度和频率特性,另外,通过半导体工序能够良好地形成贯通孔。
另外,本发明第二方面的音响传感器,具有上述的电容式转换器,将声压转换为所述振动电极膜与所述背板之间的电容的变化而进行检测。由此,能够提高音响传感器对压力的耐性。另外,能够降低音响传感器的频率特性中低频区域的灵敏度,能够实现耐风噪声等噪声的音响传感器。另外,能够提高音响传感器对异物的耐性。
此外,上述的用于解决课题的方案可适当组合使用。
根据本发明,电容式转换器能够良好地维持检测压力时的频率特性,同时在过大的压力作用于音响传感器的情况下,即使振动电极膜向任意方向变形,也能够抑制振动电极膜的过度变形,避免振动电极膜的破损。结果,能够更良好地维持电容式转换器的性能,同时提高可靠性。
附图说明
图1是表示通过MEMS技术制造的现有的音响传感器之一例的立体图;
图2是表示现有的音响传感器的内部构造之一例的分解立体图;
图3是用于对过大的压力急剧作用于音响传感器的情况进行说明的图;
图4是用于对目前对于过大的压力急剧作用于音响传感器的情况的措施进行说明的图;
图5是用于对目前对于过大的压力急剧作用于音响传感器的情况的措施的其它例进行说明的图;
图6用于对目前对于过大的压力急剧作用于音响传感器的情况的措施中的压力释放孔及凸部的作用进行说明的图;
图7是用于对目前对于过大的压力急剧作用于音响传感器的情况的措施中的压力释放孔及凸部的作用进行说明的图;
图8是表示本发明的实施例1中的凸部的剖视图;
图9是用于对本发明的实施例1中的背板及振动电极膜的作用进行说明的图;
图10是表示与使用具有现有的凸部的背板的情况和使用具有本发明实施例1中的凸部的背板的情况相关的压缩空气试验的结果的图;
图11是形成于实施例2中的背板的凸部和设于振动电极膜的压力释放孔的剖视图;
图12是形成于实施例3中的背板的凸部和设于振动电极膜的压力释放孔的剖视图。
标记说明
1:音响传感器
2:背腔
3、13:(硅)基板
5、15、25、35、45、55、65、75:振动电极膜
7、17、27、37、47、57、67、77:背板
15b、25b、35b、45b、55b、65b、75b:压力释放孔
17b、27b、37b、47b、57b、67b、77b:凸部
37c、47c、57c、67c、77c:凸部孔
具体实施方式
<实施例1>
以下,参照附图对本申请发明的实施方式进行说明。以下所示的实施方式为本申请发明的一个方式,不限定本申请发明的技术范围。此外,本发明能够适用于所有的静电转换器,但以下,对将静电转换器用作音响传感器的情况进行说明。但是,本发明的声音转换器只要检测振动电极膜的位移,则也可用作音响传感器以外的传感器。例如,除了压力传感器,也可用作加速度传感器或惯性传感器等。另外,也可以用作传感器以外的元件,例如用作将电信号转换成位移的扬声器等。另外,以下说明中的背板、振动电极膜、背腔、基板等配置只为一例,只要具有同等功能即可,不限于此。例如,背板和振动电极膜的配置也可以互换。
图1是表示通过MEMS技术制造的现有的音响传感器1的一例的立体图。另外,图2是表示音响传感器1的内部结构的一例的分解立体图。音响传感器1是在设有背腔2的硅基板(基板)3的上表面层积有绝缘膜4、振动电极膜(隔膜)5及背板7的层积体。背板7具有在固定板6上成膜有固定电极膜8的构造,在固定板6的硅基板3侧配置有固定电极膜8。在背板7的固定板6上整面地设有多个作为穿孔的音孔(图1或图2所示的固定板6的阴影的各点相当于各个音孔)。另外,在固定电极膜8的四角中的一角设有用于取得输出信号的固定电极片10。此外,在本说明书中,以下,上侧表示图2中从基板3侧朝向固定电极膜8侧的方向,下侧表示其反方向。
在此,硅基板3可例如由单晶硅形成。另外,振动电极膜5可例如由导电性的多晶硅形成。振动电极膜5为大致矩形的薄膜,在振动的大致四边形的振动部11的四角设有固定部12。而且,振动电极膜5以覆盖背腔2的方式配置在硅基板3的上表面,在作为锚固部的4个固定部12固定于硅基板3。振动电极膜5的振动部11感应声压而上下振动。
另外,在4个固定部12以外的部位,振动电极膜5既不与硅基板3接触,也不与背板7接触。因此,能够感应声压而更顺畅地上下振动。另外,在位于振动部11四角的固定部12中的1个固定部设有振动膜电极片9。设于背板7的固定电极膜8被设置为与振动电极膜5中除四角的固定部12以外的振动部分对应。这是因为,振动电极膜5中四角的固定部12不感应声压而振动,振动电极膜5与固定电极膜8之间的电容不发生变化。
当声音到达音响传感器1时,声音通过音孔,对振动电极膜5施加声压。即,通过该音孔将声压施加于振动电极膜5。另外,通过设置音孔,背板7与振动电极膜5之间的空气间隙中的空气容易排出至外部,能够减轻热杂音,减少噪声。
