CN107870389B - 一种抛物线芯耦合瓣状芯的大模场抗弯曲单模光纤 - Google Patents

一种抛物线芯耦合瓣状芯的大模场抗弯曲单模光纤 Download PDF

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Abstract

一种抛物线芯耦合瓣状芯的大模场抗弯曲单模光纤,属于大功率光纤放大器、激光器、特种光纤。该光纤中心是掺稀土离子芯区(1),由内到外分布内包层(2),围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布的N个相同半径和弧度的瓣状纤芯(3,1)……(3,N),外包层(4);掺稀土离子芯区(1)的折射率剖面呈抛物线形,最大相对折射率差Δ=(n1‑n2),瓣状纤芯的折射率相等,为n1;内包层(2)的折射率小于瓣状纤芯的折射率,为n2。本发明的抛物线芯最大相对折射率差Δ大于0.002,用传统方法易于制作,解决了瓣状光纤弯曲特性差以及抛物线光纤制作难度大的问题。瓣状纤芯可由一根光纤预制棒制作而成,节省材料、便于制造,适用于大规模生产。

Description

一种抛物线芯耦合瓣状芯的大模场抗弯曲单模光纤
技术领域
本发明涉及一种抛物线芯耦合瓣状芯的大模场抗弯曲单模光纤,属于大功率光纤放大器、激光器、特种光纤领域。
背景技术
掺稀土光纤放大器或激光器采用掺稀土元素(Nd,Sm,Ho,Er,Pr,Tm,Yb等)离子光纤,利用受激辐射机制实现光的直接放大。
光纤激光器以其卓越的性能和低廉的价格,在光纤通信、工业加工、医疗、军事等领域取得了日益广泛的应用,2010年已经报道了10kW功率的连续激光器。随着激光技术应用的发展,材料加工、空间通信、激光雷达、光电对抗、激光武器等的发展,需要高功率、高质量的激光,要求单模输出功率达到MW甚至GW量级。然而,非线性效应限制了功率的增加。增加模场面积是抑制非线性效应的一个有效方法。2011年,Tino Eidam等人发现模式不稳现象是损害高功率光束质量的主要因素。导致模式不稳的因素包括横向烧孔、发热引起的光纤折射率变化等,这些使得高阶模式获得更高的增益。因此,抑制高阶模式,保持单模运行,是提高高功率光纤激光器和放大器性能的重要方式之一。
这些年来,许多新型的强激光光纤已经被设计和制造。但是大部分的强激光光纤都有一定的缺陷,比如结构复杂、制造难度大、弯曲特性差等。
由于现有的制造技术限制,利用传统光纤制造方法很难实现数值孔径低于0.05的阶跃型光纤。
而仅仅采用单模有源纤芯的双包层掺稀土光纤激光器,由于单模有源纤芯芯径小于等于10微米,受到非线性、结构元素和衍射极限的限制,承受的光功率有限,单模有源光纤纤芯连续波损坏阈值约1W/m2,其光学损坏危险成为实现大功率单模光纤激光器的一大挑战.除了光学损坏外,由于大功率光产生的热也会损坏光纤,甚至会最终融化纤芯。有文献报道,铒镱共掺光纤激光器每米可产生100W热。
光子晶体光纤可以实现超大模场面积,不过其受到弯曲损耗的困扰,制造难度大、成本高。
多芯光纤激光器实现单模输出,有效模场面积可达到465μm2。然而这种单模激光器采用的多芯光纤,对光纤纤芯的芯径以及相邻纤芯之间的距离需要精确的设计,对光纤纤芯之间的距离的容许误差小,批量生产成品率低。
瓣状光纤通过选取特定的光纤参数,能够实现单模工作。这种光纤,其特定的结构是增加基模以外的损耗,实现了在芯层直径在50微米的光纤中实现单模工作,然而其功率的提高受限于芯层半径。
多沟槽光纤是一种新型光纤,通过多层形芯环绕,实现单模工作。这种光纤,工艺要求高,与普通光纤连接损耗大,弯曲引起的双折射是克服不了的难题。
抛物线形折射率光纤具有天然抗弯曲的特性,可以在弯曲的情况下,实现大模场面积、良好的高阶模式抑制、降低有源光纤中高阶模式增益,但是当光纤纤芯较大、弯曲半径较小时,为实现较好的高阶模式抑制,此设计顶端与包层的折射率差要足够小,类似于阶跃型折射率强激光光纤遇到的困难,传统的光纤制造技术难以实现如此低的折射率差。
发明内容
为克服现有传统光纤数值孔径受限、单芯多掺稀土离子区双包层光纤承受光功率有限、光子晶体光纤空气孔制作难度大、大模场单模多芯光纤批量生产成品率低、瓣状光纤芯层直径有限、多沟槽光纤弯曲敏感以及抛物线形光纤难以制造等缺陷,提出了一种抛物线芯耦合瓣状芯的大模场抗弯曲单模光纤。
本发明的技术方案:
1.抛物线芯耦合瓣状芯的大模场抗弯曲单模光纤,该光纤中心为掺稀土离子芯区,由内到外分布围绕掺稀土离子芯区均匀分布的N个相同半径和弧度的瓣状纤芯,内包层,外包层,3≤N≤32整数;
掺稀土离子芯区的折射率剖面呈抛物线形,最大相对折射率差Δ=(n1-n2),瓣状纤芯的折射率相等,为n1;内包层的折射率小于瓣状纤芯的折射率,为n2;外包层的折射率小于内包层的折射率。
2.掺稀土离子芯区、瓣状纤芯的掺稀土离子类型包括钕离子、铒离子、镱离子、钍离子、镨离子、钬离子、钐离子、钕镱共掺离子或铒镱共掺离子;掺稀土离子芯区、瓣状纤芯的掺稀土离子类型相同。
3.掺稀土离子芯区的纤芯半径R1为10~30μm;瓣状纤芯的半径为30~50μm。
4.瓣状纤芯(3,1)、(3,2)……(3,N)围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布,瓣状纤芯由一根光纤预制棒处理成,各块瓣状纤芯弧度等于360°/N。
本发明的有益效果具体如下:设计了一种抛物线芯耦合瓣状芯的大模场抗弯曲单模光纤,解决了瓣状光纤弯曲特性差以及抛物线光纤制作难度大的问题,提高了光纤的抗弯曲性能以及降低了制作难度,能在改善瓣状光纤弯曲特性的情况下实现大功率的激光输出。抛物线芯最大相对折射率差Δ大于0.002,用传统方法易于制作。瓣状纤芯可由一根光纤预制棒制作而成,节省材料、便于制造。通过调整光纤中心掺稀土离子芯区的直径和最大相对折射率差、以及掺稀土瓣状纤芯的数量和半径,实现光纤大的有效模场面积,能实现大功率单模激光输出。由于瓣状光纤的角度可通过瓣的数量调节,从而有利于实现纤芯热扩散,有效地提高了光纤的抗热能力和单模特性。
附图说明
图1是本发明光纤一个实施例的折射率剖面示意图和对应的光纤(3瓣)截面示意图。
图2是本发明光纤一个实施例的折射率剖面示意图和对应的光纤(4瓣)截面示意图。
图3是本发明光纤一个实施例的折射率剖面示意图和对应的光纤(6瓣)截面示意图。
图4是本发明光纤另一个实施例的折射率剖面示意图和对应的光纤(16瓣)截面示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。
实施例一
抛物线芯耦合3瓣芯的大模场抗弯曲单模光纤,参见图1。该光纤中心为掺稀土离子芯区(1),围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布3个相同半径和弧度的瓣状纤芯(3,1)、(3,2)、(3,3),内包层(2),外包层(4),本实例中N=3;
掺稀土离子芯区(1)、瓣状纤芯(3,1)、(3,2)、(3,3)的掺稀土离子类型均为铒离子。
掺稀土离子芯区(1)的中心、瓣状纤芯(3,1)、(3,2)、(3,3)的折射率相等;
掺稀土离子芯区(1)最大相对折射率差Δ=(n1-n2)=0.005,内包层(2)的折射率小于瓣状纤芯(3,1)的折射率,外包层(4)的折射率小于内包层(2)的折射率
掺稀土离子芯区(1)的直径为50μm,瓣状纤芯的半径为25μm,角度为120°
实施例二
抛物线芯耦合4瓣芯的大模场抗弯曲单模光纤,参见图2。该光纤中心为掺稀土离子芯区(1),围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布4个相同半径和弧度的瓣状纤芯(3,1)、(3,2)、(3,3)、(3,4),内包层(2),外包层(4),本实例中N=4;
掺稀土离子芯区(1)、瓣状纤芯(3,1)、(3,2)、(3,3)、(3,4)的掺稀土离子类型均为铒离子。
掺稀土离子芯区(1)的中心、瓣状纤芯(3,1)、(3,2)、(3,3)、(3,4)的折射率相等;
掺稀土离子芯区(1)最大相对折射率差Δ=(n1-n2)=0.004,内包层(2)的折射率小于瓣状纤芯(3,1)的折射率,外包层(4)的折射率小于内包层(2)的折射率
掺稀土离子芯区(1)的直径为50μm,瓣状纤芯的半径为25μm,角度为90°
实施例三
抛物线芯耦合6瓣芯的大模场抗弯曲单模光纤,参见图3。该光纤中心为掺稀土离子芯区(1),围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布6个相同半径和弧度的瓣状纤芯(3,1)、(3,2)、(3,3)、(3,4)、(3,5)、(3,6),内包层(2),外包层(4),本实例中N=6;
掺稀土离子芯区(1)、瓣状纤芯(3,1)、(3,2)、(3,3)、(3,4)、(3,5)、(3,6)的掺稀土离子类型均为铒离子。
掺稀土离子芯区(1)的中心、瓣状纤芯(3,1)、(3,2)、(3,3)、(3,4)、(3,5)、(3,6)的折射率相等;
掺稀土离子芯区(1)最大相对折射率差Δ=(n1-n2)=0.004,内包层(2)的折射率小于瓣状纤芯(3,1)的折射率,外包层(4)的折射率小于内包层(2)的折射率
掺稀土离子芯区(1)的直径为40μm,瓣状纤芯的半径为20μm,角度为60°
实施例四
抛物线芯耦合16瓣芯的大模场抗弯曲单模光纤,参见图4。该光纤中心为掺稀土离子芯区(1),围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布16个相同半径和弧度的瓣状纤芯(3,1)、(3,2)、(3,3)、(3,4)、(3,5)、(3,6)、(3,7)、(3,8)、(3,9)、(3,10)、(3,11)、(3,12)、(3,13)、(3,14)、(3,15)、(3,16),内包层(2),外包层(4),本实例中N=16;
掺稀土离子芯区(1)、瓣状纤芯(3,1)、(3,2)、(3,3)、(3,4)、(3,5)、(3,6)、(3,7)、(3,8)、(3,9)、(3,10)、(3,11)、(3,12)、(3,13)、(3,14)、(3,15)、(3,16)的掺稀土离子类型均为铒离子。
掺稀土离子芯区(1)的中心、瓣状纤芯(3,1)、(3,2)、(3,3)、(3,4)、(3,5)、(3,6)、(3,7)、(3,8)、(3,9)、(3,10)、(3,11)、(3,12)、(3,13)、(3,14)、(3,15)、(3,16)的折射率相等;
掺稀土离子芯区(1)最大相对折射率差Δ=(n1-n2)=0.003,内包层(2)的折射率小于瓣状纤芯(3,1)的折射率,外包层(4)的折射率小于内包层(2)的折射率
掺稀土离子芯区(1)的直径为30μm,瓣状纤芯的半径为30μm,角度为22.5°。