就音响传感器1而言,通过上述构造,接收声音而使振动电极膜5振动,振动电极膜5与固定电极膜8之间的距离发生变化。当振动电极膜5与固定电极膜8之间的距离发生变化时,振动电极膜5与固定电极膜8之间的电容发生变化。因此,在与振动电极膜5电连接的振动膜电极片9和与固定电极膜8电连接的固定电极片10之间施加直流电压,通过将上述电容的变化作为电信号取出,能够将声压作为电信号进行检测。
接下来,对上述现有的音响传感器1中产生的不良情况进行说明。图3是记载了过大的压力作用于音响传感器1的情况的示意图。如图3所示,在过大的压力作用于音响传感器1的情况下,大压力从设于背板7的音孔7a作用于振动电极膜5的振动部11,在振动部11产生大的变形,有时导致振动电极膜5破损。这种不良情况除了例如在向音响传感器1作用过大的空气压力的情况以外,还可以在音响传感器1落下的情况等产生。
对此,考虑图4所示的措施。即,如图4(a)所示,通过对振动电极膜5设置用于释放作用压力的孔5a,如图4(b)所示,在从音响传感器1的背板7的音孔7a作用过大的压力的情况下,通过从孔5a释放压力,能够防止振动电极膜5的破损。但是,如果在振动电极膜5上设置上述那样的常开的孔5a,虽然对压力的耐性得以提高,但特别是低音区域中的灵敏度降低,即,频率响应性降低容易发生,发生音响传感器1的频率特性恶化的不良。
另外,考虑具有振动电极膜和将该振动电极膜利用狭缝划分而分离的作为一区域的柱塞部(プラグ部),使柱塞部相对于背板由支承结构支承成与振动电极膜的其它部分高度相同的措施。该措施中,通过使振动电极膜响应膜两侧的压力差而位移,与柱塞部之间的流路扩大,由此释放过大的压力(例如,参照专利文献2)。
但是,该措施存在如下不良情况。首先,柱塞部使用非常薄的振动电极膜的一区域而构成,因此容易破损。另外,盖状的柱塞部相对于背板使用由棒状的其它部件构成的支承构造而支承,因此,不仅制造工序复杂,而且柱塞部可能从支承构造破损脱落。
另外,在该措施中,通过使振动电极膜响应膜两侧的压力差而位移,使该振动电极膜和将该振动电极膜利用狭缝划分而分离的作为一区域的柱塞部之间的流动路径扩大,释放过大的压力。即,将振动电极膜及将该振动电极膜利用狭缝划分而分离的作为一区域的柱塞部这种薄膜彼此之间的间隙用作流路,因此,当受到较大压力而使振动电极膜的振幅变大时,即使在使用压力范围内,柱塞部和振动电极膜的位置也会错开膜厚以上,成为流路略微扩大的状态,音响传感器1的频率特性可能变得不稳定。
对于上述的不良情况,考虑如下措施,即,在振动电极膜上具备将被施加的压力释放的孔,而且,在振动电极膜变形前的状态下,背板的一部分即形成凸状的柱结构将孔贯通而至少封闭其一部分,并且,在振动电极膜受到压力而变形的状态下,通过振动电极膜和背板的相对移动来解除急于背板的柱结构的孔的贯通,使孔的整体露出,由此,释放施加于振动电极膜的压力。
图5表示采取上述措施的情况下的、音响传感器的振动电极膜15及背板17附近的概略图。图5(a)是振动电极膜15的俯视图,图5(b)是振动电极膜15及背板17、基板13的截面B-B′的剖视图。如图5(a)所示,在该措施中,在振动电极膜15的振动部21的四角设有压力释放孔15b。而且,如图5(b)所示,在向振动电极膜15作用过大的压力之前的状态下,通过一体地凸状设于背板17的柱结构即凸部17b贯通压力释放孔15b,封闭压力释放孔15b而构成。此外,在通过半导体制造工序形成背板17时,该凸部17b同时作为背板17的一部分而形成。
接下来,使用图6对上述的压力释放孔15b及凸部17b的作用进行说明。图6(a)表示过大的压力作用于振动电极膜15之前的状态。图6(b)表示由于过大的压力作用于振动电极膜15,振动电极膜15大幅变形的状态。如图6(a)所示,在振动电极膜15变形前的状态下,背板17的凸部17b贯通在振动电极膜15设置的压力释放孔15b而成为封闭的状态,在该状态下,在压力从背板17侧作用于振动电极膜15的情况下,在压力释放孔15b通过的空气的量较少,不能充分释放压力。
但是,在过大的压力作用于振动电极膜15的情况下,由于该压力,振动电极膜15大幅变形,如图6(b)所示,向离开背板17的方向变形。于是,凸部17b从压力释放孔15b脱离(解除贯通),解除压力释放孔15b的封闭。由此,使压力作用于振动电极膜15的空气从压力释放孔15b向图中下侧泄露,因此瞬间释放作用于振动电极膜15的压力。由此,能够抑制凸部17b从压力释放孔15b脱离后的振动电极膜15的进一步变形,避免振动电极膜15的破损。
接下来,图7表示在上述的措施中,凸部27b的直径以连续直线状地朝向前端逐渐变细的例子。在这种情况下,在过大的压力作用于振动电极膜25,振动电极膜25大幅变形的状态下,成为凸部27b的前端侧的小径的部分贯通压力释放孔25b的状态,释放压力的空气流路面积增大,因此,能够防止振动电极膜25的过量变形。