Claims (2)

1.抛物线芯耦合瓣状芯的大模场抗弯曲单模光纤,其特征为:该光纤中心是折射率为抛物线的掺稀土离子芯区(1),由内到外分布围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布的N个相同半径和弧度的瓣状纤芯(3,1)……(3,N),内包层(2),外包层(4),3≤N≤32整数;其中所述内包层(2)延伸至相邻瓣状纤芯(3,1)……(3,N)之间的间隙之中;掺稀土离子芯区(1)的纤芯半径R1为10~30μm;瓣状纤芯(3,1)……(3,N)的半径d为30~50μm;瓣状纤芯(3,1)、(3,2)……(3,N)围绕掺稀土离子芯区(1)均匀分布,瓣状纤芯由一根光纤预制棒处理成,各块瓣状纤芯弧度等于360°/N;以上所述瓣状纤芯的形状为扇形;
掺稀土离子芯区(1)的折射率剖面呈抛物线形,最大相对折射率差Δ=(n1-n2),为0.002~0.007;稀土离子芯区(1)的中心、瓣状纤芯(3,1)……(3,N)的折射率相等,为n1;内包层(2)的折射率小于瓣状纤芯(3,1)……(3,N)的折射率,为n2;外包层(4)的折射率小于内包层(3)的折射率。
2.根据权利要求1所述的抛物线芯耦合瓣状芯的大模场抗弯曲单模光纤,其特征为:掺稀土离子芯区(1)、瓣状纤芯(3,1)……(3,N)的掺稀土离子类型包括钕离子、铒离子、镱离子、钍离子、镨离子、钬离子、钐离子、钕镱共掺离子或铒镱共掺离子;掺稀土离子芯区(1)、瓣状纤芯(3,1)……(3,N)的掺稀土离子类型相同。
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