然而,在上述的现有的措施中,在通过从下侧作用压力而使振动电极膜向上侧变形的情况下,不能增大释放压力的空气流路面积,不能防止振动电极膜向上侧的过量变形。例如,在凸部27b的直径以连续直线状地朝向前端逐渐变细的例子中,在振动电极膜25从下侧向上侧变形的情况下,释放压力的空气流路面积反而减小,不能防止振动电极膜25向上侧的过量变形。
在上述情况下,还可以考虑例如通过增大凸部与压力释放孔之间的间隙,整体提高对从下侧作用于上侧的压力的耐性。但是,在这种情况下,根据原本存在于该空间的空气的质量或弹簧成分,有时会妨碍空气从凸部与压力释放孔之间的间隙流入背板与振动电极膜之间的空间,有时难以有效提高对压力的耐性。
对此,在本实施例中,如图8所示,设置将凸部37b沿上下方向贯通的孔即凸部孔37c。由此,即使在通过从下侧作用压力而使振动电极膜向上侧变形的情况下,也能够防止振动电极膜的下侧的空气的一部分通过凸部孔37c向背板的上侧的排出,并防止振动电极膜向上侧的过量变形。在图9中表示本实施例中背板37的凸部37b及振动电极膜35的压力释放孔35b的作用。图9(a)表示现有的背板17的凸部及振动电极膜15的压力释放孔的情况,图9(b)表示本实施例中背板37的凸部37b及振动电极膜35的压力释放孔35b的情况。
在现有的情况下,如图9(a)所示,被吸进电容式转换器内的空气从背板17的凸部与振动电极膜15的压力释放孔的间隙流到背板17与振动电极膜15之间的空间,但有时会因在该时刻存在于该空间的空气的质量或弹簧成分而妨碍从凸部与压力释放孔之间的间隙流入该空间,有时难以有效提高对压力的耐性。
对此,在本实施例的情况,如图9(b)所示,被导入电容式转换器内的空气的一部分能够通过设于凸部37b的凸部孔37c直接排出至背板17上侧。由此,在该时刻不受存在于背板37与振动电极膜35之间的空间的空气的影响,压力的一部分更有效地排出,能够提高对压力的耐性。
此外,根据本实施例,被吸进电容式转换器的空气的一部分能够不影响振动电极膜35而能够直接通到背板37的相反侧,因此,作为电容式转换器的频率特性的低频区域的灵敏度降低。其结果,也具有能够去除风噪声等噪声的效果。另外,在本实施例中,在电容式转换器内吸进空气的同时也吸进异物的情况下,能够使该异物在凸部孔37c通过而直接移动至背板的上侧。其结果,能够抑制异物触碰振动电极膜35,能够抑制异物堆积或夹入振动电极膜35及背板37的周围。
另外,图10表示与使用现有的凸部的情况和使用本实施例中凸部37b的情况相关的压缩空气试验的结果。在该压缩空气试验中,从安装有电容式转换器的封装的音孔施加压缩空气,测定强度。图10(a)是上述的空压试验的作用概念图。图10(b)是上述的空压试验中得到的试验结果。
如图10所示,与现有的具有凸部17b的构成相比较,在具有设有凸部孔37c的本实施例的凸部37b的构成中,压缩空气耐性改善40%左右。在压缩空气试验的情况下,在压缩空气流入时振动膜从下侧被施加压力,在试验结束时压缩空气流出时振动膜从上侧被施加压力。因此,在本实施例中,可以考虑,即使在从背板37的上侧作用压力的情况下,空气不仅从凸部37b与压力释放孔35b之间的间隙,也从凸部孔37c排出至振动电极膜35的下侧,因此,压缩空气耐性得以提高。
<实施例2>
接下来,对本发明的实施例2进行说明。在实施例1中,对相对于背板上的圆柱状的凸部形成了凸部孔的情况进行了说明,但在本实施例中,对相对于具有随着朝向前端侧而直径变小的圆锥形状的凸部形成了凸部孔的情况进行说明。
图11表示本实施例中背板的凸部及振动电极膜的压力释放孔附近的剖视图。图11(a)表示在具有随着朝向前端侧而直径变小的圆锥形状的凸部47b的内壁底面的平坦部47d上开设凸部孔47c的例子。图11(b)表示也包含在具有随着朝向前端侧而直径变小的圆锥形状的凸部57b上的内壁的圆锥状的侧面57d而开设凸部孔57c的例子。
在图11所示的情况下,凸部47b、57b具有随着朝向前端侧而直径变小的圆锥形状。因此,在过大的压力从上侧作用于振动电极膜45、55,振动电极膜45、55向下侧变形的状态下,即使凸部47b、57b从压力释放孔45b、55b脱离之前,成为凸部47b、57b的前端侧的小径的部分贯通压力释放孔45b、55b的状态。从而,具有释放压力的空气流路面积增大,抑制振动电极膜45、55的过量变形的效果。
另外,在此基础上,在本实施例中,被导入电容式转换器内的空气的一部分通过设于凸部47b、57b的凸部孔47c、57c,能够排出至振动电极膜45、55的下侧。由此,过大的压力从上侧作用到振动电极膜45、55,即使在振动电极膜45、55向下侧变形的状态下,压力的一部分也能够排出,进而能够可靠地提高对压力的耐性。
另一方面,在过大的压力从下侧作用到振动电极膜45、55的情况下,即使在振动电极膜45、55向上侧大幅变形的状态下,仅通过凸部47b、57b的圆锥形状的效果,不能增大释放压力的空气流路面积,不能防止振动电极膜向上侧的过量变形。对此,在本实施例中,即使在这种状态下,通过凸部孔47c、57c,振动电极膜45、55的下侧的空气也能够排出至背板47、57的上侧。因此,能够进一步可靠地提高对压力的耐性。
<实施例3>
接下来,对本发明的实施例3进行说明。在本实施例中,对在大致圆柱状的凸部形成凸部孔时的变形进行说明。
图12表示本实施例中凸部孔的方式的变形。图12(a)是在设于背板67的圆柱状的凸部67b的前端形成了两个凸部孔67c的例子。根据该例,能够一边维持作为凸部67b的强度,一边形成总的来看流量面积较大的凸部孔。
另外,图12(b)表示通过相对于实心的凸部77b形成贯通孔而设有凸部孔77c的例子。即使通过该例,也能够得到与例如在由通过较薄的氮化硅(SiN)的成膜工艺形成的薄膜构成的凸部上设有凸部孔的情况同样的效果。
此外,在上述实施例中,凸部孔的直径及个数能够根据电容式转换器要求的灵敏度或频率特性而适当变更。另外,凸部孔的截面形状虽没有特别限制,但理想的是圆形。由此,能够缓和凸部上的应力集中,能够相对提高凸部的强度。另外,在以应用于一般数量mm见方的MEMS麦克风为前提的情况下,当凸部孔的大小过大时,频率特性过度恶化,当凸部孔的大小过小时,急于半导体制造工艺的形成变得困难。基于这些,理想的是,凸部孔的截面的宽度(在凸部孔的截面为圆形的情况下为直径)为1μm以上且50μm以下。
Claims (6)
1.一种电容式转换器,其具备:
基板,其在表面具有开口;
背板,其以与所述基板的开口相对的方式配设;
振动电极膜,其在与所述背板之间经由空隙而与该背板相对地配设,
所述电容式转换器将所述振动电极膜的变形转换成该振动电极膜与所述背板之间的电容的变化,所述电容式转换器的特征在于,还具备:
压力释放孔,其为设于所述振动电极膜的贯通孔;
凸状部分,其利用与所述背板相同的部件与该背板一体设置,在所述振动电极膜变形前的状态下,侵入所述压力释放孔;
压力释放流路,其为通过所述压力释放孔与所述凸状部分的间隙形成的空气的流路,
所述凸状部分具有将该凸状部分的前端侧和所述背板上的该凸状部分的相反侧连通的第二贯通孔。
2.如权利要求1所述的电容式转换器,其特征在于,
在所述凸状部分侵入到所述压力释放孔的状态下,从与所述振动电极膜垂直的方向观察,所述第二贯通孔包含于所述压力释放孔。
3.如权利要求1所述的电容式转换器,其特征在于,
所述第二贯通孔的截面形状为圆形。
4.如权利要求2所述的电容式转换器,其特征在于,
所述第二贯通孔的截面形状为圆形。
5.如权利要求1~4中任一项所述的电容式转换器,其特征在于,
所述第二贯通孔的截面的宽度为1μm以上且50μm以下。
6.一种音响传感器,其具有权利要求1~5中任一项所述的电容式转换器,将声压转换为所述振动电极膜与所述背板之间的电容的变化而进行检测。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016047307A JP6701825B2 (ja) | 2016-03-10 | 2016-03-10 | 静電容量型トランスデューサ及び音響センサ |
JP2016-047307 | 2016-03-10 | ||
PCT/JP2017/003299 WO2017154412A1 (ja) | 2016-03-10 | 2017-01-31 | 静電容量型トランスデューサ及び音響センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107925827A CN107925827A (zh) | 2018-04-17 |
CN107925827B true CN107925827B (zh) | 2020-05-05 |
Family
ID=59789326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780002686.XA Active CN107925827B (zh) | 2016-03-10 | 2017-01-31 | 电容式转换器及音响传感器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10425743B2 (zh) |
EP (1) | EP3328095B1 (zh) |
JP (1) | JP6701825B2 (zh) |
CN (1) | CN107925827B (zh) |
WO (1) | WO2017154412A1 (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107509150B (zh) * | 2017-09-29 | 2020-06-09 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | Mems麦克风 |
KR102121696B1 (ko) * | 2018-08-31 | 2020-06-10 | 김경원 | Mems 캐패시티브 마이크로폰 |
US11119532B2 (en) * | 2019-06-28 | 2021-09-14 | Intel Corporation | Methods and apparatus to implement microphones in thin form factor electronic devices |
CN111757223B (zh) * | 2020-06-30 | 2021-12-14 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种mems麦克风芯片 |
CN113873404A (zh) * | 2021-09-29 | 2021-12-31 | 瑞声声学科技(深圳)有限公司 | 一种振膜及其制备方法、mems麦克风 |
CN117835132A (zh) * | 2022-09-29 | 2024-04-05 | 歌尔微电子股份有限公司 | 一种微机电芯片 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102665161A (zh) * | 2011-06-27 | 2012-09-12 | 美国通用微机电系统公司 | 单片硅麦克风 |
CN103402161A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-11-20 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 微硅麦克风及其制作方法 |
US8737171B2 (en) * | 2012-09-24 | 2014-05-27 | Wolfson Microelectronics Plc | MEMS device and process |
CN105191350A (zh) * | 2013-03-13 | 2015-12-23 | 欧姆龙株式会社 | 静电容量式传感器、声音传感器以及麦克风 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050194303A1 (en) * | 2004-03-02 | 2005-09-08 | Sniegowski Jeffry J. | MEMS flow module with filtration and pressure regulation capabilities |
JP2008259061A (ja) * | 2007-04-06 | 2008-10-23 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電型トランスデューサ |
US8327711B2 (en) * | 2008-02-20 | 2012-12-11 | Omron Corporation | Electrostatic capacitive vibrating sensor |
JP5400708B2 (ja) | 2010-05-27 | 2014-01-29 | オムロン株式会社 | 音響センサ、音響トランスデューサ、該音響トランスデューサを利用したマイクロフォン、および音響トランスデューサの製造方法 |
ITTO20130441A1 (it) * | 2013-05-30 | 2014-12-01 | St Microelectronics Srl | Struttura di rilevamento per un trasduttore acustico mems con migliorata resistenza alle deformazioni |
JP6179297B2 (ja) | 2013-09-13 | 2017-08-16 | オムロン株式会社 | 音響トランスデューサ及びマイクロフォン |
JP6149628B2 (ja) * | 2013-09-13 | 2017-06-21 | オムロン株式会社 | 音響トランスデューサ及びマイクロフォン |
KR20150047046A (ko) * | 2013-10-23 | 2015-05-04 | 삼성전기주식회사 | 음향 변환기 및 패키지 모듈 |
JP2015188947A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 新日本無線株式会社 | Mems素子 |
-
2016
- 2016-03-10 JP JP2016047307A patent/JP6701825B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-31 EP EP17762758.5A patent/EP3328095B1/en active Active
- 2017-01-31 WO PCT/JP2017/003299 patent/WO2017154412A1/ja unknown
- 2017-01-31 CN CN201780002686.XA patent/CN107925827B/zh active Active
-
2018
- 2018-02-21 US US15/901,841 patent/US10425743B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102665161A (zh) * | 2011-06-27 | 2012-09-12 | 美国通用微机电系统公司 | 单片硅麦克风 |
US8737171B2 (en) * | 2012-09-24 | 2014-05-27 | Wolfson Microelectronics Plc | MEMS device and process |
CN105191350A (zh) * | 2013-03-13 | 2015-12-23 | 欧姆龙株式会社 | 静电容量式传感器、声音传感器以及麦克风 |
CN103402161A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-11-20 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 微硅麦克风及其制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180184211A1 (en) | 2018-06-28 |
CN107925827A (zh) | 2018-04-17 |
US10425743B2 (en) | 2019-09-24 |
WO2017154412A1 (ja) | 2017-09-14 |
EP3328095A1 (en) | 2018-05-30 |
EP3328095B1 (en) | 2019-12-18 |
EP3328095A4 (en) | 2019-02-27 |
JP6701825B2 (ja) | 2020-05-27 |
JP2017163409A (ja) | 2017-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107925827B (zh) | 电容式转换器及音响传感器 | |
CN106688246B (zh) | 静电电容式转换器及音响传感器 | |
US9319798B2 (en) | Capacitive transducer | |
US9544697B2 (en) | Acoustic transducer and microphone | |
KR101511825B1 (ko) | 정전용량형 진동 센서 | |
US8374364B2 (en) | Acoustic sensor and method of manufacturing the same | |
US10469957B2 (en) | Capacitive transducer and acoustic sensor | |
CN107852559B (zh) | 静电电容式换能器及声音传感器 | |
CN108235202B (zh) | 声学传感器及电容式变换器 | |
CN214205841U (zh) | 微机电系统mems麦克风芯片及mems麦克风 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Tokyo, Japan Patentee after: MMI Semiconductor Co.,Ltd. Address before: Shiga Patentee before: Shiga Semiconductor Co.,Ltd. |
|
CP03 | Change of name, title or address | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230117 Address after: Shiga Patentee after: Shiga Semiconductor Co.,Ltd. Address before: Kyoto Japan Patentee before: Omron Corp. |
|
TR01 | Transfer of patent right |